CN113078553A - 一种铝量子阱激光器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种铝量子阱激光器及其制备方法，制备方法包括以下步骤：采用多硫化铵溶液处理刻蚀面上的氧化物，并生成硫化物保护层；采用金属有机气相沉积在InP基板表面依次生长波导层和第三InP层，在金属有机气相外延沉积生长前的升温过程中，烘烤刻蚀面使硫化物保护层的硫原子解吸附，生成硫单质随载气升华。此解决含铝量子阱激光器刻蚀面氧化问题的发明的工艺，与传统的钝化技术相比，成本低，工艺简单，稳定性强。
Description
技术领域
本发明属于半导体激光器芯片制备技术领域，具体涉及一种铝量子阱激光器及其制备方法。
背景技术
分布式反馈激光器(DFB)具有高边模抑制比、线宽窄、调制速度率高、动态单纵模的特点，随着5G逐渐商用化，分布式反馈激光器首当其冲成为主要光源。用于DFB激光器有源区的材料有两种，一种是InGaAsP材料，一种是AlInGaAs材料，两种材料体系之间的主要区别在于导带和价带偏移的分布，在磷系中，量子阱势在导带的能量偏移小于价带，而在铝系中，情况正好相反。因此铝系具有更陡峭出光斜效率和更高的光输入功率。铝系统的另一个积极特征是更好的外延均匀性，更易于控制量子阱的能带结构。因此，AlInGaAs材料更适合制造高速器件。
半导体DFB激光器无论是掩埋（BH）或者脊波导（RWG）结构，在制程中都需要将部分有源区部分进行刻蚀，从而暴露在空气当中。而AlInGaAs材料在空气中会迅速被氧化，从而影响后续制程，尤其是从晶圆切割到芯片后会在切面进行镀高反射膜和高透射膜层，Al的氧化物会破坏膜层的平整度，且会大量吸收光，导致激光器光功率减小。而在老化测试中，Al的氧化物会扩散进入半导体晶体结构中，加速器件退化，甚至形成灾变性损伤，激光器可靠性严重下降，良率降低。
而为了制造高速激光器，则必须使用AlInGaAs材料，为了解决AlInGaAs材料在空气中会迅速被氧化问题，目前的方法有镀钝化膜、镀电介质涂层，可以拟制切面氧化，降低腔面吸收。
但此类方法工艺复杂，稳定性差，不利于工业化生产。
发明内容
为了解决铝量子阱激光器稳定性差的问题，本发明提供一种铝量子阱激光器及其制备方法，本发明制备方法主要是解决含铝量子阱激光器工艺过程中刻蚀面氧化问题导致性能差的问题，与传统的钝化技术相比，成本低，工艺简单，稳定性强。
为了实现上述目的，本发明提供了如下的技术方案。
一种铝量子阱激光器的制备方法，包括以下步骤：
在InP基板上使用金属有机气相外延沉积有源层，有源层上依次沉积InGaAsP层和第一InP层，在第一InP层上沉积掩膜，使用光刻将需要刻蚀的区域漏出，然后采用干刻刻蚀至底部的第一InP层，形成具有光栅结构的光栅层；
使用金属有机气相外延沉积在光栅层上沉积第二InP层；
在第二InP层上局部沉积掩膜层，使用光刻及干刻刻蚀将有源区刻蚀穿至InP基板表面形成刻蚀面；并采用硫酸双氧水溶液浸泡刻蚀面；
采用多硫化铵溶液处理刻蚀面上的氧化物，并生成硫化物保护层；
采用金属有机气相沉积在InP基板表面依次生长波导层和第三InP层，在金属有机气相外延沉积生长前的升温过程中，烘烤刻蚀面使硫化物保护层的硫原子解吸附，生成硫单质随载气升华。
作为本发明的进一步改进，所述多硫化铵为（NH4）2Sx，x>1；
所述多硫化铵溶液是通过将纯硫溶解在40~50℃的单硫化铵溶液中制成。
作为本发明的进一步改进，采用多硫化铵溶液处理刻蚀面上的氧化物的具体步骤为：
将铝量子阱激光器刻蚀面放入多硫化铵溶液中，温度45-60℃，浸泡10-30min，再用去离子水中冲洗10-20min，使用氮气吹干去离子水。
作为本发明的进一步改进，所述硫化物保护层为Al2S3、GaS、InS和As2S3中的一种或多种形成的薄膜。
