CN102239577A - 半导体发光器件 - Google Patents

半导体发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN102239577A
CN102239577A CN2009801488467A CN200980148846A CN102239577A CN 102239577 A CN102239577 A CN 102239577A CN 2009801488467 A CN2009801488467 A CN 2009801488467A CN 200980148846 A CN200980148846 A CN 200980148846A CN 102239577 A CN102239577 A CN 102239577A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrodes
branch electrodes
bonding
light emitting
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2009801488467A
Other languages
English (en)
Inventor
金昌台
南起燃
李泰熙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EpiValley Co Ltd
Original Assignee
EpiValley Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EpiValley Co Ltd filed Critical EpiValley Co Ltd
Publication of CN102239577A publication Critical patent/CN102239577A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种半导体发光器件，更具体地涉及一种通过电子和空穴的复合而产生光的半导体发光器件。该半导体发光器件包括：第一接合电极和第二接合电极，它们为电子和空穴的复合供应电流；从第一接合电极延伸的第一分支电极和第二分支电极；以及从第二接合电极延伸的第三分支电极，其位于第一分支电极与第二分支电极之间，并且与第一分支电极相距第一间隔，与第二分支电极相距为比第一间隔小的第二间隔。第二分支电极与第一分支电极相比位于距离发光器件的中心更远的位置上，并且第二分支电极与第三分支电极相比位于距离发光器件的中心更远的位置上。

