CN110047983B - 半导体发光元件 - Google Patents

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Abstract

公开了一种半导体发光元件，包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层；透明导电层，形成在第二导电型半导体层之上；形成于发光结构上的第一电极垫和第二电极垫，分别连接到第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；第一电极延伸部和第二电极延伸部，分别从第一电极垫和第二电极垫延伸。第一电极延伸部包括：纵向延伸部，从第一电极垫沿发光结构的边缘沿纵向延伸；横向延伸部，从纵向延伸部的末端沿发光结构的边缘沿横向延伸。横向延伸部包括多个延伸部‑接触部分，使得横向延伸部与所述第一导电型半导体层接触。第二电极延伸部包括第一延伸部和第二延伸部。

Description

半导体发光元件
本申请是申请日为2015年7月1日、申请号为201580035261.X、题为“发光元件”的专利申请的分案申请。
技术领域
本公开的示例性实施例涉及一种发光装置，并且更具体地涉及一种具有高电流扩散效率以在发光效率和可靠性方面提供良好性质的发光装置。
背景技术
通常，诸如发光二极管的发光装置包括供应电子的n型半导体层、供应空穴的p型半导体层以及插置在n型半导体层与p型半导体层之间的活性层。n型和p型电极分别形成在n型半导体层和p型半导体层上，以接收来自外部电源的电功率。
另一方面，基于氮化物半导体的p型半导体层相比n型半导体层具有较低的导电率。因此，电流不会在p型半导体层中有效地扩散，由此导致半导体层的某个区域中产生电流拥挤。当半导体层中发生电流拥挤时，发光二极管变得容易进行静电放电并且可遭遇漏电和效率降低。为了实现有效的电流扩散，诸如氧化铟锡(ITO)电极的透明电极形成在p型半导体层上且p型电极形成在ITO层上。
发明内容
【技术问题】
本公开的示例性实施例提供了一种配置成实现水平方向上的均匀电流扩散的发光装置。
本公开的示例性实施例提供了一种发光装置，其包括第二电极、透明电极以及相关地连接至彼此以改进结构和电稳定性的电流阻挡层。
本公开的示例性实施例提供了一种改进引线键合的可结合性的发光装置。
【技术方案】
根据本发明的一个方面，发光装置包括：第一导电型半导体层；台面，其设置在第一导电型半导体层上并且包括活性层以及设置在活性层上的第二导电型半导体层；电流阻挡层，其部分地设置在台面上；透明电极，其设置在台面上并且至少部分地覆盖电流阻挡层；第一电极，其与第二导电型半导体层绝缘并且包括第一电极垫和从第一电极垫延伸的第一电极延伸部分；第二电极，其设置在电流阻挡层上以电连接至透明电极并且包括第二电极垫和从第二电极垫延伸的第二电极延伸部分；以及绝缘层，其部分地设置在第一电极下方的区域中，其中台面包括至少一个沟槽，该沟槽形成在台面的侧表面上使得第一导电型半导体层通过该沟槽而部分地露出；该绝缘层包括至少部分地露出所露出的第一导电型半导体层的开口；该第一电极延伸部分包括至少一个延伸接触部分，其穿过开口接触第一导电型半导体层；以及第二电极延伸部分包括远端，该远端所具有的宽度不同于第二电极延伸部分的平均宽度。
第二电极延伸部分的远端的宽度可以大于第二电极延伸部分的平均宽度。
第二电极延伸部分的远端可以具有圆形形状，其直径大于第二电极延伸部分的宽度。
第二电极延伸部分可以包括从第二电极延伸部分的延伸方向弯曲的附加延伸部分，且该附加延伸部分可以远离第一电极延伸部分弯曲。
附加延伸部分可以形成为具有预定曲率的弧形形状。
该附加延伸部分可以朝发光装置的一个角部弯曲。
第一电极垫和第二电极垫可以设置在穿过发光结构的中心的纵向线上；第一电极垫可以设置成邻近于发光装置的第一侧表面；以及第二电极垫可以设置成邻近于发光装置的与其第一侧表面相对的第三侧表面。
第一电极延伸部分可以沿着发光装置的第二侧表面朝向第一侧表面延伸，该第二侧表面设置在发光装置的第一侧表面与第三侧表面之间；以及第二电极延伸部分可以设置成比发光装置的第二侧表面更靠近发光装置的与发光装置的第二侧表面相对的第四侧表面并且可以朝向其第三侧表面延伸。
从第二电极垫至发光装置的第四侧表面的最短距离可以与从第二电极延伸部分的远端至发光装置的第四侧表面的最短距离相同。
绝缘层的开口可以包括沿着第二侧表面形成的多个开口，多个开口以恒定间隔设置。
从第一电极延伸部分至第二电极延伸部分的最短距离可以大于从第二电极延伸部分的远端至第一电极垫的距离。
绝缘层的开口之间的距离可以为绝缘层的露出沟槽开口的宽度的三倍或三倍以上。
电流阻挡层可以包括设置在第二电极垫下方的垫-电流阻挡层以及设置在第二电极延伸部分下方的延伸部分-电流阻挡层。
透明电极可以包括设置在垫-电流阻挡层上的第一开口；第二电极垫可以设置在垫-电流阻挡层上以填充第一开口并同时部分地覆盖设置在垫-电流阻挡层上的透明电极；以及第二电极垫的上表面可以具有对应于垫-电流阻挡层的上表面和设置在电流阻挡层上的透明电极的上表面的表面轮廓。
垫-电流阻挡层可以包括露出第二导电型半导体层的第二开口；第二电极可以穿过第二开口接触第二导电型半导体层；第二开口可以设置在第一开口的区域中；以及第二电极的上表面可以包括设置成对应于第一开口的第一凹陷部以及设置成对应于第二开口的第二凹陷部。
电流阻挡层可以包括由第二开口围绕的第一区域以及围绕第二开口的第二区域；以及第二电极的上表面可以设置在电流阻挡层的第一区域上并且可以包括从第二凹陷部的下表面突出的突出部。
绝缘层可以设置在台面上；该台面可以包括形成在其侧表面上的至少一个沟槽使得第一导电型半导体层通过该沟槽部分地露出；以及绝缘层的开口可以至少部分地露出通过该沟槽露出的第一导电型半导体层。
第一电极垫和第一电极延伸部分可以设置在台面上，且延伸部分-接触部分可以与通过该沟槽露出的第一导电型半导体层形成为欧姆接触。
绝缘层可以设置在第一导电型半导体层上，且延伸部分-接触部分可以包括第一延伸部分-接触部分和第二延伸部分-接触部分，其中第一延伸部分-接触部分可以设置为沿着台面的一个侧表面且第二延伸部分-接触部分可以设置成邻近于台面的一个角部以便邻近于第一电极垫。
该基板可以包括形成在其至少一个侧表面上并且具有在其水平方向上延伸的带状物形状的多个改型区域，且该基板的最下层改型区域与下表面之间的距离可以小于该基板的最上层改型区域与上表面之间的距离。