作为本发明的进一步改进，所述硫酸双氧水溶液浸泡刻蚀面具体是采用硫酸双氧水溶液浸泡2-10秒，再使用DI水冲洗10-20min，再使用氮气枪吹扫1min；硫酸双氧水溶液按体积比计，硫酸：双氧水：水=1:1:5。
作为本发明的进一步改进，所述烘烤是升温至600-650℃，处理20-40min；或者，
所述烘烤是先升温至600℃时烘烤10~20min，再升温至650℃时，烘烤10~20min。
作为本发明的进一步改进，所述采用干刻刻蚀至底部的第一InP层中，干刻的刻蚀气源为Cl2、H2和Ar，气源流量为分别为20sccm、15sccm和30sccm。
作为本发明的进一步改进，所述使用光刻及干刻刻蚀将有源区刻蚀穿至InP基板表面形成刻蚀面中，干刻的刻蚀气源为H2和Ar，流量为分别为20sccm和15sccm。
作为本发明的进一步改进，使用金属有机气相外延沉积在光栅层上沉积第二InP层，厚度为0.15-0.25μm。
作为本发明的进一步改进，所述沉积掩膜层的材料为Si3N4或SiO2。
作为本发明的进一步改进，所述波导层的材料为 In1-xGaxAsyP1-y，0.04≤x≤0.5，0.2≤y≤0.6。
作为本发明的进一步改进，生长所述波导层所需材料为磷烷、三甲基铟、二甲基镓和砷烷，其中，Ⅴ族元素与Ⅲ族元素摩尔比为
一种铝量子阱激光器，由所述的方法制得。
其中，铝量子阱激光器，包括InP基板；
所述InP基板上沉积有源层和波导层；波导层覆盖有源层端部；
所述有源层沉积有由第一InP层和InGaAsP层形成的光栅层；所述光栅层上沉积有第二InP层，InP覆盖光栅层和有源层；
所述波导层上设置有第三InP层。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明使用多硫化铵溶液（（NH4）2Sx，x>1）将AlInGaAs材料表面的氧化物刻蚀，生成稳定的硫化物保护层，保护刻蚀面的有源区材料，防止被氧化。并在MOCVD外延中，使用特定的温度，烘烤条件与气氛使硫原子解吸附，使被保护的有源区漏出，再通过生长性质稳定的InGaAsP作为波导，从而解决了以上问题，具有工艺简单、成本低廉、效果显著的优点，使AlInGaAs材料作为BH，Ridge激光器有源区成为可能。此解决含铝量子阱激光器刻蚀面氧化问题的发明的工艺，与传统的钝化技术相比，成本低，工艺简单，稳定性强。再使用多硫化铵溶液浸泡后，可以完全阻挡空气和有源区接触，再在MOCVD生长的环境下，使用高温烘烤将硫原子解吸附，MOCVD腔室是完全隔绝氧气的环境，不会有新的氧被引入。
本发明铝量子阱激光器的制备方法中，使用多硫化铵溶液浸泡，可以有效的对AlInGaAs材料被空气氧化的部分完全刻蚀干净，刻蚀至AlInGaAs材料后，刻蚀速率快速减慢，随着硫化物的生成，刻蚀面的有源区被保护起来，实现易氧化端面的脱氧钝化保护。
优选的，升温时，使用两段温度烘烤，可以有效的将硫原子解吸附，使正常的AlInGaAs有源区漏出，再与波导层连接，两者接触面完全没有氧的存在。本发明具有操作简单，成本低，去氧效率高等诸多优点。氧含量减少，可以有效的提高半导体激光器的可靠性，大大延长激光器的使用时间，使AlInGaAs材料作为BH，Ridge激光器成为可能。
进一步，两次刻蚀均采用了干刻技术，干刻技术具有刻蚀速率均匀、无侧面刻蚀、可精确控制刻蚀速率及刻蚀厚度可控等特点。
进一步，通过调整In1-xGaxAsyP1-y中的组分，通过控制Ⅴ族元素与Ⅲ族元素摩尔比，x，y的范围为0.04≤x≤0.5，0.2≤y≤0.6，可以保证被动波导与有源区光学匹配，可以有效的对有源区发出的光进行限制，且吸收最小，损耗最小。
附图说明
在此描述的附图仅用于解释目的，而不意图以任何方式来限制本发明公开的范围。另外，图中的各部件的形状和比例尺寸等仅为示意性的，用于帮助对本发明的理解，并不是具体限定本发明各部件的形状和比例尺寸。本领域的技术人员在本发明的教导下，可以根据具体情况选择各种可能的形状和比例尺寸来实施本发明。在附图中：
