CN102239576A - 半导体发光器件 - Google Patents
半导体发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102239576A CN102239576A CN2009801488452A CN200980148845A CN102239576A CN 102239576 A CN102239576 A CN 102239576A CN 2009801488452 A CN2009801488452 A CN 2009801488452A CN 200980148845 A CN200980148845 A CN 200980148845A CN 102239576 A CN102239576 A CN 102239576A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- electrode
- light emitting
- layer
- iii nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 117
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 16
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000000717 hydrazino group Chemical group [H]N([*])N([H])[H] 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种半导体发光器件，更具体地，涉及这样的半导体发光器件，其包括：多个半导体层，其包括具有第一传导性的第一半导体层、具有与第一传导性不同的第二传导性的第二半导体层、以及插入在第一半导体层和第二半导体层之间、并且通过电子和空穴的复合来发光的发光层；焊盘，其电连接到多个半导体层；第一电极，其在多个半导体层上延伸；以及第二电极，其从焊盘向第一电极延伸并使焊盘和第一电极相互电连接。
Description
技术领域
本公开总体涉及一种半导体发光器件，更具体地，涉及一种可防止与引线接合的焊盘脱离的半导体发光器件。
在本文中，半导体发光器件是指通过电子和空穴的复合来发光的半导体发光器件，其示例是III族氮化物半导体发光器件。III族氮化物半导体是由包括Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化合物制成的。另外，其他示例可以是基于砷化镓(GaAs)的用于红外发射的半导体发光器件。
背景技术
本部分提供涉及本公开的背景信息，其不一定是现有技术。
图1是例示常规的III族氮化物半导体发光器件的一个示例的图。III族氮化物半导体发光器件包括基板100、在基板100上生长的缓冲层200、在缓冲层200上生长的n型III族氮化物半导体层300、在n型III族氮化物半导体层300上生长的发光层(active layer)400、在发光层400上生长的p型III族氮化物半导体层500、在p型III族氮化物半导体层500上形成的p侧电极600、在p侧电极600上形成的p侧焊盘700、在通过对p型III族氮化物半导体层500和发光层400进行台面刻蚀而露出的n型III族氮化物半导体层300上形成的n侧电极800、以及保护膜900。
对于基板100，可以将GaN基板用作同质基板(homo-substrate)，并且可以将蓝宝石基板、SiC基板或Si基板用作异质基板(hetero-substrate)。然而，可以使用其上可以生长III族氮化物半导体层的任何类型的基板。在使用SiC基板的情况下，n侧电极800可以形成在SiC基板的侧面上。
在基板100上生长的III族氮化物半导体层通常通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)来生长。
缓冲层200用来克服异质基板100和III族氮化物半导体之间晶格常数热膨胀系数的差异。美国专利第5,122,845号描述了一种在380℃至800℃下、在蓝宝石基板上生长具有
至
厚度的AlN缓冲层的技术。另外，美国专利第5,290,393号描述了一种在200℃至900℃下、在蓝宝石基板上生长具有
至
厚度的Al(x)Ga(1-x)N(0≤x≤1)缓冲层的技术。此外，美国待审专利公开第2006/154454号提出了一种在600℃至990℃下生长SiC缓冲层(籽晶层)并且在其上生长In(x)Ga(1-x)N(0＜x≤1)的技术。优选地，无掺杂的GaN层的生长优先于n型III族氮化物半导体层300的生长。GaN层可被认为是缓冲层200的一部分或n型III族氮化物半导体层300的一部分。
在n型III族氮化物半导体层300中，至少n侧电极800区域(n型接触层)掺杂有掺杂物。优选地，n型接触层由GaN制成，并且掺杂有Si。美国专利第5,733,796号描述了一种通过调整Si与另外的原材料的混合比来以目标掺杂浓度对n型接触层进行掺杂的技术。
发光层400通过电子和空穴的复合来产生光量子(光)。通常，发光层400包括In(x)Ga(1-x)N(0＜x≤1)，并具有单个量子阱和多个量子阱。
p型III族氮化物半导体层500掺杂有例如Mg的适当的掺杂物，并且通过激活过程而具有p型传导性。美国专利第5,247,533号描述了一种通过电子束辐照来激活p型III族氮化物半导体层的技术。此外，美国专利第5,306,662号描述了一种通过在至少400℃进行退火而激活p型III族氮化物半导体层的技术。美国待审专利公开第2006/157714号提出了一种通过将氨与肼基原材料一起用作用于生长p型III族氮化物半导体层的氮前体、而无需激活过程使p型III族氮化物半导体层具有p型传导性的技术。
p侧电极600用于使电流易于供应至p型III族氮化物半导体层500。美国专利第5,563,422号描述了一种关于透光电极的技术，该透光电极由形成在p型III族氮化物半导体层500的几乎整个表面上并且与其欧姆接触的Ni和Au构成。另外，美国专利第6,515,306号描述了一种在p型III族氮化物半导体层上形成n型超晶格层、并且在其上形成由ITO制成的透光电极的技术。
