KR20110018563A - 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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김극
박치권
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Abstract

본 개시는 기판; 기판상에 성장되며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수 개의 3족 질화물 반도체층; 반도체층이 성장되는 기판 면에 형성되며, 반도체층의 성장방향과 평행한 단면이 삼각형인 돌기;를 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체, 발광소자, 기판, PSS, 장치, 돌기, 요철, 삼각형, 산란, 결함

Description

3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법{III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATIING THE SAME}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 외부양자효율이 향상됨과 동시에 3족 질화물 반도체의 결함이 감소 되는 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
여기서, 3족 질화물 반도체 발광소자는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물 반도체층을 포함하는 발광다이오드와 같은 발광소자를 의미하며, 추가적으로 SiC, SiN, SiCN, CN와 같은 다른 족(group)의 원소들로 이루어진 물질이나 이들 물질로 된 반도체층을 포함하는 것을 배제하는 것은 아니다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background informaton related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(300), n형 3족 질화물 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(500), p형 3족 질화물 반도체층(500) 위에 형성되는 p측 전극(600), p측 전극(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700), p형 3족 질화물 반도체층(500)과 활성층(400)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 전극(800), 그리고 보호막(900)을 포함한다.
기판(100)은 동종기판으로 GaN계 기판이 이용되며, 이종기판으로 사파이어 기판, SiC 기판 또는 Si 기판 등이 이용되지만, 3족 질화물 반도체층이 성장될 수 있는 기판이라면 어떠한 형태이어도 좋다. SiC 기판이 사용될 경우에 n측 전극(800)은 SiC 기판 측에 형성될 수 있다.
기판(100) 위에 성장되는 3족 질화물 반도체층들은 주로 MOCVD(유기금속기상성장법)에 의해 성장된다.
버퍼층(200)은 이종기판(100)과 3족 질화물 반도체 사이의 격자상수 및 열팽창계수의 차이를 극복하기 위한 것이며, 미국특허 제5,122,845호에는 사파이어 기판 위에 380℃에서 800℃의 온도에서 100Å에서 500Å의 두께를 가지는 AlN 버퍼층을 성장시키는 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제5,290,393호에는 사파이어 기판 위에 200℃에서 900℃의 온도에서 10Å에서 5000Å의 두께를 가지는 Al(x)Ga(1-x)N (0≤x<1) 버퍼층을 성장시키는 기술이 기재되어 있고, 미국공개특허공보 제2006/154454호에는 600℃에서 990℃의 온도에서 SiC 버퍼층(씨앗층)을 성장시킨 다음 그 위에 In(x)Ga(1-x)N (0<x≤1) 층을 성장시키는 기술이 기재되어 있다. 바람 직하게는 n형 3족 질화물 반도체층(300)의 성장에 앞서 도핑되지 않는 GaN층이 성장되며, 이는 버퍼층(200)의 일부로 보아도 좋고, n형 3족 질화물 반도체층(300)의 일부로 보아도 좋다.
n형 3족 질화물 반도체층(300)은 적어도 n측 전극(800)이 형성된 영역(n형 컨택층)이 불순물로 도핑되며, n형 컨택층은 바람직하게는 GaN로 이루어지고, Si으로 도핑된다. 미국특허 제5,733,796호에는 Si과 다른 소스 물질의 혼합비를 조절함으로써 원하는 도핑농도로 n형 컨택층을 도핑하는 기술이 기재되어 있다.
활성층(400)은 전자와 정공의 재결합을 통해 광자(빛)를 생성하는 층으로서, 주로 In(x)Ga(1-x)N (0<x≤1)로 이루어지고, 하나의 양자우물층(single quantum well)이나 복수개의 양자우물층들(multi quantum wells)로 구성된다.
p형 3족 질화물 반도체층(500)은 Mg과 같은 적절한 불순물을 이용해 도핑되며, 활성화(activation) 공정을 거쳐 p형 전도성을 가진다. 미국특허 제5,247,533호에는 전자빔 조사에 의해 p형 3족 질화물 반도체층을 활성화시키는 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제5,306,662호에는 400℃ 이상의 온도에서 열처리(annealing)함으로써 p형 3족 질화물 반도체층을 활성화시키는 기술이 기재되어 있고, 미국공개특허공보 제2006/157714호에는 p형 3족 질화물 반도체층 성장의 질소전구체로서 암모니아와 하이드라진계 소스 물질을 함께 사용함으로써 활성화 공정없이 p형 3족 질화물 반도체층이 p형 전도성을 가지게 하는 기술이 기재되어 있다.
p측 전극(600)은 p형 3족 질화물 반도체층(500) 전체로 전류가 잘 공급되도 록 하기 위해 구비되는 것이며, 미국특허 제5,563,422호에는 p형 3족 질화물 반도체층의 거의 전면에 걸쳐서 형성되며 p형 3족 질화물 반도체층(500)과 오믹접촉하고 Ni과 Au로 이루어진 투광성 전극(light-transmitting electrode)에 관한 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제6,515,306호에는 p형 3족 질화물 반도체층 위에 n형 초격자층을 형성한 다음 그 위에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 투광성 전극을 형성한 기술이 기재되어 있다.