Description

半导体发光器件
技术领域
本公开总体涉及一种半导体发光器件，更具体地，涉及一种具有用于电流扩散的电极结构的半导体发光器件。
Ⅲ族氮化物半导体发光器件指的是例如包括由Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)组成的化合物半导体层的发光二极管的发光器件，并且还可以包括由例如SiC、SiN、SiCN和CN的其他族元素组成的材料，以及由这样的材料制成的半导体层。
背景技术
这部分提供与本公开相关的背景信息，其不一定是现有技术。
图1是常规的Ⅲ族氮化物半导体发光器件的示例的图。Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括基板100、在基板100上生长的缓冲层200、在缓冲层200上生长的n型Ⅲ族氮化物半导体层300、在n型Ⅲ族氮化物半导体层300上生长的发光层(active layer)400、在发光层400上生长的p型Ⅲ族氮化物半导体层500、在p型Ⅲ族氮化物半导体层500上形成的p侧电极600、在p侧电极600上形成的p侧焊盘700、在通过对p型Ⅲ族氮化物半导体层500和发光层400进行台面蚀刻而露出的n型Ⅲ族氮化物半导体层300上形成的n侧电极800、以及可选的保护膜900。
对于基板100，可以将GaN基板用作同质基板(homo-substrate)。可以将蓝宝石基板、SiC基板或Si基板用作异质基板(hetero-substrate)。然而，可以使用其上可以生长氮化物半导体层的任何类型的基板。在使用SiC基板的情况下，n侧电极800可以形成在SiC基板的表面上。
在基板100上外延生长的氮化物半导体层通常通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)来生长。
缓冲层200用于克服异质基板100与氮化物半导体层之间的晶格常数和热膨胀系数的差异。美国专利第5,122,845号描述了一种在380℃至800℃下、在蓝宝石基板上生长具有
Figure BPA00001403426100011
至
Figure BPA00001403426100012
厚度的AlN缓冲层的技术。另外，美国专利第5,290,393号描述了一种在200℃至900℃下、在蓝宝石基板上生长具有
Figure BPA00001403426100013
至
Figure BPA00001403426100014
厚度的Al(x)Ga(1-x)N(0≤x＜1)缓冲层的技术。此外，美国公开第2006/154454号描述了一种在600℃至990℃下生长SiC缓冲层(籽晶层)并且在其上生长In(x)Ga(1-x)N(0≤x≤1)的技术。优选地，应该在n型Ⅲ族氮化物半导体层300的生长之前生长非掺杂GaN层。该非掺杂GaN层可以被认为是缓冲层200或n型Ⅲ族氮化物半导体层300的一部分。
在n型氮化物半导体层300中，至少n侧电极800的形成区域(n型接触层)掺杂有掺杂物。某些实施方式，n型接触层由GaN制成，并且掺杂有Si。美国专利第5,733,796号描述了一种通过调整Si与其他源材料的混合比来以目标掺杂浓度对n型接触层进行掺杂的技术。
发光层400通过电子和空穴的复合而产生光量子。例如，发光层400包含In(x)Ga(1-x)N(0＜x≤1)并且具有单层或多量子阱层。
p型氮化物半导体层500掺杂有例如Mg的适当的掺杂物，并且通过激活过程(activationprocess)而具有p型电导率。美国专利第5,247,533号描述了一种通过电子束辐照来激活p型氮化物半导体层的技术。此外，美国专利第5,306,662号描述了一种通过在400℃以上进行退火而激活p型氮化物半导体层的技术。美国公开第2006/157714号描述了一种通过将氨与肼基原材料一起用作用于生长p型氮化物半导体层的氮前体、而无需激活过程使p型氮化物半导体层具有p型电导率的技术。
p侧电极600用于使电流易于供应至p型氮化物半导体层500。美国专利第5,563,422号描述了一种关于透光电极的技术，该透光电极由形成在p型氮化物半导体层500的几乎整个表面上并且与p型氮化物半导体层500欧姆接触的Ni和Au构成。另外，美国专利第6,515,306号描述了一种在p型氮化物半导体层上形成n型超晶格层、并且在其上形成由铟锡氧化物(ITO)制成的透光电极的技术。
p侧电极600可以形成为厚至不透射光线而将光线反射向基板100。该技术称为倒装芯片技术。美国专利第6,194,743号描述了一种关于电极结构的技术，该电极结构包括具有超过20nm厚度的Ag层、覆盖Ag层的扩散阻挡层以及包含Au和Al并覆盖扩散阻挡层的接合层。
p侧焊盘700和n侧电极800用于供电和外部接线。美国专利第5,563,422号描述了一种使用Ti和Al形成n侧电极的技术。
可选的保护膜900可以由SiO2制成。
n型氮化物半导体层300或p型氮化物半导体层500可以构成为单层或多层。通过采用激光技术或湿法蚀刻而将基板100从氮化物半导体层分离来形成垂直式发光器件。
图2是在美国专利第5,563,422号中描述的电极结构的示例的图。p侧焊盘700和n侧电极800位于发光器件的相对的对角部分上，以改善电流扩散。
图3是在美国专利第6,307,218号中描述的电极结构的示例的图。根据发光器件的大面积趋势，将分支电极910以规定的间隔提供在p侧焊盘710与n侧电极810之间，以改善电流扩散。
然而，具有例如在美国专利第5,563,422号或美国专利第6,307,218号中描述的上述电极结构的发光器件具有这样的问题，即，电流集中在区域R上并且p侧焊盘710与n侧电极810之间距离较短。
如果在连接至p侧焊盘710或n侧电极810的导线上发生接合缺陷，则发光器件的电流扩散不均匀。
图4是经历导线接合缺陷的半导体发光器件的照片。图4(a)是显示具有正常接合至其上的四条导线的发光器件的光发射的照片，图4(b)是显示具有沿斜对角方向与其分离的两条导线和接合至其上的两条导线的发光器件的光发射的照片。图4(c)是显示具有沿单向与其分离的两条导线和接合至其上的两条导线的发光器件的光发射的照片。可以看出，在图4(c)中，由于导线接合缺陷使得发光不均匀。
在多种实施方式中，已经提出将两个焊盘粘合以一起放置的发光器件以解决上述问题。然而，在位于相对侧上的焊盘之间仍然发生电流集中。
发明内容