同时，p侧电极600可以足够厚以至不透射光线而将光线反射向基板。该技术称为倒装芯片技术。美国专利第6,194,743号描述了一种关于电极结构的技术，该电极结构包括具有至少20nm的厚度的Ag层、覆盖Ag层的扩散阻挡层以及包含Au和Al并覆盖扩散阻挡层的接合层。
p侧焊盘700和n侧电极800用于供电和外部接线。美国专利第5,563,422号描述了一种使用Ti和Al形成n侧电极的技术。
保护膜900由SiO2制成，其可以省略。
同时，n型III族氮化物半导体层300或p型III族氮化物半导体层500可由单层或多层组成。最近，提出了一种通过激光或湿法刻蚀将基板100从III族氮化物半导体层上移除来制造垂直发光器件的技术。
然而，这种发光器件存在问题，即，当在p侧焊盘700上执行引线接合时，p侧焊盘700可能从发光器件上脱离。
图2是例示美国专利第5,563,422号中公开的III族氮化物半导体发光器件的一个示例的图。该专利公开了一种涉及发光器件的技术，通过将p侧焊盘510直接附着至p型III族氮化物半导体层310来防止当在p侧焊盘510上进行引线接合时p侧焊盘510从发光器件上脱离。发光器件包括基板110、形成在基板110上的n型III族氮化物半导体层210、形成在n型III族氮化物半导体层210上的p型III族氮化物半导体层310、形成在p型III族氮化物半导体层310上并具有开口部分412的p侧电极410、形成在通过刻蚀而露出的n型III族氮化物半导体层210上的n侧电极610、和形成在p侧电极410上并通过开口部分412与p型III族氮化物半导体层310相接触的p侧焊盘510。
然而，这种发光器件也存在问题，即，当在p侧焊盘510上进行引线接合时，由于p侧焊盘510(例如，如Cr和Au的金属)和p侧电极410(例如，如ITO的导电氧化膜)之间的附着性较差，p侧焊盘510可能从发光器件上脱离。
并且，为了确保p侧焊盘510和p侧电极410之间的电气接触，p侧焊盘510和p侧电极410必须在一定程度上相互重叠，这导致发光器件的发光效率的损失。
发明内容
技术问题
将在用于实现本发明的最佳方式的下面的部分中描述由本公开解决的问题。
技术方案
这部分提供本公开的总体概括，并且不是其全部范围或其所有特征的全面公开。
根据本公开的一个方面，一种半导体发光器件包括：多个半导体层，其包括具有第一传导性的第一半导体层、具有与第一传导性不同的第二传导性的第二半导体层、以及插入在第一半导体层和第二半导体层之间、并且通过电子和空穴的复合来发光的发光层；焊盘，其电连接到所述多个半导体层；第一电极，其在所述多个半导体层上延伸；以及第二电极，其从焊盘向第一电极延伸并将焊盘电连接到第一电极。
有益效果
根据本公开的半导体发光器件能够防止在引线接合时焊盘从发光器件上脱离。
另外，对于根据本公开的另一种半导体发光器件，焊盘可被牢固地附着，可以促进发光器件的电流供应。
附图说明
图1是例示常规的III族氮化物半导体发光器件的一个示例的图；
图2是例示美国专利第5,563,422号所公开的III族氮化物半导体发光器件的一个示例的图；
图3是例示根据本公开的III族氮化物半导体发光器件的一个示例的图；
图4是例示根据本公开的III族氮化物半导体发光器件的一个示例的截面图；
图5是例示根据本公开的III族氮化物半导体发光器件的制造方法的一个示例的图；并且
图6是根据本发明的III族氮化物半导体发光器件随着电流变化发光时的照片。
具体实施方式
现在将参照附图对本发明进行详细的描述。
图3和图4是例示根据本公开的III族氮化物半导体发光器件的一个示例的图，其中图4是沿着图3的线A-A’的截面图。发光器件包括基板10、在基板10上生长的缓冲层20、在缓冲层20上生长的n型III族氮化物半导体层30、在n型III族氮化物半导体层30生长的发光层40、在发光层40上生长的p型III族氮化物半导体层50、在通过刻蚀至少p型III族氮化物半导体层50和发光层40而露出的n型III族氮化物半导体层30上形成的n侧电极80、p侧焊盘70、p侧电极60和分支电极72和82。
p侧焊盘70形成在p型III族氮化物半导体层50上，将引线接合至p侧焊盘70来向发光器件供电。p侧焊盘70由这样一种材料制成，该材料对于p型III族氮化物半导体层50具有高附着力以持续地附着于其上，即使当在引线接合的过程中或其后被引线拉扯时，也是如此。例如，通过堆积Cr/Ni/Au来形成大约1.5μm的厚度的p侧焊盘70。
p侧电极60用于帮助向整个p型III族氮化物半导体层50供电，并形成在p型III族氮化物半导体层50上。p侧电极60可以由导电氧化物薄膜制成。p侧电极60具有开口部分65来防止p侧焊盘70由于p侧电极60和p侧焊盘70之间的附着力低而被外力从p型III族氮化物半导体层50上脱离，并因而与p侧焊盘70相分离。例如，p侧电极60可以由铟锡氧化物(ITO)制成并具有大约
的厚度。
分支电极72与p侧焊盘70和p侧电极60相接触。这样，通过分支电极72将供应给p侧焊盘70的电流供应至p侧电极60，使得到整个p型III族氮化物半导体层50的电流供应变得容易，同时在p侧焊盘70和p型III族氮化物半导体层50之间保持强的附着力。为此，分支电极72从p侧焊盘70在p侧电极60上延伸。例如，可以通过堆叠Cr/Ni/Au形成大约1.5μm的厚度的分支电极72。
下面，将描述根据本公开的III族氮化物半导体发光器件的制造方法的一个示例。
图5是例示根据本公开的III族氮化物半导体发光器件的制造方法的一个示例的图。
首先，在基板10上生长缓冲层20、n型III族氮化物半导体层30、发光层40、和p型III族氮化物半导体层50(见图5中(a))。
接下来，对p型III族氮化物半导体层50和发光层40进行蚀刻，以露出n型III族氮化物半导体层30，使得可在其上形成n侧电极80(见图5中(b))。
接着，可以由光刻完成具有开口部分65的p侧电极60的形成，即，在p型III族氮化物半导体层50上除了预期的p侧电极60的区域以外的区域形成光刻胶(photoresist)90(见图5中(b))，在p型III族氮化物半导体层50上沉积p侧电极60(见图5中(c))，并移除光刻胶90(见图5中(d))。可在用于露出n型III族氮化物半导体层30的刻蚀处理之前形成p侧电极60。
