KR101000277B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 발생하는 반도체 발광소자에 있어서, 전자와 정공의 재결합을 위한 전류를 공급하는 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극; 제1 본딩 전극으로부터 뻗어 있는 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극; 제2 본딩 전극으로부터 뻗어 있고, 제1 가지 전극과 제2 가지 전극 사이에서 제1 가지 전극에 대하여 제1 간격을 두며 제2 가지 전극에 대하여 제1 간격 보다 좁은 제2 간격을 두고 위치하는 제3 가지 전극;을 포함하며, 제2 가지 전극은 제1 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 멀리 위치하며, 제3 가지 전극은 제2 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 더 멀리 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
반도체, 발광소자, LED, 전극, 가변, 전류, 확산, 본딩, 패드, 듀얼

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 전류확산을 위한 전극구조를 지니는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides backgound information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(300), n형 3족 질화물 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(500), p형 3족 질화물 반도체층(500) 위에 형성되는 p측 전극(600), p측 전극(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700), p형 3족 질화물 반도체층(500)과 활성층(400)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 전극(800), 그리고 보호막(900)을 포함한다.
기판(100)은 동종기판으로 GaN계 기판이 이용되며, 이종기판으로 사파이어 기판, SiC 기판 또는 Si 기판 등이 이용되지만, 3족 질화물 반도체층이 성장될 수 있는 기판이라면 어떠한 형태이어도 좋다. SiC 기판이 사용될 경우에 n측 전극(800)은 SiC 기판 측에 형성될 수 있다.
기판(100) 위에 성장되는 3족 질화물 반도체층들은 주로 MOCVD(유기금속기상성장법)에 의해 성장된다.
버퍼층(200)은 이종기판(100)과 3족 질화물 반도체 사이의 격자상수 및 열팽창계수의 차이를 극복하기 위한 것이며, 미국특허 제5,122,845호에는 사파이어 기판 위에 380℃에서 800℃의 온도에서 100Å에서 500Å의 두께를 가지는 AlN 버퍼층을 성장시키는 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제5,290,393호에는 사파이어 기판 위에 200℃에서 900℃의 온도에서 10Å에서 5000Å의 두께를 가지는 Al(x)Ga(1-x)N (0≤x<1) 버퍼층을 성장시키는 기술이 기재되어 있고, 미국공개특허공보 제2006/154454호에는 600℃에서 990℃의 온도에서 SiC 버퍼층(씨앗층)을 성장시킨 다음 그 위에 In(x)Ga(1-x)N (0<x≤1) 층을 성장시키는 기술이 기재되어 있다. 바람직하게는 n형 3족 질화물 반도체층(300)의 성장에 앞서 도핑되지 않는 GaN층이 성장되며, 이는 버퍼층(200)의 일부로 보아도 좋고, n형 3족 질화물 반도체층(300)의 일부로 보아도 좋다.
n형 3족 질화물 반도체층(300)은 적어도 n측 전극(800)이 형성된 영역(n형 컨택층)이 불순물로 도핑되며, n형 컨택층은 바람직하게는 GaN로 이루어지고, Si으로 도핑된다. 미국특허 제5,733,796호에는 Si과 다른 소스 물질의 혼합비를 조절함으로써 원하는 도핑농도로 n형 컨택층을 도핑하는 기술이 기재되어 있다.
활성층(400)은 전자와 정공의 재결합을 통해 광자(빛)를 생성하는 층으로서, 주로 In(x)Ga(1-x)N (0<x≤1)로 이루어지고, 하나의 양자우물층(single quantum well)이나 복수개의 양자우물층들(multi quantum wells)로 구성된다.
p형 3족 질화물 반도체층(500)은 Mg과 같은 적절한 불순물을 이용해 도핑되며, 활성화(activation) 공정을 거쳐 p형 전도성을 가진다. 미국특허 제5,247,533호에는 전자빔 조사에 의해 p형 3족 질화물 반도체층을 활성화시키는 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제5,306,662호에는 400℃ 이상의 온도에서 열처리(annealing)함으로써 p형 3족 질화물 반도체층을 활성화시키는 기술이 기재되어 있고, 미국공개특허공보 제2006/157714호에는 p형 3족 질화물 반도체층 성장의 질소전구체로서 암모니아와 하이드라진계 소스 물질을 함께 사용함으로써 활성화 공정없이 p형 3족 질화물 반도체층이 p형 전도성을 가지게 하는 기술이 기재되어 있다.