图1为本发明优选实施例的铝量子阱激光器的制备方法流程图；
图2为本发明制备的铝量子阱激光器示意图；
图3为本发明制作过程中步骤一的结构示意图；
图4为本发明制作过程中步骤二的结构示意图；
图5为本发明为制作过程中步骤三的结构示意图；
图6为激光器芯片制作过程中步骤四结束后的结构示意图；
附图中：
1-InP基板，2-有源层，3-光栅层，4-掩膜层，5-第一刻蚀区，6-第一InP层，7-InGaAsP层，8-第二InP层，9-掩膜层，10-第二刻蚀区，11-第三刻蚀区，12-硫化物保护层，13-波导层，14-第三InP层。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清除、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施例。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1所示，本发明第一个目的在于提供一种铝量子阱激光器的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：在InP基板上使用金属有机气相外延沉积有源层，有源层上沉积一层InGaAsP层和一层第一InP层，在第一InP层上沉积掩膜层，使用光刻技术将需要刻蚀的区域漏出，然后采用干刻技术刻蚀至底部的第一InP层，从而制成InGaAsP材料的光栅结构即得到光栅层3。
进一步的，干刻采用电感耦合等离子体设备，刻蚀气源为Cl2气体，H2体和Ar体，Cl2气体，H2体和Ar体的流量为分别为20sccm，15sccm和30sccm。掩模层的材料为光刻胶。
步骤2：使用金属有机气相外延沉积在光栅结构上沉积第二InP层。
进一步的，采用金属有机气相沉积在步骤1得到的产品上生长InP，厚度为0.15～0.25μm。
步骤3：步骤2得到的产品上沉积掩膜层，使用光刻技术及干法刻蚀将有源区刻蚀穿至底部InP基板，暴露出激光器两个端面。
使用硫酸双氧水溶液（体积比为硫酸：双氧水：水=1:1:5）浸泡2-10秒，再使用DI水冲洗10-20min，再使用氮气枪吹扫1min。主要目的为去除干刻时在AlInGaAs材料侧面造成的损伤和晶格缺陷，这些损伤和晶格缺陷是造成可靠性降低的重要原因之一。
进一步的，沉积的掩模层的材料为Si3N4或SiO2。干刻采用电感耦合等离子体设备，刻蚀气源为H2和Ar，流量为分别为20sccm和15sccm。
步骤4：迅速将步骤3得到的产品放入多硫化铵溶液中，浸泡10-30min，温度为45-60℃，之后将产品在去离子水中冲洗10-20min，再使用高纯氮气将产品表面的去离子水吹干，此时经过刻蚀裸露出的有源区氧化物被多硫化铵去除，且生成稳定的硫化物保护层保护刻蚀面。
其中，利用多硫化铵（（NH4）2Sx，x>1）溶液浸泡整个样品，使用多硫化铵溶液去除氧化物并生成反硫化物（Al2S3，GaS，InS，As2S3），从而将有源区与空气隔离。再在MOCVD升温时通过高温使硫原子解吸附，使被保护的有源区漏出，再通过生长性质稳定的InGaAsP作为波导，从而解决了以上问题。
所述多硫化铵为（NH4）2Sx，x>1。多硫化铵溶液是通过将纯硫溶解在40~50℃的单硫化铵溶液中制成。
进一步的，多硫化铵的溶液该热溶液是通过将纯硫溶解在单硫化铵（（NH4）2S）溶液中制成的，方法为在40~50℃的热板上0.05 g纯硫添加到10 mL 20%（NH4）2S溶液中。
所述硫化物保护层为Al2S3、GaS、InS和As2S3中的一种或多种形成薄膜。
其中，使用多硫化铵的原因是：多硫化铵会缓慢分解析出硫单质，温度越高，析出越多，使用条件为45-60℃，温度较高。因此，加入硫单质制成多硫化铵可以有效防止硫化铵分解，保证硫化铵的浓度。