한편, p측 전극(600)이 빛을 투과시키지 못하도록, 즉 빛을 기판 측으로 반사하도록 두꺼운 두께를 가지게 형성할 수 있는데, 이러한 기술을 플립칩(flip chip) 기술이라 한다. 미국특허 제6,194,743호에는 20nm 이상의 두께를 가지는 Ag 층, Ag 층을 덮는 확산 방지층, 그리고 확산 방지층을 덮는 Au와 Al으로 이루어진 본딩 층을 포함하는 전극 구조에 관한 기술이 기재되어 있다.
p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)은 전류의 공급과 외부로의 와이어 본딩을 위한 것이며, 미국특허 제5,563,422호에는 n측 전극을 Ti과 Al으로 구성한 기술이 기재되어 있다.
보호막(900)은 이산화규소와 같은 물질로 형성되며, 생략될 수도 있다.
최근 들어, 3족 질화물 반도체 발광소자와 관련하여, 외부양자효율을 향상시키는 것과 3족 질화물 반도체층의 결정 결함을 감소시키는 기판의 개발에 관심이 높아지고 있다.
도 2는 국제공개공보 WO02/75821호 및 WO03/10831에 개시된 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 패터닝된 기판(40) 상에서 3족 질화물 반도체층(41)이 성장되는 과정을 도시하고 있다.
3족 질화물 반도체층(41)은 패터닝된 기판(40)의 바닥면과 상면에서 성장을 시작한 다음, 성장된 3족 질화물 반도체층(41)이 만나게 되고, 만난 영역에서 성장이 촉진된 다음, 평탄한 면을 형성하게 된다. 이렇게 패터닝된 기판(40)을 이용함으로써, 빛을 스캐터링하여 외부양자효율을 높이는 한편, 결정 결함을 감소시켜 3족 질화물 반도체층(41)의 질을 향상시키게 된다.
도 3은 국제공개공보 WO03/10831호 및 미국 공개특허공보 제2005-082546호에 개시된 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 기판(50)에 원형 돌기(51)를 형성하고, 3족 질화물 반도체층(52)을 성장시킨 기술을 제시하고 있으며, 원형인 돌기(51)로 인해 기판(50)의 상면에서 성장이 일어나지 않으므로 평탄한 3족 질화물 반도체층(52)이 일찍 형성되는 점을 제외하면 도 2에 도시된 3족 질화물 반도체층과 동일한 효과를 가진다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 기판; 기판상에 성장되며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수 개의 3족 질화물 반도체층; 반도체층이 성장되는 기판 면에 형성되며 반도체층의 성장방향과 평행한 단면이 삼각형인 돌기;를 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자가 제공된다.
본 개시에 따른 다른 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure) 기판 상에 돌기를 형성하는 제1 식각 마스크와 돌기의 표면에 요철을 형성하는 제2 식각 마스크를 형성하는 마스크 형성 단계; 및 건식 식각(dry etching)에 의해 돌기와 요철을 형성하는 식각 단계;를 포함하는 3족 질화물 반조체 발광소자의 제조방법이 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 4는 본 개시에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 보인 도면으로서, 3족 질화물 반도체 발광소자(10)(이하, '발광소자'라 한다.)는 기판(11), 3족 질화물 반도체층(12)(이하, '반도체층'이라 한다.), 기판(11) 상에 형성되는 돌기(13)를 포함한다.
반도체층(12)은, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(12b)을 포함하며, 복수 개의 층(12a,12b,12c)으로 구비된다.
반도체층(12)은 기판(11) 상에 형성된 버퍼층 위에 성장되거나, 버퍼층 없이 기판(11) 상에 성장될 수 있다.
돌기(13)는, 반도체층(12)이 위치되는 기판 면에 형성되며, 반도체층(12)의 성장방향과 평행한 단면, 즉 발광소자(10)의 수직단면이 삼각형이 되도록 형성된다.