技术问题
将在用于实现本发明的最佳方式的下面的部分中描述由本公开解决的问题。
技术方案
这部分提供本公开的总体概括，并且不是其全部范围或其所有特征的全面公开。
根据本公开的一个方面，提供了一种通过电子和空穴的复合而产生光的半导体发光器件，该半导体发光器件包括：第一接合电极和第二接合电极，所述第一接合电极和所述第二接合电极为电子和空穴的复合供应电流；从第一接合电极延伸的第一分支电极和第二分支电极；以及从第二接合电极延伸的第三分支电极，所述第三分支电极位于第一分支电极与第二分支电极之间，并且与第一分支电极具有第一间隔，并且与第二分支电极具有比第一间隔小的第二间隔，其中第二分支电极与第一分支电极相比，位于距离该半导体发光器件的中心更远的位置上，并且第二分支电极与第三分支电极相比，位于距离该半导体发光器件的中心更远的位置上。
根据本公开的另一个方面，提供了一种通过电子和空穴的复合而产生光的半导体发光器件，该半导体发光器件包括：第一接合电极和第二接合电极，所述第一接合电极和所述第二接合电极为电子和空穴的复合供应电流，第一接合电极和第二接合电极中的至少一个具有两个焊盘；从第一接合电极延伸的第一分支电极和第二分支电极；以及从第二接合电极延伸的第三分支电极，所述第三分支电极配置在第一分支电极与第二分支电极之间，并且与第一分支电极相距第一间隔，并且与第二分支电极相距为比第一间隔小的第二间隔。
有益效果
根据本公开的Ⅲ族氮化物半导体发光器件，可以防止电流集中。
在根据本公开的Ⅲ族氮化物半导体发光器件的某些实施方式中，即使存在导线接合缺陷，也能够防止电流集中。
附图说明
图1是传统的Ⅲ族氮化物半导体发光器件的示例的图。
图2是在美国专利第5,563,422号中描述的电极结构的示例的图。
图3是在美国专利第6,307,218号中描述的电极结构的示例的图。
图4是经历导线接合缺陷的半导体发光器件的照片。
图5是根据本公开的半导体发光器件的电极结构的实施方式的图。
图6是根据本公开的半导体发光器件的实施方式的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本公开。
图5是根据本公开的发光器件的电极结构的实施方式的图。该电极结构包括焊盘70和80，以及分支电极91、92、93和94。
将电流施加至焊盘70和80。当电流被施加至焊盘70和80时，可能在焊盘70和80之间产生其上电流不均匀扩散而是集中的区域(在下文中称为“集中区域R”)。例如，集中区域R主要位于焊盘70与焊盘80之间的直线距离上。然而，根据本公开，集中区域R不限于位于焊盘70与焊盘80之间的直线距离上的区域R1，还指示与周围相比、其上电流相对集中的区域；即，区域R1可以是相对于区域R2的集中区域R，并且区域R2可以是相对于区域R3的集中区域R(参见图5(a))。因此，当电流分布相对变化时，集中区域R可能形成在区域R1中。
分支电极91连接至焊盘70并且位于集中区域R中。分支电极92连接至焊盘80并且位于与分支电极91相距间隔G1的位置上。分支电极93连接至分支电极91并且位于与分支电极92相距间隔G2的位置上。例如，间隔G1大于间隔G2(参见图5(b))。因此，可以缩小或消除集中区域R。在某些实施方式中，从分支电极91开始依次设置分支电极92和分支电极93，从而有利于缩小或消除集中区域R。
参照图5(c)，分支电极94位于距离分支电极93为小于间隔G1的间隔G3的位置上。在某些实施方式中，间隔G3小于间隔G2。其原因是由于分支电极91与分支电极92的间隔G1和分支电极92与分支电极93的间隔G2之间的关系可以应用于间隔G2和间隔G3。
图6是根据本公开的半导体发光器件的实施方式的图。该发光器件包括焊盘70和80、以及分支电极91、92、93、94和95。例如，假设发光器件具有1mm的宽度和长度。
焊盘70和焊盘80供应电流，使得发光层(参见图1)能够通过电子和空穴的复合而发光。焊盘70和焊盘80位于发光器件的两侧之间。将两个圆形焊盘72和74粘着以形成焊盘70，并且这两个圆形焊盘72和74可以相互间隔开并通过分支电极91、93和95而相互连接，以形成焊盘70。另外，焊盘72、74、82和84可以形成为例如椭圆形、多边形等的各种形状。
分支电极91从焊盘70向焊盘80延伸，这意味着分支电极91位于集中区域R中，如参照图5所说明的。
分支电极92位于与分支电极91相距间隔G1的位置上。例如，分支电极92从焊盘80向焊盘70延伸，并且以与分支电极91相距128μm的间隔G1向两侧分开，从而易于电流扩散。总地来说，分支电极92弯曲并且延伸以包围分支电极91。
分支电极93位于与分支电极92相距为小于间隔G1的间隔G2的位置上。例如，分支电极93以与分支电极92相距89μm的间隔G2向分支电极91的两侧分开，从而易于电流扩散。总地来说，分支电极93弯曲并且延伸以包围分支电极92。
分支电极94位于与分支电极93相距间隔G3的位置上。如图5所示，间隔G3小于间隔G1，并且在某些实施方式中小于间隔G2。例如，分支电极94以与分支电极93相距80μm的间隔G3向分支电极92的两侧分开，从而易于电流扩散。总地来说，分支电极94弯曲并且延伸以包围分支电极93。
分支电极95可以位于与分支电极94相距例如89μm的间隔G4的位置上。间隔G4可以根据电流集中的程度而大于或小于间隔G3。
在分支电极92、93、94和95上形成环状扩展部分e。电流可以通过扩展部分e扩散至外围，这进一步地改善了电流扩散。
在下文中，将描述本公开的各种示例性实施方式。
(1)半导体发光器件包括以不同间隔定位的多个分支电极。这防止了电流集中。
(2)半导体发光器件包括能够将多条导线接合至其上的电极。即使在电极上出现导线接合缺陷时，这也能防止电流集中。
(3)半导体发光器件包括为电子和空穴的复合供应电流的第一接合电极和第二接合电极，从第一接合电极延伸的第一分支电极和第二分支电极，以及从第二接合电极延伸的第三分支电极，其布置在第一分支电极与第二分支电极之间，并且与第一分支电极具有第一间隔，并且与第二分支电极具有比第一间隔小的第二间隔，其中第二分支电极与第一分支电极相比，位于距离发光器件的中心更远的位置上，第二分支电极与第三分支电极相比，位于距离该半导体发光器件的中心更远的位置上，并且将第一接合电极和第二接合电极中的至少一个布置在该半导体发光器件的一侧的中心部分上。这使得电流能够从该半导体发光器件的中心部分扩散到外围。