步骤5：将步骤4得到的产品进行金属有机气相外延沉积，在升温至600-650℃时停留20-40min进行烘烤，使硫原子在高温下尽可能的解吸附，生成的硫单质升华被载气带走。之后生长波导层和第三InP层。此时，容易被空气氧化的AlInGaAs材料被稳定的不被氧化的InGaAsP材料保护。
所述烘烤是升温至600-650℃，处理20-40min。作为优选地实施例，升温至600℃时烘烤10~20min，再升温至650℃时，烘烤10~20min，采用此种方法可以先使硫化物表面活化，再升高50℃，可以有效增大硫原子的解吸附效率。防止硫原子残留（残留的硫原子在晶格中成为杂质，影响器件特性和可靠性）。
作为优选实施例，采用金属有机气相沉积工艺沉积波导层 In1-xGaxAsyP1-y，0.04≤x≤0.5，0.2≤y≤0.6。
进一步的，步骤5中，生长波导层所需材料为磷烷，三甲基铟和二甲基镓，砷烷。其中，Ⅴ族元素与Ⅲ族元素摩尔比为
。
原理为：使用多硫化铵溶液将AlInGaAs材料的有源区刻蚀面的氧化物反应，形成稳定的不被氧化的硫化物，再在MOCVD生长中，通过两段高温烘烤，使硫原子解吸附。通过生长不被氧化的InGaAsP材料作为波导层，解决了AlInGaAs材料激光器刻蚀面被氧化的问题，可以有效的提高半导体激光器的可靠性，大大延长激光器的使用时间，使AlInGaAs材料作为BH，Ridge激光器有源区成为可能。
如图2所示，本发明第二个目的在于提供一种铝量子阱激光器，采用上述方法制备而成，具体结构包括InP基板1；
所述InP基板1上沉积有源层2和波导层13；波导层13覆盖有源层2端部；
所述有源层2沉积有由第一InP层6和InGaAsP层 7形成的光栅层3；
所述光栅层3上沉积有第二InP层8，InP覆盖光栅层3和有源层2；
所述波导层13上设置有第三InP层14。
由于工艺中采用了防氧化工艺处理，使得铝量子阱激光器中氧含量减少，可以有效的提高半导体激光器的可靠性，大大延长激光器的使用时间，使AlInGaAs材料作为BH，Ridge激光器成为可能。
以下结合附图和具体工艺步骤对本发明的具体方法进行如下详细说明：
实施例1
步骤一：参见图3，在InP基板1上使用金属有机气相外延沉积有源层2，有源层2上沉积光栅层3（光栅层3包括一层InGaAsP层 7和一层第一InP层6），在第一InP层6上沉积掩膜4，使用光刻技术将需要刻蚀的第一刻蚀区5漏出，然后采用干刻技术将InGaAsP层 7刻蚀至底部的第一InP层 6，从而制成InGaAsP材料的光栅结构，即得到光栅层3。
步骤二：参见图4，使用金属有机气相外延沉积在光栅结构上沉积第二InP层8，将光栅结构之间的刻蚀区填平，保证光栅结构稳定。
步骤三：参见图5，步骤二得到的产品上沉积掩膜层9，使用光刻技术将SiO2刻蚀成长方形结构，用干刻技术将SiO2外的区域刻蚀至InP基板停止，刻蚀区包括第二刻蚀区10和第三刻蚀区11。
步骤四：参见图6，迅速将步骤三得到的产品放入多硫化铵溶液中，浸泡20min，温度50℃，之后将产品在去离子水中冲洗15min，再使用高纯氮气将产品表面的去离子水吹干，经过刻蚀裸露出的有源区氧化物被多硫化铵去除，且生成稳定的硫化物保护层12保护刻蚀面；并采用硫酸双氧水溶液浸泡刻蚀面。
步骤五：参见图2，将步骤4得到的产品进行金属有机气相外延沉积，在升温至630℃时停留10min进行烘烤，使硫原子在高温下尽可能的解吸附，生成的硫单质升华被载气带走。之后生长波导层13和第三InP层14。
此时，容易被空气氧化的AlInGaAs材料被稳定的不被氧化的InGaAsP材料保护。
实施例2
步骤一：参见图3，在InP基板1上使用金属有机气相外延沉积有源层2，有源层上沉积光栅层3（包括一层InGaAsP层 7，一层第一InP层6），在第一InP层6上积掩膜4，使用光刻技术将需要刻蚀的第一刻蚀区5漏出，然后采用干刻技术将InGaAsP层 7刻蚀至底部的第一InP层 6，从而制成InGaAsP材料的光栅结构，即得到光栅层3。
