CN111129127A - 一种提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性的结构及其方法 - Google Patents
一种提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性的结构及其方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明为一种提高N极性面GaN欧姆接触性能的结构，所述结构包括GaN材料，覆盖于所述GaN材料的N极性面GaN的外延层(1)的TiN薄层(2)，以及覆盖于所述TiN薄层(2)的金属叠层(3)。本发明的有益效果在于，TiN薄层具有高熔点、低功函数等优点，在高温情况下能与N极性面GaN形成稳定的接触界面，有效抑制欧姆接触金属与N极性面GaN材料反应，可以使得欧姆金属层在保护性气体的氛围中进行退火后，不仅不会导致欧姆接触劣化，还能能够形成更好的欧姆接触特性。本发明提高了N极性面GaN的欧姆接触的热稳定性，降低了N极性面GaN欧姆接触的比接触电阻率，从而提高器件的整体性能。本发明工艺简单、重复性和可靠性较高。
Description
技术领域
本发明涉及GaN半导体器件工艺领域，具体涉及一种采用热稳定良好的TiN作为N极性面GaN欧姆接触电极以提升其稳定性的方法。
背景技术
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料，由于其具有禁带宽度大、电子饱和速率高、击穿电场大等优点，成为近年来半导体领域的研究热点。Ga面的GaN横向器件已经逐步实现产业化，并在高频、高功率电力电子开关器件中具有极大的应用前景。N面的GaN器件的研究也并未落下，利用极化效应，N面AlGaN/GaN异质结可形成2DHG，从而制造p沟器件，可与n沟器件集成形成CMOS器件。除此之外，由于垂直器件可以有效地避免横向器件中的电场集边效应，提高器件耐压，并且同时提高晶圆的利用率，降低器件成本，使得GaN垂直器件也成为人们研究的重点。在这些研究中，不可避免地都会涉及到N极性面GaN材料与金属间形成欧姆接触的问题。目前，N极性面GaN材料与金属间形成的欧姆接触仍存在一些技术难题没有完全解决，主要存在以下问题或不足：
1、N极性GaN表面悬挂键密度高吸附了大量的氧或者氢氧根，在退火过程中会与传统的金属电极材料形成金属氧化物，增大金属与GaN接触接触势垒，劣化欧姆接触的质量，影响器件的可靠性(王现彬,王颖莉,赵正平.Ti/Al/Ni/Au在N-polar GaN上的欧姆接触[J].材料导报,2017,31(04):14-16.)。
2、通常采用Ti/Al/Ni/Au的组合金属来制作欧姆接触电极，其中金属Al在高温熔融状态下与GaN反应形成AlN，对于Ga极性面GaN来说，AlN与GaN界面会形成高浓度的二维电子气，这有利于提高Ga面GaN的欧姆特性，但对于N面GaN来说,，由于极性相反，高温反应形成的AlN与GaN界面会形成二维空穴气，从而使得欧姆接触特性变差(Zhi-Hong F,Xian-BinW,Li W,et al.Ti/Al based ohmic contact to as-grown N-polar GaN[J].ChinesePhysics Letters,2015,32(8):087102.)。
3、常用的欧姆接触电极Ti/Al/Ni/Au在高温退火后，表面形貌变差，这不仅会影响到欧姆接触特性，还会对后续工艺产生不良的影响，例如接触式曝光时由于表面粗糙会导致光刻出现较大偏差。(王现彬,赵正平.Ti/Al/Ni/Au金属体系在N-polar GaN上的欧姆接触特性[J].半导体光电(3期):366-369.)。
这些问题导致了N极性面GaN欧姆接触热稳定性较差，并且容易会受到器件后续制备流程的影响，例如：器件后退火等，使得器件性能下降，可靠性降低。
发明内容
本发明为克服上述N极性面GaN欧姆接触存在的问题，优化N极性面GaN欧姆接触的热稳定性，提高器件的可靠性，提供一种能够有效地抑制界面形成金属氧化物和AlN的提高N极性面GaN欧姆接触性能的结构及其制备方法。具体表现在：
1、生在TiN之前对N极性面GaN表面进行有机与无机清洗，去除了GaN表面的有机物和无机物(主要是Ga-O)，可以减少退火过程中生成金属氧化物。
2、TiN的功函数为3.74eV，小于n型GaN的金属功函数，能够与其形成很好的欧姆接触，并且其常用于CMOS无金工艺材料，有利于后续器件的应用。
3、TiN的熔点为2950℃，其在高温下仍能保持稳定状态，从而可以很好地隔绝Al金属与GaN反应形成AlN，避免AlN/GaN形成二维空穴气。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种提高N极性面GaN欧姆接触性能的结构，所述结构包括GaN材料，覆盖于所述GaN材料的N极性面GaN的外延层(1)的TiN薄层(2)，以及覆盖于所述TiN薄层(2)的金属叠层(3)。
优选地，所述的GaN外延层(1)为N极性面、非故意掺杂的GaN外延层(1)，GaN外延层(1)的厚度为10nm～500μm
优选地，所述的TiN薄层的厚度为1～100nm。
优选地，所述金属叠层(3)中的金属为与硅基CMOS工艺兼容的非Au金属，包括Ti、Al、Ni、Cu中的任意一种或两种以上的组合。
针对本发明的结构还提供一种制备的方法，所述方法包括以下步骤：
S1使用丙酮、异丙醇洗去GaN表面的有机物；
S2使用稀盐酸洗去GaN表面的无机物；
S3在清洗完后的N极性面GaN的外延层(1)上形成TiN薄层(2)；
S4在所述TiN薄层(2)上制备无金Au的金属叠层(3)。需要说明的是，所述金属叠层(3)与TiN薄层粘附性良好，用于降低欧姆电极总电阻。
需要说明的是，所述步骤S2中的无机物主要为Ga-O。
需要进一步说明的是，所述金属叠层(3)采用电子束蒸发或磁控溅射方式在TiN薄层(2)上沉积金属而形成，之后在保护性气体的氛围中进行退火处理，形成欧姆接触。
