JP2013172059A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体層の上に絶縁膜のマスクパターンを形成する工程と、該マスクパターンをマスクとして、SiCl4を含むガスを用いて該半導体層をエッチングし、該半導体層にリッジを形成する工程と、該エッチングにより露出した面に形成されたSi系残渣を酸化してSi酸化物にする酸化工程と、該マスクパターンを残しつつ、該Si酸化物を希釈BHFにより除去する除去工程と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図4
Description
本発明の実施の形態1に係る半導体素子の製造方法について図を参照しつつ説明する。実施の形態1で説明する半導体素子は埋め込み型半導体レーザ素子である。図1は、半導体層の上にマスクパターンを形成したことを示す断面図である。基板10の上には、半導体層12が形成されている。半導体層12の上には、活性層14、及び半導体層16が形成されている。半導体層16の上に絶縁膜でマスクパターン18を形成する。マスクパターン18は絶縁膜であれば特に限定されないが、例えばSiO2で形成する。
本発明の実施の形態2に係る半導体素子の製造方法について図を参照しつつ説明する。なお、実施の形態1に係る半導体素子の製造方法と同一の部分については説明を省略する。
Claims (4)
- 半導体層の上に絶縁膜のマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクとして、SiCl4を含むガスを用いて前記半導体層をエッチングし、前記半導体層にリッジを形成する工程と、
前記エッチングにより露出した面に形成されたSi系残渣を酸化してSi酸化物にする酸化工程と、
前記マスクパターンを残しつつ、前記Si酸化物を希釈BHFにより除去する除去工程と、
を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記除去工程の後に、前記マスクパターンをマスクとして、前記リッジの側面に電流ブロック層を成長する工程を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記除去工程の後に、前記マスクパターンをマスクとして、前記エッチングにより形成されたダメージ層を除去する工程を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記マスクパターンはSiO2又はSiNで形成され、
前記酸化工程では、前記Si系残渣に対しO2プラズマ処理又は酸化剤を用いた薬液処理を施すことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
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