CN112968085A - 一种外延片的制作方法、芯片的制作方法及芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种外延片的制作方法、芯片的制作方法及芯片，所述外延片的制作方法包括如下步骤：在基底上依次生长N型氮化镓层、多量子阱有源层和第一P型氮化镓层，获得氮化镓基外延片；在所述氮化镓基外延片上生长第一P型氮化镓层的一侧生长耐高温膜层；将所述耐高温膜层选择性刻蚀，获得图案化的氮化镓基外延片；在所述图案化的氮化镓基外延片上生长第二P型氮化镓层；将所述耐高温膜层去除，得到表面粗化的外延片。通过在第一P型氮化镓层上再生长出一层第二P型氮化镓层，使外延片的表面粗化，提高基于外延片的芯片的出光效率，增加亮度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种外延片的制作方法、芯片的制作方法及芯片。
背景技术
发光二极管作为一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛，如照明、平板显示、医疗器件等。由于其具有节能、环保，寿命长等优点，更是被使用在显示设备上，现有的发光二极管芯片主要包括由N型氮化镓(N-GaN)层、发光层以及P型氮化镓(P-GaN)层组成的外延层，然后在P-GaN层成形透明导电层，最后分别在N-GaN层和P-GaN层依次制作成形N型电极和P型电极。
但是，由于氮化镓的折射率与空气的折射率相差较大，所以发光二极管的外延层的逃逸界面上存在较大的光全反射，使得发光二极管芯片的光提取受到非常大的限制。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种外延片的制作方法、芯片的制作方法及芯片，旨在减少发光二极管芯片的外延层上的光全反射，提高光提取效率。
本发明的技术方案如下：
一种外延片的制作方法，其中，所述方法包括如下步骤：在基底上依次生长N型氮化镓层、多量子阱有源层和第一P型氮化镓层，获得氮化镓基外延片；在所述氮化镓基外延片上生长第一P型氮化镓层的一侧生长耐高温膜层；将所述耐高温膜层选择性刻蚀，获得图案化的氮化镓基外延片；在所述图案化的氮化镓基外延片上生长第二P型氮化镓层；将所述耐高温膜层去除，得到表面粗化的外延片。
所述的外延片的制作方法，其中，所述步骤将所述耐高温膜层选择性刻蚀，获得图案化的氮化镓基外延片，具体包括：将生长了耐高温膜层的所述氮化镓基外延片进行湿法刻蚀或者光刻法刻蚀，获得图案化的氮化镓基外延片。
所述的外延片的制作方法，其中，所述步骤将所述耐高温膜层去除，得到表面粗化的氮化镓基外延片，具体包括：将生长了第二P型氮化镓层的图案化的氮化镓基外延片置于缓冲氧化物刻蚀液中冲洗，去除耐高温膜层，获得表面粗化的氮化镓基外延片。
所述的外延片的制作方法，其中，所述耐高温膜层为二氧化硅膜层或氮化硅膜层。
所述的外延片的制作方法，其中，所述耐高温膜层的厚度大小为500-10000埃。
所述的外延片的制作方法，其中，所述基底为蓝宝石衬底。
本发明还公开了一种芯片的制作方法，其中，提供一如上任一所述的外延片；所述方法包括如下步骤：在所述外延片上生长所述第二P型氮化镓层的一侧沉积平坦层；将所述平坦层抛光；在抛光后的所述平坦层背离所述第二P型氮化镓层的一侧生长反光膜层，获得反光的氮化镓基外延片；在所述反光的氮化镓基外延片上沉积电极，制成芯片。
所述的芯片的制作方法，其中，所述平坦层为二氧化硅层。
所述的芯片的制作方法，其中，所述反光膜层包括铝金属层、银金属层、分布式布拉格反射镜中的一种或多种。
本发明还公开了一种芯片，其中，所述芯片采用如上任一所述的芯片的制作方法制备。
与现有技术相比，本发明实施例具有以下优点：
本发明中制成外延片时在第一P型氮化镓层上多设置了一层第二P型氮化镓，导致原本平整的第一P型氮化镓层表面粗化，逃逸界面不再是平整的，使多量子阱有源层发出的光线在经过氮化镓材料时在逃逸界面上的入射角角度改变，减少光线全反射，进而增加光线传播到空气中的几率，即增加光提取率，应用在芯片上时，增大发光二极管芯片的亮度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明中外延片的制作方法的流程图；
图2为本发明中外延片的制作方法的中间过程示意图；
图3为本发明一实施例中外延片的结构示意图；
图4为本发明一实施例中芯片的结构示意图；
图5为本发明中芯片的制作方法的流程图；
图6为本发明中芯片的制作方法的中间过程示意图。
