TW588469B - Semiconductor light emitting device and the manufacturing method thereof - Google Patents

Description

588469 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於發光二極體（LED )或半導體雷射等之 半導體發光元件，特別是有關於設法使光取出面予以粗面 化之半導體發光元件以及其製造方法。 【先前技術】 以往，高暉度之發光二極體係，在於半導體基板上， · 形成由雙異質構造等所成之發光部而在於上面形成電流擴 散層所構成。以樹脂來封裝此發光二極體時，電流擴散層 之上部係採用了保護元件用之透明樹脂層所包覆之構造。 在此構造中，電流擴散層（屈折率：3 . 1〜3 . 5 )與透 明樹脂層（屈折率：I.5程度）之間之臨界角乃25〜29度 程度，如果入射角大於此時即發生光之全反射，放出於發 光元件外部之光之或然率（確率）係顯著地降低，因此實 際上發生之光之取出效率只有2〇%程度係其現狀。 · 再者，雖然爲了提高光之取出效率而亦有使電流擴散 層之表面粗面化之方法。惟通常半導體基板之主面係（ 100)面，或（100) 土數度OFF之面，而成長於此上面之 -· 各半導體層之表面亦是（100)面或（100) 土數度OFF之 面，因此將（100)面或（100) 土數度OFF之面予以粗面 化乃很困難。 如上所述，先前技術中，以樹脂所包封之發光二極體 中，在該包含發光層之多層半導體膜之最上層與透明樹脂 -6 - (2) (2)588469 層之境界中具有，從斜方向入射於該界面之光會全反射由 而光之取出效率會降低之問題。而此問題並不是只限於發 光二極體之問題，在於面發光型之半導體雷射亦具有同樣 之問題。 【發明內容】 (發明之槪說） 本發明之半導體發光元件乃，具備： Φ 基板、 以及疊層於上述基板上之含有發光層之多層之半導體 膜所成，而從與基板側之相反側之面’取出光之多層之半 導體膜。 在於上述多層半導體膜之光取出部形成有’具有由（ 111)面或由（111)面附近之面，所成之光取出面之圖樣 ，而在於該光取出面形成有凹凸者。 (發明之詳細之說明） 下面以圖示之實施形態說明本發明之詳細情形。 【實施方式】 (第1實施形態） 第1圖表示有關本發明之第1實施形態之綠色LED 之元件構造之斷面圖。 第1圖之綠色LED係由依序疊層於面方位（100 )面 -7 - (3) (3)588469 之η型GaAs基板1〇之上面之，η型GaAs緩衝層11、η 型 Ιη〇.5Α1〇.5Α1〇.5 Ρ 包覆層 14，ρ 型 Ga〇.5Al〇.5AS 層（第 1電流擴散層）15、P型GaAs蝕刻停止層16、p型 Ga〇.5Al().5As層（第2電流擴散層）17、η型GaAs冠層 (不圖示）所構成。這些疊層係藉由外延成長所形成。在 於第2電流擴散層17之表面，條狀地形成V溝，由而該 表面成爲（1 1 1 )面。 又，第2電流擴散層1 7係在於元件中央部被圓形狀 地去除，在此部份形成P型電極2 1。於基板1 0之背面側 形成η型電極22。 參照第2Α〜2C圖說明第1圖之LED之製程。 首先如第2A圖所示，在於面方位爲（100 )面，且 厚度250 //m之η型GaAs基板10之上面，使用V屬元 件之原料氣體而使用 AsH3，以MOCVD法外延成長0.5 // m厚之n型GaAs緩衝層1 1。接著，做爲V屬元素之原 料氣體使用PH3，以MOCVD法，外延成長0.6 // m厚之 η型Ιη〇.5Α1〇.5 p包覆層12、1.0 // m厚之未滲雜InGaAl P活性層13、1.0 //m厚之p型Ιη〇.5Α1〇.5 P包覆層14。 而此後，做爲 V屬元素之原料氣體使用 AsH3藉 MOCVD法外延成長1.0 // m厚之 p型G a。· 5 A1G . 5 A s層（ 第1電流擴散層）15。