同时，为了形成具有开口部分65的p侧电极60，开口部分65可以这样形成，即，在p型III族氮化物半导体层50上形成p侧电极60，在p侧电极60上形成刻蚀掩膜(未图示)以露出开口部分65的预期的区域，并通过湿法刻蚀来移除由刻蚀掩膜(未图示)露出的p侧电极60。例如，如果p侧电极60由ITO制成，可以通过将p侧电极60在包含HCl的大约45℃的溶液中浸泡大约30秒来完成湿法刻蚀。
接着，将p侧焊盘70形成在由开口部分65露出的p型III族氮化物半导体层50上(见图5中(e))。同时，通过例如单独的处理来形成分支电极72。例如，可以通过电子束沉积来持续地堆叠Cr、Ni和Au层以形成大约1.5μm的厚度的p侧焊盘70。可以以与上述相同的方式来形成n侧电极80和分支电极82。
图6是根据本公开的III族氮化物半导体发光器件随着电流变化发光时的照片。可以看出，光从整个发光器件均匀地发出，这是因为在分支电极72(见图3)连接到p侧焊盘70(见图3)和p侧电极60(见图3)的配置中，电流平滑地扩散到p侧电极60(见图3)的缘故。
以下将描述本发明的各种实施方式。
(1)半导体发光器件包括具有开口部分的p侧电极，使得p侧焊盘和p侧电极可分离开。在这种结构下，可以防止p侧焊盘由于p侧焊盘和p侧电极之间的附着力低而在引线接合期间被外力从发光器件上脱离。应注意的是，p侧焊盘和p侧电极之间的局部重叠存在于从p侧焊盘延伸的分支电极形成区域。
(2)半导体发光器件包括从p侧焊盘延伸并与p侧电极相接触的分支电极。在这种结构下，可以将电流从p侧焊盘提供至p侧电极。
Claims (5)
1.一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：
多个半导体层，所述多个半导体层包括具有第一传导性的第一半导体层、具有与所述第一传导性不同的第二传导性的第二半导体层、以及插入在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间、并且通过电子和空穴的复合来发光的发光层；
焊盘，所述焊盘电连接到所述多个半导体层；
第一电极，所述第一电极在所述多个半导体层上延伸；以及
第二电极，所述第二电极从所述焊盘向所述第一电极延伸并将所述焊盘电连接到所述第一电极。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一电极与所述焊盘分离。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，所述半导体发光器件包括第三电极，所述第三电极形成在通过刻蚀至少所述第二半导体层和所述发光层而露出的所述第一半导体层上。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述焊盘形成在所述第二半导体层上，所述第一电极形成在所述第二半导体层上并与所述焊盘相分离；并且
其中，所述半导体发光器件包括：
第三电极，所述第三电极形成在在通过刻蚀至少所述第二半导体层和所述发光层而露出的所述第一半导体层上；以及
第四电极，所述第四电极从所述第三电极延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述发光器件是III族氮化物半导体发光器件。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080122470A KR101000276B1 (ko) | 2008-12-04 | 2008-12-04 | 반도체 발광소자 |
| KR10-2008-0122470 | 2008-12-04 | ||
| PCT/KR2009/007241 WO2010064872A2 (ko) | 2008-12-04 | 2009-12-04 | 반도체 발광소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102239576A true CN102239576A (zh) | 2011-11-09 |
Family
ID=42233756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009801488452A Pending CN102239576A (zh) | 2008-12-04 | 2009-12-04 | 半导体发光器件 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110233603A1 (zh) |
| JP (1) | JP2012511249A (zh) |
| KR (1) | KR101000276B1 (zh) |
| CN (1) | CN102239576A (zh) |
| WO (1) | WO2010064872A2 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108875598A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别组件及其制作方法、电子设备 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9324691B2 (en) * | 2009-10-20 | 2016-04-26 | Epistar Corporation | Optoelectronic device |
| KR101209163B1 (ko) * | 2011-04-19 | 2012-12-06 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
| JP5644669B2 (ja) * | 2011-05-19 | 2014-12-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| KR101978968B1 (ko) | 2012-08-14 | 2019-05-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 발광장치 |
