KR20120052656A - 3족 질화물 반도체 발광소자 - Google Patents
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Abstract
개시되는 3족 질화물 반도체 발광소자는, p형 전도성을 가지는 p형 반도체층; 상기 p형 반도체층에 전기적으로 접속되는 p측 본딩 패드; n형 전도성을 가지는 n형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속되는 n측 전극;을 포함하며, 상기 p측 본딩 패드와 상기 n측 전극 중 적어도 하나는, 최하면으로서 Al과 Ag를 포함하는 반사층을 가지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 개시는, 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 3족 질화물 반도체 발광소자의 전극 구조에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background informaton related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 발광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다.
3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(300), n형 3족 질화물 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(500), p형 3족 질화물 반도체층(500) 위에 형성되는 p측 전극(600), p측 전극(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700), p형 3족 질화물 반도체층(500)과 활성층(400)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 전극(800), 그리고 보호막(900)을 포함한다.
기판(100)은 동종기판으로 GaN계 기판이 이용되며, 이종기판으로 사파이어 기판, SiC 기판 또는 Si 기판 등이 이용되지만, 3족 질화물 반도체층이 성장될 수 있는 기판이라면 어떠한 형태이어도 좋다. SiC 기판이 사용될 경우에 n측 전극(800)은 SiC 기판 측에 형성될 수 있다.
기판(100) 위에 성장되는 3족 질화물 반도체층들은 주로 MOCVD(유기금속기상성장법)에 의해 성장된다.
버퍼층(200)은 이종기판(100)과 3족 질화물 반도체 사이의 격자상수 및 열팽창계수의 차이를 극복하기 위한 것이며, 미국특허 제5,122,845호에는 사파이어 기판 위에 380℃에서 800℃의 온도에서 100Å에서 500Å의 두께를 가지는 AlN 버퍼층을 성장시키는 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제5,290,393호에는 사파이어 기판 위에 200℃에서 900℃의 온도에서 10Å에서 5000Å의 두께를 가지는 Al(x)Ga(1-x)N (0≤x<1) 버퍼층을 성장시키는 기술이 기재되어 있고, 미국공개특허공보 제2006/154454호에는 600℃에서 990℃의 온도에서 SiC 버퍼층(씨앗층)을 성장시킨 다음 그 위에 In(x)Ga(1-x)N (0<x≤1) 층을 성장시키는 기술이 기재되어 있다. 바람직하게는 n형 3족 질화물 반도체층(300)의 성장에 앞서 도핑되지 않는 GaN층이 성장되며, 이는 버퍼층(200)의 일부로 보아도 좋고, n형 3족 질화물 반도체층(300)의 일부로 보아도 좋다.
n형 3족 질화물 반도체층(300)은 적어도 n측 전극(800)이 형성된 영역(n형 컨택층)이 불순물로 도핑되며, n형 컨택층은 바람직하게는 GaN로 이루어지고, Si으로 도핑된다.
미국특허 제5,733,796호에는 Si과 다른 소스 물질의 혼합비를 조절함으로써 원하는 도핑농도로 n형 컨택층을 도핑하는 기술이 기재되어 있다.
활성층(400)은 전자와 정공의 재결합을 통해 광자(빛)를 생성하는 층으로서, 주로 In(x)Ga(1-x)N (0<x≤1)로 이루어지고, 하나의 양자우물층(single quantum well)이나 복수개의 양자우물층들(multi quantum wells)로 구성된다.
p형 3족 질화물 반도체층(500)은 Mg과 같은 적절한 불순물을 이용해 도핑되며, 활성화(activation) 공정을 거쳐 p형 전도성을 가진다.
미국특허 제5,247,533호에는 전자빔 조사에 의해 p형 3족 질화물 반도체층을 활성화시키는 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제5,306,662호에는 400℃ 이상의 온도에서 열처리(annealing)함으로써 p형 3족 질화물 반도체층을 활성화시키는 기술이 기재되어 있고, 미국공개특허공보 제2006/157714호에는 p형 3족 질화물 반도체층 성장의 질소전구체로서 암모니아와 하이드라진계 소스 물질을 함께 사용함으로써 활성화 공정 없이 p형 3족 질화물 반도체층이 p형 전도성을 가지게 하는 기술이 기재되어 있다.
p측 전극(600)은 p형 3족 질화물 반도체층(500) 전체로 전류가 잘 공급되도록 하기 위해 구비되는 것이며, 미국특허 제5,563,422호에는 p형 3족 질화물 반도체층의 거의 전면에 걸쳐서 형성되며 p형 3족 질화물 반도체층(500)과 오믹접촉하고 Ni과 Au로 이루어진 투광성 전극(light-transmitting electrode)에 관한 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제6,515,306호에는 p형 3족 질화물 반도체층 위에 n형 초격자층을 형성한 다음 그 위에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 투광성 전극을 형성한 기술이 기재되어 있다.