0.01 // m厚之p型GaAs蝕刻停 止層16，5.0 //m厚之p型Ga〇.5Al〇.5As層（第2電流 擴散層）17，0.1 /zm厚之η型GaAs冠層18。 從緩衝層1 1到冠層1 8爲止之各外延層係在一同批地 -8- (4) (4)588469 使之外延成長。由於基板10之表面爲（100)面，所以成 長於該上之各層11〜18之表面全部成爲（100)面。 接著，使用具有刃端角70度之刀刃裝置而如第2B圖 所示，對於由層11〜18所成之疊層，使之其表面露出（ 1 1 1 )面地刮深度5 // m，間隔5. 8 // m。由而第2電流 擴散層1 7成爲斷面二角形狀之線及空間（1 i n e a n d s p a c e )圖樣，在於兀子表面係露出第2電流擴散層17之（ 111)面，此露出之（111)面即成爲光取出面。 · 接著，在於50°C之加熱環境下之HC1處理而由第2C 圖所示，在於第2電流擴散層1 7之（1 1 1 )面上形成亞 微米規格之凹凸。實驗例中該微小凹凸之高度及節距係振 盪波長以下之極短者。 接著，使用抗蝕罩，蝕刻電極形成預定部之冠層18 部份及第2電流擴散層1 7之一部份，而後在於以蝕刻除 去之部份上，以蒸鍍形成做爲上部電極之p型電極2 1 ( 含有Zn之Au )。並且從背面硏磨GaAs基板10使之成 β 爲100 // m厚度。接著在於GaAs基板10背面形成η側 電極22(含有Ge之Au)，由而獲得上述第1圖所示之 構造。 · 接著，做爲熱處理，在於Ar環境中，實施4501：， . 1 5分鐘之處理，接著對於基板1 〇換言之對於晶圓實施畫 分使之成爲晶片之形態，並且實施電線連結處理之後予以 樹脂封閉。 如上所述，在於第2電流擴散層1 7施予刀刃加工使 -9 - (5) (5)588469 之露出（111)面，在此（111)面施予凹凸加工而可以有 效地實施表面之粗面化，實施例係此凹凸之高度及節距係 比發光波長爲短者。 其結果，如第3圖所示，光取出效率乃從以往之約 20 %提高到約5 0 %。如上所述不改變基本的裝置構造之 下，這種地大幅度上昇光取出效率乃對於LDE係非常大 之效果。 按値得一提者，做爲在於光取出面形成（111)面之 方法並不限於本實施例之刀刃加工。RIE亦可能。例如如 第4A圖所示，在於面方位爲（100 )面之第2電流擴散 層1 7之表面條狀地形成複數條之抗蝕罩4 1，接著使用含 有Cl2之氣體實施推拔RIE，由而將第2電流擴散層17 形成爲複數條之條狀。此時如第4B圖所示，在於第2電 流擴散層1 7之條之側面會形成具有（1 1 1 )面之圖樣。此 後施予HC1處理由而如第4C圖所示，在於（1 1 1 )面形 成微小凹凸。 形成於表面之面不限於恰好（1 1 1 )面，稍與（1 1 1 ) 偏差也可以獲得同樣之效果。依本發明人等之實施。從（ 111)面之±20度之面也確認具有同樣之效果。 再者，爲了形成振盪波長以下之凹凸之處理不限於 HC1處理，只要能使（1 1 1 )面粗面化者就可以。可以利 用鹵素系之氣體之蝕刻，或濕式鈾刻亦可以。 又凹凸之形狀係例如第5 A〜5F圖所示其中之任何一 形狀均可。本例中第5 A圖係WEB罩施予RIE之例’第 (6) (6)588469 5B圖係EB罩而施予濕式蝕刻之例。第5C圖〜第5F圖 係未使用罩而實施濕式鈾刻之例子。 如上所述，依本實施形態時在於多層半導體構造之實 質的最上層之第2電流擴散層17形成（111)面，將它 施予HC 1處理使之粗面化而在於光取出面可形成微小凹凸 。由而可以防止在於第2電流擴散層1 7與封閉用之透明 樹脂之境界之光之全反射之影響而光取出效率之降低，而 達成光取出效率之提高。 再者，電流擴散層1 7之露出（1 1 1 )面係藉由刀刃加 工或RIE之手法來實施。所以對於電流擴散層17之成長 時之表面之面方位不會有任何之制限。換言之電流擴散層 1 7之成長時之表面之面方位係任意之面方位均可以。所 以不受基板1 〇之面方位所左右地，如此實施例，可以適 用於通常使用之（100)基板也。 (第2之實施形態） 第6圖表示有關本發明之第2實施形態之綠色LED 之元件構造之斷面圖。 本實施形態乃使用η成長層，p成長層與第1實施 形態者相反者，基本的構成係與第1圖之實施形態同樣。 由依序疊層於ρ型Ga As基板50之上面之0.5 /zm 厚之p型GaAs緩衝層51，0.6 //m厚之p型Ino.sAlo」p 包覆層52，1.0 //111厚之未滲雜111〇&八1?活性層53，1.0 //m厚之n型ΐη()5Α1〇.5 P包覆層54，1.0 //m厚之η型 -11 - (7) (7)588469

