JP2010045288A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子を構成する積層体の、光取出面をなす一方の主表面に有底孔LPを分散形成し、その有底孔LPの内面に異方性エッチング処理による微細な面粗し突起部を分散形成する。光取出面を平坦に形成する場合と比較して、面粗し対象面の総面積が有底孔LPを形成する分だけ増大し、これにさらに面粗し突起部Fを重畳形成することによって、面粗し突起の総形成量を増加させることができる。その結果、異方性エッチングによる面粗し処理のみを行なう従来の手法と比較して、素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる。
【選択図】 図1
Description
一方の主表面に光取出面が形成される化合物半導体の積層体からなり、該光取出面をなす化合物半導体層である光取出側化合物半導体層の表層部に凹部が分散形成されるとともに、前記凹部の内表面に異方性エッチング処理による面粗し突起部がさらに分散形成されてなることを特徴とする。
化合物半導体の積層体の光取出面側となる主表面に凹部を分散形成する凹部形成工程と、該凹部の内表面に異方性エッチング処理を実施することにより面粗し突起部をさらに分散形成する異方性エッチング工程とをこの順で実施することを特徴とする。
酢酸(CH3COOH換算):37.4質量%以上94.8質量%以下、
弗酸(HF換算):0.4質量%以上14.8質量%以下、
硝酸(HNO3換算):1.3質量%以上14.7質量%以下、
ヨウ素(I2換算):0.12質量%以上0.84質量%以下
の範囲で含有し、かつ、水の含有量が2.4質量%以上45質量%以下のものを採用するのがよい。いずれの成分も上記組成の範囲外になると、GaP単結晶の(100)面に対する異方性エッチング効果が十分でなくなり、GaP光取出層の第一主表面へ面粗らし突起部を十分に形成できなくなる。異方性エッチング液は、より望ましくは、
酢酸(CH3COOH換算):45.8質量%以上94.8質量%以下、
弗酸(HF換算):0.5質量%以上14.8質量%以下、
硝酸(HNO3換算):1.6質量%以上14.7質量%以下、
ヨウ素(I2換算):0.15質量%以上0.84質量%以下
の範囲で含有し、かつ、水の含有量が2.4質量%以上32.7質量%以下のものを採用するのがよい。すなわち、GaP単結晶の(100)面に対する異方性エッチング効果を高めるには、特に水の含有量を上記のように少なく留め、かつ、酸主溶媒の機能を水ではなく酢酸に担わせることが重要であるともいえる。
図1は、本発明の一実施形態である発光素子100を示す概念図である。発光素子100は、発光層部24と、該発光層部24の第一主表面側に形成されたGaP光取出層(ここではp型)20とを有する。また、発光層部24の第二主表面側にはGaP透明基板90が配置されている。発光層部24は、ノンドープ(AlxGa1−x)yIn1−yP(ただし、0≦x≦0.55,0.45≦y≦0.55)混晶からなる活性層5を、p型(AlzGa1−z)yIn1−yP(ただしx<z≦1)からなるp型クラッド層(第一導電型クラッド層)6とn型(AlzGa1−z)yIn1−yP(ただしx<z≦1)からなるn型クラッド層(第二導電型クラッド層)4とにより挟んだ構造を有する。図1の発光素子100では、第一主表面側(図面上側)にp型AlGaInPクラッド層6が配置されており、第二主表面側(図面下側)にn型AlGaInPクラッド層4が配置されている。なお、ここでいう「ノンドープ」とは、「ドーパントの積極添加を行なわない」との意味であり、通常の製造工程上、不可避的に混入するドーパント成分の含有(例えば1×1013〜1×1016/cm3程度を上限とする)をも排除するものではない。この発光層部24はMOVPE法により成長されたものである。n型クラッド層4及びpクラッド層6の厚さは、例えばそれぞれ0.8μm以上4μm以下(望ましくは0.8μm以上2μm以下)であり、活性層5の厚さは例えば0.4μm以上2μm以下(望ましくは0.4μm以上1μm以下)である。発光層部24全体の厚さは、例えば2μm以上10μm以下(望ましくは2μm以上5μm以下)である。
まず、図7の工程1に示すように、成長用基板として、主表面が(100)面のGaAs単結晶基板1を用意する。次に、工程2に示すように、その基板1の主表面に、n型GaAsバッファ層2を例えば0.5μmエピタキシャル成長し、さらにAlGaInP接続層91(4μm)を成長し、次いで、発光層部24として、各々(AlxGa1−x)yIn1−yPよりなる、厚さ1μmのn型クラッド層4(n型ドーパントはSi)、厚さ0.6μmの活性層(ノンドープ)5及び厚さ1μmのp型クラッド層6(p型ドーパントはMg:有機金属分子からのCもp型ドーパントとして寄与しうる)を、この順序にてエピタキシャル成長させる。p型クラッド層6とn型クラッド層4との各ドーパント濃度は、例えば1×1017/cm3以上2×1018/cm3以下である。さらに、図8の工程3に示すように、p型クラッド層6上に接続層20Jをエピタキシャル成長する。
・Al源ガス;トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリエチルアルミニウム(TEAl)など;
・Ga源ガス;トリメチルガリウム(TMGa)、トリエチルガリウム(TEGa)など;
・In源ガス;トリメチルインジウム(TMIn)、トリエチルインジウム(TEIn)など。
・P源ガス:トリメチルリン(TMP)、トリエチルリン(TEP)、ホスフィン(PH3)など。
