JP2002057142A - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2002057142A JP2002057142A JP2000239334A JP2000239334A JP2002057142A JP 2002057142 A JP2002057142 A JP 2002057142A JP 2000239334 A JP2000239334 A JP 2000239334A JP 2000239334 A JP2000239334 A JP 2000239334A JP 2002057142 A JP2002057142 A JP 2002057142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- compound semiconductor
- gas
- acid solution
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化合物半導体装置の製造方法に関し、ドライ
・エッチング工程に伴って発生するＳｉ系の化合物から
なるエッチング反応生成物を、良好な表面モフォロジー
を保った状態で確実に除去する。 【解決手段】 Ｓｉ原子とＣｌ原子を分子構造に含むガ
スを少なくとも構成要素とする原料ガスを用いて化合物
半導体をドライ・エッチングしたのち、Ｏ2 ガス或いは
Ｎ2 ガスの少なくとも一方を含む原料ガスを用いたプラ
ズマ照射処理を行い、次いで、酸溶液を用いてエッチン
グ表面を処理する。
・エッチング工程に伴って発生するＳｉ系の化合物から
なるエッチング反応生成物を、良好な表面モフォロジー
を保った状態で確実に除去する。 【解決手段】 Ｓｉ原子とＣｌ原子を分子構造に含むガ
スを少なくとも構成要素とする原料ガスを用いて化合物
半導体をドライ・エッチングしたのち、Ｏ2 ガス或いは
Ｎ2 ガスの少なくとも一方を含む原料ガスを用いたプラ
ズマ照射処理を行い、次いで、酸溶液を用いてエッチン
グ表面を処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体装置の
製造方法に関するものであり、特に、半導体レーザやＨ
ＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）等の化合物半導体
装置を構成するＩｎＰやＧａＡｓ等の化合物半導体表面
をドライ・エッチングした際のエッチング反応生成物の
除去工程に特徴のある化合物半導体装置の製造方法に関
するものである。
製造方法に関するものであり、特に、半導体レーザやＨ
ＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）等の化合物半導体
装置を構成するＩｎＰやＧａＡｓ等の化合物半導体表面
をドライ・エッチングした際のエッチング反応生成物の
除去工程に特徴のある化合物半導体装置の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より化合物半導体装置の製造におい
ては、化合物半導体装置の構造や用途によらず、多くの
場合に化合物半導体層の微細加工が必要となる。この様
な微細加工技術としては、半導体表面に誘電体マスクを
形成するフォトリソグラフィー技術と、誘電体マスクに
覆われていない部分の半導体層を除去するドライ・エッ
チング技術との組合せが一般的に用いられている。
ては、化合物半導体装置の構造や用途によらず、多くの
場合に化合物半導体層の微細加工が必要となる。この様
な微細加工技術としては、半導体表面に誘電体マスクを
形成するフォトリソグラフィー技術と、誘電体マスクに
覆われていない部分の半導体層を除去するドライ・エッ
チング技術との組合せが一般的に用いられている。
【０００３】ドライ・エッチング技術には、設計通りの
形状に加工することや、エッチングによるダメージを小
さく抑えることが要求されるが、近年、この様な要求に
応える技術として、原料ガスとしてＳｉＣｌ4 を用いた
ドライ・エッチングがＧａＡｓやＩｎＰ等のIII-Ｖ族化
合物半導体に対して用いられている。
形状に加工することや、エッチングによるダメージを小
さく抑えることが要求されるが、近年、この様な要求に
応える技術として、原料ガスとしてＳｉＣｌ4 を用いた
ドライ・エッチングがＧａＡｓやＩｎＰ等のIII-Ｖ族化
合物半導体に対して用いられている。
【０００４】この内、ＧａＡｓに対しては、ＡｌＧａＡ
ｓに対する選択性と、垂直異方性形状を両立するため
に、ＳｉＣｌ4 とＳＦ6 の混合ガスを用いたドライ・エ
ッチングが行われており、良好な結果が得られることが
報告されている（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．１４，ｐ．１０８
３−１０８５，１９８７参照）。
ｓに対する選択性と、垂直異方性形状を両立するため
に、ＳｉＣｌ4 とＳＦ6 の混合ガスを用いたドライ・エ
ッチングが行われており、良好な結果が得られることが
報告されている（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．１４，ｐ．１０８
３−１０８５，１９８７参照）。
【０００５】また、ＩｎＰに対しても、ＳｉＣｌ4 を含
むガス系によりＩｎＰの平滑なエッチングが、低い基板
バイアス電圧でなされ、したがって、エッチングダメー
ジを低減することが可能であるとともに、エッチング側
面の形状が垂直に近くなることが報告されている（第５
９回応用物理学会学術講演会，講演予稿集，Ｎｏ．３，
ｐ．１１７６，「ＳｉＣｌ4 ／Ａｒ誘導結合型プラズマ
（ＩＣＰ）によるＩｎＰのドライエッチング」，１９９
８参照）。
むガス系によりＩｎＰの平滑なエッチングが、低い基板
バイアス電圧でなされ、したがって、エッチングダメー
ジを低減することが可能であるとともに、エッチング側
面の形状が垂直に近くなることが報告されている（第５
９回応用物理学会学術講演会，講演予稿集，Ｎｏ．３，
ｐ．１１７６，「ＳｉＣｌ4 ／Ａｒ誘導結合型プラズマ
（ＩＣＰ）によるＩｎＰのドライエッチング」，１９９
８参照）。
【０００６】ここで、図７及び図８を参照して、ＩｎＰ
系半導体に対する微細加工の一例である、従来の半導体
レーザの製造工程を説明する。 図７（ａ）参照 まず、ｎ型ＩｎＰ基板３１上に、ＭＯＶＰＥ法（有機金
属気相成長法）を用いて、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層
３２、及び、ｐ型ＩｎＰクラッド層３３を順次成長させ
たのち、全面にＳｉＯ2 膜を堆積させ、次いで、通常の
フォトエッチングを施すことによってストライプ状のＳ
ｉＯ2 マスク３４を形成する。
系半導体に対する微細加工の一例である、従来の半導体
レーザの製造工程を説明する。 図７（ａ）参照 まず、ｎ型ＩｎＰ基板３１上に、ＭＯＶＰＥ法（有機金
属気相成長法）を用いて、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層
３２、及び、ｐ型ＩｎＰクラッド層３３を順次成長させ
たのち、全面にＳｉＯ2 膜を堆積させ、次いで、通常の
フォトエッチングを施すことによってストライプ状のＳ
ｉＯ2 マスク３４を形成する。
【０００７】図７（ｂ）参照 次いで、このＳｉＯ2 マスク３４をエッチングマスクと
してＳｉＣｌ4 とＡｒからなるエッチングガス３５を用
いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を施すことによ
って、ｎ型ＩｎＰ基板３１に達するまでエッチングして
ストライプ状メサ３６を形成する。
してＳｉＣｌ4 とＡｒからなるエッチングガス３５を用
いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を施すことによ
って、ｎ型ＩｎＰ基板３１に達するまでエッチングして