其中，1、基底；2、N型氮化镓层；3、多量子阱有源层；4、第一P型氮化镓层；5、耐高温膜层；6、第二P型氮化镓层；7、电极；8、平坦层；9、反光膜层。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
发个二极管(Light Emitting Diode，LED)作为现有的节能环保、寿命长的发光件，广泛应用在现今的显示面板行业中。LED芯片的结构通常包括衬底N型半导体层、发光层以及P型半导体层等外延层，而制成芯片时往往也是先在衬底上制作外延片，然后在外延片上制作电极形成芯片。目前常用的氮化镓基外延片主要异质外延生长在蓝宝石、硅、碳化硅等衬底上，由于氮化镓材料的物理特性，其折射率与空气的折射率存在较大差别，所以当LED芯片发光时，光线通过氮化镓材料与空气接触的界面时容易发生全反射，造成射出LED芯片的光强度不足，LED芯片的光提取受到非常大的限制。
现有的提高LED芯片光提取效率的技术集中在P型氮化镓表面粗化、氧化铟锡透明导电层表面粗化、蓝宝石衬底背面粗化、氮化镓外延层的侧面粗化等，但这些方法有工艺复杂、制造困难或会影响激光划片等问题。
参阅图1和图2，本申请的一实施例公开了一种外延片的制作方法，其中，所述方法包括如下步骤：
S100、如图2中(a)图所示，在基底1上依次生长N型氮化镓层2、多量子阱有源层3和第一P型氮化镓层4，获得氮化镓基外延片；
S101、如图2中(b)图所示，在所述氮化镓基外延片上生长第一P型氮化镓层4的一侧生长耐高温膜层5；
S102、将所述耐高温膜层5选择性刻蚀，获得图案化的氮化镓基外延片；
S103、如图2中(c)图所示，在所述图案化的氮化镓基外延片上生长第二P型氮化镓层6；
S104、如图2中(d)图所示，将所述耐高温膜层5去除，得到表面粗化的外延片。
本发明中制成外延片时在第一P型氮化镓层4上多设置了一层第二P型氮化镓，导致原本平整的第一P型氮化镓层4表面粗化，光线经过第一P型氮化镓层4进入第二P型氮化镓层6没有阻碍，直射方向不变，等到光线照射到第二P型氮化镓层6的逃逸界面时，其出射角度与在第一P型氮化镓层4的出射角度就不一样了，不容易发生全反射；也就是说，设置第二P型氮化镓层6使得外延片上的逃逸界面不再是平整的，使多量子阱有源层3发出的光线在经过氮化镓材料时在逃逸界面上的光线全反射发生的情况减少，进而增加光线传播到空气中的几率，即增加光提取率，应用在芯片上时，增大芯片的亮度。而且，本实施例公开的制作方法只需要在生长第一P型氮化镓层4之后再生长第二P型氮化镓层6，不会损伤到外延片原本的N型氮化镓层2或多量子阱有源层3，制作工艺简单，提升了外延片制作的良率；在第一P型氮化镓层4的正上方进行表面粗化，还能方便制作过程中激光剥离耐高温膜层5。
具体的，作为本实施例的一种实现方式，公开了所述步骤S102具体包括：
将生长了耐高温膜层5的所述氮化镓基外延片进行湿法刻蚀或者光刻法刻蚀，获得图案化的氮化镓基外延片。
通过湿刻法对外延片上设置的耐高温膜层5进行选择性腐蚀，本实施例中如图2所示，可以在耐高温膜层5上腐蚀出均匀间隔的凹槽，而蚀刻液的化学性质又决定了不会对第一P型氮化镓层4产生影响，所以可以完成良好的图案化刻蚀，又不会损伤外延片的其他结构，方便进行下一步制成。另外，通过光刻法刻蚀也有相似的效果，方便对耐高温层进行图案化。
具体的，作为本实施例的一种实现方式，公开了所述耐高温膜层5为二氧化硅膜层或氮化硅膜层。二氧化硅膜层或氮化硅膜层都可以较方便地在外延片上沉积，而且不论是二氧化硅还是氮化硅的化学性质都比较稳定，不会与氮化镓基外延片产生反应，方便后续的清洗。
具体的，作为本实施例的一种实现方式，公开了所述步骤S104具体包括：将生长了第二P型氮化镓层6的图案化的氮化镓基外延片置于缓冲氧化物刻蚀液(Buffered OxideEtch，BOE溶液)中冲洗，去除耐高温膜层5，获得表面粗化的氮化镓基外延片。
BOE缓冲蚀刻液是氢氟酸(HF)与氟化铵(NH4F)依不同比例混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。BOE溶液是对含有硅石的任何物质都有浸蚀效果，而不会与氮化镓产生化学反应，应用到本实施例中，既可以完整地清洗掉耐高温层，又不会损伤到第一P型氮化镓层4或第二P型氮化镓层6，保证外延片的结构完整，可以正常工作。