| KR102647673B1 (ko) * | 2016-09-27 | 2024-03-14 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
| US10153401B2 (en) * | 2016-12-16 | 2018-12-11 | Intel Corporation | Passivated micro LED structures suitable for energy efficient displays |
| US20190189850A1 (en) * | 2017-12-19 | 2019-06-20 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100647018B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2006-11-23 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
| CN1953225A (zh) * | 2005-10-17 | 2007-04-25 | 三星电机株式会社 | 基于氮化物的半导体发光二极管 |
| CN101075656A (zh) * | 2006-05-16 | 2007-11-21 | 三星电机株式会社 | 氮化物基半导体发光二极管 |
| CN101315964A (zh) * | 2008-06-10 | 2008-12-03 | 武汉华灿光电有限公司 | 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3026087B2 (ja) * | 1989-03-01 | 2000-03-27 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 |
| EP0444630B1 (en) * | 1990-02-28 | 1997-05-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| JP3160914B2 (ja) * | 1990-12-26 | 2001-04-25 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード |
| US5290393A (en) * | 1991-01-31 | 1994-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo K.K. | Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor |
| US5306662A (en) * | 1991-11-08 | 1994-04-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Method of manufacturing P-type compound semiconductor |
| DE69433926T2 (de) * | 1993-04-28 | 2005-07-21 | Nichia Corp., Anan | Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung |
| KR100225612B1 (en) * | 1993-04-28 | 1999-10-15 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Gallium nitride-based iii-v group compound semiconductor |
| DE69839300T2 (de) * | 1997-12-15 | 2009-04-16 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose | Licht-emittierende Vorrichtung |
| TW488088B (en) * | 2001-01-19 | 2002-05-21 | South Epitaxy Corp | Light emitting diode structure |
| JP4547933B2 (ja) | 2003-02-19 | 2010-09-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| WO2005008795A1 (en) * | 2003-07-18 | 2005-01-27 | Epivalley Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device |
| KR100448352B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2004-09-10 | 삼성전기주식회사 | ＧａＮ 기반 질화막의 형성방법 |
| KR100616693B1 (ko) * | 2005-08-09 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
| WO2008038842A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having extensions of electrodes for current spreading |
| JP2008218440A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-09-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | ＧａＮ系ＬＥＤ素子および発光装置 |
-
2008