ストライプ状メサ３６を形成する。
【０００８】図８（ｃ）参照 次いで、このＳｉＯ2 マスク３４を選択成長マスクとし
てそのまま用いて、再び、ＭＯＶＰＥ法によってストラ
イプ状メサ３６の側面にｐ型ＩｎＰ埋込層３７及びｎ型
ＩｎＰ電流ブロック層３８を順次選択的に成長させて、
ストライプ状メサ３６をｐｎ逆バイアス接合によって埋
め込んで電流狭窄構造を形成する。
てそのまま用いて、再び、ＭＯＶＰＥ法によってストラ
イプ状メサ３６の側面にｐ型ＩｎＰ埋込層３７及びｎ型
ＩｎＰ電流ブロック層３８を順次選択的に成長させて、
ストライプ状メサ３６をｐｎ逆バイアス接合によって埋
め込んで電流狭窄構造を形成する。
【０００９】図８（ｄ）参照 次いで、ＳｉＯ2 マスク３４をフッ酸溶液を用いて除去
したのち、再び、ＭＯＶＰＥ法によって全面にｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層３９及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４
０を順次堆積させ、最後に、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層４０にｐ側電極（図示を省略）するとともに、ｎ型
ＩｎＰ基板３１の裏面にｎ側電極（図示を省略）するこ
とによって、半導体レーザの基本構造が完成する。
したのち、再び、ＭＯＶＰＥ法によって全面にｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層３９及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４
０を順次堆積させ、最後に、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層４０にｐ側電極（図示を省略）するとともに、ｎ型
ＩｎＰ基板３１の裏面にｎ側電極（図示を省略）するこ
とによって、半導体レーザの基本構造が完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
なＳｉＣｌ4 を用いたドライ・エッチング工程において
は、エッチング後の半導体表面にＳｉ系の化合物からな
るエッチング反応生成物が除去困難なエッチング残渣と
して残存するという問題があるので、図９を参照してこ
の事情を説明する。
なＳｉＣｌ4 を用いたドライ・エッチング工程において
は、エッチング後の半導体表面にＳｉ系の化合物からな
るエッチング反応生成物が除去困難なエッチング残渣と
して残存するという問題があるので、図９を参照してこ
の事情を説明する。
【００１１】図９参照 図９は、ＳｉＣｌ4 を用いたストライプ状のメサエッチ
ングを行ったのち、酸溶液で表面処理し、次いで、埋込
層を成長させたものを試料とし、この試料の表面をエッ
チングしながらＳＩＭＳ（二次イオン質量分析器）を用
いて露出表面の不純物濃度を測定した場合のＳｉとＯの
含有量を示したものであり、図における深さが０μｍの
位置がエッチング加工表面を示している。
ングを行ったのち、酸溶液で表面処理し、次いで、埋込
層を成長させたものを試料とし、この試料の表面をエッ
チングしながらＳＩＭＳ（二次イオン質量分析器）を用
いて露出表面の不純物濃度を測定した場合のＳｉとＯの
含有量を示したものであり、図における深さが０μｍの
位置がエッチング加工表面を示している。
【００１２】図から明らかなように、メサエッチングし
たのち酸処理をしても、エッチング加工表面に残留する
ＳｉとＯの濃度は、夫々５×１０19ｃｍ-3、１×１０20
ｃｍ -3であり、非常に高濃度で残留していることが理解
される。
たのち酸処理をしても、エッチング加工表面に残留する
ＳｉとＯの濃度は、夫々５×１０19ｃｍ-3、１×１０20
ｃｍ -3であり、非常に高濃度で残留していることが理解
される。
【００１３】この様にエッチング加工表面に、エッチン
グ反応生成物からなるエッチング残渣が存在した場合、
その後の素子作製工程や出来上がった素子の動作に悪影
響を与える。
グ反応生成物からなるエッチング残渣が存在した場合、
その後の素子作製工程や出来上がった素子の動作に悪影
響を与える。
【００１４】即ち、従来の半導体レーザにおいては、ｎ
型ＩｎＰ基板３１とｐ型ＩｎＰ埋込層３７との間にｐｎ
接合が形成されるが、界面において良好な結晶成長が行
わなければ良好な電気的特性を有するｐｎ接合が形成さ
れなくなり、その結果、電流がブロックされずリーク電
流が増大し、素子特性が悪化することになる。
型ＩｎＰ基板３１とｐ型ＩｎＰ埋込層３７との間にｐｎ
接合が形成されるが、界面において良好な結晶成長が行
わなければ良好な電気的特性を有するｐｎ接合が形成さ
れなくなり、その結果、電流がブロックされずリーク電
流が増大し、素子特性が悪化することになる。
【００１５】なお、この様なエッチング残渣に起因する
問題を解決するために、ＧａＡｓ系半導体をドライ・エ
ッチングしたのち、表面にＦ系ガスによるプラズマを照
射して、Ｓｉ系のエッチング残渣を除去することが提案
されている（必要ならば、特開平１０−２０９１８１号
公報参照）。
問題を解決するために、ＧａＡｓ系半導体をドライ・エ
ッチングしたのち、表面にＦ系ガスによるプラズマを照
射して、Ｓｉ系のエッチング残渣を除去することが提案
されている（必要ならば、特開平１０−２０９１８１号
公報参照）。
【００１６】しかし、上記の提案には問題があり、実際
の素子の製造工程に適用できないという問題がある。即
ち、第１に、Ｆ系のガスは、ウェハ表面に露出している
ＳｉＯ2 等の半導体以外の材料に対しても大きな化学反
応性を有するため、半導体以外の材料がプラズマ処理に
よって形状が変化してしまい、その結果、最終的に出来
上がった素子特性に悪影響を与えるという問題がある。
の素子の製造工程に適用できないという問題がある。即
ち、第１に、Ｆ系のガスは、ウェハ表面に露出している
ＳｉＯ2 等の半導体以外の材料に対しても大きな化学反
応性を有するため、半導体以外の材料がプラズマ処理に
よって形状が変化してしまい、その結果、最終的に出来
上がった素子特性に悪影響を与えるという問題がある。
【００１７】特に、上述の半導体レーザにおいては、ス
トライプ状メサ３６の頂面に存在するＳｉＯ2 マスク３
４を選択成長マスクとしても使用するので、このＳｉＯ
2 マスク３４がＣＦ4 処理においてエッチングされ、以
降の選択成長において成長させる素子形状に影響を与え
るという問題がある。
トライプ状メサ３６の頂面に存在するＳｉＯ2 マスク３
４を選択成長マスクとしても使用するので、このＳｉＯ
2 マスク３４がＣＦ4 処理においてエッチングされ、以
降の選択成長において成長させる素子形状に影響を与え
るという問題がある。
【００１８】第２に、Ｆ系のガスを製造工場で用いる場
合、オゾン層に対する影響を考慮する必要があり、対環
境性が問題となる。
合、オゾン層に対する影響を考慮する必要があり、対環
境性が問題となる。
【００１９】したがって、本発明は、ドライ・エッチン
グ工程に伴って発生するＳｉ系の化合物からなるエッチ
ング反応生成物を、良好な表面モフォロジーを保った状
態で確実に除去することを目的とする。
グ工程に伴って発生するＳｉ系の化合物からなるエッチ
ング反応生成物を、良好な表面モフォロジーを保った状
態で確実に除去することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】ここで、図１を参照し
て、本発明における課題を解決するための手段を説明す
る。なお、図１は本発明の特徴点を示す製造フロー図で
ある。 図１参照 上述の目的を達成するために、本発明においては、Ｓｉ
Ｃｌ4 等のＳｉ原子とＣｌ原子を分子構造に含むガスを
少なくとも構成要素とする原料ガスを用いて化合物半導
体をドライ・エッチングしたのち、Ｏ2 ＋Ａｒ或いはＮ
2 ＋Ａｒ等のＯ 2 ガス或いはＮ2 ガスの少なくとも一方
を含む原料ガスを用いたプラズマ照射処理を行い、次い
