JP4492413B2 - 光半導体素子の製造方法および光半導体素子 - Google Patents
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Description
a)先ず、基板上に、面発光レーザとなる層を形成し、その層の上に機能部となる層をエピタキシャル成長で形成する。
b)次いで、機能部となる層をパターニングして機能部を形成する。
c)次いで、面発光レーザとなる層をパターニングして面発光レーザを形成する。
d)次いで、面発光レーザを駆動する電極を形成する。
e)次いで、機能部と面発光レーザとを電気的に接続する電極を形成する。これらにより機能部を有する面発光レーザ素子が完成する。
また、本発明は、発光素子部と機能部とを有してなる光半導体素子の製造工程において、発光素子部を形成するための層を損傷させることなく、簡便にかつ精密に、機能部となる層をパターニングすることを可能にする光半導体素子の製造方法および光半導体素子の提供を目的とする。
本発明によれば、ドライエッチングにより、機能部となる層の平面方向について精密にパターニングすることができる。ただし、ドライエッチングのみでは深さ方向のエッチング量を制御することが困難である。そこで、本発明は、ドライエッチングの次に行うウエットエッチングにより深さ方向のエッチング量を精密に且つ簡便に制御することができる。したがって、本発明は、ドライエッチングとウエットエッチングにより、機能部の一部又は全部について、精密にパターニングすることができる。
本発明によれば、第1工程により、例えば基板上に面発光レーザとなる層(面発光レーザ層)を形成でき、その面発光レーザ層の上に機能部となる層(機能層)を形成することができる。また、第2工程により、機能部の一部を形成することができる。この第2工程では、ドライエッチングにより機能部の一部を形成するためのパターンの平面方向について精密にエッチングでき、ウエットエッチングにより該パターンの深さ方向について精密にエッチングすることができる。これらにより本発明は、発光素子部を形成するための層を損傷させることなく、簡便にかつ精密に、機能部となる層をパターニングすることができる。したがって、発光素子部と機能部とを備えた光半導体素子を高精度に製造することができる。
本発明によれば、ドライエッチングによりエッチング量の平面方向について精密に制御でき、エッチング量の深さ方向についてはウエットエッチングにより精密に調整することができる。また、ドライエッチングとウエットエッチングとで同一のレジストを用いることもできる。したがって、本発明は、発光素子部を形成するための層などを損傷さることなく、機能部などを精密に形成することができる。
本発明によれば、ウエットエッチングのエッチング量が僅かであるので、そのウエットエッチングによって横方向(平面方向)にエッチングが進むことによるパターン形状の乱れなどを回避することができる。ウエットエッチングは、深さ方向のみならず、水平方向にもエッチングが進む。これにより、全てのエッチングをウエットエッチングで行うとすると、エッチングパターンの側面(境界)にオーバーハングなどのパターン形状の乱れが生じ、電極の断線、素子容量の変動などの不都合が生じる。本発明では、ウエットエッチング量がドライエッチング量に比べて僅かであるので、上記不都合を実質的に解消することができる。また、本発明は、僅かなウエットエッチングにより深さ方向のエッチング量を精密に制御することができる。そこで、本発明は、発光素子部を形成するための層などを損傷させることなく、簡便にかつ精密に、機能部などとなる層をパターニングすることができる。
本発明によれば、ウエットエッチング量が微小であるので、そのウエットエッチングによるパターン形状の乱れなどを回避することができる。また、そのウエットエッチングにより、0.1マイクロメール以下の微小な深さ方向のエッチング量について、精密に制御することができる。
本発明によれば、ドライエッチングによって発生した変質層を、除去工程により除去することができる。そして、除去工程の後にウエットエッチングをすることにより、発光素子部を形成するための層などを損傷させることなく、簡便に、かつ、より精密に、機能部などとなる層をパターニングすることができる。
本発明によれば、ドライエッチングによって発生した変質層を、ウエットエッチングにより除去することができる。したがって、本発明は、製造工程の簡素化及び迅速化を図ることができる。
本発明によれば、ドライエッチングによって発生した変質層を、簡便に除去することができる。
本発明によれば、静電気について耐性が高く、高性能で且つ信頼性の高い面発光レーザを製造することができる。また、機能部としては、面発光レーザの出力をモニタする受光素子(フォトダイオードなど)であってもよい。
本発明によれば、簡便にウエットエッチングをすることができる。
本発明によれば、エッチング対象層(除去層)と非対象層(下層)とのアルミニウム組成の差を利用して選択比の高いエッチャントを用いてウエットエッチングすることができ非対象層(面発光レーザの表面など)を確実に露出させることができる。
本発明によれば、ウエットエッチングにおけるエッチング対象層(第4の半導体層)と非対象層(第3の半導体層)とのアルミニウム組成の差を利用して、第4の半導体層のみを確実にエッチングすることができる。
本発明によれば、例えばドライエッチングにより第4の半導体層のGaAs層の全部をエッチングでき、ウエットエッチングにより第4の半導体層のAlGaAs層全部をエッチングすることができる。また、ドライエッチングにより第4の半導体層のGaAs層ほぼ全部をエッチングした場合、ウエットエッチングにより第4の半導体層のGaAs層残り部分とAlGaAs層全部をエッチングすることができる。また、ドライエッチングにより第4の半導体層のGaAs層全部とAlGaAs層の一部とをエッチングした場合、ウエットエッチングにより第4の半導体層のAlGaAs層残り部分をエッチングすることができる。したがって、ドライエッチングが第4の半導体層のGaAs層で止まっても、AlGaAs層まで進んでも、ウエットエッチングによりAlGaAs層まで正確にエッチングすることができる。
本発明によれば、発光素子部と機能部とを有してなる高性能な光半導体素子を低コストで提供することができる。
図1は、本発明の実施形態に係る光半導体素子の平面図である。図2は、図1の部位I−Iの断面図である。図3は、本実施形態に係る光半導体素子の回路図である。
図4〜図6は、本発明の実施形態に係る光半導体素子の製造方法を示す模式断面図である。すなわち、図4〜図6は、図1〜図3に示す光半導体素子220の製造方法を示している。
(NH3OH):(H2O2)=1:10
とする。また、必要に応じて上記混合液を純水にて希釈して用いてもよい。
図15は、本発明の実施形態に係る光半導体素子を有してなる光伝達装置を示す図である。光伝達装置200は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器202を相互に接続するものである。電子機器202は、情報通信機器であってもよい。光伝達装置200は、ケーブル204の両端にプラグ206が設けられたものであってもよい。ケーブル204は、光ファイバを含む。プラグ206は、光半導体素子220を内蔵する。プラグ206は、半導体チップをさらに内蔵してもよい。