步骤二：参见图4，使用金属有机气相外延沉积在光栅结构上沉积第二InP层8，将光栅结构之间的刻蚀区填平，保证光栅结构稳定。
步骤三：参见图5，步骤二得到的产品上沉积掩膜层9，使用光刻技术将SiO2刻蚀成长方形结构，用干刻技术将SiO2外的区域刻蚀至InP基板停止，刻蚀区包括第二刻蚀区10和第三刻蚀区11。
步骤四：参见图6，迅速将步骤三得到的产品放入多硫化铵溶液中，浸泡10min，温度60℃，之后将产品在去离子水中冲洗10min，再使用高纯氮气将产品表面的去离子水吹干，经过刻蚀裸露出的有源区氧化物被多硫化铵去除，且生成稳定的硫化物保护层12保护刻蚀面；并采用硫酸双氧水溶液浸泡刻蚀面。
步骤五：参见图2，将步骤4得到的产品进行金属有机气相外延沉积，在升温至600℃时停留40min进行烘烤，使硫原子在高温下尽可能的解吸附，生成的硫单质升华被载气带走。之后生长波导层13和第三InP层14。
此时，容易被空气氧化的AlInGaAs材料被稳定的不被氧化的InGaAsP材料保护。
实施例3
步骤一：参见图3，在InP基板1上使用金属有机气相外延沉积有源层2，有源层上沉积光栅层3（包括一层InGaAsP层 7，一层第一InP层6），在第一InP层6上沉积掩膜4，使用光刻技术将需要刻蚀的第一刻蚀区5漏出，然后采用干刻技术将InGaAsP层 7刻蚀至底部的第一InP层 6，从而制成InGaAsP材料的光栅结构。
步骤二：参见图4，使用金属有机气相外延沉积在光栅结构上沉积第二InP层8，将光栅结构之间的刻蚀区填平，保证光栅结构稳定。
步骤三：参见图5，步骤二得到的产品上沉积掩膜层9，使用光刻技术将SiO2刻蚀成长方形结构，用干刻技术将SiO2外的区域刻蚀至InP基板停止，刻蚀区包括第二刻蚀区10和第三刻蚀区11。
步骤四：参见图6，迅速将步骤三得到的产品放入多硫化铵溶液中，浸泡30min，温度45℃，之后将产品在去离子水中冲洗20min，再使用高纯氮气将产品表面的去离子水吹干，经过刻蚀裸露出的有源区氧化物被多硫化铵去除，且生成稳定的硫化物保护层12保护刻蚀面；并采用硫酸双氧水溶液浸泡刻蚀面。
步骤五：参见图2，将步骤4得到的产品进行金属有机气相外延沉积，在升温至650℃时停留20min进行烘烤，使硫原子在高温下尽可能的解吸附，生成的硫单质升华被载气带走。之后生长波导层13和第三InP层14。
此时，容易被空气氧化的AlInGaAs材料被稳定的不被氧化的InGaAsP材料保护。
本发明解决了此解决含铝量子阱激光器刻蚀面氧化问题，与传统的钝化技术相比，成本低，工艺简单，稳定性强。使用多硫化铵溶液将AlInGaAs材料的有源区刻蚀面的氧化物反应，形成稳定的不被氧化的硫化物，再在MOCVD生长中，通过两段高温烘烤，使硫原子解吸附。通过生长不被氧化的InGaAsP材料作为波导层，解决了AlInGaAs材料激光器刻蚀面被氧化的问题，可以有效的提高半导体激光器的可靠性，大大延长激光器的使用时间，使AlInGaAs材料作为BH，Ridge激光器有源区成为可能。
以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。
应该理解，以上描述是为了进行图示说明而不是为了进行限制。通过阅读上述描述，在所提供的示例之外的许多实施例和许多应用对本领域技术人员来说都将是显而易见的。因此，本教导的范围不应该参照上述描述来确定，而是应该参照前述权利要求以及这些权利要求所拥有的等价物的全部范围来确定。出于全面之目的，所有文章和参考包括专利申请和公告的公开都通过参考结合在本文中。在前述权利要求中省略这里公开的主题的任何方面并不是为了放弃该主体内容，也不应该认为申请人没有将该主题考虑为所公开的发明主题的一部分。
Claims (13)