で、塩酸を含む溶液等の酸溶液を用いてエッチング表面
を処理することを特徴とする。
て、本発明における課題を解決するための手段を説明す
る。なお、図１は本発明の特徴点を示す製造フロー図で
ある。 図１参照 上述の目的を達成するために、本発明においては、Ｓｉ
Ｃｌ4 等のＳｉ原子とＣｌ原子を分子構造に含むガスを
少なくとも構成要素とする原料ガスを用いて化合物半導
体をドライ・エッチングしたのち、Ｏ2 ＋Ａｒ或いはＮ
2 ＋Ａｒ等のＯ 2 ガス或いはＮ2 ガスの少なくとも一方
を含む原料ガスを用いたプラズマ照射処理を行い、次い
で、塩酸を含む溶液等の酸溶液を用いてエッチング表面
を処理することを特徴とする。
【００２１】この様に、Ｏ2 ＋Ａｒ或いはＮ2 ＋Ａｒ等
のＯ2 ガス或いはＮ2 ガスの少なくとも一方を含む原料
ガスを用いたプラズマ照射処理を行うことによって、ス
パッタ効果等のガスの物理的作用によりドライ・エッチ
ングに起因するＳｉ系の化合物からなるエッチング残渣
を塩酸を含む溶液等の酸溶液に溶解しやすい形態に変質
させるとともに、変質したエッチング残渣をその直下の
半導体層から浮かせることができる。なお、この場合の
原料ガスとしては、Ｏ2 ガスのみ或いはＮ2 ガスのみで
も良いが、Ａｒガスを混入した場合に比べてスパッタ効
果が小さくなる。
のＯ2 ガス或いはＮ2 ガスの少なくとも一方を含む原料
ガスを用いたプラズマ照射処理を行うことによって、ス
パッタ効果等のガスの物理的作用によりドライ・エッチ
ングに起因するＳｉ系の化合物からなるエッチング残渣
を塩酸を含む溶液等の酸溶液に溶解しやすい形態に変質
させるとともに、変質したエッチング残渣をその直下の
半導体層から浮かせることができる。なお、この場合の
原料ガスとしては、Ｏ2 ガスのみ或いはＮ2 ガスのみで
も良いが、Ａｒガスを混入した場合に比べてスパッタ効
果が小さくなる。
【００２２】次いで、酸溶液を用いてエッチング表面を
処理することにより表面から浮き、且つ、酸溶液に溶解
しやすい形態に変質したエッチング残渣を容易に除去す
ることができる。また、この酸溶液を用いた表面処理
は、ドライ・エッチング工程及びプラズマ照射処理工程
に伴って発生する表面ダメージを除去する作用もある。
処理することにより表面から浮き、且つ、酸溶液に溶解
しやすい形態に変質したエッチング残渣を容易に除去す
ることができる。また、この酸溶液を用いた表面処理
は、ドライ・エッチング工程及びプラズマ照射処理工程
に伴って発生する表面ダメージを除去する作用もある。
【００２３】特に、化合物半導体表面を０．０５〜０．
１５μｍのシャローエッチングが可能であり、且つ、化
合物半導体表面のモフォロジー、化合物半導体層の形状
を大きく変化させない酸溶液が好適であり、例えば、Ｈ
Ｃｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏからなる混合溶液等の塩酸を含
む酸溶液が好適である。
１５μｍのシャローエッチングが可能であり、且つ、化
合物半導体表面のモフォロジー、化合物半導体層の形状
を大きく変化させない酸溶液が好適であり、例えば、Ｈ
Ｃｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏからなる混合溶液等の塩酸を含
む酸溶液が好適である。
【００２４】また、本発明は、酸溶液を用いた表面処理
工程の後、少なくとも処理表面に結晶再成長を行うこ
と、特に、半導体レーザの電流ブロック層を含む埋込層
を成長させることを特徴とする。
工程の後、少なくとも処理表面に結晶再成長を行うこ
と、特に、半導体レーザの電流ブロック層を含む埋込層
を成長させることを特徴とする。
【００２５】この様に、酸溶液を用いた表面処理を行う
ことによって、少なくとも処理表面に結晶再成長を行っ
た場合、良好な結晶成長を行うことができる。特に、半
導体レーザの電流ブロック層を含む埋込層を成長させた
場合、電気的特性に優れたｐｎ接合を形成することがで
き、それによって埋込層を介して流れるリーク電流を低
減することができる。
ことによって、少なくとも処理表面に結晶再成長を行っ
た場合、良好な結晶成長を行うことができる。特に、半
導体レーザの電流ブロック層を含む埋込層を成長させた
場合、電気的特性に優れたｐｎ接合を形成することがで
き、それによって埋込層を介して流れるリーク電流を低
減することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】ここで、図２乃至図５を参照して
本発明の第１の実施の形態を説明するが、まず、図２乃
至図４を参照して本発明の第１の実施の形態の製造工程
を説明する。 図２（ａ）参照 まず、（１００）面を主面とするｎ型ＩｎＰ基板１１上
に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、厚さが、例えば、０．３５
μｍのｎ型ＩｎＰクラッド層１２、ＩｎＧａＡｓＰＭＱ
Ｗ活性層１３、及び、厚さが、例えば、２５０ｎｍのｐ
型ＩｎＰクラッド層１４を順次成長させる。なお、この
場合のＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層１３は、発光のピー
ク波長が、例えば、１．３μｍになるように構成するも
のであり、その構造としては、バンドギャップ波長λg
が、例えば、１．１μｍ組成で、厚さが、例えば、１０
ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰバリア層と、バンドギャップ
波長λg が、例えば、１．３９μｍ組成で、厚さが、例
えば、５ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓ井戸層とを交互に１０
ペア成長させたものである。
本発明の第１の実施の形態を説明するが、まず、図２乃
至図４を参照して本発明の第１の実施の形態の製造工程
を説明する。 図２（ａ）参照 まず、（１００）面を主面とするｎ型ＩｎＰ基板１１上
に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、厚さが、例えば、０．３５
μｍのｎ型ＩｎＰクラッド層１２、ＩｎＧａＡｓＰＭＱ
Ｗ活性層１３、及び、厚さが、例えば、２５０ｎｍのｐ
型ＩｎＰクラッド層１４を順次成長させる。なお、この
場合のＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層１３は、発光のピー
ク波長が、例えば、１．３μｍになるように構成するも
のであり、その構造としては、バンドギャップ波長λg
が、例えば、１．１μｍ組成で、厚さが、例えば、１０
ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰバリア層と、バンドギャップ
波長λg が、例えば、１．３９μｍ組成で、厚さが、例
えば、５ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓ井戸層とを交互に１０
ペア成長させたものである。
【００２７】次いで、全面に厚さが、例えば、３００ｎ
ｍのＳｉＯ2 膜を堆積させたのち、通常のレジストパタ
ーン（図示せず）を用いたフォトエッチングを施すこと
によって幅が、例えば、２μｍのストライプ状のＳｉＯ
2 マスク１５を形成する。
ｍのＳｉＯ2 膜を堆積させたのち、通常のレジストパタ
ーン（図示せず）を用いたフォトエッチングを施すこと
によって幅が、例えば、２μｍのストライプ状のＳｉＯ
2 マスク１５を形成する。
【００２８】図２（ｂ）参照 次いで、レジストパターンを除去したのち、ＩＣＰ−Ｒ
ＩＥ（誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング）装
置を用い、このＳｉＯ2 マスク１５をエッチングマスク
としてＳｉＣｌ4 ＋Ａｒからなる混合ガス１６を用いた