한편, p측 전극(600)이 빛을 투과시키지 못하도록, 즉 빛을 기판 측으로 반사하도록 두꺼운 두께를 가지게 형성할 수 있는데, 이러한 기술을 플립칩(flip chip) 기술이라 한다. 미국특허 제6,194,743호에는 20nm 이상의 두께를 가지는 Ag층, Ag 층을 덮는 확산 방지층, 그리고 확산 방지층을 덮는 Au와 Al으로 이루어진 본딩 층을 포함하는 전극 구조에 관한 기술이 기재되어 있다.
p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)은 전류의 공급과 외부로의 와이어 본딩을 위한 것이며, 미국특허 제5,563,422호에는 n측 전극을 Ti과 Al으로 구성한 기술이 기재되어 있다.
또한, p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)이 Cr, Ni, Au, Cr 및 Au의 순으로 적층되어 구성되는 예가 있다. 그러나, 이 경우 3족 질화물 반도체층 표면과의 접착성은 우수하나, 반사도가 낮아(대부분, 50% 이하) 활성층(400)에서 생성된 빛을 흡수하는 문제가 발생되며, 그 결과로 3족 질화물 반도체 발광소자의 광추출 효율을 떨어뜨리는 문제가 있다. 따라서, 이에 대한 해결이 요구된다.
한편, 보호막(900)은 이산화규소와 같은 물질로 형성되며, 생략될 수도 있다.
또한, n형 3족 질화물 반도체층(300)이나 p형 3족 질화물 반도체층(500)은 단일의 층이나 복수개의 층으로 구성될 수 있으며, 최근에는 레이저 또는 습식 식각을 통해 기판(100)을 3족 질화물 반도체층들로부터 분리하여 수직형 LED를 제조하는 기술이 도입되고 있다.
본 개시는, 3족 질화물 반도체 발광소자의 p측 본딩 패드 또는 n측 전극에 의해 빛이 흡수되는 문제를 개선하여 광추출 효율을 향상시키는 것을 일 목적으로 한다.
상기한 과제의 해결을 위해, 본 개시의 일 태양에 따르면, p형 전도성을 가지는 p형 반도체층; 상기 p형 반도체층에 전기적으로 접속되는 p측 본딩 패드; n형 전도성을 가지는 n형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속되는 n측 전극;을 포함하며, 상기 p측 본딩 패드와 상기 n측 전극 중 적어도 하나는, 최하면으로서 Al과 Ag를 포함하는 반사층을 가지는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자가 제공된다.
또한, 본 개시의 다른 일 태양에 따르면, p형 전도성을 가지는 p형 반도체층; 상기 p형 반도체층에 전기적으로 접속되는 p측 본딩 패드; n형 전도성을 가지는 n형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속되는 n측 전극;을 포함하며, 상기 p측 본딩 패드와 상기 n측 전극 중 적어도 하나는, Cr, Ni 및 Ti 중 적어도 하나와 Ag를 포함하는 반사층;으로서, 상기 p형 반도체층 또는 n형 반도체층 위에 구비되며 Cr, Ni 및 Ti 중 적어도 하나를 포함하는 접착 강화층; 및 상기 접착 강화층 위에 구비되며 Ag를 포함하는 반사 강화층;을 포함하는 반사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자가 제공된다.
본 개시에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예에 의하면, 활성층에서 생성된 빛이 외부로 방출되는 과정에서 p측 본딩 패드 또는 n측 전극에 의해 흡수 소멸되는 것이 방지되므로, 휘도가 향상되는 이점을 가지게 된다.
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 본 개시에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 보인 도면,
도 3은 본 예에 따른 p측 본딩 패드와 n측 전극을 보인 도면,
도 4는 도 3에서 접착 강화층의 변형예를 보인 도면,
도 5는 도 3에서 p형 본딩 패드의 변형예를 보인 도면,
도 6은 본 예에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 휘도를 측정한 결과를 보인 도면, 및
도 7은 본 개시의 다른 일 예에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 p측 본딩 패드를 보인 도면이다.