p측 전극(600)은 p형 3족 질화물 반도체층(500) 전체로 전류가 잘 공급되도록 하기 위해 구비되는 것이며, 미국특허 제5,563,422호에는 p형 3족 질화물 반도체층의 거의 전면에 걸쳐서 형성되며 p형 3족 질화물 반도체층(500)과 오믹접촉하 고 Ni과 Au로 이루어진 투광성 전극(light-transmitting electrode)에 관한 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제6,515,306호에는 p형 3족 질화물 반도체층 위에 n형 초격자층을 형성한 다음 그 위에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 투광성 전극을 형성한 기술이 기재되어 있다.
한편, p측 전극(600)이 빛을 투과시키지 못하도록, 즉 빛을 기판 측으로 반사하도록 두꺼운 두께를 가지게 형성할 수 있는데, 이러한 기술을 플립칩(flip chip) 기술이라 한다. 미국특허 제6,194,743호에는 20nm 이상의 두께를 가지는 Ag 층, Ag 층을 덮는 확산 방지층, 그리고 확산 방지층을 덮는 Au와 Al으로 이루어진 본딩 층을 포함하는 전극 구조에 관한 기술이 기재되어 있다.
p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)은 전류의 공급과 외부로의 와이어 본딩을 위한 것이며, 미국특허 제5,563,422호에는 n측 전극을 Ti과 Al으로 구성한 기술이 기재되어 있다.
보호막(900)은 이산화규소와 같은 물질로 형성되며, 생략될 수도 있다.
한편, n형 3족 질화물 반도체층(300)이나 p형 3족 질화물 반도체층(500)은 단일의 층이나 복수개의 층으로 구성될 수 있으며, 최근에는 레이저 또는 습식 식각을 통해 기판(100)을 3족 질화물 반도체층들로부터 분리하여 수직형 발광소자를 제조하는 기술이 도입되고 있다.
도 2는 미국특허 제5,563,422호에 기재된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)이 발광소자의 대각 코너에 위치하여 전류 확산을 개선하는 기술이 기재되어 있다.
도 3은 미국특허 제6,307,218호에 기재된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, 발광소자가 대면적화됨에 따라 p측 본딩 패드들(710,710)과 n측 전극들(810,810) 사이에 등간격을 가지는 가지 전극들(910,910)을 구비하여 전류 확산을 개선하는 기술이 기재되어 있다.
그러나, 이러한 전극 구조를 지니는 발광소자는 p측 본딩 패드들(710)과 n측 전극들(810) 간의 거리가 가까운 영역(R)으로 전류가 집중될 수 있는 문제가 있다.
한편, p측 본딩 패드들(710) 또는 n측 본딩 패드들(810)에 연결되는 와이어들 중에 본딩 불량이 발생하는 경우, 발광소자의 전류 확산이 원활하지 못하게 되는 문제가 있다.
도 4는 와이어 본딩 불량이 발생한 반도체 발광소자의 사진의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 4의 (a)는 4개의 와이어가 정상적으로 본딩된 발광소자가 빛을 발하는 사진이고, 도 4의 (b)는 2개의 와이어가 떨어지고, 2개의 와이어가 대각으로 본딩된 발광소자가 빛을 발하는 사진이고, 도 4의 (c)는 2개의 와이어가 떨어지고, 2개의 와이어가 한쪽 방향에만 본딩된 발광소자가 빛을 발하는 사진이다. 와이어의 본딩 불량에 따라 빛이 고르게 나오지 않는 것을 볼 수 있다.
이런 문제를 해소하기 위해, 2개의 본딩 패드가 함께 위치하도록 붙인 발광소자가 도입되었으나, 반대측에 위치하는 본딩 패드 사이에서 전류 집중이 일어나는 문제점을 해소하지 못하는 문제점이 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 발생하는 반도체 발광소자에 있어서, 전자와 정공의 재결합을 위한 전류를 공급하는 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극; 제1 본딩 전극으로부터 뻗어 있는 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극; 제2 본딩 전극으로부터 뻗어 있고, 제1 가지 전극과 제2 가지 전극 사이에서 제1 가지 전극에 대하여 제1 간격을 두며 제2 가지 전극에 대하여 제1 간격 보다 좁은 제2 간격을 두고 위치하는 제3 가지 전극;을 포함하며, 제2 가지 전극은 제1 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 멀리 위치하며, 제3 가지 전극은 제2 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 더 멀리 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.