反応性イオンエッチングを施すことによって、ｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層１２に達するまで、例えば、２μｍの深さ
にエッチングしてストライプ状メサ１７を形成する。
ＩＥ（誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング）装
置を用い、このＳｉＯ2 マスク１５をエッチングマスク
としてＳｉＣｌ4 ＋Ａｒからなる混合ガス１６を用いた
反応性イオンエッチングを施すことによって、ｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層１２に達するまで、例えば、２μｍの深さ
にエッチングしてストライプ状メサ１７を形成する。
【００２９】この場合のドライ・エッチング工程の条件
は、 原料ガス流；ＳｉＣｌ4 ：Ａｒ＝１０ｓｃｃｍ：２０ｓ
ｃｃｍ 圧力；２Ｐａ ＩＣＰコイル電力；２００Ｗ（／４５００ｃｍ3 ） 基板バイアス電圧；１００Ｗ（印加電圧；−３００Ｖ） 基板温度；１８０℃ とし、３分間エッチングを行った。
は、 原料ガス流；ＳｉＣｌ4 ：Ａｒ＝１０ｓｃｃｍ：２０ｓ
ｃｃｍ 圧力；２Ｐａ ＩＣＰコイル電力；２００Ｗ（／４５００ｃｍ3 ） 基板バイアス電圧；１００Ｗ（印加電圧；−３００Ｖ） 基板温度；１８０℃ とし、３分間エッチングを行った。
【００３０】図３（ｃ）参照 引き続いて、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置中のＳｉＣｌ4 ＋Ａｒ
からなる混合ガス１６を排気したのち、Ｏ2 ＋Ａｒから
なる混合ガスを導入し、電力を供給してプラズマを発生
させ、ウェハをプラズマ１８中に晒すことによって露出
表面にプラズマ１８を照射する。
からなる混合ガス１６を排気したのち、Ｏ2 ＋Ａｒから
なる混合ガスを導入し、電力を供給してプラズマを発生
させ、ウェハをプラズマ１８中に晒すことによって露出
表面にプラズマ１８を照射する。
【００３１】この場合のプラズマ照射処理工程の条件
は、 原料ガス流；Ｏ2 ：Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ：５０ｓｃｃｍ 圧力；１０Ｐａ ＩＣＰコイル電力；２００Ｗ（／４５００ｃｍ3 ） 基板バイアス電圧；１２Ｗ（印加電圧；−７０Ｖ） 基板温度；１００℃ とし、５分間のプラズマ照射処理を行った。
は、 原料ガス流；Ｏ2 ：Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ：５０ｓｃｃｍ 圧力；１０Ｐａ ＩＣＰコイル電力；２００Ｗ（／４５００ｃｍ3 ） 基板バイアス電圧；１２Ｗ（印加電圧；−７０Ｖ） 基板温度；１００℃ とし、５分間のプラズマ照射処理を行った。
【００３２】このプラズマ照射処理によって、ウェハの
露出表面に付着しているＳｉ系化合物からなるドライ・
エッチング工程に起因するエッチング残渣が酸溶液に溶
解しやすくなるとともに、ウェハ表面から浮き上がるこ
とになる。
露出表面に付着しているＳｉ系化合物からなるドライ・
エッチング工程に起因するエッチング残渣が酸溶液に溶
解しやすくなるとともに、ウェハ表面から浮き上がるこ
とになる。
【００３３】図３（ｄ）参照 次いで、ウェハを、例えば、ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ
＝１：１：１からなる酸溶液１９に、例えば、１分間浸
漬することによって、露出表面を、例えば、０．０５μ
ｍエッチングする。この酸溶液１９によるエッチングに
よって、浮き上がったエッチング残渣を除去するととも
に、ドライ・エッチング工程及びプラズマ照射工程によ
って発生した物理的ダメージを除去する。
＝１：１：１からなる酸溶液１９に、例えば、１分間浸
漬することによって、露出表面を、例えば、０．０５μ
ｍエッチングする。この酸溶液１９によるエッチングに
よって、浮き上がったエッチング残渣を除去するととも
に、ドライ・エッチング工程及びプラズマ照射工程によ
って発生した物理的ダメージを除去する。
【００３４】図４（ｅ）参照 次いで、ＳｉＯ2 マスク１５を選択成長マスクとしてそ
のまま用いて、再び、ＭＯＶＰＥ法によってストライプ
状メサ１７の側面に厚さが、例えば、０．６μｍで、不
純物濃度が２×１０18ｃｍ-3のｐ型ＩｎＰ電流埋込層２
０、及び、厚さが、例えば、１．０μｍのｎ型ＩｎＰ電
流ブロック層２１を順次選択的に成長堆積させて、スト
ライプ状メサ１７をｐｎ逆バイアス接合によって埋め込
んで電流狭窄構造を形成する。なお、ＳｉＨ4 をドーパ
ント原料とするｎ型ＩｎＰ電流ブロック層２１の不純物
濃度は成長面の結晶方位に依存するが、最も濃度の低い
領域において、２×１０18ｃｍ-3になるようにする。
のまま用いて、再び、ＭＯＶＰＥ法によってストライプ
状メサ１７の側面に厚さが、例えば、０．６μｍで、不
純物濃度が２×１０18ｃｍ-3のｐ型ＩｎＰ電流埋込層２
０、及び、厚さが、例えば、１．０μｍのｎ型ＩｎＰ電
流ブロック層２１を順次選択的に成長堆積させて、スト
ライプ状メサ１７をｐｎ逆バイアス接合によって埋め込
んで電流狭窄構造を形成する。なお、ＳｉＨ4 をドーパ
ント原料とするｎ型ＩｎＰ電流ブロック層２１の不純物
濃度は成長面の結晶方位に依存するが、最も濃度の低い
領域において、２×１０18ｃｍ-3になるようにする。
【００３５】図４（ｆ）参照 次いで、ＳｉＯ2 マスク１５をフッ酸溶液を用いて除去
したのち、再び、ＭＯＶＰＥ法によって全面に表面が平
坦になるように、厚さが、例えば、２．９μｍで、不純
物濃度が１．０×１０18ｃｍ-3のｐ型ＩｎＰクラッド層
２２、及び、厚さが、例えば、０．７μｍで、不純物濃
度が１．５×１０19ｃｍ-3のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層２３を順次堆積させる。
したのち、再び、ＭＯＶＰＥ法によって全面に表面が平
坦になるように、厚さが、例えば、２．９μｍで、不純
物濃度が１．０×１０18ｃｍ-3のｐ型ＩｎＰクラッド層
２２、及び、厚さが、例えば、０．７μｍで、不純物濃
度が１．５×１０19ｃｍ-3のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層２３を順次堆積させる。
【００３６】以降は、図示を省略するものの、ｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層２３にｐ側電極を形成するととも
に、ｎ型ＩｎＰ基板１１の裏面を研磨したのちｎ側電極
を形成し、次いで、ｐ側電極及びｎ側電極上にＡｕメッ
キを施すことによって、半導体レーザの基本構成が完成
する。
ＧａＡｓコンタクト層２３にｐ側電極を形成するととも
に、ｎ型ＩｎＰ基板１１の裏面を研磨したのちｎ側電極
を形成し、次いで、ｐ側電極及びｎ側電極上にＡｕメッ
キを施すことによって、半導体レーザの基本構成が完成
する。
【００３７】図５参照 図５は、本発明の第１の実施の形態における表面処理後
の不純物濃度の説明図であり、深さが０μｍの位置が、
ストライプ状メサ１７の表面位置である。図から明らか
なように、従来と同様にＳＩＭＳ分析を行った結果、ス
トライプ状メサ１７の表面位置におけるＳｉ及びＯの濃
度は、夫々１×１０17ｃｍ-3、３×１０17ｃｍ-3となっ
ており、図９に示した酸処理のみの場合に比べて約２桁
程度小さくなっていることが理解される。
の不純物濃度の説明図であり、深さが０μｍの位置が、
ストライプ状メサ１７の表面位置である。図から明らか
なように、従来と同様にＳＩＭＳ分析を行った結果、ス
トライプ状メサ１７の表面位置におけるＳｉ及びＯの濃
度は、夫々１×１０17ｃｍ-3、３×１０17ｃｍ-3となっ
ており、図９に示した酸処理のみの場合に比べて約２桁
程度小さくなっていることが理解される。
【００３８】この様に、本発明の第１の実施の形態にお
いては、まず、Ｏ2 ＋Ａｒからなる混合ガスのプラズマ