도 2는 본 개시에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 보인 도면,
도 3은 본 예에 따른 p측 본딩 패드와 n측 전극을 보인 도면,
도 4는 도 3에서 접착 강화층의 변형예를 보인 도면,
도 5는 도 3에서 p형 본딩 패드의 변형예를 보인 도면,
도 6은 본 예에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 휘도를 측정한 결과를 보인 도면, 및
도 7은 본 개시의 다른 일 예에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 p측 본딩 패드를 보인 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 일 실시예에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자에 대해 자세히 설명한다.
도 2는 본 개시에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 보인 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 예에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자(10)는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 발광소자로서, Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다.
여기서는, 3족 질화물 반도체 발광소자에 대해 설명하나, 이 외에, 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자, 녹색 발광에 사용되는 GaP계 반도체 발광소자에도 적용될 수 있음은 물론이다.
본 예에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자(10)는 배경기술로서 상술한 일반적인 3족 질화물 반도체 발광소자와 같이, 기판(11), 기판(11) 위에 성장되는 버퍼층(12), 버퍼층(12) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(13), n형 3족 질화물 반도체층(13) 위에 성장되는 활성층(14), 활성층(14) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(15), p형 3족 질화물 반도체층(15) 위에 형성되는 p측 전극(16), p측 전극(16) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(17), p형 3족 질화물 반도체층(15)과 활성층(14)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(13) 위에 형성되는 n측 전극(18)을 포함한다.
한편, 보호막(19)의 경우는 선택적으로 구비될 수 있을 것이다.
도 3은 본 예에 따른 p측 본딩 패드와 n측 전극을 보인 도면, 도 4는 도 3에서 접착 강화층의 변형예를 보인 도면, 도 5는 도 3에서 p형 본딩 패드의 변형예를 보인 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 예에 있어서, p측 본딩 패드(17)는 p형 3족 질화물 반도체층(15)에 전기적으로 접속되며, n측 전극(18)은 n형 3족 질화물 반도체층(13)에 전기적으로 접속된다는 점을 제외하면, p측 본딩 패드(17)와 n측 전극(18)은 그 구성의 차이가 없으므로, p측 본딩 패드(17)에 대한 설명으로 n측 전극(18)의 설명을 갈음한다.
p측 본딩 패드(17)는, 반사층(17a), 전극층(17b), 본딩층(17c)을 포함한다.
반사층(17a)은 p측 본딩 패드(17)가 p형 3족 질화물 반도체층(15)에 접착되는 최하단부에 구비되며, 활성층(14)에서 생성된 빛이 외부로 빠져나오는 과정에서 p측 본딩 패드(17)의 하면으로 입사되는 빛을 반사시키는 기능을 한다.
또한, 반사층(17a)은 p측 본딩 패드(17)와 p형 3족 질화물 반도체층(15)의 접합을 유지시키는 기능을 한다.
이를 위해, 반사층(17a)은 p측 본딩 패드(17)와 p형 3족 질화물 반도체층(15)의 접합을 유지시키는 접착 강화층(17aa)과 활성층(14)에서 입사되는 빛의 반사율을 향상시키는 반사 강화층(17ab)을 포함한다.
반사 강화층(17ab)은 Ag 또는 Ag와 Pd로 형성된 합금 중 적어도 어느 하나의 물질로 구비되는 것이 바람직하다.
Ag의 경우 종래 p측 본딩 패드를 구성하는 Cr, Ni, Ti 등과 비교해 반사율이 현저하게 크므로, 활성층(14)에서 생성된 빛이 p측 본딩 패드(17)에 의해 흡수 소멸되는 문제를 방지할 수 있다.
그러나, Ag의 경우 p형 3족 질화물 반도체층(15)과의 접착력이 Cr, Ni, Ti 등에 비해 떨어지므로, 이를 보완하기 위해, 접착 강화층(17aa)이 구비된다.
접착 강화층(17aa)은 Al로 구비되는 것이 바람직하다.
접착 강화층(17aa)은 빛이 투과할 수 있는 두께로 구비되는 것이 바람직하다. 이에 의해, Ag보다 반사율이 떨어지는 Al에 의해 빛이 흡수 소멸되는 것을 방지하기 위함이다.
또한, 접착 강화층(17aa)의 두께는 50A 이하로 구비되는 것이 바람직하다.
구체적으로, 도 4를 참조하면, 접착 강화층(17aa)이 50A 이하의 두께로 형성되는 경우 Al이 섬형상(island-like)으로 형성된다.