Ga〇.5Al〇.5 p層（第1電流擴散層）55、0.01 // m之η型

GaAs 蝕刻停止層 56，5.0 //m 之 η 型 Gao.5Alo.5As 層（ 第2電流擴散層）57，0. 1 # m之ρ型GaAs冠層（不圖 示）所成。這些疊層係藉MOCVD法由外延成長所形成。 對於第2電流擴散層1 7之表面藉刀刃裝置或推拔 RIE而條狀地形成V溝，由而在其表面成爲（Η 1 )面。 在此（1 1 1 )面藉HC1處理施予凹凸加工。 又，第2電流擴散層5 7係在於元件中央部除其一部 份，在此部份形成η側之電極6 1。基板5 0之背面側形成 有Ρ側之電極6 2。 在此實施例上，亦與第1實施形態同樣，露出第2 電流擴散層57之（ill)面，且在於（ill)面施予凹凸 ’由而提高對於封裝用之透明樹脂層之光之入射或然率。 而可以獲得與第1之實施形態之同樣之效果。 下面說明第6圖之LED之製程。 首先’面方位爲（100)面，且厚度爲250 //历之卩 型GaAs基板5〇上，使用AsH3做爲v屬元素之原料氣體 ’藉MOCVD法外延成長〇·5 //m厚之ρ型GaAs緩衝層 5 1 °接著’使用PH3做爲V屬元素之原料氣體，藉 MOCVD法外延成長〇·6 厚之ρ型inuAl。」ρ包覆層 52’ 厚之未滲雜InGaA1 ρ活性層53，1〇 # m厚之 η 型 In〇.5 Al。5 ρ 包覆層 54。 而後’使用 AsH3爲 V屬元素之原料氣體，藉 MOCVD法外延成長，m厚之n型GaG 5AlG 5As層（ -12- (8) (8)588469 第1電流擴散層）55，0.01 // m厚之η型GaAs蝕刻停止 餍56，5.0//m厚之η型Gao.5Alo.5As層（第2電流擴散 餍）57，0.1/zm厚之ρ型GaAs冠層（不圖示）。 從緩衝層5 1到冠層5 8之各外延層係在於同一批使之 外延成長，由於基板50之表面爲（100)面’所以成長於 其上面之各層51〜58之表面係全部成爲（1〇〇)面。 接著，使用具有刀刃端角7〇度之刀刃裝置，將由層 51〜58所成之疊層構造刀刃加工成，使（111)面露出於 元件表面地刮深度5 // m，間隔5 · 8 // m。由而第2電流擴 散層5 7成爲斷面三角形狀之線及空間之圖樣。在於元件 表面會露出第2電流擴散層57之（111)面，而此露出 之（111)面成爲光取出面。 接著，於50°c之加熱環境下之HC1處理，在於第2 電流擴散層5 7之（1 1 1 )面上形成亞微米之規格之凹凸。 實施例中，此微小凹凸之高度及節距係振盪波長以下之極 爲短者。 接著，使用抗蝕罩，而以溶劑法去除電極形成預定部 之冠層58之一部份及第2電流擴散層57之一部份。而 後在該以蝕刻所去除之部份上，以蒸鍍法形成做爲上部電 極之η側電極61 (含Ge之Au)。並且從背面硏磨GaAs 基板50，使之成爲l〇〇//m厚，接著在於GaAs基板10 背面形成P側電極62 (含Zn之Au)，由而可以獲得上 述第6圖所示之構造。 接著，做爲熱處理，在於Ar環境中，實施45(TC 15 -13- 588469 Ο) 分鐘之處理。接著，對於基板5 0，換言之對於晶圓實施 分劃做成晶片之形態，接著實施線之連接處理之後’施予 樹脂包封。 (第3實施形態） 第7圖表示有關於本發明之第3實施形態之面發光 雷射之元件構造之斷面圖。 首先，在於250//m厚之η型GaAs基板70之上面’ 外延成長〇.5//m厚之由η — Ιη〇·5Α1().5 p / n — GaAs之疊層 構造所成之第1之DBR反射層78。