需要说明的是，所述退火处理的温度为50～900℃，时间为30s～20min。
优选地，所述结构其比接触电阻率在1.0×10-6～5.0×10-5Ω·cm2。
需要进一步说明的是，所述步骤S2中的稀硫酸，也可以使用其余可以除去无机物的溶液；如稀硫酸，稀硫酸，氢氟酸，稀硝酸等一种或两种混合溶液。
本发明的有益效果在于，TiN薄层具有高熔点、低功函数等优点，在高温情况下能与N极性面GaN形成稳定的接触界面，有效抑制欧姆接触金属与N极性面GaN材料反应，可以使得欧姆金属层在保护性气体的氛围中进行退火后，不仅不会导致欧姆接触劣化，还能能够形成更好的欧姆接触特性。本发明提高了N极性面GaN的欧姆接触的热稳定性，降低了N极性面GaN欧姆接触的比接触电阻率，从而提高器件的整体性能。本发明工艺简单、重复性和可靠性较高。
附图说明
图1为本发明的提高N极性面GaN欧姆接触性能的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明作进一步的描述，需要说明的是，以下实施例以本技术方案为前提，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围并不限于本实施例。
如图1所示，本发明为一种提高N极性面GaN欧姆接触性能的结构，所述结构包括GaN材料，覆盖于所述GaN材料的N极性面GaN的外延层(1)的TiN薄层(2)，以及覆盖于所述TiN薄层(2)的金属叠层(3)。
优选地，所述的GaN外延层(1)为N极性面、非故意掺杂的GaN外延层(1)，GaN外延层(1)的厚度为10nm～500μm
优选地，所述的TiN薄层的厚度为1～100nm。
优选地，所述金属叠层(3)中的金属为与硅基CMOS工艺兼容的非Au金属，包括Ti、Al、Ni、Cu中的任意一种或两种以上的组合。
如图1所示，针对本发明的结构还提供一种制备的方法，所述方法包括以下步骤：
S1使用丙酮、异丙醇洗去GaN表面的有机物；
S2使用稀盐酸洗去GaN表面的无机物；
S3在清洗完后的N极性面GaN的外延层(1)上形成TiN薄层(2)；
S4在所述TiN薄层(2)上制备无金Au的金属叠层(3)。需要说明的是，所述金属叠层(3)与TiN薄层粘附性良好，用于降低欧姆电极总电阻。
需要说明的是，所述步骤S2中的无机物主要为Ga-O。
需要进一步说明的是，所述步骤S2中的稀硫酸，也可以使用其余可以除去无机物的溶液；如稀硫酸，稀硫酸，氢氟酸，稀硝酸等一种或两种混合溶液。
需要进一步说明的是，所述金属叠层(3)采用电子束蒸发或磁控溅射方式在TiN薄层(2)上沉积金属而形成，之后在保护性气体的氛围中进行退火处理，形成欧姆接触。
需要说明的是，所述退火处理的温度为50～900℃，时间为30s～20min。
优选地，所述结构其比接触电阻率在1.0×10-6～5.0×10-5Ω·cm2。
对于本领域的技术人员来说，可以根据以上的技术方案和构思，给出各种相应的改变和变形，而所有的这些改变和变形，都应该包括在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性的结构，其特征在于，所述结构包括GaN材料，覆盖于所述GaN材料的N极性面GaN的外延层(1)的TiN薄层(2)，以及覆盖于所述TiN薄层(2)的金属叠层(3)。
2.根据权利要求1所述的提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性的结构，其特征在于，所述的GaN外延层(1)为N极性面、非故意掺杂的GaN外延层(1)，GaN外延层(1)的厚度为10nm～500μm。
3.根据权利要求1提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性的结构，其特征在于，所述的TiN薄层的厚度为1～100nm。
4.根据权利要求1所述的提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性的结构，其特征在于，所述金属叠层(3)中的金属为与硅基CMOS工艺兼容的非Au金属，包括Ti、Al、Ni、Cu中的任意一种或两种以上的组合。
5.一种制备如权利要求1所述的提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性结构的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
S1使用丙酮、异丙醇洗去GaN表面的有机物；
S2使用稀盐酸洗去GaN表面的无机物；
S3在清洗完后的N极性面GaN的外延层(1)上形成TiN薄层(2)；
S4在所述TiN薄层(2)上制备无金Au的金属叠层(3)。
6.根据权利要求5所述的制备提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性结构的方法，其特征在于，所述金属叠层(3)与TiN 薄层粘附性良好，用于降低欧姆电极总电阻。
7.根据权利要求5所述的提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性结构的方法，其特征在于，所述金属叠层(3)采用电子束蒸发或磁控溅射方式在TiN薄层(2)上沉积金属而形成，之后在保护性气体的氛围中进行退火处理，形成欧姆接触。
8.根据权利要求7所述的提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性结构的方法，其特征在于，所述退火处理的温度为50～900℃，时间为30s～20min。
9.根据权利要求8所述的提高N极性面GaN欧姆接触热稳定性及可靠性结构的方法，其特征在于，所述结构其比接触电阻率在1.0×10-6～5.0×10-5Ω·cm2。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200508 |
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