Claims (10)

1.一种半导体发光器件，其通过电子和空穴的复合而产生光，所述半导体发光器件包括：
第一接合电极和第二接合电极，所述第一接合电极和第二接合电极为电子和空穴的复合供应电流；
从所述第一接合电极延伸的第一分支电极和第二分支电极；以及
从所述第二接合电极延伸的第三分支电极，所述第三分支电极位于所述第一分支电极与所述第二分支电极之间，并且与所述第一分支电极相距第一间隔，与所述第二分支电极相距比所述第一间隔小的第二间隔，
其中，所述第二分支电极与所述第一分支电极相比，位于距离所述半导体发光器件的中心更远的位置上，并且所述第二分支电极与所述第三分支电极相比，位于距离所述半导体发光器件的中心更远的位置上。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一接合电极和所述第二接合电极中的至少一个包括两个焊盘。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一接合电极和所述第二接合电极中的至少一个位于所述半导体发光器件的一侧的中心部分上。
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，相互面对地放置所述第一接合电极和所述第二接合电极。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一分支电极向所述第二接合电极延伸。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，所述半导体发光器件包括第四分支电极，所述第四分支电极从所述第二接合电极延伸，并且位于距离所述第二分支电极为比所述第二间隔小的第三间隔的位置上。
7.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，将所述第一接合电极和所述第二接合电极中的至少一个布置在所述发光器件的一侧的中心部分上；相互面对地布置所述第一接合电极和所述第二接合电极；并且所述第一分支电极向所述第二接合电极延伸。
8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，所述半导体发光器件包括第四分支电极，所述第四分支电极从所述第二接合电极延伸，并且位于距离所述第二分支电极为比所述第二间隔小的第三间隔的位置上。
9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中，所述发光器件是Ⅲ族氮化物半导体发光器件。
10.一种半导体发光器件，其通过电子和空穴的复合而产生光，所述半导体发光器件包括：
第一接合电极和第二接合电极，所述第一接合电极和第二接合电极为电子和空穴的再结合供应电流，所述第一接合电极和所述第二接合电极中的至少一个具有两个焊盘；
从所述第一接合电极延伸的第一分支电极和第二分支电极；以及
从所述第二接合电极延伸的第三分支电极，所述第三分支电极布置在所述第一分支电极与所述第二分支电极之间，并且与所述第一分支电极相距第一间隔，与所述第二分支电极相距为比所述第一间隔小的第二间隔。
CN2009801488467A 2008-12-04 2009-12-04 半导体发光器件 Pending CN102239577A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20080122467A KR101000277B1 (ko) 2008-12-04 2008-12-04 반도체 발광소자
KR10-2008-0122467 2008-12-04
PCT/KR2009/007236 WO2010064870A2 (ko) 2008-12-04 2009-12-04 반도체 발광소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102239577A true CN102239577A (zh) 2011-11-09