具体的，作为本实施例的一种实现方式，公开了所述耐高温膜层5的厚度大小为500-10000埃。因为LED芯片的占用空间不宜过大，所以也不能设置太厚的耐高温膜层5，以防在后续形成第二P型氮化镓层6时的厚度过大，造成氮化镓基外延片的厚度太大，不方便制成常规规格的LED芯片，优选的小于或等于10000埃；当然，耐高温膜层5的厚度也不宜太薄，同样耐高温膜层5的厚度影响第二P型氮化镓层6的厚度，如果第二P型氮化镓层6的厚度太小，对氮化镓基外延片的粗化效果不明显，则制成LED芯片后对发光效果的改善也会不明显，起不到良好的增加光提取的效果，所以优选的大于等于500埃。
具体的，本实施例涉及的所述基底1为蓝宝石衬底。蓝宝石衬底化学性质稳定，在制成过程中不会对氮化镓基外延片产生化学影响，同时物理性质良好，在表面粗化的氮化镓基外延片的制成过程中可以起到稳定的支撑作用。
需要说明的是，在本实施例中公开的第二P型氮化镓层6的形状由耐高温膜层5被蚀刻后的图案决定，如图3所示，最后可以形成横截面为矩形的第二P型氮化镓层6，也可以形成横截面为三角形的第二P型氮化镓层6，不同横截面形状的第二P型氮化镓层6均可以起到粗化氮化镓基外延片表面的效果，而且横截面为三角形的第二P型氮化镓层6的表面没有与第一P型氮化镓层4的表面平行的界面，光线射到的第二P型氮化镓层6的表面更容易射出，也就是说，横截面为三角形的第二P型氮化镓层6的粗化效果更好，另外，也更加节省材料。
如图4所示，作为本发明的另一实施例，还公开了一种芯片，其中，包括如上任一所述的外延片，以及沉积在所述外延片上的电极7。
通过在表面粗化的第一P型氮化镓层4上沉积P型电极，在N型氮化镓层2上沉积n型电极，制成发光二极管芯片，使得发光二极管芯片的光提取效率提高，可以增加发光二极管芯片的亮度；同时，本实施例涉及的第一P型氮化镓层4的粗化发生在第一P型氮化镓层4的正上方的表面上，方便制成操作，减少了芯片制作的复杂程度，工艺简单，相对而言更容易提升发光二极管芯片的制作良率。
参阅图5和图6，作为本发明的另一实施例，还公开了一种芯片的制作方法，其中，提供一如上任一所述的外延片；所述方法包括如下步骤：
S200、如图6中(a)图所示，在所述外延片上生长所述第二P型氮化镓层6的一侧沉积平坦层8；
S201、如图6中(b)图所示，将所述平坦层8抛光；
S202、如图6中(c)图所示，在抛光后的所述平坦层8背离所述第二P型氮化镓层6的一侧生长反光膜层9，获得反光的氮化镓基外延片；
S203、如图6中(d)图所示，在所述反光的氮化镓基外延片上沉积电极7，制成芯片。
进一步的，所述平坦层8为二氧化硅层；所述反光膜层9通过蒸镀的方法生长在所述平坦层8上；所述反光膜层9包括铝金属层、银金属层、分布式布拉格反射镜(distributedBragg reflection，DBR)中的一种或多种。
本实施例通过在外延片上继续沉积平坦层8和反光膜层9，并刻蚀和制成形成电极7后制成芯片，通过设置反光膜层9，当多量子阱有源层3产生的光线射出第二P型氮化镓层6之后在反光膜层9的表面被反射，继而从芯片上设置N型氮化镓层2的一侧射出，减少光线从芯片上设置电极7的一侧射出，使得芯片的正面亮度提高，获得更高的光照强度。
如图6所示，作为本发明的另一实施例，还公开了一种芯片，其中，所述芯片采用如上任一所述的芯片的制作方法制备。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种外延片的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
在基底上依次生长N型氮化镓层、多量子阱有源层和第一P型氮化镓层，获得氮化镓基外延片；
在所述氮化镓基外延片上生长第一P型氮化镓层的一侧生长耐高温膜层；
将所述耐高温膜层选择性刻蚀，获得图案化的氮化镓基外延片；
在所述图案化的氮化镓基外延片上生长第二P型氮化镓层；
将所述耐高温膜层去除，得到表面粗化的外延片。
2.根据权利要求1所述的外延片的制作方法，其特征在于，所述步骤将所述耐高温膜层选择性刻蚀，获得图案化的氮化镓基外延片，具体包括：
将生长了耐高温膜层的所述氮化镓基外延片进行湿法刻蚀或者光刻法刻蚀，获得图案化的氮化镓基外延片。
3.根据权利要求1所述的外延片的制作方法，其特征在于，所述步骤将所述耐高温膜层去除，得到表面粗化的氮化镓基外延片，具体包括：
将生长了第二P型氮化镓层的图案化的氮化镓基外延片置于缓冲氧化物刻蚀液中冲洗，去除耐高温膜层，获得表面粗化的氮化镓基外延片。
4.根据权利要求1所述的外延片的制作方法，其特征在于，所述耐高温膜层为二氧化硅膜层或氮化硅膜层。
5.根据权利要求1所述的外延片的制作方法，其特征在于，所述耐高温膜层的厚度大小为500－10000埃。