【有利效果】
根据示例性实施例，发光装置包括第一电极垫，第一电极垫沿发光结构的纵向方向设置在该发光结构的中心区域中，由此改进电极形成工艺、封装工艺等的效率。
另外，根据示例性实施例，发光装置包括第一电极延伸部分，第一电极延伸部分通过接触点接触第一导电型半导体层，由此最小化横向光损耗并同时改进电流扩散效率。
另外，在根据示例性实施例的发光装置中，第二电极延伸部分具有形成为弧形形状的附加延伸部分，并且因此可形成得尽可能长，并同时维持第二电极延伸部分与第一电极垫之间的距离，由此防止第二电极延伸部分的远端处产生电流拥挤。
另外，在根据示例性实施例的发光装置中，第二电极垫设置在具有开口的透明电极上，且透明电极的部分插置在电流阻挡层与第二电极垫之间，由此改进第二电极的结构和电可靠性。
另外，发光装置改进引线键合至发光装置的第二电极时的结合的导线可结合性，由此提供具有良好可靠性的发光装置封装。
附图说明
图1A和图1B是根据本公开的一个示例性实施例的发光装置的平面图。
图2A至图2C是根据本公开的示例性实施例的发光装置的截面图。
图3A至图6B是根据本公开的示例性实施例的发光装置的第二电极、电流阻挡层和透明电极的各种改型的放大平面图和放大截面图。
图7和图8是根据本公开的示例性实施例的发光装置的第一电极、透明电极和绝缘层的各种改型的放大平面图。
图9A和图9B是根据本公开的示例性实施例的发光装置的第一电极延伸部分和第二电极延伸部分的各种改型的平面图。
图10是根据本公开的其它示例性实施例的发光装置的截面图。
图11是根据本公开的其它示例性实施例的发光装置的平面图。
图12是根据本公开的其它示例性实施例的发光装置的平面图。
图13是根据本公开的其它示例性实施例的发光装置封装的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细地描述本公开的示例性实施例。通过实例提供以下实施例以便向本公开所涉及领域的技术人员全面传达本公开的精神。因此，本公开不限于本文所公开的实施例并且还可以不同形式实施。在附图中，为了清楚和描述目的，可夸大元件的宽度、长度、厚度等。当元件称为“设置在另一个元件上方”或“设置在另一个元件上”时，其可直接“设置在另一个元件上方”或直接“设置在另一个元件上”，或可存在介入元件。在整个说明书中，相同的元件符号表示具有相同或类似功能的相同元件。
在下文中，将参考图1A至图9B描述根据本公开的示例性实施例的发光装置。
图1A和图1B是根据本公开的一个示例性实施例的发光装置的平面图，其中图1A示出了放大区域(α)、线A-A'、线B-B'、线C-C'和线D-D'的位置，且图1B示出了部件之间的宽度或距离A1、A2、A3、A4、D1和D2。图2A至图2C分别是沿着线A-A'、B-B'和C-C'截取的截面图。图3A和图3B示出了根据本公开的示例性实施例的发光装置的第二电极的放大平面图和放大截面图，且图4A至图6B是根据本公开的示例性实施例的发光装置的第二电极的各种改型的放大平面图和放大截面图。图7是根据本公开的示例性实施例的发光装置的第一电极的截面图，且图8是根据本公开的示例性实施例的发光装置的第一电极的改型的截面图。图9A和图9B是根据本公开的示例性实施例的发光装置的第一电极延伸部分和第二电极延伸部分的平面图。
参考图1A至图9B，发光装置包括发光结构120、电流阻挡层130、透明电极140、第一电极150和第二电极160。发光装置可以进一步包括基板110和绝缘层170。另外，发光装置可以包括第一至第四侧表面101、102、103、104。发光装置可以具有带有不同的纵向和横向长度的矩形形状，但不限于此。
基板110可以是绝缘或导电基板。另外，基板110可以是用于发光结构120的生长的生长基板，并且可以包括蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板、氮化铝基板等。在其它示例性实施例中，基板110可以为用于支撑发光结构120的辅助基板。例如，基板110可以是蓝宝石基板，特别是图案化蓝宝石基板(PSS)，其上表面具有预定图案，且在此情况中，基板110可以包括其上表面上的多个突出部110p。
另外，基板110可以包括沿其水平方向从基板110的至少一个侧表面延伸的至少一个改型区域111。改型区域111可以形成在分割基板110的过程中以个性化地处理发光装置。例如，可以通过使用隐形激光对基板110进行内部处理而形成改型区域111。在此，从基板110的最下层改型区域111至下表面的距离可以小于从基板110的最上层改型区域111至上表面的距离。考虑通过发光装置的侧表面发射的光，可以通过激光处理在基板110的相对下部处形成改型区域111，由此进一步改进产生在发光结构120中的光的提取效率。
在此示例性实施例中，第一导电型半导体层121将被说明为设置在基板110上。然而，当基板110是用于半导体层121、123、125的生长的生长基板时，可以在生长半导体层121、123、125之后通过物理和/或化学工艺去除基板110。
发光结构120可以包括第一导电型半导体层121、设置在第一导电型半导体层121上的第二导电型半导体层125以及设置在第一导电型半导体层121与第二导电型半导体层125之间的活性层123。另外，发光结构120可以包括设置在第一导电型半导体层121上并且包括活性层123和第二导电型半导体层125的台面120m。
第一导电型半导体层121、活性层123和第二导电型半导体层125可以通过本领域中已知的典型方法(诸如MOCVD)在腔室中生长。另外，第一导电型半导体层121、活性层123以及第二导电型半导体层125可以包括III-V族氮化物半导体材料，例如，诸如(Al、Ga、In)N的氮化物半导体材料。第一导电型半导体层121可以包括n型掺杂剂(例如，Si、Ge和Sn)，且第二导电型半导体层125可以包括p型掺杂剂(例如，Mg、Sr和Ba)，或反之亦然。活性层123可以包括多量子井(MQW)结构，且活性层的组成比可以调节为理想波长带中的光。具体地，在此示例性实施例中，第二导电型半导体层125可以是p型半导体层。