이에 의해, Al로 형성된 섬 사이의 공간으로 Ag가 침투되어 p형 3족 질화물 반도체층(15)에 접촉되므로, Al에 의해 떨어지는 반사율을 보완할 수 있게 된다.
여기서, 접착 강화층(17aa)의 두께는 섬형상으로 형성되기 위해 필요한 두께로 적절하게 조절될 수 있을 것이다.
한편, 반사 강화층(17ab)은 반사율이 최적화되는 두께로 구비되는 것이 바람직하다. 반사 강화층(17ab)이 너무 얇은 경우 빛의 투과 등으로 인해 반사율이 떨어져 본 개시에 따른 휘도 향상의 효과가 저해되기 때문이다.
한편, 도 5를 참조하면, 본 예에 있어서, p측 본딩 패드(17)와 p형 3족 질화물 반도체층(15) 사이에는 투광성 전극으로 p측 전극(16)이 개재될 수 있다.
이 경우, 반사층(17a)은 p측 전극(16)에 접착되게 된다.
p측 전극(16)은 Ni, Au로 구비되거나, ITO로 구비될 수 있을 것이다.
다음으로, 전극층(17b)은 반사층(17a)으로부터 Ni, Au, Cr의 순으로, 또는 Cr, Au, Ni의 순으로 적층되어 형성되는 것이 바람직하다.
여기서, Ni 또는 Cr은 Ag가 확산되는 것을 방지하게 되며, Ni과 Cr 사이에 구비되는 Au은 Ni과 Cr이 인접하게 형성되는 경우 서로 섞이는(mixing) 문제를 방지하기 위함이다.
다음으로, 본딩층(17c)은 외부 전원과 연결되는 와이어가 본딩되는 부분으로 와이어와 같은 재질인 Au으로 구비되는 것이 바람직하다.
마지막으로, p측 본딩 패드(17)와 n측 전극(18)에 대한 열처리를 요한다.
여기서, 열처리는 접착 강화층(17aa)을 구성하는 Al과 반사 강화층(17ab)을 구성하는 Ag의 공융점(eutectic point) 보다 낮은 온도에서 행해지는 것이 바람직하다.
즉, 455℃ 이하의 온도에서 열처리를 하는 것이 바람직하다.
Al과 Ag의 공융점보다 큰 경우, 전기적 특성과 광학적 특성이 저하되기 때문이다.
구체적으로, 본 예에서, 접착 강화층(17aa)이 Al, 반사 강화층(17ab)이 Ag로 구성되는 경우 400℃ 에서 열처리하는 것이 바람직하며, 접착 강화층(17aa)이 Al, 반사 강화층(17ab)이 Ag과 Pd의 합금으로 구성되는 경우 350℃ 에서 열처리하는 것이 바람직하다.
도 6은 본 예에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 휘도를 측정한 결과를 보인 도면이다.
여기서, 칩 사이즈는 A,B,C순으로 큰 것이며, 비교예는 Cr, Ni, Au, Cr 및 Au의 순으로 적층된 p측 본딩 패드 및 n측 전극을 가지는 3족 질화물 반도체 발광소자의 휘도를 측정한 것이며, 실시예 1은 반사층(17a)으로 Al로 구성되며 50A 두께의 접착 강화층(17aa), Ag로 구성되며 1200A 두께의 반사 강화층(17ab), Ni, Au, Cr 순으로 구성되며, 100A, 100A, 800A 순의 두께의 전극층(17b), Au으로 구성되며 1.2um 두께의 본딩층(17c)으로 구성된 3족 질화물 반도체 발광소자의 휘도를 측정한 것이다.
또한, 실시예 2는 반사 강화층(17ab)이 Ag와 Pd의 합금(Pd 함량 1%)으로 구성된 것을 제외하면, 실시예 1과 동일한 구성의 3족 질화물 반도체 발광소자의 휘도를 측정한 것이다.
또한, p측 본딩 패드(17) 및 n측 전극은 E-beam Evaporator 공정에 의해 형성될 수 있으며, 이 밖에 Sputter 공정에 의해서도 형성될 수 있다.
결과를 살펴보면, 칩 크기에 따라 정도의 차이는 있으나, 전체적으로 휘도가 향상되고 있음을 알 수 있다.
다음으로, p측 본딩 패드(17) 또는 n측 전극(18)의 또 다른 변형예를 설명한다.