본 개시에 따른 다른 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 발생하는 반도체 발광소 자에 있어서, 전자와 정공의 재결합을 위한 전류를 공급하는 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극;으로서, 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극 중 적어도 하나는 두개의 본딩 패드를 구비하는 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극; 제1 본딩 전극으로부터 뻗어 있는 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극; 제2 본딩 전극으로부터 뻗어 있고, 제1 가지 전극과 제2 가지 전극 사이에서 제1 가지 전극에 대하여 제1 간격을 두며 제2 가지 전극에 대하여 제1 간격 보다 좁은 제2 간격을 두고 위치하는 제3 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 5는 본 개시에 따른 발광소자가 지니는 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, 전극 구조는 본딩 패드들(70,80), 그리고 가지 전극들(91,92,93,94)을 구비한다.
본딩 패드들(70,80)에는 전류가 인가된다. 본딩 패드들(70,80)에 전류가 인가되면, 본딩 패드들(70,80) 사이에서 전류가 고르게 확산되지 않고, 몰리는 영역(이하, 집중영역(R) 이라함)이 발생할 수 있다. 여기서, 집중영역(R)은 본딩 패드(70)와 본딩 패드(80) 간의 직선 거리 상에 위치하는 경우가 많지만, 본 개시에 서 집중영역(R)은 본딩 패드(70)와 본딩 패드(80) 간의 직선 거리 상에 위치하는 영역(R1)에 한정되는 것은 아니고, 주변과 비교하여 상대적으로 전류가 집중되는 영역을 의미한다. 즉, 영역(R1)은 영역(R2)에 대하여 집중영역(R)이 될 수 있고, 영역(R2)은 영역(R3)에 대하여 집중영역(R)이 될 수 있다(도 5의 (a)참조). 따라서, 집중영역(R)은 영역(R1) 내에서도 전류의 분포가 상대적으로 달라짐으로써 형성될 수 있다.
가지 전극(91)은 본딩 패드(70)와 연결되며, 집중영역(R)에 위치한다. 가지 전극(92)은 본딩 패드(80)와 연결되며, 가지 전극(91)으로부터 간격(G1)을 두고 위치한다. 가지 전극(93)은 가지 전극(91)과 연결되며, 가지 전극(92)으로부터 간격(G2)을 두고 위치한다. 이때, 간격(G1)은 간격(G2) 보다 넓다(도 5의 (b)를 참조). 이에 따라, 집중영역(R)이 완화 또는 해소될 수 있는데, 가지 전극(92)과 가지 전극(93)은, 집중영역(R)의 완화 또는 해소에 보다 유리하도록, 가지 전극(91)으로부터 순차적으로 배열되는 것이 바람직하다.
도 5의 (c)를 참조하면, 가지 전극(94)은 가지 전극(93)과 간격(G1) 보다 좁은 간격(G3)을 두고 위치하는데, 간격(G3)이 간격(G2) 보다 좁은 것이 바람직하다. 이는, 가지 전극(91)과 가지 전극(92)이 이루는 간격(G1)과, 가지 전극(92)과 가지 전극(93)이 이루는 간격(G2)의 관계가 간격(G2)와 간격(G3)에도 적용될 수 있기 때문이다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 발광소자는 본딩 패드들(70,80), 그리고 가지 전극들(91,92,93,94,95)을 구비한다. 여기서, 발광소자는 가로 1mm, 세로 1mm의 사이즈인 것을 예로 한다.