台面120m放置在第一导电型半导体层121的某个区域中使得第一导电型半导体层121可在其中未形成台面120m的区域中露出。台面120m可以通过部分地蚀刻第二导电型半导体层125和活性层123而形成。虽然台面120m可以具有例如不受限制的任何形状，但是台面120m可以沿着第一导电型半导体层121的侧表面形成，如附图中所示。台面120m可以具有倾斜侧表面或垂直于第一导电型半导体层121的上表面的侧表面。在此示例性实施例中，台面120m可以包括在其侧表面上凹陷的至少一个沟槽120g。沟槽120g可以沿着发光装置的至少一个侧表面形成。例如，多个沟槽120g可以沿着发光装置的第二侧表面102形成，如图1A中所示。多个沟槽120g可以基本上恒定间隔设置。
台面120m可以进一步包括形成在其侧表面上的粗糙图案(未示出)。另外，第一导电型半导体层121和基板110还可以进一步包括形成在其侧表面上的粗糙图案(未示出)。粗糙图案可以通过诸如干式蚀刻和/或湿式蚀刻的各种图案化方法而形成。另外，粗糙图案可以隔离工艺形成，通过隔离工艺将晶片分割为单独的发光装置。运用此结构，发光装置可改进光提取效率。应理解的是，其它实施方案也是可能的。对于具有其它结构(例如，垂直结构)代替横向结构的发光装置，可以不露出第一导电型半导体层121的上表面。
电流阻挡层130至少部分地设置在第二导电型半导体层125上。电流阻挡层130可以设置成对应于第二导电型半导体层125上的第二电极160。电流阻挡层130可以包括垫-电流阻挡层131和延伸部分-电流阻挡层133。垫-电流阻挡层131和延伸部分-电流阻挡层133可以设置成对应于第二电极垫161和第二电极延伸部分163。在此结构中，垫-电流阻挡层131可以设置成邻近于发光装置的第一侧表面101，且延伸部分-电流阻挡层133可以设置成从第一侧表面101延伸朝向第三侧表面103，如附图中所示。
电流阻挡层130可防止通过将从第二电极160供应的电流直接传递至半导体层引起的电流拥挤。因此，电流阻挡层130可以展现出绝缘性质并且可以包括绝缘材料且由单层或多层构成。例如，电流阻挡层130可以包括SiOx或SiNx，或可以包括分布式布拉格反射器，其中具有不同折射率的绝缘材料堆叠在彼此上方。电流阻挡层130可以具有透光率或光反射率，或可以具有选择性光发射率。
另外，电流阻挡层130可以具有大于形成在电流阻挡层130上的第二电极160的面积。运用此结构，第二电极160可以设置在其中形成电流阻挡层130的区域中。另外，电流阻挡层130可以具有倾斜侧表面，由此可降低剥离或电动断开电流阻挡层130的角部(即，倾斜部分)处的透明电极140的风险。
透明电极140可以设置在第二导电型半导体层125上并且覆盖第二导电型半导体层125的上表面的部分和电流阻挡层130的部分。透明电极140可以包括部分地露出垫-电流阻挡层131的开口140a。开口140a可以设置在垫-电流阻挡层131上且透明电极140可以部分地覆盖垫-电流阻挡层131。另外，开口140a的侧表面可以通常沿着垫-电流阻挡层131的侧表面形成。
透明电极140可以包括可透光且导电材料，诸如导电氧化物或可透光金属层。另外，透明电极140可以包括ITO(氧化铟锡)、ZnO(氧化锌)、ZITO(氧化锌铟锡)、ZIO(氧化锌铟)、ZTO(氧化锌锡)、GITO(镓铟锡氧化物)、GIO(氧化镓铟)、GZO(氧化镓锌)、AZO(掺铝氧化锌)、FTO(氟锡氧化物)和Ni/Au堆叠结构中的至少一种。另外，透明电极140可以与第二导电型半导体层125形成欧姆接触。在此示例性实施例中，因为第二电极160不直接接触第二导电型半导体层125，所以电流可更有效地扩散通过透明电极140。下文将参考图3A和图3B更详细地描述透明电极140。
透明电极140可以包括形成在台面120m的沟槽120g周围的凹陷部。如图1A的放大圆中所示，透明电极140的凹陷部可以沿着台面120m的沟槽120g形成。运用其中透明电极140包括凹陷部的结构，透明电极140的边线还可以沿着台面120m的边线形成。运用其中凹陷部形成在透明电极140上的结构，可防止归因于在制造发光装置时在沟槽120g的侧表面上形成透明电极140而产生的电短路。
第二电极160设置在第二导电型半导体层125上，使得第二电极160的至少一部分设置在电流阻挡层130所放置的区域中。第二电极160可包括第二电极垫161和第二电极延伸部分163，其可分别设置在垫-电流阻挡层131和延伸部分-电流阻挡层133上。因此，透明电极140的一部分可插置于第二电极160与电流阻挡层130之间。第二电极垫161可设置在透明电极140的开口140a上。第二电极垫161可邻接透明电极140，且透明电极140的开口140a的侧表面可至少部分地邻接第二电极垫161。第二电极垫161可设置成通过高效地扩散电流来允许光发射穿过发光装置的活性层的整个表面，而不会限制于此。例如，如附图所示，第二电极垫161可被设置成邻近与第三表面103相对的第一侧表面101，其中第一电极垫151邻近该第三表面。
第二电极延伸部分163从第二电极垫161延伸出来。在该示例性实施例中，第二电极延伸部分163可从第二电极垫161朝向第三侧表面103延伸。此外，第二电极延伸部分163的延伸方向可根据第二电极延伸部分163的延伸而改变。例如，第二电极延伸部分163的远端可弯曲以被导向至发光装置的第三侧表面103与第四侧表面104之间的空间。通过将第一电极垫151与第二电极延伸部分163之间的距离考虑在内，可以以各种方式对该结构进行设计。透明电极140插置于第二电极延伸部分163的至少一部分与延伸部分-电流阻挡层133之间，由此使得第二电极延伸部分163与透明电极140相接触以电连接至该透明电极。
此外，第二电极延伸部分163可包括附加延伸部分163a，其沿着与第二电极延伸部分163的延伸方向不同的方向进行弯曲。在此，附加延伸部分163a可远离第一电极延伸部分153弯曲。此外，附加延伸部分163a可朝向发光装置的一个角部进行弯曲，例如，朝向第三侧表面103与第四侧表面104之间的角部进行弯曲。如图1A所示，第二电极延伸部分163的附加延伸部分163a可具有弧形形状，其具有预定的曲率半径。虽然较长的第二电极延伸部分163可提供进一步改善的电流扩散效率，但是从第二电极延伸部分163的远端163e至第一电极垫151的过短的距离可能会在第二电极延伸部分163的远端163e处引起电流拥挤。根据该示例性实施例，第二电极延伸部分163弯曲，且附加延伸部分163a形成为具有预定曲率半径的弧形形状，由此使得第二电极延伸部分163与第一电极垫151之间的距离保持在预定值或以上。通过该结构，发光装置可防止在第二电极延伸部分163的远端163e处发生电流拥挤。