のスパッタ効果によって、表面に付着したエッチング残
渣を変質させるとともに、浮かせ、次いで、ＨＣｌ：Ｈ
2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：１からなる酸溶液を用いた酸
処理を行うことによって浮き上がったエッチング残渣を
除去しているので、酸処理のみでは除去が困難であった
エッチング残渣を確実に除去することが可能になる。
いては、まず、Ｏ2 ＋Ａｒからなる混合ガスのプラズマ
のスパッタ効果によって、表面に付着したエッチング残
渣を変質させるとともに、浮かせ、次いで、ＨＣｌ：Ｈ
2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：１からなる酸溶液を用いた酸
処理を行うことによって浮き上がったエッチング残渣を
除去しているので、酸処理のみでは除去が困難であった
エッチング残渣を確実に除去することが可能になる。
【００３９】したがって、ｐ型ＩｎＰ埋込層２０等の再
成長層を良好な結晶性を保った状態で成長させることが
でき、それによって、良好な電流狭窄構造を構成するこ
とができるので、リーク電流を低減することができる。
成長層を良好な結晶性を保った状態で成長させることが
でき、それによって、良好な電流狭窄構造を構成するこ
とができるので、リーク電流を低減することができる。
【００４０】また、本発明の第１の実施の形態において
は、酸処理工程において、ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝
１：１：１からなる塩酸を含む酸溶液を用いているの
で、表面モフォロジーを良好に保つことができるととも
に、ストライプ状メサ１７の形状を良好に保つことがで
きる。
は、酸処理工程において、ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝
１：１：１からなる塩酸を含む酸溶液を用いているの
で、表面モフォロジーを良好に保つことができるととも
に、ストライプ状メサ１７の形状を良好に保つことがで
きる。
【００４１】次いで、本発明の第２の実施の形態を説明
するが、プラズマ照射処理工程における条件が異なるだ
けで、他の工程は上記の第１の実施の形態と全く同様で
あるので、図３（ｃ）を借用してプラズマ照射処理工程
のみを説明する。 再び、図３（ｃ）参照 上記の第１の実施の形態と同様にＩＣＰ−ＲＩＥ装置を
用いてストライプ状メサ１７を形成したのち、引き続い
て、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置中のＳｉＣｌ4 ＋Ａｒからなる
混合ガスを排気し、次いで、Ｏ2 からなる混合ガスを導
入し、電力を供給してプラズマを発生させ、ウェハをこ
のプラズマ１８中に晒すことによって露出表面にプラズ
マ１８を照射する。
するが、プラズマ照射処理工程における条件が異なるだ
けで、他の工程は上記の第１の実施の形態と全く同様で
あるので、図３（ｃ）を借用してプラズマ照射処理工程
のみを説明する。 再び、図３（ｃ）参照 上記の第１の実施の形態と同様にＩＣＰ−ＲＩＥ装置を
用いてストライプ状メサ１７を形成したのち、引き続い
て、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置中のＳｉＣｌ4 ＋Ａｒからなる
混合ガスを排気し、次いで、Ｏ2 からなる混合ガスを導
入し、電力を供給してプラズマを発生させ、ウェハをこ
のプラズマ１８中に晒すことによって露出表面にプラズ
マ１８を照射する。
【００４２】この場合のプラズマ照射処理工程の条件
は、 原料ガス流；Ｏ2 ＝５０ｓｃｃｍ 圧力；５Ｐａ ＩＣＰコイル電力；２００Ｗ（／４５００ｃｍ3 ） 基板バイアス電圧；１２Ｗ（印加電圧；−３０Ｖ） 基板温度；１００℃ とし、５分間のプラズマ照射処理を行った。以降は、再
び、上記の第１の実施の形態と全く同様の工程を経るこ
とによって、上記の第１の実施の形態と同様の半導体レ
ーザが得られる。
は、 原料ガス流；Ｏ2 ＝５０ｓｃｃｍ 圧力；５Ｐａ ＩＣＰコイル電力；２００Ｗ（／４５００ｃｍ3 ） 基板バイアス電圧；１２Ｗ（印加電圧；−３０Ｖ） 基板温度；１００℃ とし、５分間のプラズマ照射処理を行った。以降は、再
び、上記の第１の実施の形態と全く同様の工程を経るこ
とによって、上記の第１の実施の形態と同様の半導体レ
ーザが得られる。
【００４３】図６参照 図６は、本発明の第２の実施の形態における表面処理後
の不純物濃度の説明図であり、深さが０μｍの位置が、
ストライプ状メサ１７の表面位置である。図から明らか
なように、従来と同様にＳＩＭＳ分析を行った結果、ス
トライプ状メサ１７の表面位置におけるＳｉ及びＯの濃
度は、夫々３×１０18ｃｍ-3、８×１０18ｃｍ-3となっ
ており、図９に示した酸処理のみの場合に比べて約１桁
程度小さくなっていることが理解される。なお、上記の
第１の実施の形態に比べて１桁程度大きくなっている。
の不純物濃度の説明図であり、深さが０μｍの位置が、
ストライプ状メサ１７の表面位置である。図から明らか
なように、従来と同様にＳＩＭＳ分析を行った結果、ス
トライプ状メサ１７の表面位置におけるＳｉ及びＯの濃
度は、夫々３×１０18ｃｍ-3、８×１０18ｃｍ-3となっ
ており、図９に示した酸処理のみの場合に比べて約１桁
程度小さくなっていることが理解される。なお、上記の
第１の実施の形態に比べて１桁程度大きくなっている。
【００４４】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に
限られるものではなく、各種の変更が可能である。例え
ば、本発明の各実施の形態においては、ドライ・エッチ
ング工程とプラズマ照射工程を同じ装置中における一連
の工程としているが、バッチ処理等におけるように、不
連続的な工程として行っても良いものであり、さらに
は、ドライ・エッチング工程とプラズマ照射工程とを別
の製造装置を用いて行っても良いものである。
たが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に
限られるものではなく、各種の変更が可能である。例え
ば、本発明の各実施の形態においては、ドライ・エッチ
ング工程とプラズマ照射工程を同じ装置中における一連
の工程としているが、バッチ処理等におけるように、不
連続的な工程として行っても良いものであり、さらに
は、ドライ・エッチング工程とプラズマ照射工程とを別
の製造装置を用いて行っても良いものである。
【００４５】また、上記の各実施の形態の説明において
は、プラズマ照射処理における原料ガス流量をＯ2 ：Ａ
ｒ＝５０：５０、或いは、Ｏ2 ガスのみとしているが、
これらの流量比に限られるものではなく、例えば、原料
ガス流量をＯ2 ：Ａｒ＝５０：０〜５０：２００の範囲
で使用することが好適である。なお、Ａｒガスのみを用
いた場合には、スパッタ効果が大きくなりすぎ、ストラ
イプ状メサの形状が変わるので好ましくない。
は、プラズマ照射処理における原料ガス流量をＯ2 ：Ａ
ｒ＝５０：５０、或いは、Ｏ2 ガスのみとしているが、
これらの流量比に限られるものではなく、例えば、原料
ガス流量をＯ2 ：Ａｒ＝５０：０〜５０：２００の範囲
で使用することが好適である。なお、Ａｒガスのみを用
いた場合には、スパッタ効果が大きくなりすぎ、ストラ
イプ状メサの形状が変わるので好ましくない。
【００４６】また、プラズマ照射処理における原料ガス
は、Ｏ2 ＋Ａｒ、或いは、Ｏ2 に限られるものではな
く、Ｏ2 と同様にソフトなスパッタ効果の得られるＮ2
を用いても良いものであり、したがって、Ｎ2 ＋Ａｒ、
或いは、Ｎ2 を用いても良いものである。
は、Ｏ2 ＋Ａｒ、或いは、Ｏ2 に限られるものではな
く、Ｏ2 と同様にソフトなスパッタ効果の得られるＮ2
を用いても良いものであり、したがって、Ｎ2 ＋Ａｒ、
或いは、Ｎ2 を用いても良いものである。
【００４７】また、上記各実施の形態においては、Ｉｎ