도 7은 본 개시의 다른 일 예에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 p측 본딩 패드를 보인 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 예에 따른 p측 본딩 패드(27)는 접착 강화층(27aa)과 반사 강화층(27ab)을 가지는 반사층(27a)이 구비되는 점, 본딩층(27c)이 Au으로 구비되는 점에서 앞선 예와 같으나, 전극층(27b)이 Ni 또는 Cr으로 구비되는 점에서 차이가 있다.
이에 의해, 공정이 단순화되는 이점을 가지며, 재료 소모가 줄어들게 되므로 원가가 절감되는 이점을 가지게 된다.
한편, 본 개시에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 접착 강화층(17aa)은 Al을 대신하여, Cr, Ni 및 Ti 중 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
다만, 접착 강화층(17aa)은 섬형상으로 형성될 수 있는 두께로 구비되는 것이 바람직하다. 앞서 설명한 바와 같이, Ag의 우수한 반사율을 이용하기 위함이다.
여기서, 접착 강화층(17aa)은 Al을 더 포함하여 형성될 수도 있다.
p측 본딩 패드 : 17, 27
n측 전극 : 18
반사층 : 17a, 18a, 27a
접착 강화층 : 17aa, 18aa, 27aa
반사 강화층 : 17ab, 18ab, 27aa
전극층 : 17b, 18b, 27b
본딩층 : 17c, 18c, 27c
n측 전극 : 18
반사층 : 17a, 18a, 27a
접착 강화층 : 17aa, 18aa, 27aa
반사 강화층 : 17ab, 18ab, 27aa
전극층 : 17b, 18b, 27b
본딩층 : 17c, 18c, 27c
Claims (15)
- p형 전도성을 가지는 p형 반도체층;
상기 p형 반도체층에 전기적으로 접속되는 p측 본딩 패드;
n형 전도성을 가지는 n형 반도체층; 및
상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속되는 n측 전극;을 포함하며,
상기 p측 본딩 패드와 상기 n측 전극 중 적어도 하나는, 최하면으로서 Al과 Ag를 포함하는 반사층을 가지는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
상기 반사층은,
상기 p형 반도체층 또는 n형 반도체층 위에 구비되며 Al을 포함하는 접착 강화층; 및
상기 접착 강화층 위에 구비되며 Ag를 포함하는 반사 강화층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 2에 있어서,
상기 반사 강화층은 Ag와 Pd의 합금을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 접착 강화층은 섬형상(island-like)으로 구비되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 반사 강화층 위에 구비되며, Ag의 확산을 방지하는 Cr 및 Ni 중 적어도 하나를 포함하는 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 5에 있어서,
상기 전극층은, 반사층으로부터 Ni, Au, Cr 순으로 적층되어 구비되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 5에 있어서,
상기 전극층 위에 구비되는 Au으로 구비되는 본딩층을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 접착 강화층은 Cr, Ni, Ti 중 적어도 하나를 더 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 8에 있어서,
상기 접착 강화층은 섬형상(island-like)으로 구비되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - p형 전도성을 가지는 p형 반도체층;
상기 p형 반도체층에 전기적으로 접속되는 p측 본딩 패드;
n형 전도성을 가지는 n형 반도체층; 및
상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속되는 n측 전극;을 포함하며,
상기 p측 본딩 패드와 상기 n측 전극 중 적어도 하나는, Cr, Ni 및 Ti 중 적어도 하나와 Ag를 포함하는 반사층;으로서,
상기 p형 반도체층 또는 n형 반도체층 위에 구비되며 Cr, Ni 및 Ti 중 적어도 하나를 포함하는 접착 강화층; 및
상기 접착 강화층 위에 구비되며 Ag를 포함하는 반사 강화층;을 포함하는 반사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 10에 있어서,
상기 접착 강화층은 섬형상(island-like)으로 구비되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 6에 있어서,
상기 p측 본딩 패드와 상기 p형 반도체층 사이에 개재되며, 양자를 전기적으로 접속시키는 투광성 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 6에 있어서,
상기 p형 반도체층 위에 구비되는 투광성 전극;을 더 포함하며,
상기 p측 본딩 패드는 상기 투광성 전극을 관통하여 상기 p형 반도체층에 접착되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
상기 반사층은 Al 및 Ag의 공융점(eutectic point, 共融點) 보다 낮은 온도에서 열처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자. - 청구항 8에 있어서,
상기 반사층은 Cr, Ni 및 Ti 중 적어도 하나와 Ag의 공융점(eutectic point, 共融點) 보다 낮은 온도에서 열처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자.
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