此外，第二电极延伸部分163的远端163e可包括宽度大于第二电极延伸部分163的平均宽度的部分。例如，如图9B所示，第二电极延伸部分163的远端163e可形成为圆形形状，其直径大于第二电极延伸部分163的宽度。在该实施例中，远端163e的直径可比第二电极延伸部分163的宽度大约0.5μm至5μm。然而，应理解的是，其他实施方式也是可能的，且第二电极延伸部分163的远端163e的形状可变型为各种形状，包括多边形形状、椭圆形形状、圆弧形形状等。
采用第二电极延伸部分163的远端163e具有相对较大宽度的结构，可以改善围绕第二电极延伸部分163的远端163e扩散的电流。此外，第二电极延伸部分163的远端163e具有增大面积，由此使得在防止第二电极延伸部分163的远端163e处的接触电阻增加的同时，有效地防止发光装置由于第二电极延伸部分163在第二电极延伸部分163的远端163e处与透明电极140相分离而发生故障。由于第二电极160通常通过光蚀刻形成，因此存在有问题，原因在于无法绕着第二电极160的远端163e进行高效的显影。然而，在第二电极延伸部分163的远端163e具有相对较大面积的结构中，可在光蚀刻时进一步提供工艺余量，由此防止在形成第二电极160的过程中发生故障。因此，发光装置可具有进一步改善的可靠性。
第二电极160的布置并不限于此，且其可根据发光装置的形状以各种方式进行变型和改变。
第二电极160可包括金属材料(例如，Ti、Pt、Au、Cr、Ni、Al等)，并可由单个层或多个层组成。例如，第二电极160可包括Ti/Au层、Ti/Pt/Au层、Cr/Au层、Cr/Pt/Au层、Ni/Au层、Ni/Pt/Au层和Cr/Al/Cr/Ni/Au层的金属堆叠结构中的至少一个。
接下来，参照图3A和图3B，将对垫-电流阻挡层131、透明电极140和第二电极垫161之间的互连关系进行更详细的描述。
如图3A和图3B所示，垫-电流阻挡层131在平面图上通常可具有圆形形状。替代地，垫-电流阻挡层131可形成为各种形状，包括多边形形状，并可形成为在平面图上与第二电极垫161相对应的类似形状。透明电极140可覆盖垫-电流阻挡层131的侧表面及其上表面的一部分，特别地，该部分为绕着垫-电流阻挡层131的外边缘的部分。在透明电极140部分地覆盖垫-电流阻挡层131的结构中，由透明电极140的上表面和垫-电流阻挡层131的上表面组成的表面轮廓可能会变成圆形或阶梯形轮廓，而不是平坦轮廓。
透明电极140的开口140a的至少一部分可设置在垫-电流阻挡层131上，而且，在该示例性实施例中，开口140a的形状可与电流阻挡层130的外边缘的形状相对应。例如，如图3A和图3B所示，在垫-电流阻挡层131具有圆形形状的结构中，透明电极140覆盖围绕其圆形边缘的区域，使得开口140a可形成为圆形形状。开口140a形成为与垫-电流阻挡层131的外边缘的形状相对应的形状，由此防止透明电极140剥离电流阻挡层130。应理解的是，开口140a并不限于此，且可具有各种形状。此外，开口140a可设置为多个。
第二电极垫161与第二导电型半导体层125之间的接触电阻高于透明电极140与第二导电型半导体层125之间的接触电阻。因此，当通过第二电极垫161供应电流时，该电流可能会流向具有低电阻的透明电极140，并可由透明电极140在水平方向上进行有效的扩散。此外，在该示例性实施例中，第二电极垫161并不与第二导电型半导体层125直接相接触，由此实现更有效的电流扩散。
第二电极160可填充第一开口140a以与电流阻挡层130相接触，并可进一步部分地覆盖设置在电流阻挡层130上的透明电极140。相应地，第二电极160，特别是第二电极垫161，与透明电极140相接触。在此，第二电极垫161的水平面积可大于透明电极140的开口140a的面积，由此使得开口140a可被第二电极垫161覆盖。如图3A和图3B所示，第二电极垫161可形成为具有半径R1的圆形形状，而透明电极140的开口140a可形成为具有半径R2的圆形形状。R1大于R2。R1和R2的大小可被调整以为充分的引线键合提供区域，以及防止第二电极垫161与透明电极140相分离。R1可比R2大约5μm至15μm。例如，第二电极垫161可具有约为35μm的半径R1，而透明电极140的开口140a可具有约为25μm的半径R2。
第二电极垫161可形成为具有非平面上表面。具体地，第二电极垫161的上表面可具有与透明电极140的上表面和垫-电流阻挡层131的上表面的表面轮廓相对应的表面轮廓。换言之，第二电极垫161可设置在透明电极140和垫-电流阻挡层131上，其中透明电极140和垫-电流阻挡层131具有非平坦表面轮廓，因此具有圆形或阶梯形表面。如图3A和图3B所示，第二电极垫161的上表面可包括至少一个凹陷部161g，其设置在开口140a所放置的区域中。因此，第二电极垫161的上表面可具有阶梯形表面。特别地，凹陷部161g可形成为如图3A所示的圆形形状。相应地，在第二电极垫161于其中形成为圆形形状的结构中，第二电极垫161的外边缘和凹陷部161g的边缘可形成为同心圆形状。
在第二电极垫161具有非平坦表面轮廓的结构中，导线与第二电极垫161之间的结合性可在引线键合第二电极垫161的上表面之后获得改善。通过该结构，发光装置可有效地防止导线在引线键合至第二电极垫161的区域中断开。此外，第二电极垫161设置在具有非平坦表面轮廓的透明电极140和垫-电流阻挡层131上，由此防止第二电极垫161从电流阻挡层130和/或透明电极140剥离出来。换言之，由于与第二电极垫161于其中形成在平坦表面中的结构相比，第二电极垫161可更稳定地设置在第二电极垫161于其中形成在阶梯形或圆形表面上的结构中，因此可防止第二电极垫161从其剥离出来。此外，由于透明电极140的一部分插置于垫-电流阻挡层131与第二电极垫161之间，因此透明电极140可更稳定地进行设置，由此防止透明电极140发生分离。相应地，第二电极160、电流阻挡层130和透明电极140之间的结构稳定性可获得改善。
图4A至图6B是示出了根据本公开的各种示例性实施例的电流阻挡层、透明电极和第二电极的平面图和剖视图。在以下的示例性实施例中，组件的参考标号将使用不同的百位数进行标注。例如，在图3A中，电流阻挡层以130进行标注，而在图4A中，电流阻挡层将以230进行标注。这是为了便于描述，且各组件的物理特性与上述的相应组件的物理特性相同。