이에 의해, 도 2에 도시된 돌기와 달리, 돌기(13)의 상부가 면이 아닌 점 또는 선으로 형성되므로 반도체층(12)이 신속하게 평탄화되는 이점을 가지게 된다.
또한, 도 3에 도시된 반구형의 돌기와 달리, 돌기(13)의 외면과 기판(11)의 수평면이 이루는 각(A)이 둔각으로 구비되므로, 돌기(13)의 외면과 기판(11)의 수평면이 교차하는 부분에 반도체층(12)이 성장하기 용이한 구조가 된다. 따라서, 반 도체층(12)의 성장시 결함을 감소시키는 이점을 가지게 된다.
아울러, 돌기(13)는 활성층(12b)에서 생성된 빛을 산란시켜 빛이 발광소자(10) 외부로 방출시키는 기능을 한다.
도 5는 본 개시에 따른 기판의 일 예를 보인 사진으로서, 기판(11)에 원뿔형상으로 형성된 돌기(13)가 형성된다.
이 경우, 돌기(13)의 상부는 점으로 형성되므로, 반도체층(12)은 돌기(13)와 돌기(13) 사이에 형성된 홈의 바닥면부터 성장되며, 돌기(13)의 둘레면, 돌기(13)의 정점 순으로 성장되게 된다.
따라서, 도 2의 것과 달리, 돌기(13)의 상면에 반도체층(12)이 성장되지 않으므로, 반도체층(12)이 신속하게 평탄해지는 이점을 가지게 된다.
도 6 내지 도 8은 시뮬레이터를 통해 빛이 사파이어 기판으로 진행되는 상태를 예측한 사진과 시간에 따라 방출되는 빛의 양을 나타낸 선도를 함께 보인 도면으로, 도 6은 돌기가 형성되지 않은 경우, 도 7은 돌기가 반구형인 경우, 도 8은 돌기가 원뿔형인 경우이다.
도 6 내지 도 8의 선도에서 세로축은 방출되는 빛의 양이며, 가로축은 빛이 방출되는데 소요되는 시간을 나타낸다.
도 6의 경우, 170 fs 부근에서 대부분의 빛이 방출됨을 알 수 있으며, 그 이후 방출되는 빛은 산란에 의해 빛이 발광소자의 내부를 순환하다가 방출되는 것이다.
도 7의 경우, 도 6의 경우보다 빠른 110 fs 부근에서 빛이 방출되며(빠른 시 간에 방출될수록 효과가 크다), 빛의 양도 도 6과 비교해 25 배 이상임을 알 수 있다. 다만, 발광소자의 내부를 순환하다가 방출되는 빛의 양이 상당함을 알 수 있다.
도 8의 경우, 도 7과 비슷한 시간대에 대부분의 빛이 방출되나, 빛의 양은 도 7에 비해 10배 이상임을 알 수 있다. 또한, 발광소자의 내부를 순환하다가 방출되는 빛의 양도 적음을 알 수 있다.
따라서, 원뿔형의 돌기가 반구형 돌기 또는 돌기가 형성되지 않은 경우와 비교해 빛을 방출시키는데 유리한 효과가 있음을 알 수 있다.
도 9는 본 개시에 따른 기판의 다른 예을 보인 도면으로서, 기판(21)에는, 반도체층의 성장방향에 대해 수직하게 기판 상에 위치된 삼각기둥으로 형성된 돌기(23), 즉 단면이 삼각형인 스트라이프(stripe) 형태로 구비될 수 있다.
이 경우, 돌기(23)의 상부는 선으로 형성되어 돌기(23)의 상면에 반도체층(12)이 성장되지 않으므로 반도체층(12)이 신속하게 평탄해지는 이점을 가지게 된다.
물론, 돌기를 원뿔형으로 형성하는 경우가, 외부양자효율의 관점에서, 산란면을 다양한 방향으로 확보할 수 있으므로 바람직하다 할 수 있다.
도 10은 본 개시에 따른 기판의 또 다른 예를 보인 도면으로서, 기판(31) 상에 형성된 돌기(33)의 표면에 요철(35)이 형성된다.
요철(35)은, 돌기(33)의 표면에 형성되므로 돌기(33)의 크기보다 상대적으로 작게 형성된다.
또한, 요철(35)는 돌기(33)의 표면뿐만 아니라 돌기(33)와 돌기(33)의 사이 기판(31) 면에도 형성될 수 있음은 물론이다.
이에 의해, 반도체층(12)의 성장시 반도체층(12)에 발생되는 결정 결함이 감소되는 이점을 가지게 된다.