図16は、図15に示す光伝達装置の使用形態を示す図である。光伝達装置212は、図15の光伝達装置200に相当するものである。光伝達装置212は、電子機器210間を接続する。電子機器210として、液晶表示モニタ又はディジタル対応のCRT(金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。)、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、ディジタルTV、小売店のレジ(POS(Point of Sale Scanning)用)、ビデオ、チューナ、ゲーム装置、プリンタ等が挙げられる。
Claims (2)
- 基板の上方に、第1の導電型からなる第1の半導体層と、活性層として機能する第2の半導体層と、第2の導電型からなる第3の半導体層となる上層にAlGaAs層を含むGaAs層と、第4の半導体層となるGaAs層を形成する第1工程と、
前記第4の半導体層の少なくとも一部を処理することによって、面発光レーザを静電気破壊から保護する保護ダイオードの少なくとも一部を形成する第2工程と、
少なくとも前記第3の半導体層をパターニングすることによって、保護ダイオード及び前記面発光レーザを形成する第3工程と、
前記面発光レーザを駆動する第1及び第2の電極を形成する第4工程と、
前記面発光レーザと前記保護ダイオードとを接続する第3の電極を形成する第5工程とを有し、
前記第2工程において、前記第4の半導体層の所望部位の大部分をドライエッチングした後に、当該ドライエッチングにより発生した変質層をアンモニア水と過酸化水素水との混合溶液によって除去し、さらに該所望部位についての残りわずかな部分をウエットエッチングすることにより前記保護ダイオードの少なくとも一部の形成を行い、
前記第3工程において、前記第3の半導体層のうち前記AlGaAs層のみをウエットエッチングする処理を含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法。 - 請求項1に記載の光半導体素子の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする光半導体素子。
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4449830B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2010-04-14 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型半導体レーザ |
JP2010045288A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
US9640944B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-05-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of manufacturing optical semiconductor element |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000232254A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 |
JP2001085789A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2002057142A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-22 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
JP2003332691A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-21 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54158343A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-14 | Hitachi Ltd | Dry etching method for al and al alloy |
US5418765A (en) * | 1991-04-19 | 1995-05-23 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for recording and reproducing optical information having an optical waveguide |
US5970080A (en) * | 1996-03-07 | 1999-10-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride compound semiconductor light emitting element and method for fabricating the same |
JP3787202B2 (ja) * | 1997-01-10 | 2006-06-21 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
US6185240B1 (en) * | 1998-01-30 | 2001-02-06 | Motorola, Inc. | Semiconductor laser having electro-static discharge protection |
US6500688B2 (en) * | 2001-03-14 | 2002-12-31 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Interband cascade light emitting device and method of making same |
JP4751024B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2011-08-17 | シャープ株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000232254A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 |
JP2001085789A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2002057142A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-22 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
JP2003332691A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-21 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Also Published As
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