본딩 패드(70) 및 본딩 패드(80)는 전자와 정공의 재결합에 의해 활성층(도 1 참조)에서 빛을 발하도록 전류를 공급한다. 본딩 패드(70) 및 본딩 패드(80)는 발광소자의 양쪽의 사이에 위치하고 있다. 본딩 패드(70)는 원형인 2개의 패드(72,74)가 서로 붙어서 형성되어 있다. 한편, 본딩 패드(70)는 원형인 2개의 패드(72,74)가 서로 떨어져서 위치하여, 가지 전극들(91,93,95)에 의해 2개의 패드(72,74)가 서로 연결되어 형성될 수도 있다. 본딩 패드(80)도 본딩 패드(70)와 동일하게 형성될 수 있다. 한편, 패드들(72,74,82,84)의 형태는 타원형, 다각형 등 다양하게 형성될 수 있다.
가지 전극(91)은 본딩 패드(70)에서 본딩 패드(80)를 향하여 뻗어 있는데, 이는 가지 전극(91)이, 도 5를 참조하여 설명된, 집중영역(R)에 위치함을 의미한다.
가지 전극(92)은 가지 전극(91)과 간격(G1)을 두고 위치한다. 예를 들면, 가지 전극(92)은 가지 전극(91)과 128㎛ 정도의 간격(G1)을 두고 전류의 확산이 원활히 이루어질 수 있도록 본딩 패드(80)에서 본딩 패드(70)를 향해 뻗다가 양쪽으로 갈라지며 전체적으로 가지 전극(91)을 끌어 안는 형상으로 절곡되어 연장되어 있다.
가지 전극(93)은 가지 전극(92)과 간격(G1) 보다 좁은 간격(G2)을 두고 위치한다. 예를 들면, 가지 전극(93)은 가지 전극(92)과 89㎛ 정도의 간격(G2)을 두고 전류의 확산이 원활히 이루어질 수 있도록 가지 전극(91)에서 양쪽으로 갈라지며 전체적으로 가지 전극(92)을 끌어 안는 형상으로 절곡되어 연장되어 있다.
가지 전극(94)은 가지 전극(93)과 간격(G3)을 두고 위치한다. 간격(G3)은 간격(G1)보다 좁은데, 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 간격(G2) 보다 좁은 것이 바람직하다. 예를 들면, 가지 전극(94)은 가지 전극(93)과 80㎛ 정도의 간격(G3)을 두고 전류의 확산이 원활히 이루어질 수 있도록 가지 전극(92)에서 양쪽으로 갈라지며 전체적으로 가지 전극(93)을 끌어 안는 형상으로 절곡되어 연장되어 있다.
가지 전극(95)은 예를 들어 89㎛ 정도의 간격(G4)을 두고 가지 전극(94)에 대하여 위치할 수 있으며, 간격(G4)은 전류 집중의 정도에 따라 간격(G3)보다 넓게도 좁게도 형성될 수 있다.
가지 전극들(92,93,94,95)은 환형의 확장부(e)가 형성되어 있다. 확장부(e)를 통해 주위로 전류가 퍼질 수 있게 되어 전류의 확산을 더욱 개선할 수 있다.
이하에서, 본 개시에 다양한 실시 형태에 대하여 기술한다.
(1) 서로 다른 간격을 두고 있는 복수개의 가지 전극을 구비하는 반도체 발광소자. 이에 의해, 전류가 집중되는 것을 개선할 수 있다.
(2) 복수개의 와이어가 본딩 가능한 전극을 구비하는 반도체 발광소자. 이에 의해, 전극에 와이어가 본딩 불량되어도 전류가 집중되는 것을 개선할 수 있다.
(3) 전자와 정공의 재결합을 위한 전류를 공급하는 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극; 제1 본딩 전극으로부터 뻗어 있는 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극; 제2 본딩 전극으로부터 뻗어 있고, 제1 가지 전극과 제2 가지 전극 사이에서 제1 가지 전극에 대하여 제1 간격을 두며 제2 가지 전극에 대하여 제1 간격 보다 좁은 제2 간격을 두고 위치하는 제3 가지 전극;을 포함하며, 제2 가지 전극은 제1 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 멀리 위치하고, 제3 가지 전극은 제2 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 더 멀리 위치하며, 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극 중 적어도 하나는 발광소자의 일 측에서 그 중앙부에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. 이에 의해, 발광소자 중앙부에서 주변으로 전류를 확산시킬 수 있다.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 전류가 집중되는 것을 개선할 수 있다.