구체적으로, 도 2와 도 3의 기판에 반도체층이 성장될 때 돌기의 바닥면 또는 상면뿐만 아니라 돌기의 둘레면에도 부분적으로 반도체층이 성장하게 되며, 부분적으로 성장된 반도체층으로 인해 결정 결함이 발생하게 된다.
그러나, 돌기(33)의 표면에 형성된 요철(35)에 의하는 경우, 반도체층(12)이 돌기(33)의 둘레면에 균일하게 성장될 수 있으며, 이에 의해 반도체층(12)의 결정 결함이 감소될 수 있다.
도 11은 본 개시에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하는 도면으로서, 마스크 형성 단계, 건식 식각 단계를 포함한다.
마스크 형성 단계는, 기판(31) 상에 돌기(33)를 형성하는 제1 식각 마스크(45)와 돌기(33)의 표면에 요철(35)을 형성하는 제2 식각 마스크(47)를 형성하는 단계이다.
제1 식각 마스크(45)는 포토리소그래피(photolithography) 공정에 의해 형성될 수 있다. 즉, 기판(31) 상에 포토레지스트(photo resist, PR)를 도포한 후, 노광(exposure) 및 현상(develop)을 통해 제1 식각 마스크(45)를 형성할 수 있다.
제2 식각 마스크(47)는, 물질층 형성 단계와 물질층에 열을 가하는 단계에 의해 형성된다.
물질층(47a)은, 제1 식각 마스크(45)가 형성된 기판(31) 상에 형성될 수 있다.
물질층(47a)은 은(Ag) 또는 마그네슘(Mg) 등과 같은 금속물질로 형성될 수 있으며, 0.1∼5nm의 두께로 도포될 수 있다.
물질층(47a)에 열을 가하는 단계는, 물질층(47a)을 형성하는 물질 입자들을 재배열시키는 단계이다.
물질층(47a)에 열을 가하면, 표면 에너지를 최소화하기 위해 물질 입자들이 뭉쳐진 형태(예;볼(ball) 형태)로 재배열되어 제2 식각 마스크(47)를 형성한다.
제2 식각 마스크(47)를 형성하는 물질은 앞서 예로 든 은(Ag), 마그네슘(Mg)이 아니더라도 요철(35)를 형성할 수 있는 해상도를 갖도록 열에 의해 물질 입자들이 재배열되는 물질이라면, 어떠한 것이라도 무관하다.
건식 식각 단계는, 건식 식각 공정에 의해 돌기(33)와 요철(35)을 형성하는 단계이다.
건식 식각 공정은 유도결합플라즈마(Inductive coupled Plasma) 식각 공정, 건식 이온 식각 공정(Reactive Ion Etching), CCP(Capacitive Coupled Palsma) 식각 공정, ECR(Electron-Cyclotron Resonant) 중 어느 하나를 이용하여 진행할 수 있다.
도 12는 본 개시에 따른 식각 마스크 형성 방법의 다른 예를 설명하는 도면으로서, 기판(31) 상에 제2 식각 마스크(47)가 형성된 후 제1 식각 마스크(45)가 형성될 수 있다.
또한, 도 13은 본 개시에 따른 마스크 형성 방법의 또 다른 예를 설명하는 도면으로서, 기판(31) 상에 제1 식각 마스크(45)가 형성된 후 식각 공정에 의해 돌기(33)가 형성되고, 돌기(33)에 제2 식각 마스크(47)가 형성될 수 있다.
여기서, 식각 공정은 건식 식각에 한정되지 않으며, 습식 식각(wet etching)이 가능함은 물론이다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 원뿔형의 돌기 또는 스트라이프 형태의 돌기가 형성된 기판과 기판 상에 성장되며 활성층을 포함하는 반도체층을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
이에 의해, 돌기와 기판이 교차하는 부분에 반도체층의 성장이 용이해지므로 성장시 발생할 수 있는 결함을 감소시킬 수 있으며, 활성층에서 발생하는 빛이 돌기에 의해 산란되므로 외부양자효율이 향상될 수 있다.
(2) (1)에서 돌기의 표면에 요철이 형성된 3족 질화물 반도체 발광소자.
(3) (1) 또는 (2)에서 요철은 구형 또는 주름으로 형성되는 3족 질화물 반도체 발광소자.
(2) 및 (3)에 의해, 반도체층의 성장시 반도체층에 발생되는 결함을 감소시킬 수 있다.