6.根据权利要求1所述的外延片的制作方法，其特征在于，所述基底为蓝宝石衬底。
7.一种芯片的制作方法，其特征在于，提供一如权利要求1－6任意一项所述的外延片；所述方法包括如下步骤：
在所述外延片上生长所述第二P型氮化镓层的一侧沉积平坦层；
将所述平坦层抛光；
在抛光后的所述平坦层背离所述第二P型氮化镓层的一侧生长反光膜层，获得反光的氮化镓基外延片；
在所述反光的氮化镓基外延片上沉积电极，制成芯片。
8.根据权利要求7所述的芯片的制作方法，其特征在于，所述平坦层为二氧化硅层。
9.根据权利要求7所述的芯片的制作方法，其特征在于，所述反光膜层包括铝金属层、银金属层、分布式布拉格反射镜中的一种或多种。
10.一种芯片，其特征在于，所述芯片采用如权利要求7－9任意一项所述的芯片的制作方法制备。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118398737A (zh) * | 2024-07-01 | 2024-07-26 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 | 一种深紫外倒装led芯片及其制备方法 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1433088A (zh) * | 2002-01-18 | 2003-07-30 | 株式会社东芝 | 半导体发光器件及其制造方法 |
| CN1433087A (zh) * | 2002-01-15 | 2003-07-30 | 株式会社东芝 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| CN101026212A (zh) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 三星电机株式会社 | 氮化物基半导体发光器件及其制造方法 |
| KR20090001231A (ko) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | 서울옵토디바이스주식회사 | 수직형 발광 다이오드와 그 제조 방법 및 이를 구비한 발광다이오드 |
| CN101494272A (zh) * | 2009-02-27 | 2009-07-29 | 上海蓝光科技有限公司 | 能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法 |
| CN101714594A (zh) * | 2009-08-28 | 2010-05-26 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法 |
| CN101874307A (zh) * | 2007-11-30 | 2010-10-27 | 加利福尼亚大学董事会 | 通过表面粗糙化的高光提取效率的基于氮化物的发光二极管 |
| CN101919072A (zh) * | 2007-11-19 | 2010-12-15 | 王望南 | Led芯片热管控和制造方法 |
| CN102637800A (zh) * | 2011-02-11 | 2012-08-15 | 夏普株式会社 | 带有纳米结构体的发光二极管及其制备方法 |
| CN103811596A (zh) * | 2012-11-15 | 2014-05-21 | 同方光电科技有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管的制备方法 |
| US20150084081A1 (en) * | 2012-02-16 | 2015-03-26 | Korea University Research And Business Foundation | Method for manufacturing light-emitting device and light-emitting device manufactured using same |
| CN208889689U (zh) * | 2018-08-22 | 2019-05-21 | 南昌大学 | 一种发光面为平面几何图形的led芯片 |
| CN211605178U (zh) * | 2020-04-09 | 2020-09-29 | 辽宁百思特达半导体科技有限公司 | 一种led芯片n电极的结构 |