Family

ID=42233755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801488467A Pending CN102239577A (zh) 2008-12-04 2009-12-04 半导体发光器件

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2012511248A (zh)
KR (1) KR101000277B1 (zh)
CN (1) CN102239577A (zh)
WO (1) WO2010064870A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106663722A (zh) * 2014-07-01 2017-05-10 首尔伟傲世有限公司 发光元件

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6458463B2 (ja) 2013-12-09 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光素子
WO2016003205A1 (ko) * 2014-07-01 2016-01-07 서울바이오시스 주식회사 발광 소자
KR101686557B1 (ko) * 2015-01-23 2016-12-14 서울바이오시스 주식회사 반도체 발광소자

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040232454A1 (en) * 2000-03-31 2004-11-25 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor device
CN101051662A (zh) * 2006-04-04 2007-10-10 三星电机株式会社 基于氮化物的半导体发光二极管

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6307218B1 (en) * 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
US6614056B1 (en) * 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
JP4810746B2 (ja) 2000-03-31 2011-11-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP4053926B2 (ja) 2002-05-27 2008-02-27 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子とそれを用いた発光装置
KR100631969B1 (ko) * 2005-02-28 2006-10-11 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
TWI291243B (en) * 2005-06-24 2007-12-11 Epistar Corp A semiconductor light-emitting device
KR100878396B1 (ko) * 2007-04-06 2009-01-13 삼성전기주식회사 반도체 발광소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040232454A1 (en) * 2000-03-31 2004-11-25 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor device
CN101051662A (zh) * 2006-04-04 2007-10-10 三星电机株式会社 基于氮化物的半导体发光二极管

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106663722A (zh) * 2014-07-01 2017-05-10 首尔伟傲世有限公司 发光元件
CN106663722B (zh) * 2014-07-01 2019-06-11 首尔伟傲世有限公司 发光元件
CN110047983A (zh) * 2014-07-01 2019-07-23 首尔伟傲世有限公司 半导体发光元件
CN110085718A (zh) * 2014-07-01 2019-08-02 首尔伟傲世有限公司 发光装置
CN110047983B (zh) * 2014-07-01 2022-04-29 首尔伟傲世有限公司 半导体发光元件

Also Published As

Publication number Publication date
KR101000277B1 (ko) 2010-12-10
KR20100064050A (ko) 2010-06-14
WO2010064870A2 (ko) 2010-06-10
WO2010064870A3 (ko) 2010-08-26
JP2012511248A (ja) 2012-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101582474B (zh) 半导体发光器件
KR101009651B1 (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
CN102067334A (zh) 半导体发光器件
TW200525783A (en) Light-emitting semiconductor device and method of fabrication
KR100956456B1 (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
KR101100684B1 (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
CN101478021B (zh) Ⅲ族氮化物半导体发光器件
CN102239576A (zh) 半导体发光器件
KR20070068061A (ko) 발광 다이오드 및 그 제조방법
CN102239577A (zh) 半导体发光器件
KR100646570B1 (ko) 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR20110083292A (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
KR20090073949A (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법
KR100960280B1 (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
KR100957742B1 (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
KR101197686B1 (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
KR20100012003A (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
KR101008284B1 (ko) 3족 질화물 반도체층을 성장시키는 방법
KR20090117865A (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
KR20140035762A (ko) 고휘도 질화물 발광소자 및 그 제조 방법
KR20110077363A (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자
CN102217103A (zh) Ⅲ族氮化物半导体发光器件
CN102217101A (zh) Ⅲ族氮化物半导体发光器件
KR20110040350A (ko) 3족 질화물 반도체 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20111109