首先，参照图4A和图4B，根据该示例性实施例，透明电极240可包括第一开口240a，且垫-电流阻挡层231可包括露出第二导电型半导体层125的第二开口231a。因此，第二电极垫261通过第二开口231a与第二导电型半导体层125相接触。
第二开口231a可设置在第一开口240a所放置的区域中，且透明电极240可覆盖垫-电流阻挡层231的外边缘区域。相应地，形成了阶梯形表面轮廓，其由透明电极240的上表面、垫-电流阻挡层231的上表面和第二开口231a下方的第二导电型半导体层125的上表面组成。相应地，第二电极垫261的上表面可包括被设置成与第一开口240a相对应的第一凹陷部261ga和被设置成与第二开口231a相对应的第二凹陷部261gb。
在该示例性实施例中，第二电极垫261的水平面积可大于透明电极240的第一开口240a的面积，且第一开口240a的水平面积可大于第二开口231a的水平面积。因此，开口240a、231a可被第二电极垫261覆盖。如图4A和图4B所示，第二电极垫261可形成为具有半径R1的圆形形状，透明电极240的第一开口240a可形成为具有半径R2的圆形形状，且第二开口231a可形成为具有半径R3的圆形形状。在此，R1大于R2，R2大于R3。R1至R3的大小可被调整以为充分的引线键合提供区域，以及防止第二电极垫261与透明电极240相分离。
由于垫-电流阻挡层231包括第二开口231a，因此更多的阶梯形部分和弯曲部分形成在第二电极垫261的上表面上。通过该结构，第二电极垫261可更稳定地进行设置，并在引线键合之后允许导线更稳定地结合至其。
接下来，参照图5A和图5B，在该示例性实施例中，透明电极340包括第一开口340a，且垫-电流阻挡层331可包括露出第二导电型半导体层125的第二开口331a。此外，透明电极340可覆盖垫-电流阻挡层331。特别地，如图5A和图5B所示，透明电极340可覆盖垫-电流阻挡层331的第二开口331a的侧表面。因此，第二电极垫361可通过第二开口331a和第一开口340a与第二导电型半导体层125相接触。
第二电极垫361的上表面可包括凹陷部361g，其被设置成与第一开口340a相对应。根据该示例性实施例，垫-电流阻挡层331在被透明电极340覆盖的同时包括第二开口331a。因此，第二电极垫361的上表面可包括凹陷部361g，其深度大于垫-电流阻挡层331的厚度。此外，第二电极垫361的凹陷部361g比图3A和图3B所示的凹陷部深。
此外，如图5A和图5B所示，第二电极垫361可形成为具有半径R1的圆形形状，透明电极340的第一开口340a可形成为具有半径R2的圆形形状，且第二开口331a可形成为具有半径R3的圆形形状。在此，R1大于R3，R3大于R2。R1至R3的大小可被调整以为充分的引线键合提供区域，以及防止第二电极垫361与透明电极340相分离。
参照图6A和图6B，垫-电流阻挡层431可包括露出第二导电型半导体层125的第二开口431a、被第二开口431a围绕的第一部分4311和围绕第二开口431a的第二部分4312。透明电极440可部分地覆盖垫-电流阻挡层431的第二部分4312的外边缘区域。在该示例性实施例中，第二部分4312的上表面被部分地露出。相应地，形成了表面轮廓，在该表面轮廓中，透明电极440的上表面、垫-电流阻挡层431的第二部分4312的上表面、第二开口431a下方的第二导电型半导体层125的上表面和第一部分4311的上表面具有阶梯。因此，第二电极垫461的上表面可包括被设置成与第一开口440a相对应的第一凹陷部461ga、被设置成与第二开口431a相对应的第二凹陷部461gb和被设置成与第一部分4311相对应的突出部461p。
由于垫-电流阻挡层431包括被第二开口431a围绕的第一部分4311，因此更多的阶梯形部分和弯曲部分形成在第二电极垫461的上表面上。通过该结构，第二电极垫461可更稳定地进行设置，并在引线键合之后允许导线更稳定地结合至其。
另一方面，在图4A至图6B的示例性实施例中，第二电极260、360、460中的每一个都可与第二导电型半导体层125相接触。在此，第二电极260、360、460中的每一个的下表面都可被形成使得不良欧姆接触形成在第二电极260、360、460中的每一个与第二导电型半导体层125之间，且高接触电阻形成在它们之间的界面处。例如，第二电极260、360、460中的每一个都可形成为多层结构，该多层结构的最下层由与第二导电型半导体层125形成不良欧姆接触的材料形成。因此，在施加电流之后，该电流流向在其界面处具有相对较低的电阻的透明电极240、340或440，由此避免降低电流扩散效率。
虽然已在上文对根据各种示例性实施例的第二电极、透明电极和电流阻挡层的各种结构进行了描述，但是应理解的是，其他实施方式也是可能的。
再次参照图1A至图3B，第一电极150电连接至第一导电型半导体层121。第一电极150可与第一导电型半导体层121的露出上表面形成欧姆接触，并可电连接至该露出上表面，其中，通过部分地移除第二导电型半导体层125和活性层123，使得该第一导电型半导体层得以露出。第一电极150可包括第一电极垫151和第一电极延伸部分153。第一电极延伸部分153包括至少一个延伸部分-接触部分153a。延伸部分-接触部分153a可与第一导电型半导体层121形成欧姆接触。在该示例性实施例中，第一电极垫151和第一电极延伸部分153的部分可设置在台面120m上，且绝缘层170可插置在台面120m与第一电极150的一部分之间。
第一电极150可作为路径，通过该路径，电力被从外电源供应至第一导电型半导体层121，而且该第一电极可包括金属材料，例如，Ti、Pt、Au、Cr、Ni、Al等。此外，第一电极150可由单个层或多个层组成。
第一电极垫151可被设置成靠近发光装置的第三侧表面103，且第一电极延伸部分153可沿着第三侧表面103和第二侧表面102朝第一侧表面101延伸。通常，在具有矩形形状的发光装置中，第一电极垫形成在发光装置的角部区域中。然而，在第一电极垫形成在发光装置的角部区域中的结构中，引线框架的一部分在球形键合或引线键合之后可能会受到损坏。因此，如在该示例性实施例中一样，第一电极垫151形成在发光结构120的中心区域中，由此改善结合和封装的工艺效率。
