WO2012091325A3 - 나노 구조체를 이용한 발광다이오드 제조 방법과 이에 의해 제조된 발광다이오드 - Google Patents

나노 구조체를 이용한 발광다이오드 제조 방법과 이에 의해 제조된 발광다이오드 Download PDF

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Abstract

본 발명은 나노 구조체를 활용한 건식 에칭을 통해 광 추출 효율이 향상된 발광다이오드의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 광 추출 효율이 우수한 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명은, 제1 반도체층 상에 활성층 및 제2 반도체층이 순차적으로 형성된 수직형 발광다이오드의 제조방법으로서, (a) 상기 제2 반도체층의 상에 구 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계; (b) 상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층을 건식에칭하여 상기 제2 반도체층에 요철부를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 요철부를 습식에칭하여 상기 요철부를 구성하는 각각의 요철 표면에 서브요철부가 형성되도록 미세 패터닝하는 단계;를 포함하는 방법을 제공한다.
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