Ga(液体)+HCl(気体) → GaCl(気体)+1/2H2‥‥(1)
成長温度は例えば640℃以上860℃以下に設定する。また、V族元素であるPは、PH3をキャリアガスであるH2とともに基板上に供給する。さらに、p型ドーパントであるZnは、DMZn(ジメチルZn)の形で供給する。GaClはPH3との反応性に優れ、下記(2)式の反応により、効率よくGaP光取出層20を成長させることができる:
GaCl(気体)+PH3(気体)
→GaP(固体)+HCl(気体)+H2(気体)‥‥(2)
酢酸(CH3COOH換算):37.4質量%以上94.8質量%以下、
弗酸(HF換算):0.4質量%以上14.8質量%以下、
硝酸(HNO3換算):1.3質量%以上14.7質量%以下、
ヨウ素(I2換算):0.12質量%以上0.84質量%以下
の範囲で含有し、かつ、水の含有量が2.4質量%以上45質量%以下のもの、より望ましくは、
酢酸(CH3COOH換算):45.8質量%以上94.8質量%以下、
弗酸(HF換算):0.5質量%以上14.8質量%以下、
硝酸(HNO3換算):1.6質量%以上14.7質量%以下、
ヨウ素(I2換算):0.15質量%以上0.84質量%以下
の範囲で含有し、かつ、水の含有量が2.4質量%以上32.7質量%以下のものを採用する。液温は40℃以上60℃以下が適当である。
孔LPは、図11に示すように、レーザービームLBを用いるとほぼ円状の開口形状を有するものが形成可能である。他方、図12に示すように、GaP光取出層20(光取出側化合物半導体層)をエッチングレジストERで被覆し、露光・現像により孔LPの形成領域に対応する窓部をパターニング形成し、その後、乾式エッチングを施すことにより、孔LPを一括して形成することも可能である。乾式エッチングを用いる場合も、孔LP内面には変質層DLを生ずることがあり、図13と同様に、該組成変質層を湿式エッチングにより除去することが望ましい。
5 活性層
6 第二導電型クラッド層
9 光取出側金属電極
16 ワイヤーボンド部
20 GaP光取出層
20p 光取出面
SS 側面部
24 発光層部
W 発光素子ウェーハ
F 面粗し突起部
LP 孔(凹部)
LG 溝
100 発光素子
Claims (13)
- 一方の主表面に光取出面が形成される化合物半導体の積層体からなり、該光取出面をなす化合物半導体層である光取出側化合物半導体層の表層部に凹部が分散形成されるとともに、前記凹部の内表面に異方性エッチング処理による面粗し突起部がさらに分散形成されてなることを特徴とする発光素子。
- 前記凹部は複数の孔として散点状に分散形成されてなる請求項1記載の発光素子。
- 前記孔はレーザービームにより穿孔形成されたものである請求項2記載の発光素子。
- 前記面粗し突起部が、前記光取出面の前記凹部の開口周縁をなす領域にも分散形成されてなる請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記光取出側化合物半導体層の、前記凹部が非形成となる側面部にも、異方性エッチング処理による前記面粗し突起部が分散形成されてなる請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記化合物半導体の積層体は発光層部と、該発光層部に積層されるとともに該発光層部よりも厚みの大きい電流拡散層とを含むものであり、該電流拡散層が前記光取出側化合物半導体層を構成するものである請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記発光層部が、組成式(AlxGa1−x)yIn1−yP(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1)にて表される化合物のうち、GaAsと格子整合する組成を有する化合物にて各々構成された第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層がこの順序で積層されたダブルへテロ構造を有するものとして形成され、
前記電流拡散層が、厚さ10μm以上のGaP光取出層として形成されてなる請求項6記載の発光素子。 - 前記凹部は複数の孔として散点状に分散形成されてなり、
該孔は開口径が1μm以上50μm以下、孔深さが0.5μm以上25μm以下であり、前記面粗し突起部は該孔の内面に平均的な高さが0.1μm以上5μm以下となるように形成されてなる請求項7記載の発光素子。 - 化合物半導体の積層体の光取出面側となる主表面に凹部を分散形成する凹部形成工程と、該凹部の内表面に異方性エッチング処理を実施することにより面粗し突起部をさらに分散形成する異方性エッチング工程とをこの順で実施することを特徴とする発光素子の製造方法。
- 前記凹部をレーザービーム穿孔により形成する請求項9記載の発光素子の製造方法。
- 前記凹部を乾式エッチングにより形成する請求項9記載の発光素子の製造方法。
- 前記凹部を形成後、凹部内面に残留する変質層を湿式エッチングにより除去し、その後、当該凹部の内面を異方性エッチング処理する請求項10又は請求項11に記載の発光素子の製造方法。
- 前記積層体として形成された発光素子ウェーハの前記主表面の全面に前記凹部を分散形成し、該凹部を形成後の発光素子ウェーハを素子チップにダイシング後、個々の素子チップを異方性エッチング液に浸漬して前記凹部の内面に前記異方性エッチング処理を行なう請求項9ないし請求項12のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2012186204A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子 |
JP2012253226A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Hayashi Junyaku Kogyo Kk | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
JP2018078342A (ja) * | 2013-02-28 | 2018-05-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
Families Citing this family (4)
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---|---|---|---|---|
CN102208508B (zh) * | 2010-03-30 | 2014-05-07 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种发光二极管结构及其制造方法 |
CN102339920B (zh) * | 2010-07-20 | 2014-01-22 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0324771A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-01 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法 |
JPH06334218A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード素子 |
JP2003209283A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004128445A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-04-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2006287025A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Seiko Epson Corp | 光半導体素子の製造方法および光半導体素子 |
JP2006294907A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2006339294A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
JP2008021887A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Eudyna Devices Inc | 発光素子の製造方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0324771A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-01 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法 |
JPH06334218A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード素子 |
JP2003209283A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004128445A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-04-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2006287025A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Seiko Epson Corp | 光半導体素子の製造方法および光半導体素子 |
JP2006294907A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2006339294A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
JP2008021887A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Eudyna Devices Inc | 発光素子の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012186204A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子 |
JP2012253226A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Hayashi Junyaku Kogyo Kk | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
JP2018078342A (ja) * | 2013-02-28 | 2018-05-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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