在此，为了通过在封装之后获得合适的工艺余量水平来改善工艺效率，第一电极垫151与发光结构120的外侧表面之间的分离距离可至少为50μm或以上。然而，如果第一电极垫151与发光结构120的外侧表面之间的分离距离过大，则发光装置在发光结构120的外边缘区域中的发光效率可能会降低。因此，第一电极垫151与发光结构120的外侧表面之间的分离距离优选地在约50μm至约200μm之间。然而，应理解的是，其他实施方式也是可能的。
绝缘层170可插置于发光结构120与第一电极150之间，并可包括部分地露出第一导电型半导体层121的开口170a，该第一导电型半导体层通过台面120m的沟槽120g露出。
如图2A所示，绝缘层170的一部分设置在第一电极垫151的下方，以使第一电极垫151与第二导电型半导体层125电绝缘。此外，设置在第一电极垫151下方的绝缘层170可具有大于第一电极垫151的面积，并可覆盖发光结构120的侧表面。通过该结构，发光装置可有效地防止第一电极垫151与第二导电型半导体层125之间发生短路，并可有效地防止可能会在引线键合至第一电极垫151之后发生的短路。
在一个示例性实施例中，如图7所示，设置在第一电极垫151下方的绝缘层170可与透明电极140相分离。在这种情况下，可防止绝缘层170中的缺陷引起的电流泄漏流向透明电极140。在其他示例性实施例中，如图8所示，设置在第一电极垫151下方的绝缘层170可在部分地覆盖透明电极140的侧表面和上表面的同时邻接透明电极140。通过该结构，可以防止短路，该短路可能会在结合材料沿着第一电极垫151的侧表面流动并在结合至第一电极垫151的上表面之后与透明电极140相接触时发生。
绝缘层170的开口170a可至少部分地露出沟槽120g。延伸部分-接触部分153a设置在第一导电型半导体层121的通过开口170a和台面120m的沟槽120g露出的区域中，以在其区域中电连接至第一导电型半导体层121。此外，绝缘层170部分地覆盖沟槽120g的侧表面，以防止第一电极延伸部分153与发光结构120的侧表面之间的接触引起短路。
这样，第一电极垫151并不直接地接触第一导电型半导体层121，且第一电极延伸部分153的延伸部分-接触部分153a接触第一导电型半导体层121以形成电连接，藉此在发光装置的工作时，使得电流能在水平方向上有效地扩散。在第一电极150是n型电极的结构中，电子从第一电极150注入。在此，在第一电极延伸部分153的整体接触第一导电型半导体层121的结构中，供给至第一导电型半导体层121的电子密度能根据距第一电极垫151的距离而改变。在该情形中，电流扩散效率会退化。相反，根据该示例性实施例中，第一电极延伸部分153通过其延伸部分-接触部分153a接触第一导电型半导体层121，而第一电极延伸部分153的其它部分由绝缘层170与第一导电型半导体层121绝缘。因此，电子通过延伸部分-接触部分153a注入到发光装置中，藉此电子注入密度能大体在多个延伸部分-接触部分153a中保持类似。因此，电子能远离第一电极垫151相对远远地通过第一电极延伸部分153的一部分有效地注入到发光装置中，藉此改进发光装置的电流扩散效率。
参照图1B，第一电极延伸部分153的延伸部分-接触部分153a和第一导电型半导体层121之间的接触部分的宽度，也就是，绝缘层170的开口170a的宽度D1可小于绝缘层170的开口170a之间的距离D2。此外，可将开口170a之间的距离D2调节成开口170a的宽度D1的三倍或更多倍，由此进一步改进扩散通过延伸部分-接触部分153a供给的电流的性能。
此外，第一电极延伸部分153的远端153e可包括宽度大于第一电极延伸部分153的平均宽度的部分。例如，如图9A所示，第一电极延伸部分153的远端153e可形成为圆形形状，该圆形形状的直径大于第一电极延伸部分153的宽度。在该示例性实施例中，远端153e的直径可比第一电极延伸部分153的宽度大约0.5μm至约5μm。然而，应理解的是，其他实施方式也是可能的，且第一电极延伸部分153的远端153e的形状可改型为各种形状，包括多边形形状、椭圆形形状、圆弧形形状等。
采用第一电极延伸部分153的远端153e具有相对较大宽度的结构，可以改进围绕第一电极延伸部分153的远端153e扩散的电流。此外，第一电极延伸部分153的远端153e具有扩大面积，由此有效地防止由于第一电极延伸部分153在第一电极延伸部分153的远端153e附近分开导致的发光装置故障。由于第一电极150通常通过光蚀刻形成，因此存在有问题，原因在于无法围绕第一电极150的远端153e进行高效的显影。然而，在第一电极延伸部分153的远端153e具有相对较大面积的结构中，可在光蚀刻时进一步提供工艺余量，由此防止在形成第一电极150的过程中发生故障。于是，发光装置可具有进一步改善的可靠性。
另一方面，第一电极150和第二电极160的布置并不限于此，且其可根据发光装置的形状以各种方式进行改型和变化。第一电极垫151和第一电极延伸部分153的布置可根据第二电极垫161和第二电极延伸部分163的布置改变。
例如，参照图1B，从沿着发光装置的第二侧表面102延伸的第一电极延伸部分153至第二电极延伸部分163的距离A1大于从第二电极延伸部分163的远端163e至第一电极垫151的距离A2。第二电极延伸部分163朝向第一电极垫151延伸，而同时维持从第二电极延伸部分163至沿着第二侧表面102延伸的第一电极延伸部分153的恒定距离，由此改进电流扩散效率。此外，将距离A2设定为小于距离A1，由此使得在第二电极延伸部分163的远端附近的电流密度减小，因此防止电流扩散效率的退化。
此外，从第二电极延伸部分163的远端163e至透明电极140的外周界(沿着第四侧表面104的周界)的距离A3可基本上与第二电极垫161的侧表面至透明电极140的外周界(沿着第四侧表面104的周界)的距离相同。在此，距离A3可以是约50μm至60μm。
此外，第二电极延伸部分163可偏置于发光装置的第四侧104而非该发光装置的第二侧表面102。如在附图中所示，第二电极延伸部分163比第二侧表面102更靠近发光装置的第四侧104，并且可与通过该发光装置的中心的纵向中心线CL隔开距离A4。距离A4可在从约14μm至18μm的范围内。由于第一电极延伸部分153设置成靠近第二侧表面102，因而第二电极延伸部分163可设置成比第二侧表面102更靠近第四侧表面104，以改进电流扩散。
图10是根据本发明的其它示例性实施例的发光装置的截面图。图10中示出的发光装置大体类似于参照图1A至图9B描述的发光装置，只是根据该示例性实施例的发光装置进一步包括设置在发光结构120下方的反射层510。下文描述将聚焦在根据该示例性实施例的发光装置的不同特征上，并且将省略对相同部件的详细描述。