본 개시에 따른 다른 반도체 발광소자에 의하면, 와이어 본딩 불량시 전류가 집중되는 것을 개선할 수 있다.
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국특허 제5,563,422호에 기재된 전극 구조의 일 예를 나태내는 도면,
도 3은 미국특허 제6,307,218호에 기재된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 와이어 본딩 불량이 발생한 반도체 발광소자의 사진의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자가 지니는 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면.

Claims (10)

  1. 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 발생하는 반도체 발광소자에 있어서,
    전자와 정공의 재결합을 위한 전류를 공급하는 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극;
    제1 본딩 전극으로부터 뻗어 있는 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극;
    제2 본딩 전극으로부터 뻗어 있고, 제1 가지 전극과 제2 가지 전극 사이에서 제1 가지 전극에 대하여 제1 간격을 두며 제2 가지 전극에 대하여 제1 간격 보다 좁은 제2 간격을 두고 위치하는 제3 가지 전극;을 포함하며,
    제2 가지 전극은 제1 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 멀리 위치하며, 제3 가지 전극은 제2 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 더 멀리 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극 중 적어도 하나는 두 개의 본딩 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극 중 적어도 하나는 발광소자의 일 측에서 그 중앙부에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 청구항 3에 있어서,
    제1 본딩 전극과 제2 본딩 전극은 마주하게 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    제1 가지 전극은 제2 본딩 전극을 향해 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    제2 본딩 전극으로부터 뻗어 있고, 제2 가지 전극을 기준으로 제3 가지 전극의 반대측에서, 제2 가지 전극에 대하여 제2 간격 보다 좁은 제3 간격을 두고 위치하는 제4 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 청구항 2에 있어서,
    제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극 중 적어도 하나는 발광소자의 일 측에서 그 중앙부에 위치하며,
    제1 본딩 전극과 제2 본딩 전극은 마주하게 위치하고,
    제1 가지 전극은 제2 본딩 전극을 향해 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 청구항 7에 있어서,
    제2 본딩 전극으로부터 뻗어 있고, 제2 가지 전극을 기준으로 제3 가지 전극의 반대측에서, 제2 가지 전극에 대하여 제2 간격 보다 좁은 제3 간격을 두고 위치하는 제4 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 청구항 8에 있어서,
    발광소자는 3족 질화물 반도체 발광소자인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 발생하는 반도체 발광소자에 있어서,
    전자와 정공의 재결합을 위한 전류를 공급하는 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극;으로서, 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극 중 적어도 하나는 두개의 본딩 패드를 구비하는 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극;
    제1 본딩 전극으로부터 뻗어 있는 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극;
    제2 본딩 전극으로부터 뻗어 있고, 제1 가지 전극과 제2 가지 전극 사이에서 제1 가지 전극에 대하여 제1 간격을 두며 제2 가지 전극에 대하여 제1 간격 보다 좁은 제2 간격을 두고 위치하는 제3 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6458463B2 (ja) 2013-12-09 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光素子
WO2016003205A1 (ko) * 2014-07-01 2016-01-07 서울바이오시스 주식회사 발광 소자
KR102357289B1 (ko) * 2014-07-01 2022-02-03 서울바이오시스 주식회사 발광 소자
KR101686557B1 (ko) * 2015-01-23 2016-12-14 서울바이오시스 주식회사 반도체 발광소자

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345480A (ja) 2000-03-31 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP2004056109A (ja) 2002-05-27 2004-02-19 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子、発光素子、素子積層体、並びにそれらを用いた発光装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6307218B1 (en) * 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
US6614056B1 (en) * 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
US6777805B2 (en) * 2000-03-31 2004-08-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group-III nitride compound semiconductor device
KR100631969B1 (ko) * 2005-02-28 2006-10-11 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
TWI291243B (en) * 2005-06-24 2007-12-11 Epistar Corp A semiconductor light-emitting device
KR100833309B1 (ko) * 2006-04-04 2008-05-28 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자
KR100878396B1 (ko) * 2007-04-06 2009-01-13 삼성전기주식회사 반도체 발광소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345480A (ja) 2000-03-31 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP2004056109A (ja) 2002-05-27 2004-02-19 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子、発光素子、素子積層体、並びにそれらを用いた発光装置

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