- 2008-12-04 KR KR1020080122470A patent/KR101000276B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-12-04 CN CN2009801488452A patent/CN102239576A/zh active Pending
- 2009-12-04 WO PCT/KR2009/007241 patent/WO2010064872A2/ko active Application Filing
- 2009-12-04 US US13/132,854 patent/US20110233603A1/en not_active Abandoned
- 2009-12-04 JP JP2011539452A patent/JP2012511249A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100647018B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2006-11-23 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
| CN1953225A (zh) * | 2005-10-17 | 2007-04-25 | 三星电机株式会社 | 基于氮化物的半导体发光二极管 |
| CN101075656A (zh) * | 2006-05-16 | 2007-11-21 | 三星电机株式会社 | 氮化物基半导体发光二极管 |
| CN101315964A (zh) * | 2008-06-10 | 2008-12-03 | 武汉华灿光电有限公司 | 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108875598A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别组件及其制作方法、电子设备 |
| US10789446B2 (en) | 2018-05-30 | 2020-09-29 | Beijing Boe Technology Co., Ltd. | Device for fingerprint recognition, manufacturing method therefor, and electronic apparatus |
| CN108875598B (zh) * | 2018-05-30 | 2021-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别组件及其制作方法、电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101000276B1 (ko) | 2010-12-10 |
| KR20100064052A (ko) | 2010-06-14 |
| JP2012511249A (ja) | 2012-05-17 |
| WO2010064872A3 (ko) | 2010-08-26 |
| US20110233603A1 (en) | 2011-09-29 |
| WO2010064872A2 (ko) | 2010-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101582474B (zh) | 半导体发光器件 | |
| CN102239576A (zh) | 半导体发光器件 | |
| CN102067334A (zh) | 半导体发光器件 | |
| US20100140656A1 (en) | Semiconductor Light-Emitting Device | |
| WO2009096647A1 (en) | Iii-nitride semiconductor light emitting device | |
| CN101478021B (zh) | Ⅲ族氮化物半导体发光器件 | |
| US8101965B2 (en) | III-nitride semiconductor light emitting device having a multilayered pad | |
| WO2011087310A2 (ko) | 3족 질화물 반도체 발광소자 | |
| CN102239577A (zh) | 半导体发光器件 | |
| KR20090073949A (ko) | 3족 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법 | |
| US20100289036A1 (en) | Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same | |
| KR100960280B1 (ko) | 3족 질화물 반도체 발광소자 | |
| KR101552671B1 (ko) | 고휘도 질화물 발광소자 제조 방법 | |
| KR101197686B1 (ko) | 3족 질화물 반도체 발광소자 | |
| KR101062754B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
| CN102782884A (zh) | Iii族氮化物半导体发光器件 | |
| KR101084641B1 (ko) | 3족 질화물 반도체 발광소자 | |
| US20100102338A1 (en) | III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device | |
| WO2011081484A2 (ko) | 3족 질화물 반도체 발광소자 | |
| KR101681573B1 (ko) | 발광소자의 제조방법 | |
| KR100983831B1 (ko) | Ⅲ-질화물 반도체 발광소자 | |
| KR20090131351A (ko) | 반도체 발광소자 | |
| KR20110040350A (ko) | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20111109 |