Ｐ系半導体レーザとして説明しているが、ＧａＡｓ系半
導体レーザにも同様に適用されるものであり、対象も半
導体レーザに限られるものではなく、ドライ・エッチン
グ工程を伴う発光ダイオードやフォトダイオード等の光
半導体装置にも適用されるものである。
Ｐ系半導体レーザとして説明しているが、ＧａＡｓ系半
導体レーザにも同様に適用されるものであり、対象も半
導体レーザに限られるものではなく、ドライ・エッチン
グ工程を伴う発光ダイオードやフォトダイオード等の光
半導体装置にも適用されるものである。
【００４８】さらには、光半導体装置に限られるもので
はなく、エッチング後の再成長工程を伴わないＨＥＭＴ
（高電子移動度トランジスタ）等の他の化合物半導体装
置にも適用されるものである。
はなく、エッチング後の再成長工程を伴わないＨＥＭＴ
（高電子移動度トランジスタ）等の他の化合物半導体装
置にも適用されるものである。
【００４９】例えば、ゲートリセス工程において、Ｓｉ
Ｃｌ4 を用いてドライ・エッチングを行った場合、表面
にエッチング残渣が存在するとゲート電極のショットキ
ーバリア性が低下して所期のゲート特性が得られなくな
る虞れがあるものの、本発明のプラズマ照射処理及び酸
処理を行うことによって、良好なゲート特性を得ること
ができる。
Ｃｌ4 を用いてドライ・エッチングを行った場合、表面
にエッチング残渣が存在するとゲート電極のショットキ
ーバリア性が低下して所期のゲート特性が得られなくな
る虞れがあるものの、本発明のプラズマ照射処理及び酸
処理を行うことによって、良好なゲート特性を得ること
ができる。
【００５０】また、上記の各実施の形態においてプラズ
マ照射処理工程において、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置を用いて
いるが、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置に限られるものではなく、
通常の一般的な平行平板型のＲＩＥ装置を用いても良い
ものであり、さらには、ウェハにバイアスを与えること
はできず、エッチング残渣の除去効果は劣るものの、バ
レル型の装置を用いても良いものである。
マ照射処理工程において、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置を用いて
いるが、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置に限られるものではなく、
通常の一般的な平行平板型のＲＩＥ装置を用いても良い
ものであり、さらには、ウェハにバイアスを与えること
はできず、エッチング残渣の除去効果は劣るものの、バ
レル型の装置を用いても良いものである。
【００５１】（付記１） Ｓｉ原子とＣｌ原子を分子構
造に含むガスを少なくとも構成要素とする原料ガスを用
いて化合物半導体をドライ・エッチングしたのち、Ｏ2
ガス或いはＮ2 ガスの少なくとも一方を含む原料ガスを
用いたプラズマ照射処理を行い、次いで、酸溶液を用い
てエッチング表面を処理することを特徴とする化合物半
導体装置の製造方法。 （付記２） 上記Ｓｉ原子とＣｌ原子を分子構造に含む
ガスが、ＳｉＣｌ4 であることを特徴とする付記１記載
の化合物半導体装置の製造方法。 （付記３） 上記プラズマ照射処理に用いる原料ガス
に、Ａｒが含まれていることを特徴とする付記１または
２に記載の化合物半導体装置の製造方法。 （付記４） 上記酸溶液が、塩酸を含む酸溶液であるこ
とを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の化合
物半導体装置の製造方法。 （付記５） 上記酸溶液を用いた表面処理工程の後、少
なくとも前記処理表面に結晶再成長を行うことを特徴と
する付記１乃至４のいずれか１に記載の化合物半導体装
置の製造方法。 （付記６） 上記結晶再成長工程が、半導体レーザの電
流ブロック層を含む埋込層を成長させる工程であること
を特徴とする付記５記載の化合物半導体装置の製造方
法。
造に含むガスを少なくとも構成要素とする原料ガスを用
いて化合物半導体をドライ・エッチングしたのち、Ｏ2
ガス或いはＮ2 ガスの少なくとも一方を含む原料ガスを
用いたプラズマ照射処理を行い、次いで、酸溶液を用い
てエッチング表面を処理することを特徴とする化合物半
導体装置の製造方法。 （付記２） 上記Ｓｉ原子とＣｌ原子を分子構造に含む
ガスが、ＳｉＣｌ4 であることを特徴とする付記１記載
の化合物半導体装置の製造方法。 （付記３） 上記プラズマ照射処理に用いる原料ガス
に、Ａｒが含まれていることを特徴とする付記１または
２に記載の化合物半導体装置の製造方法。 （付記４） 上記酸溶液が、塩酸を含む酸溶液であるこ
とを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の化合
物半導体装置の製造方法。 （付記５） 上記酸溶液を用いた表面処理工程の後、少
なくとも前記処理表面に結晶再成長を行うことを特徴と
する付記１乃至４のいずれか１に記載の化合物半導体装
置の製造方法。 （付記６） 上記結晶再成長工程が、半導体レーザの電
流ブロック層を含む埋込層を成長させる工程であること
を特徴とする付記５記載の化合物半導体装置の製造方
法。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、ＳｉＣｌ4 等のガスを
用いてドライ・エッチングを施したのち、Ｏ2 或いはＮ
2 を含むガスによるプラズマ照射を行うとともに、引き
続いて酸溶液処理を行っているので、ドライ・エッチン
グに伴って発生するエッチング残渣を表面モフォロジー
を保ったままで確実に除去することができ、それによっ
て、半導体レーザ等の化合物半導体装置の特性の向上、
信頼性の向上に寄与するところが大きい。
用いてドライ・エッチングを施したのち、Ｏ2 或いはＮ
2 を含むガスによるプラズマ照射を行うとともに、引き
続いて酸溶液処理を行っているので、ドライ・エッチン
グに伴って発生するエッチング残渣を表面モフォロジー
を保ったままで確実に除去することができ、それによっ
て、半導体レーザ等の化合物半導体装置の特性の向上、
信頼性の向上に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の途中までの製造工
程の説明図である。
程の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の図２以降の途中ま
での製造工程の説明図である。
での製造工程の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の図３以降の製造工
程の説明図である。
程の説明図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態における表面処理後
の不純物濃度の説明図である。
の不純物濃度の説明図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態における表面処理後
の不純物濃度の説明図である。
の不純物濃度の説明図である。
【図７】従来の半導体レーザの途中までの製造工程の説
明図である。
明図である。
【図８】従来の半導体レーザの図７以降の製造工程の説
明図である。
明図である。
【図９】従来のドライ・エッチング技術により作製した
半導体レーザにおけるドライ・エッチング加工面の不純
物濃度の説明図である。
半導体レーザにおけるドライ・エッチング加工面の不純
物濃度の説明図である。