| CN112768580A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-05-07 | 宁波安芯美半导体有限公司 | 深紫外led外延结构、深紫外led及制备方法 |
-
2020
- 2020-12-04 CN CN202011419880.8A patent/CN112968085A/zh active Pending
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1433087A (zh) * | 2002-01-15 | 2003-07-30 | 株式会社东芝 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| CN1433088A (zh) * | 2002-01-18 | 2003-07-30 | 株式会社东芝 | 半导体发光器件及其制造方法 |
| CN101026212A (zh) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 三星电机株式会社 | 氮化物基半导体发光器件及其制造方法 |
| KR20090001231A (ko) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | 서울옵토디바이스주식회사 | 수직형 발광 다이오드와 그 제조 방법 및 이를 구비한 발광다이오드 |
| CN101919072A (zh) * | 2007-11-19 | 2010-12-15 | 王望南 | Led芯片热管控和制造方法 |
| CN101874307A (zh) * | 2007-11-30 | 2010-10-27 | 加利福尼亚大学董事会 | 通过表面粗糙化的高光提取效率的基于氮化物的发光二极管 |
| CN101494272A (zh) * | 2009-02-27 | 2009-07-29 | 上海蓝光科技有限公司 | 能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法 |
| CN101714594A (zh) * | 2009-08-28 | 2010-05-26 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法 |
| CN102637800A (zh) * | 2011-02-11 | 2012-08-15 | 夏普株式会社 | 带有纳米结构体的发光二极管及其制备方法 |
| US20150084081A1 (en) * | 2012-02-16 | 2015-03-26 | Korea University Research And Business Foundation | Method for manufacturing light-emitting device and light-emitting device manufactured using same |
| CN103811596A (zh) * | 2012-11-15 | 2014-05-21 | 同方光电科技有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管的制备方法 |
| CN208889689U (zh) * | 2018-08-22 | 2019-05-21 | 南昌大学 | 一种发光面为平面几何图形的led芯片 |
| CN211605178U (zh) * | 2020-04-09 | 2020-09-29 | 辽宁百思特达半导体科技有限公司 | 一种led芯片n电极的结构 |
| CN112768580A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-05-07 | 宁波安芯美半导体有限公司 | 深紫外led外延结构、深紫外led及制备方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118398737A (zh) * | 2024-07-01 | 2024-07-26 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 | 一种深紫外倒装led芯片及其制备方法 |
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