(4) 돌기를 형성하는 제1 식각 마스크와 요철을 형성하는 제2 식각 마스크 중 어느 일방이 형성되고, 그 위에 다른 일방을 형성되며, 제2 식각 마스크는, 물질층을 형성하는 단계와 물질층에 열을 가하는 단계에 의해 형성되는 3족 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
이에 의해, 표면에 미세 크기의 요철이 형성된 돌기가 구비된 기판을 제조할 수 있게 되므로, 발광소자의 외부양자효율을 향상시킴과 동시에 반도체층의 결함을 감소시킬 수 있다.
본 개시에 따른 하나의 3족 질화물 반도체 발광소자에 의하면, 활성층에서 발생되는 빛이 돌기에 의해 산란되므로 외부양자효율이 향상될 수 있으며, 돌기와 기판이 교차하는 부분에 반도체층의 성장이 용이해지므로 성장시 발생할 수 있는 결함을 감소시키는 이점을 가진다. 또한, 돌기가 단면이 삼각형으로 형성되므로, 반도체층이 돌기의 상면에서 성장되지 않아 반도체층이 신속하게 평탄해지는 이점을 가지게 된다.
또한, 본 개시에 따른 다른 하나의 3족 질화물 반도체 발광소자에 의하면, 돌기의 표면에 형성된 요철에 의해 반도체층의 성장시 돌기의 둘레면에 부분적으로 성장되는 것이 방지되므로, 반도체층의 결함을 감소시키는 이점을 가지게 된다.
또한, 본 개시의 다른 태양에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법에 의하면, 포토리소그래피(photolithography)에 의해 형성되는 식각 마스크의 해상도보다 높은 해상도를 갖는 제2 식각 마스크에 의해 외부양자효율을 향상시킴과 동시에 3족 질화물 반도체층의 결함을 효과적으로 감소시키는 이점을 가지게 된다.
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 국제공개공보 WO02/75821호 및 WO03/10831에 개시된 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 국제공개공보 WO03/10831호 및 미국 공개특허공보 제2005-082546호에 개시된 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 보인 도면,
도 5는 본 개시에 따른 기판의 일 예를 보인 사진,
도 6 내지 도 8은 시뮬레이터를 통해 빛이 사파이어 기판으로 진행되는 상태를 예측한 사진과 시간에 따라 방출되는 빛의 양을 나타낸 선도를 함께 보인 도면,
도 9는 본 개시에 따른 기판의 다른 예을 보인 도면,
도 10은 본 개시에 따른 기판의 또 다른 예를 보인 도면,
도 11은 본 개시에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 식각 마스크 형성 방법의 다른 예를 설명하는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 식각 마스크 형성 방법의 또 다른 예를 설명하는 도면.

Claims (9)

  1. 기판;
    기판상에 성장되며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수 개의 3족 질화물 반도체층;
    반도체층이 성장되는 기판 면에 형성되며, 반도체층의 성장방향과 평행한 단면이 삼각형인 돌기;를 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    돌기는, 원뿔형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    돌기의 표면에 형성되는 요철;을 더 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    기판은 사파이어 재질로 구비되며,
    돌기는 원뿔형으로 구비되고,
    돌기의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
  5. 청구항 3의 3족 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법으로서,
    기판 상에 돌기를 형성하는 제1 식각 마스크와 돌기의 표면에 요철을 형성하는 제2 식각 마스크를 형성하는 마스크 형성 단계; 및
    건식 식각(dry etching)에 의해 돌기와 요철을 형성하는 식각 단계;를 포함하는 3족 질화물 반조체 발광소자의 제조방법.
  6. 청구항 5에 있어서, 마스크 형성 단계는,
    제1 식각 마스크와 제2 식각 마스크 중 어느 일방을 형성하고, 그 위에 다른 일방을 형성하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반조체 발광소자의 제조방법.
  7. 청구항 5에 있어서, 마스크 형성 단계는,
    제1 식각 마스크 형성 후 식각에 의해 돌기를 형성하고, 돌기의 표면에 제2 식각 마스크를 형성하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반조체 발광소자의 제조방법.
  8. 청구항 5에 있어서, 제2 식각 마스크를 형성하는 단계는,
    기판 상에 물질층을 형성하는 단계; 및
    물질층에 열을 가하는 단계;를 포함하는 3족 질화물 반조체 발광소자의 제조방법.
  9. 청구항 5에 있어서,
    제1 식각 마스크와 제2 식각 마스크는, 둘 중 어느 일방이 형성되고, 그 위에 다른 일방을 형성되며,
    제2 식각 마스크는, 물질층을 형성하는 단계와 물질층에 열을 가하는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반조체 발광소자의 제조방법.
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