１１ ｎ型ＩｎＰ基板 １２ ｎ型ＩｎＰクラッド層 １３ ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層 １４ ｐ型ＩｎＰクラッド層 １５ ＳｉＯ2 マスク １６ エッチングガス １７ ストライプ状メサ １８ プラズマ １９ 酸溶液 ２０ ｐ型ＩｎＰ埋込層 ２１ ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層 ２２ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ２３ ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ３１ ｎ型ＩｎＰ基板 ３２ ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層 ３３ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ３４ ＳｉＯ2 マスク ３５ エッチングガス ３６ ストライプ状メサ ３７ ｐ型ＩｎＰ埋込層 ３８ ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層 ３９ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ４０ ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/812 Ｈ０１Ｓ 5/227 Ｆターム(参考） 5F004 AA09 AA14 DA00 DA13 DA23 DA25 DA26 DB20 DB22 EA10 EA29 EB08 FA08 5F043 AA14 AA15 BB30 FF05 GG10 5F073 AA22 AA74 CA12 CB02 DA05 DA25 5F102 GB01 GC01 GD01 GJ06 GQ01 HC15
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｓｉ原子とＣｌ原子を分子構造に含むガ
スを少なくとも構成要素とする原料ガスを用いて化合物
半導体をドライ・エッチングしたのち、Ｏ2ガス或いは
Ｎ2 ガスの少なくとも一方を含む原料ガスを用いたプラ
ズマ照射処理を行い、次いで、酸溶液を用いてエッチン
グ表面を処理することを特徴とする化合物半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２】 上記プラズマ照射処理に用いる原料ガス
に、Ａｒが含まれていることを特徴とする請求項１記載
の化合物半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記酸溶液が、塩酸を含む酸溶液である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の化合物半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 上記酸溶液を用いた表面処理工程の後、
少なくとも前記処理表面に結晶再成長を行うことを特徴
とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の化合物半
導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 上記結晶再成長工程が、半導体レーザの
電流ブロック層を含む埋込層を成長させる工程であるこ
とを特徴とする請求項４記載の化合物半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000239334A JP4537549B2 (ja) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000239334A JP4537549B2 (ja) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002057142A true JP2002057142A (ja) | 2002-02-22 |
| JP4537549B2 JP4537549B2 (ja) | 2010-09-01 |
Family
ID=18730890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000239334A Expired - Fee Related JP4537549B2 (ja) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4537549B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006287025A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Seiko Epson Corp | 光半導体素子の製造方法および光半導体素子 |
| JP2008098349A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Sharp Corp | 化合物半導体レーザの作製方法 |
| JP2013093439A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザーの製造方法 |
| JP2013172059A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の製造方法 |
| JP2013222804A (ja) * | 2012-04-16 | 2013-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
| WO2020261493A1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
| JP2021064719A (ja) * | 2019-10-16 | 2021-04-22 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
| JP7347726B1 (ja) | 2023-05-15 | 2023-09-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09331117A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-12-22 | Sharp Corp | 半導体エッチング方法および半導体レーザ装置 |
| JP2000091303A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
| JP2000174389A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-08-08 JP JP2000239334A patent/JP4537549B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09331117A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-12-22 | Sharp Corp | 半導体エッチング方法および半導体レーザ装置 |
| JP2000091303A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
| JP2000174389A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 松谷 晃宏 A MATSUTANI: "ＳｉＣｌ<SB>４</SB>／Ａｒ誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）によるＩｎＰのドライエッチング", 応用物理学会学術講演会講演予稿集１９９８秋３ EXTENDED ABSTRACTS (THE 59TH AUTUMN MEETING, 1998);THE, JPN6010008770, pages 1176, ISSN: 0001544377 * |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006287025A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Seiko Epson Corp | 光半導体素子の製造方法および光半導体素子 |