接著，外延成長0.6 厚之η型Ιη〇.5Α1().5 P包覆層72’未渗雜之 Ιη〇·5 ( Gao.55Alo.45) 〇.5 p / [n〇.5Ga〇.5 p 之 MQW 活性層 73 ，以及〇.6//m厚之p型Ιη〇·5Α1〇.5 p包覆層74由而形成 雙異質構造部。接著，使由Ρ— Ιη〇.5Α1〇.5 ρ/ρ — GaAs之 疊層構造之第2DBR反射層79外延成長’接著’使1.0 #ηι厚之p型Ιη〇.5Α1〇_5 P層（第1電流擴散層）75’ 0.01//m 之 ρ 型 GaAs 層 76，5.0 //m 之 ρ 型 Ιη〇·5Α1〇·5 ρ 層（第2電流擴散層）77，0.1 //m之η型GaAs冠層（ 不圖示）外延成長。 本例中，從緩衝層71到冠層（不圖示）爲止之外延 膜係採用MOCVD法而在於同一批使之成長。又使用之氣 體之種類及壓力係採各層之能良好地成長之條件。 接著，使用具有刀刃端角7〇度之刀刃裝置，與第1 實施形態，第2實施形態同樣地’將該由層71乃至包覆 -14- (10) (10)588469 層（不圖示）所成之疊層構造以刀刃加工成，於元件表面 露出（1 1 1 )面地刮深度5 // m，間隔5 . 8 // m。於是第2 電流擴散層77成爲斷面三角形狀之線及空間圖樣，而在 於元件表面露出第2電流擴散層77之（111)面，而此 露出之（111)面成爲光取出面。 接著，由在於50°C之加熱環境下之HC1處理，與第1 實施形態，第2實施形態同樣地，在於第2電流擴散層 77之（111)面上，形成亞微米規格之凹凸。 · 接著實施抗蝕劑圖樣形成之後，使用所形成之抗蝕圖 樣（不圖示）爲罩，從第2電流擴散層77到η型包覆層 72施予鈾刻，實施形成雷射隆起線（laser Ridge)。接著 ，推疊0.5 // m厚之絕緣膜（Si02 ) 81。接著重新形成抗 蝕劑圖樣（不圖示），使用所形成之抗蝕圖樣爲罩，蝕刻 電極部之絕緣膜8 1及冠層以及第2電流擴散層77。接 著蒸鍍P側電極層83(含Zn之Au)，接著重新形成抗 蝕劑圖樣（不圖示）使用所形成之抗蝕劑圖樣爲罩，以蝕 φ 刻而將蒸鍍之P側電極層83予以蝕刻實施圖樣形成，而 形成P側電極（上部電極8 3 )。接著從其背面硏磨基板 7〇使之成爲1〇〇 //m厚，而後，在於基板70之背面形成 ， η側電極85 (含Ge之Au )。 接著，在於Ar環境中’實施45(TC、分鐘之熱處 理，接著對於晶圓施予分劃做成晶片之形態，並且實施引 線連接處理之後，施予樹脂封裝。 如上述地構成之面發光雷射乃，在該光取出面形成（ -15- (11) (11)588469 1 1 1 )面。 進一步在此（1 1 1 )面施予HC1處理，就很容易形成 微小之凹凸。所以與第1實施形態及第2實施形態同樣 地可以達成提高光取出效率。本實施形態之雷射（激光） 係紅色發光，惟對於紅色以外之半導體雷射也證實上述之 效果。 按做爲在於光取出面形成（11 1 )面之方法，並不限 於本實施例之刀刃加工。RIE亦可行。例如面方位爲（ 1〇〇)面之第2電流擴散層77之表面，條狀地形成複數 條之抗蝕罩，接著使用含有Cl2之氣體實施推拔RIE，由 而將第2電流擴散層77形成爲複數條之條狀。此時，如 第8圖所示，第2電流擴散層77側面將形成具有（1 1 1 )面之圖樣，而後施予HC1處理，由而在於（1 1 1 )面形 成微小凹凸。 形成於表面之面並一定恰好爲（111)面。從（111) 面稍有偏差也可獲得同樣之效果。 依本發明人之實驗，從（1 1 1 )面之± 20度之面也證 實具有同樣之效果。 又形成上述凹凸用之處理不侷限於HC1處理，只要能 使（1 1 1 )面粗面化就可以。可以使用鹵素系之氣體之乾 式蝕刻或濕式鈾刻。又凹凸之形狀乃例如第5 A圖〜第5F 圖所示之其中之一之任何形狀。 (第4之實施形態） -16- (12)588469 第8圖係表示有關本發明之第4實施形態之面發光 雷射之元件構造之斷面圖。 本實施形態係使n成長層、P成長層使之與第3之實 施形態相反者，基本的構成即與第7圖之實施形態相同。

