JP2009194081A - 窒化物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 窒化物半導体層上に電極を形成する窒化物半導体装置の製造方法において、少なくともシリコンを含む反応性エッチングガスを用いて、窒化物半導体層の表面をプラズマエッチングする工程と、そのエッチング領域を、不活性ガスのプラズマに曝すと共に、酸系あるいはアルカリ系の処理液で清浄化する工程と、清浄化されたエッチング領域表面に電極を形成する工程と、を含む。
【選択図】 図5
Description
Claims (3)
- 窒化物半導体層上に電極を形成する窒化物半導体装置の製造方法において、
少なくともシリコンを含む反応性エッチングガスを用いて、前記窒化物半導体層の表面をプラズマエッチングする工程と、
前記窒化物半導体層表面のエッチング領域を、不活性ガスのプラズマに曝す工程と、
前記エッチング領域を、酸系あるいはアルカリ系の処理液で清浄化する工程と、
清浄化された前記エッチング領域表面に、前記電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の窒化物半導体装置の製造方法において、
前記プラズマエッチングする工程は、前記エッチング領域表面に、シリコンあるいは酸素を含む反応生成物を残存させる工程であり、前記清浄化する工程は、前記反応生成物を溶解除去する工程であることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2いずれか記載の窒化物半導体装置の製造方法において、
窒化ガリウムを含む前記窒化物半導体層の表面を、四塩化硅素を含む前記反応性エッチングガスを用いてプラズマエッチングする工程と、
該エッチング領域を、窒素プラズマに曝す工程と、
該エッチング領域を、バッファードフッ酸を用いて清浄化する工程と、
清浄化された前記エッチング領域表面に、前記電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
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