参考图10，发光装置包括发光结构120、电流阻挡层130、透明电极140、第一电极150、第二电极160以及反射层510。此外，发光装置可以进一步包括基板110和绝缘层170。该发光装置可以包括第一至第四侧表面101、102、103、104。
反射层510可设置在发光结构120下方，并且在该发光装置进一步包括基板110的结构中，该反射层可设置在基板110之下。反射层510可由反光材料形成，以反射从发光结构120发出的光。
反射层510可包括分布式布拉格反射器，其中，具有不同折射率的介电层彼此上下堆叠。在该示例性实施例中，反射层510可包括堆叠结构511，其中，具有第一折射率的第一介电层和具有第二折射率的第二介电层重复地彼此上下堆叠，并且界面层513形成在堆叠结构511的上表面上。界面层513能用作堆叠结构511可形成在其上的结合层，同时改进堆叠结构511的第一和第二介电层的界面特性。因此，界面层513可形成为比堆叠结构511的介电层的每个具有较厚的厚度。
例如，第一介电层可包括二氧化钛(TiO2)或可由二氧化钛形成，并且第二介电层可包括二氧化硅(SiO2)或可由二氧化硅形成。此外，界面层513可包括二氧化硅或可由二氧化硅形成。在该结构中，在堆叠结构511的各层中，邻接界面层513的介电层可以是第一介电层。因此，当考虑反射层510的整体时，反射层510可具有不同材料层的堆叠结构。然而，应理解的是，其它实施方式也是可能的。
在反射层510设置在基板110下方的结构中，基板110的下表面可具有100nm或更低的RMS粗糙度。该结构能通过本领域已知的表面平坦化工艺来获得。例如，基板110的下表面的RMS粗糙度可由化学机械抛光(CMP)来控制。由于基板110的下表面具有100nm或更低的RMS粗糙度，因而可防止在高温下进行热处理时、反射层510上由于第一介质层或者第二介质层因具有高表面粗糙度的基板110引起的失衡所导致的结合强度退化或裂纹的产生。
反射层510可进一步包括由反光金属形成的层，或者可由反光金属而非堆叠结构511形成。在此，由反光金属形成的层可由单层或多个层构成，并且可包括铝(Al)、铜(Au)、铂(Pt)等等。
图11是根据本发明的其它示例性实施例的发光装置的平面图。图11中示出的发光装置大体类似于参照图1A至图9B描述的发光装置。下文描述将聚焦在根据该示例性实施例的发光装置的不同特征上，并且将省略对相同部件的详细描述。
根据该示例性实施例的发光装置包括发光结构120、电流阻挡层130、透明电极140、第一电极150以及第二电极160。此外，发光装置可以进一步包括基板110、绝缘层170以及反射层510。该发光装置可以包括第一至第四侧表面101、102、103、104。发光装置可以具有带有不同的纵向和横向长度的矩形形状，但不限于此。
根据该示例性实施例，该发光装置包括台面120m，该台面包括在平面视图上具有圆弧形形状的沟槽120g’。沟槽120g’比图1A中示出的沟槽120g从台面120m的侧表面凹陷得更多。因此，从延伸部分-接触部分153a至透明电极140的距离可大于在图1A至图9B中示出的发光装置的情形。因此，根据该示例性实施例的发光装置能有效地防止在延伸部分-接触部分153a附近可能发生的短路。此外，延伸部分-接触部分153a和第一导电型半导体层121之间的接触部分的宽度可大于在图1A至图9B中示出的发光装置的情形。
此外，从第二电极延伸部分163的远端163e至第一电极垫151的距离A2’可大于图1A至图9B中示出的发光装置的情形，并且从第二电极延伸部分163的远端163e至透明电极140的外周界(沿着第四侧表面104的周界)的距离A3’可小于图1A至图9B中示出的发光装置的情形。
也就是说，在该示例性实施例中，台面120m的沟槽120g’的形状和尺寸，以及第一和第二电极150、160的布置可根据发光装置的驱动电流变型，以进一步改进电流扩散效率。
图12是根据本发明的其它示例性实施例的发光装置的平面图。图12中示出的发光装置大体类似于参照图1A至图9B描述的发光装置。下文描述将聚焦在根据该示例性实施例的发光装置的不同特征上，并且将省略对相同部件的详细描述。
根据该示例性实施例的发光装置包括发光结构120、电流阻挡层130、透明电极140、第一电极150以及第二电极160。此外，发光装置可以进一步包括基板110、绝缘层170以及反射层510。该发光装置可以包括第一至第四侧表面101、102、103、104。发光装置可以具有带有不同的纵向和横向长度的矩形形状，但不限于此。
根据该示例性实施例，第一电极150设置在第一导电型半导体层121上。也就是说，第一电极150可邻近于台面120m的侧表面设置而非设置在台面120m上。绝缘层170可部分地插置于第一电极150和第一导电型半导体层121之间。此外，绝缘层170可包括两个或更多个开口170a，以露出第一导电型半导体层121的一部分。在该示例性实施例中，第一电极延伸部分第一电极延伸部分153包括第一延伸部分-接触部分153a和第二延伸部分-接触部分延伸部分-接触部分153b。第一延伸部分-接触部分153a可通过沿着台面120m的长边表面形成的开口170a接触第一导电型半导体层121。第二延伸部分-接触部分153b可邻近于第一电极垫151设置并且可与露出于台面120的侧表面的第一导电型半导体层121形成欧姆接触。在该示例性实施例中，第二延伸部分-接触部分153b可设置在台面120m的角部附近。于是，除了第一延伸部分-接触部分153a以外，第二延伸部分-接触部分153b形成为接触第一导电型半导体层121，由此进一步改进在第一电极垫151附近区域中的电流扩散。
图13是根据本发明的其它示例性实施例的发光装置封装的截面图。
参照图13，发光装置封装600包括发光装置100、电连接于发光装置100的第一引线631和第二引线633以及导线611、613。此外，发光装置封装600可进一步包括基部620和反射器623。
发光装置100可安装在基部620上，尤其是安装在第二引线633或第一引线631上。在该示例性实施例中，发光装置100可由沿着基部620的侧表面形成的反射器623围绕，并且反射器623具有倾斜表面来反射光，由此改进发光装置封装的照明效率。