首先在於250//m厚之Ρ型GaAs基板90之上面，外 延成長〇.5//m厚之p型GaAs緩衝層91。而在其上面外 延成長由p — In〇.5Al〇.5 p/p — GaAs之疊層構造所成之第 1之DBR反射層98。接著，外延成長〇.6//m厚之p型 Ιη〇.5Α1〇.5 p 包覆層 92，不滲雜之 In〇.5 ( Ga〇.55Al〇.45) 〇.5 p/InQ.5Ga().5 p 之 MQW 活性層，又 〇.6/zm 厚之 η 型 Ιη〇.5Α1〇.5 ρ包覆層94，由而外延成長雙異質構造部。接 著，外延成長由n— In〇.5Al〇.5 p/n— GaAs之疊層構造之 第2之DBR反射層99。接著外延成長l.〇//m厚之η型 Ιη0.5Α1〇.5 ρ層（第1電流擴散層）95，之η型 GaAs 層 96，5.0// m 之 η 型 InG.5 A1G.5 ρ 層（第 2 電流擴 散層）97，0.1//m之ρ型GaAs冠層（不圖示）。 這些疊層乃藉MOCVD法以外延成長所形成。 與第3實施形態同樣地，藉刀刃裝置或推拔RIE在 於第2電流擴散層97之表面形成條狀之V型溝，由而該 表面成爲（111)面。在此（111)面藉HC1處理施予凹凸 加工。 又與第3實施形態同樣，形成絕緣膜10 1 (對應於 第 4實施形態之絕緣膜81之絕緣膜），上部電極103 及基板背面電極105。 -17- (13) (13)588469 在此實施例也與第3之實施形態同樣地露出第2電 流擴散層之（1 1 1 )面，且在於（1 1 1 )面形成有凹凸，由 而可以提高爲了對於封裝用之透明樹脂層之光之入射或然 率，可以獲得與第3實施形態同樣之效果。 (變形例） 又本發明並不限定於上述之各實施形態。例如，在於 第1及第2之實施形態中說明了綠色LED，而本發明係適 修 用於綠色以外之LED亦可以獲得同樣之效果。 並且做爲元件形成材料乃除了 InGaAl p以外亦可能 使用InGaAlAs系、GaAlAs系、GaP系等等。 又各半導體層之組成，厚度等之條件即隨應於規格（ 設計）而適宜地可以變更。 又露出於光取出面之面，並不一定剛好是（111)面 ，從（1 1 1 )面稍爲傾斜之面也可以。具體的說，從（1 1 1 )面傾斜± 2 0度之面之範圍內就可以。 · 又具有（1 1 1 )面之圖樣不一定要直線狀，格子狀亦 可。形成格子狀圖樣時，如使用刀刃裝置時即加工於互相 交叉之方向就可以’形成格子狀圖樣而利用蝕刻法時即將 使抗蝕罩形成爲格子狀就行。 .. 其他不逸脫本發明之要旨之範圍內可以種種變形地予 以實施。 如上所詳述，依本發明時，在於基板上疊層包含發光 層之多層半導體層，而從與基板之相反側之多層半導體膜 -18- (15)588469 【主要元件對照表】 10 基板 11 緩衝層 12 包覆層 13 活性層 14 包覆層 15 第1電流擴散層 16 鈾刻停止層 17 第2電流擴散層 2 1 P側電極 22 η側電極 4 1 抗蝕罩 100 面方位 111 表面 50 基板 5 1 緩衝層 52 包覆層 53 活性層 54 包覆層 55 第1電流擴散層 56 蝕刻停止層 57 第2電流停止層 6 1 η側電極 62 Ρ側電極

-20 (16) 基板 包覆層 活性層 包覆層 第1電流擴散層 p型GaAs層 第2電流擴散層 D B R反射層 第2DBR反射層 絕緣膜 p側電極層 η側電極 基板 緩衝層 包覆層 活性層 包覆層 第1電流擴散層 GaAs 層 第2電流擴散層 D B R反射層 第2DBR反射層 絕緣膜 上部電極 -21 - (17)588469 105 電極 18 冠層

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Claims (1)