1.一种铝量子阱激光器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在InP基板上使用金属有机气相外延沉积有源层，有源层上依次沉积InGaAsP层和第一InP层，在第一InP层上沉积掩膜，使用光刻将需要刻蚀的区域漏出，然后采用干刻刻蚀至底部的第一InP层，形成具有光栅结构的光栅层；
使用金属有机气相外延沉积在光栅层上沉积第二InP层；
在第二InP层上局部沉积掩膜层，使用光刻及干刻刻蚀将有源区刻蚀穿至InP基板表面形成刻蚀面；并采用硫酸双氧水溶液浸泡刻蚀面；
采用多硫化铵溶液处理刻蚀面上的氧化物，并生成硫化物保护层；
采用金属有机气相沉积在InP基板表面依次生长波导层和第三InP层，在金属有机气相外延沉积生长前的升温过程中，烘烤刻蚀面使硫化物保护层的硫原子解吸附，生成硫单质随载气升华。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述多硫化铵为（NH4）2Sx，x>1；
所述多硫化铵溶液是通过将纯硫溶解在40~50℃的单硫化铵溶液中制成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
采用多硫化铵溶液处理刻蚀面上的氧化物的具体步骤为：
将铝量子阱激光器刻蚀面放入多硫化铵溶液中，温度45-60℃，浸泡10-30min，再用去离子水中冲洗10-20min，使用氮气吹干去离子水。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述硫化物保护层为Al2S3、GaS、InS和As2S3中的一种或多种形成的薄膜。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述硫酸双氧水溶液浸泡刻蚀面具体是采用硫酸双氧水溶液浸泡2-10秒，再使用DI水冲洗10-20min，再使用氮气枪吹扫1min；硫酸双氧水溶液按体积比计，硫酸：双氧水：水=1:1:5。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述烘烤是升温至600-650℃，处理20-40min；或者，
所述烘烤是先升温至600℃时烘烤10~20min，再升温至650℃时，烘烤10~20min。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述采用干刻刻蚀至底部的第一InP层中，干刻的刻蚀气源为Cl2、H2和Ar，气源流量为分别为20sccm、15sccm和30sccm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述使用光刻及干刻刻蚀将有源区刻蚀穿至InP基板表面形成刻蚀面中，干刻的刻蚀气源为H2和Ar，流量为分别为20sccm和15sccm。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
使用金属有机气相外延沉积在光栅层上沉积第二InP层，厚度为0.15-0.25μm。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述沉积掩膜层的材料为Si3N4或SiO2。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述波导层的材料为 In1-xGaxAsyP1-y，0.04≤x≤0.5，0.2≤y≤0.6。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
生长所述波导层所需材料为磷烷、三甲基铟、二甲基镓和砷烷，其中，Ⅴ族元素与Ⅲ族元素摩尔比为：
13.一种铝量子阱激光器，其特征在于，由权利要求1至12任一项所述的方法制得。
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