发光装置100可以是参照图1A至图12描述的示例性实施例的发光装置的一个或者通过这些示例性实施例的变形获得的发光装置。如上所述，发光装置100的第二电极垫161具有非平坦的表面轮廓，并且具体地说包括对应于开口140a的凹陷部161g。第二电极垫161通过第二导线613电连接于第二引线633。
在该示例性实施例中，第二导线613可通过球形键合电连接于第二电极垫161。如图13中所示，在将第二导线613球形键合至第二电极垫161时，第二导线613能由形成在第二电极垫161的表面上的凹陷部161g稳固地结合于第二电极垫161。因此，可通过防止在发光装置的封装时发生导线接触故障且同时甚至在发光装置封装的制造之后防止由于内部/外部因素引起的导线断开来改进该发光装置的可靠性。
此外，该发光装置具有良好的电流扩散效率，由此甚至在较高的电流驱动状况下确保良好的效率。因此，包括该发光装置的发光装置封装也能用于较高的电流驱动应用。
虽然上文已描述了一些示例性实施例，但应理解的是，仅仅借助示例来给出这些实施例，并且能在不偏离本发明的精神和范围的情况下进行各种变型、修改以及替代。

Claims (16)

1.一种半导体发光元件，包括：
发光结构，包括第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层；
透明导电层，形成在所述第二导电型半导体层之上；
第一电极垫和第二电极垫，形成于所述发光结构上，且第一电极垫与第一导电型半导体层连接，第二电极垫与所述第二导电型半导体层连接；
第一电极延伸部和第二电极延伸部，第一电极延伸部和第二电极延伸部分别从所述第一电极垫和第二电极垫延伸，
其中，所述第一电极延伸部包括：
纵向延伸部，从所述第一电极垫沿所述发光结构的边缘沿纵向延伸；
横向延伸部，从所述纵向延伸部的末端沿所述发光结构的边缘沿横向延伸，
其中，所述横向延伸部包括多个延伸部-接触部分，使得所述横向延伸部与所述第一导电型半导体层接触，
其中，所述第二电极延伸部包括：
第一延伸部，与所述第一电极延伸部的横向延伸部相隔A1间距从所述第二电极垫延伸；
第二延伸部，从所述第一延伸部的末端朝远离所述第一电极延伸部的横向延伸部的方向延伸，其中，所述第一延伸部与所述发光结构的纵向的中心区域相隔A4间距，
其中，所述A1间距表示所述第二电极延伸部的第一延伸部与所述第一电极延伸部的横向延伸部之间的间距，
其中，所述A4间距表示所述第二电极延伸部的第一延伸部与所述发光结构的纵向中心区域之间的间距，
其中，所述A4间距小于所述A1间距。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极延伸部的第一延伸部与所述第一电极延伸部的横向延伸部平行地从所述第二电极垫延伸，所述第二延伸部具有预定的曲率半径。
3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极延伸部的第一延伸部与所述第一电极延伸部的横向延伸部之间的间距大于所述第二电极延伸部的第二延伸部的末端与所述第一电极垫之间的间距。
4.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极延伸部包括具有与所述第二电极延伸部的平均宽度不同的宽度的末端。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第一电极垫和第二电极垫跨过所述发光结构的纵向的中心线形成，
所述第一电极垫形成于所述发光结构的一侧，所述第二电极垫形成于所述发光结构的另一侧。
6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极延伸部的第二延伸部具有朝向与发光结构体的形成有所述第一电极延伸部的横向延伸部的边缘相对的边缘弯曲的形态。
7.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极延伸部的第一延伸部与所述第一电极延伸部的横向延伸部之间的间距大于所述第二电极延伸部的第一延伸部与发光结构体的形成有所述第一电极延伸部的横向延伸部的边缘相对的边缘之间的间距。
8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极延伸部的第二延伸部的末端至所述透明导电层的外廓的最短距离等于从所述第二电极垫的侧表面至所述透明导电层的外廓的最短距离。
9.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，还包括：绝缘层，形成在所述第一电极延伸部的横向延伸部的下部，
其中，所述绝缘层包括部分暴露所述第一导电型半导体层的开口部，
其中，所述多个延伸部-接触部分通过所述开口部与所述第一导电型半导体层欧姆接触。
10.根据权利要求9所述的半导体发光元件，其中，在所述第一电极垫下部形成有绝缘层。
11.根据权利要求1所述的半导体发光元件，还包括：
基底；
第一SiO2层，形成于所述基底的下部；
交替结构，在所述第一SiO2层的下部交替反复形成有TiO2层和SiO2层，
其中，所述发光结构形成于所述基底的上部。
12.根据权利要求1所述的半导体发光元件，还包括：垫-电流阻挡层，位于所述第二电极垫之下。
13.根据权利要求12所述的半导体发光元件，其中，所述透明导电层包括位于所述垫-电流阻挡层之上的第一开口部。
14.根据权利要求13所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极垫位于所述垫-电流阻挡层之上而填充所述第一开口部，并部分地覆盖位于所述垫-电流阻挡层上的透明导电层，
所述第二电极垫的上面具有与所述垫-电流阻挡层的上面和位于所述垫-电流阻挡层上的透明电极的上面轮廓对应的表面轮廓。
15.根据权利要求14所述的半导体发光元件，其中，所述垫-电流阻挡层还包括暴露所述第二导电型半导体层的第二开口部，
所述第二开口部位于所述第一开口部的区域之内，
所述第二电极垫通过所述第二开口部与所述第二导电型半导体层接触，
其中，所述第二电极垫的上面包括：
第一凹陷部，位于与所述第一开口部的位置对应的部分；
第二凹陷部，位于与所述第二开口部的位置对应的部分。
16.根据权利要求13所述的半导体发光元件，还包括：延伸部-电流阻挡层，位于所述第二电极延伸部之下。
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