| JP4492413B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2010-06-30 | セイコーエプソン株式会社 | 光半導体素子の製造方法および光半導体素子 |
| JP2008098349A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Sharp Corp | 化合物半導体レーザの作製方法 |
| JP2013093439A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザーの製造方法 |
| JP2013172059A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の製造方法 |
| JP2013222804A (ja) * | 2012-04-16 | 2013-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
| WO2020261493A1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
| JPWO2020261493A1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | ||
| JP7195431B2 (ja) | 2019-06-27 | 2022-12-23 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
| JP2021064719A (ja) * | 2019-10-16 | 2021-04-22 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
| US11456576B2 (en) | 2019-10-16 | 2022-09-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing optical semiconductor device |
| JP7224268B2 (ja) | 2019-10-16 | 2023-02-17 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
| JP7347726B1 (ja) | 2023-05-15 | 2023-09-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4537549B2 (ja) | 2010-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3330218B2 (ja) | 半導体装置の製造方法，及び半導体装置 | |
| US6358316B1 (en) | Method for producing semiconductor device, method for producing semiconductor laser device, and method for producing quantum wire structure | |
| JPH06291416A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US5508225A (en) | Method for manufacturing semiconductor visible laser diode | |
| JP4537549B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| US7553774B2 (en) | Method of fabricating semiconductor optical device | |
| EP0221103B1 (en) | Process for making semiconductor devices which involve gaseous etching | |
| US5153147A (en) | Selective growth of inp in device fabrication | |
| US6180429B1 (en) | Process for selective area growth of III-V semiconductors | |
| JPH0797573B2 (ja) | ヒ化アルミニウムガリウムの選択エッチング法 | |
| JPS63178574A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| US8021985B2 (en) | Method to form semiconductor laser diode | |
| JP3211227B2 (ja) | ＧａＡｓ層の表面安定化方法、ＧａＡｓ半導体装置の製造方法および半導体層の形成方法 | |
| JP2710545B2 (ja) | 埋め込み型ヘテロ構造レーザの製造方法 | |
| JPH06224158A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP4415480B2 (ja) | 構造基板および半導体装置の製造方法 | |
| US6699778B2 (en) | Masking method for producing semiconductor components, particularly a BH laser diode | |
| KR950011998B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| JPH06333832A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2004363150A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH04352328A (ja) | 半導体のガスエッチング方法 | |
| JPH03181133A (ja) | 化合物半導体のエッチング方法 | |
| JPH05234982A (ja) | 化合物半導体基板のエッチング方法 | |
| GB2299709A (en) | Method for producing a semiconductor device | |
| Hu et al. | Invited Paper Recent Developments In Reactive Plasma Etching Of III-V Compound Semiconductors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070803 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080131 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100422 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100608 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100618 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140625 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |