JP2003209283A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

半導体発光素子及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体多層膜の最上層と透明樹脂との境界に
おける全反射の影響で光取り出し効率が低下するのを防
止して、光取り出し効率の向上をはかる。 【解決手段】 面方位（１００）面のｎ型ＧａＡｓ基板
１０上にＩｎＧａＡｌＰ活性層１３をｎ型ＩｎＡｌＰク
ラッド層１２及びｐ型ＩｎＡｌＰクラッド層１４で挟ん
だダブルへテロ構造部を形成し、その上にｐ型ＧａＡｌ
Ａｓ電流拡散層１５，１７を形成し、基板１０と反対側
の面から光を取り出すＬＥＤにおいて、ダブルへテロ構
造部の光取り出し面側の電流拡散層１７の表面（１０
０）面を加工して（１１１）面を露出させ、露出させた
（１１１）面にＨＣｌ処理を施して微小な凹凸を形成し
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）等の半導体発光素子
に係わり、特に光取り出し面の粗面化をはかった半導体
発光素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、高輝度の発光ダイオードは、
半導体基板上にダブルへテロ構造等からなる発光部を形
成し、その上に電流拡散層を形成して構成される。この
発光ダイオードを樹脂にてパッケージする場合、電流拡
散層の上部は、素子保護のための透明樹脂で覆われた構
造となっている。
【０００３】この構造では、電流拡散層（屈折率：３．
１〜３．５）と透明樹脂（屈折率：１．５程度）との間
の臨界角は２５〜２９度となり、これより入射角が大き
くなる光は全反射し、発光素子外部に放出される確率が
著しく低下する。このため、実際に発生した光の取り出
し効率は２０％程度になっているのが現状である。
【０００４】なお、電流拡散層の表面を粗面化する方法
もあるが、一般に半導体基板の主面は（１００）面又は
（１００）±数度ＯＦＦした面であり、この上に成長さ
れた各半導体層の表面も（１００）面又は（１００）±
数度ＯＦＦした面であり、（１００）面又は（１００）
±数度ＯＦＦした面を粗面化するのは難しい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、樹脂
にてパッケージする発光ダイオードにおいては、発光層
を含む半導体多層膜の最上層と透明樹脂との境界で、界
面に斜め方向から入射する光が全反射し、光取り出し効
率が低下するという問題があった。また、この問題は発
光ダイオードに限るものではなく、面発光型の半導体レ
ーザに関しても同様に言えることである。
【０００６】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、発光層を含む半導体多
層膜の最上層と透明樹脂との境界における光の全反射の
影響で光取り出し効率が低下するのを防止することがで
き、光取り出し効率の向上をはかり得る半導体発光素子
及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は、次のような構成を採用している。
【０００８】即ち本発明は、基板上に発光層を含む半導
体多層膜を積層し、基板と反対側の面から光を取り出す
半導体発光素子において、前記半導体多層膜の光取り出
し部に（１１１）面若しくはその近傍の面からなる光取
り出し面を有するパターンが形成され、該光取り出し面
が凹凸加工されていることを特徴とする。
【０００９】また本発明は、上記構成の半導体発光素子
を製造する方法であって、（１００）面に形成された前
記半導体多層膜の光取り出し面をブレード加工して（１
１１）面若しくはその近傍の面を露出させる工程と、前
記露出した（１１１）面若しくはその近傍の面に粗面化
処理を施して微小凹凸を形成する工程とを含むことを特
徴とする。
【００１０】また本発明は、上記構成の半導体発光素子
を製造する方法であって、（１００）面に形成された前
記半導体多層膜の光取り出し面にラインアンドスペース
のマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて前記光
取り出し面を反応性イオンエッチング法によりテーパ状
にエッチングすることにより（１１１）面を露出させる
工程と、前記露出した（１１１）面に粗面化処理を施し
て微小凹凸を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】（作用）本発明によれば、光取り出し面が
（１１１）面に形成されているので、これをＨＣｌ等で
処理することにより容易に粗面化することができる。こ
れにより、発光層を含む半導体多層膜の最上層と透明樹
脂との境界における光の全反射の影響で光取り出し効率
が低下するのを防止することができ、光取り出し効率の
向上をはかることが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。
【００１３】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係わる緑色ＬＥＤの素子構造を示す断面図
である。
【００１４】面方位（１００）面のｎ型ＧａＡｓ基板１
０の上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１１、ｎ型Ｉｎ0.5
Ａｌ0.5 Ｐクラッド層１２、ノンドープＩｎＧａＡｌＰ
活性層１３、ｐ型Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層１４、
ｐ型Ｇａ0.5 Ａｌ0.5 Ａｓ層（第１電流拡散層）１５、
ｐ型ＧａＡｓエッチング停止層１６、ｐ型Ｇａ0.5 Ａｌ
0.5 Ａｓ層（第２電流拡散層）１７、ｎ型ＧａＡｓキャ
ップ層（図示せず）が成長形成され、第２電流拡散層１
７の表面にはストライプ状にＶ溝が形成され、これによ
り表面が（１１１）面となっている。
【００１５】また、第２電流拡散層１７は素子中央部が
円形に除去され、この部分にｐ側電極２１が形成されて
いる。さらに、基板１０の裏面側にはｎ側電極２２が形
成されている。
【００１６】本実施形態のＬＥＤの製造工程を、図２を
参照して説明する。
【００１７】まず、図２（ａ）に示すように、面方位が
（１００）面で厚さ２５０μｍのｎ型ＧａＡｓ基板１０
の上に、Ｖ属元素の原料ガスとしてＡｓＨ3 を用いたＭ
ＯＣＶＤ法により０．５μｍ厚のｎ型ＧａＡｓバッファ
層１１を成長する。続いて、Ｖ属元素の原料ガスとして
ＰＨ3 を用いたＭＯＣＶＤ法により、０．６μｍ厚のｎ
型Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層１２、１．０μｍ厚の
ノンドープＩｎＧａＡｌＰ活性層１３、１．０μｍ厚の
ｐ型Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層１４を成長する。
【００１８】その後、Ｖ属元素の原料ガスとしてＡｓＨ
3 を用いたＭＯＣＶＤ法により、１．０μｍ厚のｐ型Ｇ
ａ0.5 Ａｌ0.5 Ａｓ層（第１電流拡散層）１５、０．０
１μｍ厚のｐ型ＧａＡｓエッチング停止層１６、５．０
μｍ厚のｐ型Ｇａ0.5 Ａｌ0. 5 Ａｓ層（第２電流拡散
層）１７、０．１μｍ厚のｎ型ＧａＡｓキャップ層１８
を成長する。
【００１９】ここで、バッファ層１１からキャップ層１
８までの各エピタキシャル層は同一バッチで成長する。
そして、基板１０の表面が（１００）面であることか
ら、その上に成長した各層１１〜１８の表面は全て（１
００）面となっている。
【００２０】次いで、歯先端角７０度を有するブレード
装置を用い、図２（ｂ）に示すように、表面に（１１
１）面が出るように深さ５μｍ、間隔５．８μｍでブレ
ード加工を行う。これにより、第２電流拡散層１７が断
面三角形状のラインアンドスペースパターンとなり、試
料表面には第２電流拡散層１７の（１１１）面が露出す
ることになる。この露出した（１１１）面が光取り出し
面となる。
【００２１】次いで、５０℃に加熱したＨＣｌ処理で、
図２（ｃ）に示すように、第２電流拡散層１７の（１１
１）面にサブミクロンの凹凸を形成する。この微小凹凸
の高さやピッチは発振波長以下の極めて短いものであっ
た。
【００２２】これ以降は、レジストマスクを用いて電極
部のキャップ層１８と第２電流拡散層１７をエッチング
した後、上部電極としてｐ側電極２１（Ｚｎを含むＡ
ｕ）を蒸着により形成する。そして、ＧａＡｓ基板１０
を研磨し１００μｍ厚にした後に、ｎ側電極２２（Ｇｅ
を含むＡｕ）を形成することによって、前記図１に示す
構造が得られる。
【００２３】次いで、熱処理として、Ａｒ雰囲気中で４
５０℃，１５分の処理を行う。続いて、ウェハにスクラ
イブを行いチップ化する。そして、組立ワイヤボンディ
ング処理を行った後に、樹脂封止する。
【００２４】上記のように、第２電流拡散層１７にブレ
ード加工を施して（１１１）面を露出させ、この（１１
１）面に凹凸加工を施すことにより、表面の粗面化を有
効に行うことができる。そして、この凹凸における高さ
やピッチは発光波長よりも短いものであった。
【００２５】その結果として、本実施形態のような突起
部構造を採用することにより、図３に示すように、光取
り出し効率が従来の約２０％から約５０％に向上した。
このように、基本的なデバイス構造を変えることなく光
取り出し効率をこれだけ上昇させることができるのは、
ＬＥＤにとって極めて大きな効果である。
【００２６】ここで、光取り出し面に（１１１）面を形
成する方法としては、ブレード加工に限らずＲＩＥでも
可能である。例えば、図４（ａ）に示すように、面方位
が（１００）面の第２電流拡散層１７の表面にレジスト
マスク４１をストライプ状に複数本形成した後、Ｃｌ2
を含むガスを用いたテーパＲＩＥを行うことにより、図
４（ｂ）に示すように、側面に（１１１）面を有するパ
ターンが形成される。この後、ＨＣｌ処理を施すことに
より、図４（ｃ）に示すように、（１１１）面に微小凹
凸を形成することができる。
【００２７】また、表面に作成する面は必ずしも（１１
１）面丁度に限るものではなく、（１１１）面から多少
傾いていても同様の効果が得られる。本発明者らの実験
によれば、（１１１）±２０度でも同様の効果が確認さ
れた。
【００２８】また、発振波長以下の凹凸を形成するため
の処理としては、ＨＣｌ処理に限らず、（１１１）面を
粗面化できるものであればよく、ハロゲン系のガスを用
いたドライエッチング、更にはウェットエッチングを利
用することもできる。さらに、凹凸の形状は、図５
（ａ）〜（ｆ）に示す何れの形状であってもよい。ここ
で、（ａ）はＥＢマスクでＲＩＥした例、（ｂ）はＥＢ
マスクでウェットエッチングした例、（ｃ）〜（ｆ）は
マスク無しでウェットエッチングした例である。
【００２９】このように本実施形態によれば、半導体多
層構造の実質的な最上層である第２電流拡散層１７に
（１１１）面を形成し、これをＨＣｌで処理して祖面化
することにより、光取り出し面に微小凹凸を形成するこ
とができる。これにより、第２電流拡散層１７と封止用
の透明樹脂との境界における光の全反射の影響で光取り
出し効率が低下するのを防止することができ、光取り出
し効率の向上をはかることができる。また、電流拡散層
１７の（１１１）面はブレード加工やＲＩＥにより露出
させるために、電流拡散層１７の成長時の表面の面方位
は何ら制約されるものではない。従って、成長基板１０
の面方位に左右されることなく、通常用いられる（１０
０）基板に対して適用することができる。
【００３０】（第２の実施形態）図６は、本発明の第２
の実施形態に係わる緑色ＬＥＤの素子構造を示す断面図
である。
【００３１】本実施形態は、ｎ，ｐの成長層を第１の実
施形態と逆にしたものであり、基本的な構成は図１の実
施形態と同様である。
【００３２】ｐ型ＧａＡｓ基板５０の上に、０．５μｍ
厚のｐ型ＧａＡｓバッファ層５１，０．６μｍ厚のｐ型
Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層５２，１．０μｍ厚のノ
ンドープＩｎＧａＡｌＰ活性層５３，１．０μｍ厚のｎ
型Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層５４、１．０μｍ厚の
ｎ型Ｇａ0.5 Ａｌ0.5 Ｐ層（第１電流拡散層）５５、
０．０１μｍのｎ型ＧａＡｓエッチング停止層５６、
５．０μｍのｎ型Ｇａ0.5Ａｌ0.5 Ａｓ層（第２電流拡
散層）５７、０．１μｍのｐ型ＧａＡｓキャップ層（図
示せず）がＭＯＣＶＤ法で成長形成される。
【００３３】第２電流拡散層５７の表面は、第１の実施
形態と同様にして、ブレード装置又はテーパＲＩＥによ
り加工され、（１１１）面が露出した状態となってい
る。この（１１１）面に、ＨＣｌ処理により凹凸加工が
施されている。そして、電流拡散層５７の一部を除去し
た部分にｎ側の電極６１が形成され、基板５０の裏面側
にｐ側の電極６２が形成されている。
【００３４】このような構成であっても、第２電流拡散
層５７の表面に設けた（１１１）面及び凹凸部分によ
り、パッケージのための透明樹脂に対する光の入射確率
を高めることができ、第１の実施形態と同様の効果が得
られる。
【００３５】（第３の実施形態）図７は、本発明の第３
の実施形態に係わる面発光レーザの素子構造を示す断面
図である。
【００３６】まず、２５０μｍ厚のｎ型ＧａＡｓ基板７
０の上に、０．５μｍ厚のｎ型ＧａＡｓバッファ層７１
を成長し、その上にｎ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐ／ｎ−Ｇａ
Ａｓの積層構造からなる第１のＤＢＲ反射層７８を成長
する。続いて、０．６μｍ厚のｎ型Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐ
クラッド層７２、ノンドープのＩｎ0.5 （Ｇａ0.55Ａｌ
0.45）0.5 Ｐ／Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 ＰのＭＱＷ活性層７
３、更に０．６μｍ厚のｐ型Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッ
ド層７４を成長してダブルへテロ構造部を形成する。続
いて、ｐ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐ／ｐ−ＧａＡｓの積層構
造からなる第２のＤＢＲ反射層７９を成長した後に、
１．０μｍ厚のｐ型Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐ層（第１電流拡
散層）７５、０．０１μｍのｐ型ＧａＡｓ層７６、５．
０μｍのｐ型Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐ層（第２電流拡散層）
７７、０．１μｍのｎ型ＧａＡｓキャップ層（図示せ
ず）を成長する。
【００３７】ここで、バッファ層７１からキャップ層ま
でのエピタキシャル膜は、ＭＯＣＶＤ法を用いて同一バ
ッチで成長し、用いるガスの種類や圧力は各層が良好に
成長される条件にする。
【００３８】次いで、第１の実施形態と同様に、歯先端
角７０度を有するブレード装置にて表面に（１１１）面
が出るように深さ５μｍ、間隔５．８μｍでブレード加
工を行う。これにより、第２電流拡散層５７の表面は
（１１１）面が露出した状態となる。続いて、第１の実
施形態と同様に、ＨＣｌ処理で（１１１）面にサブミク
ロンの凹凸を形成する。
【００３９】次いで、レジストパターニング後、ｎ型ク
ラッド層７２までエッチングしてレーザーリッジ形成を
行う。続いて、０．５μｍ厚の絶縁膜（ＳｉＯ2 ）８１
を堆積する。次いで、レジストマスクで電極部の絶縁膜
８１とキャップ層と第２電流拡散層７７をエッチングす
る。次いで、ｐ側電極８３（Ｚｎを含むＡｕ）を蒸着
し、レジストマスクで上部電極を形成する。次いで、基
板７０を研磨し１００μｍ厚にした後に、ｎ側電極８５
（Ｇｅを含むＡｕ）を形成する。次いで、Ａｒ雰囲気中
で４５０℃，１５分の熱処理を行う。続いて、ウェハに
スクライブを行いチップ化する。その後、樹脂パッケー
ジに組立を行う。
【００４０】このように構成された面発光レーザにおい
ては、光取り出し面に（１１１）面が形成され、この
（１１１）面にＨＣｌ処理を施すことにより、微小な凹
凸を容易に形成することができる。従って、第１の実施
形態と同様に、光取り出し効率の向上をはかることがで
きる。本実施形態のレーザは赤色発光であるが、赤以外
の半導体レーザにおいても上記効果を確認している。
【００４１】（変形例）なお、本発明は上述した各実施
形態に限定されるものではない。第１及び第２の実施形
態では、緑色ＬＥＤについて説明したが、本発明は緑以
外のＬＥＤに適用しても同様の効果が得られる。そし
て、素子形成材料としては、ＩｎＧａＡｌＰ以外にも、
ＩｎＧａＡｌＡｓ系，ＧａＡｌＡｓ系，ＧａＰ系などを
用いることが可能である。さらに、各半導体層の組成，
厚さ等の条件は、仕様に応じて適宜変更可能である。
【００４２】また、光取り出し面に露出させる面は、必
ずしも（１１１）面丁度に限るものではなく、（１１
１）面から少し傾いた面であってもよい。具体的には、
（１１１）から±２０度程度の傾きの範囲内であればよ
い。さらに、（１１１）面に形成する凹凸は、高さ及び
周期が発光波長以下であるのが最も望ましいが、必ずし
もこの範囲に規定されるものではない。また、（１１
１）面を有するパターンは必ずしもライン状である必要
はなく、格子状であってもよい。格子状パターンを形成
するには、ブレード装置を用いる場合は互いに交差する
方向に加工すればよく、選択エッチングを利用する場合
は、マスクの形状を格子状にすればよい。
【００４３】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
【００４４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、基
板上に発光層を含む半導体多層膜を積層し、基板と反対
側の面から光を取り出す半導体発光素子において、半導
体多層膜の光取り出し部に（１１１）面を有するパター
ン形成し、該（１１１）面に凹凸加工を施すことによ
り、半導体多層膜の最上層と透明樹脂との境界における
全反射の影響で光取り出し効率が低下するのを防止する
ことができ、光取り出し効率の向上をはかることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わる緑色ＬＥＤの素子構造
を示す断面図。
【図２】第１の実施形態に係わる緑色ＬＥＤの製造工程
を示す断面図。
【図３】実施形態構造の採用により光取り出し効率が向
上する様子を示す図。
【図４】（１１１）面を形成するための例を示す断面
図。
【図５】（１１１）面に形成した凹凸の例を示す断面
図。
【図６】第２の実施形態に係わる緑色ＬＥＤの素子構造
を示す断面図。
【図７】第３の実施形態に係わる面発光型半導体レーザ
の素子構造を示す断面図。
【符号の説明】
１０…ｎ型ＧａＡｓ基板 １１…ｎ型ＧａＡｓ層（バッファ層） １２…ｎ型Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐ層（第１クラッド層） １３…ＩｎＧａＡｌＰ層（活性層） １４…ｐ型Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐ層（第２クラッド層） １５…ｐ型Ｇａ0.5 Ａｌ0.5 Ａｓ層（第１電流拡散層） １６…ｐ型ＧａＡｓ層（エッチング停止層） １７…ｐ型Ｇａ0.5 Ａｌ0.5 Ａｓ層（第２電流拡散層） １８…ｎ型ＧａＡｓ層（キャップ層） ２１…ＡｕＺｎ電極（ｐ側電極） ２２…ＡｕＧｅ電極（ｎ側電極） ４１…レジストマスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 幸一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 (72)発明者 布谷 伸仁 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 (72)発明者 大橋 健一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 Ｆターム(参考） 5F041 AA03 CA04 CA12 CA23 CA34 CA65 CA74 CA77 CB36 5F073 AA11 AA65 AA74 AA89 AB17 CA06 DA05 DA21 DA35 EA24

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に発光層を含む半導体多層膜を積層
    し、基板と反対側の面から光を取り出す半導体発光素子
    において、 前記半導体多層膜の光取り出し部に（１１１）面若しく
    はその近傍の面からなる光取り出し面を有するパターン
    が形成され、該光取り出し面が凹凸加工されていること
    を特徴とする半導体発光素子。
  2. 【請求項２】前記光取り出し部に形成するパターンは、
    （１００）面に対して所定の加工を施すことにより（１
    １１）面若しくはその近傍の面からなる光取り出し面を
    有するものであることを特徴とする請求項１記載の半導
    体発光素子。
  3. 【請求項３】前記光取り出し面は、（１１１）面から±
    ２０度傾いた面までを含むことを特徴とする請求項１又
    は２記載の半導体発光素子。
  4. 【請求項４】前記光取り出し部に形成するパターンは、
    ライン状に配列されていることを特徴とする請求項１記
    載の半導体発光素子。
  5. 【請求項５】前記光取り出し部に形成するパターンは、
    格子状に配列されていることを特徴とする請求項１記載
    の半導体発光素子。
  6. 【請求項６】前記光取り出し面に形成する凹凸は、高さ
    及び周期が前記発光層における発光波長以下であること
    を特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
  7. 【請求項７】前記半導体多層膜は活性層をクラッド層で
    挟んだダブルへテロ構造部を有し、このダブルへテロ構
    造部の基板と反対側のクラッド層上に電流拡散層を形成
    したものであり、 前記光取り出し面及び凹凸は、電流拡散層の表面に形成
    されていることを特徴とする請求項１記載の半導体発光
    素子。
  8. 【請求項８】請求項１記載の半導体発光素子を製造する
    方法であって、 （１００）面に形成された前記半導体多層膜の光取り出
    し面をブレード加工して（１１１）面若しくはその近傍
    の面を露出させる工程と、前記露出した（１１１）面若
    しくはその近傍の面に粗面化処理を施して微小凹凸を形
    成する工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の
    製造方法。
  9. 【請求項９】請求項１記載の半導体発光素子を製造する
    方法であって、 （１００）面に形成された前記半導体多層膜の光取り出
    し面にラインアンドスペースのマスクを形成する工程
    と、前記マスクを用いて前記光取り出し面を反応性イオ
    ンエッチング法によりテーパ状にエッチングすることに
    より（１１１）面を露出させる工程と、前記露出した
    （１１１）面に粗面化処理を施して微小凹凸を形成する
    工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方
    法。
  10. 【請求項１０】前記粗面化処理として、前記光取り出し
    面をＨＣｌ雰囲気に晒すと共に加熱処理することを特徴
    とする請求項８又は９記載の半導体発光素子の製造方
    法。
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Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036240A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子、及びその製造方法
JP2007507895A (ja) * 2003-09-30 2007-03-29 クリー　インコーポレイテッド 多孔質ＳｉＣ基板を有する発光ダイオードおよび製造方法
JP2007311784A (ja) * 2006-05-15 2007-11-29 Samsung Electro Mech Co Ltd 多重パターン構造を有する半導体発光素子
JP2008047861A (ja) * 2006-08-14 2008-02-28 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法
WO2008108406A1 (ja) 2007-03-05 2008-09-12 Fujifilm Corporation フォトレジスト用化合物、フォトレジスト液、およびこれを用いるエッチング方法
WO2008123010A1 (ja) 2007-03-05 2008-10-16 Fujifilm Corporation 発光素子およびその製造方法ならびに光学素子およびその製造方法
JP2009130027A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子用ウエーハの粗面化方法及び半導体発光素子
JP2009188240A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Sharp Corp 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子
US7579205B2 (en) 2004-04-27 2009-08-25 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of fabricating light emitting device and thus-fabricated light emitting device
KR100926319B1 (ko) * 2005-07-12 2009-11-12 한빔 주식회사 광추출 효율이 개선된 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
US7663151B2 (en) 2004-04-27 2010-02-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of fabricating light emitting device and thus-fabricated light emitting device
US7667224B2 (en) 2005-03-09 2010-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus
WO2010021212A1 (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 信越半導体株式会社 発光素子及びその製造方法
JP2010045289A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2010050157A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法
US7687323B2 (en) 2007-04-18 2010-03-30 Sanken Electric Co., Ltd. Surface-roughening method
JP2010118431A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Stanley Electric Co Ltd 光半導体装置及びその製造方法
US7745246B2 (en) 2005-05-31 2010-06-29 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of fabricating light emitting device
WO2010093062A1 (en) 2009-02-13 2010-08-19 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device, and method for producing the same
US7825008B2 (en) 2006-03-07 2010-11-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of fabricating light emitting device and thus-fabricated light emitting device
WO2011021753A1 (ko) * 2009-08-18 2011-02-24 우리엘에스티 주식회사 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101106340B1 (ko) 2004-01-19 2012-01-18 엘지전자 주식회사 Ｌｅｄ 소자의 구조 및 제조방법
WO2012091325A2 (ko) * 2010-12-30 2012-07-05 포항공과대학교 산학협력단 나노 구조체를 이용한 발광다이오드 제조 방법과 이에 의해 제조된 발광다이오드
US8227281B2 (en) 2009-09-04 2012-07-24 Stanley Electric Co., Ltd. Manufacture method for ZnO-based light emitting device
WO2012099436A2 (ko) * 2011-01-21 2012-07-26 포항공과대학교 산학협력단 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
KR20120139198A (ko) * 2011-06-17 2012-12-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
US8362512B2 (en) 2006-04-24 2013-01-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white LED
WO2013132762A1 (ja) * 2012-03-09 2013-09-12 パナソニック株式会社 発光素子およびその製造方法
JP2013222925A (ja) * 2012-04-19 2013-10-28 Asahi Kasei Corp Ｌｅｄ用基板及びその製造方法
US8617909B2 (en) 2004-07-02 2013-12-31 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US8648376B2 (en) 2006-05-08 2014-02-11 Lg Electronics Inc. Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same
JP2014120695A (ja) * 2012-12-19 2014-06-30 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
US8858004B2 (en) 2005-12-22 2014-10-14 Cree, Inc. Lighting device
US8901585B2 (en) 2003-05-01 2014-12-02 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US9041139B2 (en) 2007-01-19 2015-05-26 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
JP2015536044A (ja) * 2012-09-27 2015-12-17 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 半導体層の領域の分割方法およびオプトエレクトロニクス半導体チップ
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US9666772B2 (en) 2003-04-30 2017-05-30 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
JP2018050070A (ja) * 2017-11-21 2018-03-29 ローム株式会社 半導体発光素子
US10615324B2 (en) 2013-06-14 2020-04-07 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Tiny 6 pin side view surface mount LED
WO2023032307A1 (ja) * 2021-08-30 2023-03-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子アレイおよび発光素子アレイの製造方法

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7667238B2 (en) * 2003-04-15 2010-02-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices for liquid crystal displays
US7521854B2 (en) * 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
US7084434B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Uniform color phosphor-coated light-emitting diode
US20040259279A1 (en) 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US7098589B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US7211831B2 (en) * 2003-04-15 2007-05-01 Luminus Devices, Inc. Light emitting device with patterned surfaces
US7274043B2 (en) * 2003-04-15 2007-09-25 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode systems
US7083993B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Methods of making multi-layer light emitting devices
US7105861B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-12 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
US6831302B2 (en) * 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US7262550B2 (en) * 2003-04-15 2007-08-28 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode utilizing a physical pattern
US7074631B2 (en) * 2003-04-15 2006-07-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device methods
DE112004001401T5 (de) * 2003-07-28 2006-06-14 Toyoda Gosei Co., Ltd., Nishikasugai Lichtemissionsdiode und Verfahren zu deren Herstellung
US7341880B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7450311B2 (en) 2003-12-12 2008-11-11 Luminus Devices, Inc. Optical display systems and methods
US20050161696A1 (en) * 2004-01-28 2005-07-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
US7208334B2 (en) * 2004-03-31 2007-04-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device, acid etching resistance material and copolymer
JP2006032623A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Sharp Corp 半導体レーザ素子の製造方法
US20060038188A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Erchak Alexei A Light emitting diode systems
US20060043400A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Erchak Alexei A Polarized light emitting device
KR101015500B1 (ko) * 2004-10-11 2011-02-24 삼성전자주식회사 터널 접합을 구비한 고출력 레이저 소자 및 상기 레이저소자용 레이저 펌핑부
US7897420B2 (en) * 2005-01-11 2011-03-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US9130114B2 (en) * 2005-01-11 2015-09-08 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical light emitting diode (VLED) dice having confinement layers with roughened surfaces and methods of fabrication
JP2006253172A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法
US20070045640A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
US20060204865A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Luminus Devices, Inc. Patterned light-emitting devices
JP2006310721A (ja) * 2005-03-28 2006-11-09 Yokohama National Univ 自発光デバイス
JP4297084B2 (ja) * 2005-06-13 2009-07-15 住友電気工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
US7847279B2 (en) * 2005-07-06 2010-12-07 Lg Innotek Co., Ltd. Nitride semiconductor LED and fabrication method thereof
KR100674859B1 (ko) 2005-07-07 2007-01-29 삼성전기주식회사 질화물 단결정의 조면처리방법 및 이를 이용한 질화물발광소자 제조방법
US20070018182A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with improved light extraction and reflectivity
US8674375B2 (en) 2005-07-21 2014-03-18 Cree, Inc. Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction
KR101154744B1 (ko) * 2005-08-01 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법
US7348603B2 (en) * 2005-10-17 2008-03-25 Luminus Devices, Inc. Anisotropic collimation devices and related methods
US7388233B2 (en) * 2005-10-17 2008-06-17 Luminus Devices, Inc. Patchwork patterned devices and related methods
US20070085098A1 (en) * 2005-10-17 2007-04-19 Luminus Devices, Inc. Patterned devices and related methods
US7391059B2 (en) * 2005-10-17 2008-06-24 Luminus Devices, Inc. Isotropic collimation devices and related methods
KR101008285B1 (ko) * 2005-10-28 2011-01-13 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
JP2007165409A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP2007258672A (ja) * 2006-02-22 2007-10-04 Sharp Corp 発光ダイオード及びその製造方法
SG140473A1 (en) * 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
SG140481A1 (en) * 2006-08-22 2008-03-28 Agency Science Tech & Res A method for fabricating micro and nano structures
KR100843455B1 (ko) * 2006-08-24 2008-07-03 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조 방법
US8110838B2 (en) * 2006-12-08 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Spatial localization of light-generating portions in LEDs
US8110425B2 (en) 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
JP5165264B2 (ja) 2007-03-22 2013-03-21 浜松ホトニクス株式会社 窒化物半導体基板
JP4903643B2 (ja) * 2007-07-12 2012-03-28 株式会社東芝 半導体発光素子
TWI387128B (zh) * 2007-08-23 2013-02-21 Epistar Corp 發光元件及其製造方法
US8552445B2 (en) 2007-12-28 2013-10-08 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
WO2009120044A2 (ko) * 2008-03-27 2009-10-01 Song June O 발광소자 및 그 제조방법
US8247312B2 (en) * 2008-04-24 2012-08-21 Innovalight, Inc. Methods for printing an ink on a textured wafer surface
KR101064016B1 (ko) * 2008-11-26 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US7927910B2 (en) * 2009-06-28 2011-04-19 Sino-American Silicon Products Inc. Manufacturing method of solar cell
KR101014155B1 (ko) 2010-03-10 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101039880B1 (ko) * 2010-04-28 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
KR101182920B1 (ko) * 2010-07-05 2012-09-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US20120119184A1 (en) * 2010-11-12 2012-05-17 Kung-Hsieh Hsu Vertical Light Emitting Diode (VLED) Die Having N-Type Confinement Structure With Etch Stop Layer And Method Of Fabrication
JP2012114329A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
EP2528114A3 (en) * 2011-05-23 2014-07-09 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device, light emitting device package, and light unit
US9741899B2 (en) 2011-06-15 2017-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US10522714B2 (en) 2011-06-15 2019-12-31 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US10319881B2 (en) 2011-06-15 2019-06-11 Sensor Electronic Technology, Inc. Device including transparent layer with profiled surface for improved extraction
US9142741B2 (en) * 2011-06-15 2015-09-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
US9337387B2 (en) 2011-06-15 2016-05-10 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
TWI447955B (zh) * 2011-11-23 2014-08-01 Ind Tech Res Inst 發光二極體元件、其導光結構的形成方法與形成設備
KR101286211B1 (ko) * 2012-02-16 2013-07-15 고려대학교 산학협력단 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광 소자
US20130234149A1 (en) * 2012-03-09 2013-09-12 Electro Scientific Industries, Inc. Sidewall texturing of light emitting diode structures
US9022601B2 (en) * 2012-04-09 2015-05-05 Cree, Inc. Optical element including texturing to control beam width and color mixing
CN103682014A (zh) * 2012-09-03 2014-03-26 广东量晶光电科技有限公司 具有表面微结构的发光二极管及其制造方法
US8852974B2 (en) 2012-12-06 2014-10-07 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
TWI584493B (zh) * 2013-02-04 2017-05-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體及其製作方法
TWI536605B (zh) * 2013-08-20 2016-06-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體
JP2015061010A (ja) * 2013-09-20 2015-03-30 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子とその製造方法と実装体の製造方法
US20150171261A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Tel Solar Ag Transparent conductive oxide (tco) layer, and systems, apparatuses and methods for fabricating a transparent conductive oxide (tco) layer
JP6106120B2 (ja) * 2014-03-27 2017-03-29 株式会社東芝 半導体発光装置
US10461221B2 (en) 2016-01-18 2019-10-29 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with improved light propagation
CN112968085A (zh) * 2020-12-04 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种外延片的制作方法、芯片的制作方法及芯片
CN114256393B (zh) * 2021-12-03 2023-07-14 重庆康佳光电技术研究院有限公司 红光二极管外延结构及其制备方法、红光二极管

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5087949A (en) 1989-06-27 1992-02-11 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with diagonal faces
JP3152708B2 (ja) 1991-12-12 2001-04-03 株式会社東芝 半導体発光素子
EP0582986B1 (en) * 1992-08-10 1999-01-20 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of manufacturing the same
US5814839A (en) * 1995-02-16 1998-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device having a current adjusting layer and a uneven shape light emitting region, and method for producing same
DE19537544A1 (de) 1995-10-09 1997-04-10 Telefunken Microelectron Lumineszenzdiode mit verbesserter Lichtausbeute
DE19943406C2 (de) 1999-09-10 2001-07-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemissionsdiode mit Oberflächenstrukturierung
DE19947030A1 (de) 1999-09-30 2001-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenstrukturierte Lichtemissionsdiode mit verbesserter Stromeinkopplung
WO2001073859A1 (en) 2000-03-24 2001-10-04 Nova Crystals, Inc. Enhanced-output light emitting diode and method of making the same
TW564584B (en) 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device

Cited By (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9666772B2 (en) 2003-04-30 2017-05-30 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US8901585B2 (en) 2003-05-01 2014-12-02 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
JP2007507895A (ja) * 2003-09-30 2007-03-29 クリー　インコーポレイテッド 多孔質ＳｉＣ基板を有する発光ダイオードおよび製造方法
KR101106340B1 (ko) 2004-01-19 2012-01-18 엘지전자 주식회사 Ｌｅｄ 소자의 구조 및 제조방법
US7579205B2 (en) 2004-04-27 2009-08-25 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of fabricating light emitting device and thus-fabricated light emitting device
US7663151B2 (en) 2004-04-27 2010-02-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of fabricating light emitting device and thus-fabricated light emitting device
US8617909B2 (en) 2004-07-02 2013-12-31 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US7667224B2 (en) 2005-03-09 2010-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus
US7745246B2 (en) 2005-05-31 2010-06-29 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of fabricating light emitting device
KR100926319B1 (ko) * 2005-07-12 2009-11-12 한빔 주식회사 광추출 효율이 개선된 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
JP2007036240A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子、及びその製造方法
JP2010212719A (ja) * 2005-07-22 2010-09-24 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法
US8858004B2 (en) 2005-12-22 2014-10-14 Cree, Inc. Lighting device
US7825008B2 (en) 2006-03-07 2010-11-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of fabricating light emitting device and thus-fabricated light emitting device
US8390022B2 (en) 2006-04-24 2013-03-05 Cree, Inc. Side view surface mount LED
US8487337B2 (en) 2006-04-24 2013-07-16 Cree, Inc. Side view surface mount LED
US8362512B2 (en) 2006-04-24 2013-01-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white LED
US9246054B2 (en) 2006-05-08 2016-01-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same
US9837578B2 (en) 2006-05-08 2017-12-05 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same
US8648376B2 (en) 2006-05-08 2014-02-11 Lg Electronics Inc. Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same
JP2007311784A (ja) * 2006-05-15 2007-11-29 Samsung Electro Mech Co Ltd 多重パターン構造を有する半導体発光素子
JP2008047861A (ja) * 2006-08-14 2008-02-28 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法
US8012779B2 (en) 2006-08-14 2011-09-06 Samsung Led Co., Ltd. Gallium nitride-based light emitting diode and method of manufacturing the same
US9041139B2 (en) 2007-01-19 2015-05-26 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US8710524B2 (en) 2007-03-05 2014-04-29 Fujifilm Corporation Light emitting element, method for manufacturing the light emitting element, optical element and method for manufacturing the optical element
WO2008108406A1 (ja) 2007-03-05 2008-09-12 Fujifilm Corporation フォトレジスト用化合物、フォトレジスト液、およびこれを用いるエッチング方法
WO2008123010A1 (ja) 2007-03-05 2008-10-16 Fujifilm Corporation 発光素子およびその製造方法ならびに光学素子およびその製造方法
US7687323B2 (en) 2007-04-18 2010-03-30 Sanken Electric Co., Ltd. Surface-roughening method
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
JP2009130027A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子用ウエーハの粗面化方法及び半導体発光素子
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
JP2009188240A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Sharp Corp 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子
JP2010045288A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法
WO2010021212A1 (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 信越半導体株式会社 発光素子及びその製造方法
JP2010045289A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2010050157A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2010118431A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Stanley Electric Co Ltd 光半導体装置及びその製造方法
WO2010093062A1 (en) 2009-02-13 2010-08-19 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device, and method for producing the same
WO2011021753A1 (ko) * 2009-08-18 2011-02-24 우리엘에스티 주식회사 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8227281B2 (en) 2009-09-04 2012-07-24 Stanley Electric Co., Ltd. Manufacture method for ZnO-based light emitting device
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
WO2012091325A3 (ko) * 2010-12-30 2012-08-23 포항공과대학교 산학협력단 나노 구조체를 이용한 발광다이오드 제조 방법과 이에 의해 제조된 발광다이오드
WO2012091325A2 (ko) * 2010-12-30 2012-07-05 포항공과대학교 산학협력단 나노 구조체를 이용한 발광다이오드 제조 방법과 이에 의해 제조된 발광다이오드
WO2012099436A2 (ko) * 2011-01-21 2012-07-26 포항공과대학교 산학협력단 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드
WO2012099436A3 (ko) * 2011-01-21 2012-09-20 포항공과대학교 산학협력단 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드
KR101983773B1 (ko) 2011-06-17 2019-05-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR20120139198A (ko) * 2011-06-17 2012-12-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
WO2013132762A1 (ja) * 2012-03-09 2013-09-12 パナソニック株式会社 発光素子およびその製造方法
JP2013222925A (ja) * 2012-04-19 2013-10-28 Asahi Kasei Corp Ｌｅｄ用基板及びその製造方法
US9589943B2 (en) 2012-09-27 2017-03-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for separating regions of a semiconductor layer
JP2015536044A (ja) * 2012-09-27 2015-12-17 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 半導体層の領域の分割方法およびオプトエレクトロニクス半導体チップ
US9865776B2 (en) 2012-09-27 2018-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for separating regions of a semiconductor layer
JP2014120695A (ja) * 2012-12-19 2014-06-30 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
US10615324B2 (en) 2013-06-14 2020-04-07 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Tiny 6 pin side view surface mount LED
JP2018050070A (ja) * 2017-11-21 2018-03-29 ローム株式会社 半導体発光素子
WO2023032307A1 (ja) * 2021-08-30 2023-03-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子アレイおよび発光素子アレイの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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