1. 588469 拾、申請專利範圍 第92 1 00257號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國93年3月25日修正 1 . 一種半導體發光元件，其特徵爲， 具備·基板、 以及疊層於上述基板上之含有發光層之多層之半導體 膜所成而從與基板側之相反側之面，取出光之多層之半導 體膜， 在於上述多層半導體膜之光取出部，形成有，具有由 (111)面或由（111)面附近之面所成之光取出面之圖樣 ，而在於該光取出面形成有凹凸。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件， 其中 上述光取出面乃包含到從（1 1 1 )面傾斜± 20度之面 〇 3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件， 其中 形成於上述光取出部之圖樣乃，藉由對於（1 〇〇 )面 施予規定之加工，由而具有由（111)面或由（111)面之 附近之面所成之光取出面之圖樣者。 4 .如申請專利範圍第3項所述之半導體發光元件， 其中 上述光取出面係包含從（1 1 1 )面傾斜到It 20度之面 588469 者。 5 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件， 其中 形成於上述光取出部之圖樣係排列成線狀者。 6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件， 其中 形成於上述光取出部之圖樣係排列成格子狀者。 7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件， 其中 形成於上述光取出面之凹凸乃，其高度及周期係在於 上述發光層之發光波長以下者。 8 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件， 其中 上述多層半導體膜係具有，以包覆層挾接活性層之雙 異質構造部，在該雙異質構造部之，與基板之相反側之包 覆層上形成有電流擴散層， 上述光取出面及凹凸係形成於電流擴散層之表面。 9. 一種半導體發光元件之製造方法， 在於製造申請專利範圍第1項上述之半導體元件之製 造方法中，其特徵爲·· 對於形成於上述（100)面之上述多層半導體膜之光 取出面施予刀刃加工由而露出（111)面、或（ill)面附 近之面， 對於上述露出之（111)面或（111)面附近之面，施 -2 - 588469 予粗面化處理由而形成微小凹凸者。 10. 如申請專利範圍第9項所述之半導體發光元件之 製造方法，其中做爲上述粗面化處理，而使用鹵素系之氣 體將上述光取出面予以乾式刻蝕者。 11. 如申請專利範圍第9項所述之半導體發光元件之 製造方法，其中做爲上述粗面化處理，而使用濕式蝕刻上 述光取出面者。 12. 如申請專利範圍第9項所述之半導體發光元件之 製造方法，其中做爲上述粗面化處理，而在於HC1環境中 加熱處理上述光取出面者。 1 3 . —種半導體發光元件之製造方法， 在於製造申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件 之製造方法中，其特徵爲： 在於形成於（1〇〇)面之上述多層半導體膜之光取出 面形成線及空間之罩， 使用上述罩而藉反應性離子蝕刻法，將上述光取出面 蝕刻爲推拔狀，由而露出（1 1 1 )面， 在於上述露出之（11 1 )面，施予粗面化處理由而形 成微小凹凸者。 I4.如申請專利範圍第13項所述之半導體發光元件 之製造方法，其中做爲粗面化處理，使用鹵素系氣體乾式 蝕刻上述光取出面者。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項所述之半導體發光元件 之製造方法，其中做爲粗面化處理，對於上述光取出面施 -3- 588469 予濕式鈾刻者。 16.如申請專利範圍第1 3項所述之半導體發光元件 之製造方法，其中做爲粗面化處理，在於濕式蝕刻HC1環 境中將上述光取出面施予加熱處理者。