KR101077078B1 - 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자 - Google Patents

질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자 Download PDF

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Abstract

본 발명의 목적은 광방출 효율이 뛰어나 발광 출력이 높은 평면 형상이 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형인 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자는 기판, 및 기판 상에 적층된 질화 갈륨계 화합물 반도체층으로 이루어지는 발광소자로서, 발광소자의 평면 형상이 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형이며, 상기 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 측면이 기판 주면에 대하여 수직하지 않는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자이다.
질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자

Description

질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자{GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT}
본 발명은 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 평면 형상이 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형인 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
최근, 단파장 발광소자용 반도체 재료로서 질화 갈륨계 화합물 반도체 재료가 주목을 받고 있다. 질화 갈륨계 화합물 반도체는 사파이어 단결정을 비롯하여 각종 산화물 기판이나 III-V족 화합물 기판으로 하여, 그 위에 유기금속 기층 성장법(MOCVD법)이나 분자선 에피택시법(MBE법) 등에 의해서 형성되고 있다.
질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자에 있어서는 정극에 AuNi 투명전극을 비롯해 ITO 전극 등의 투명전극을 사용해서 발광층으로부터의 광을 효율적으로 외부로 방출하는 것이 행해지고 있다. 광방출 효율을 향상시키기 위해서, 투명전극 상의 패드 전극 및 n형층 상에 설치된 부극 등의 전극의 배치를 연구한 디자인에 의해 각종 LED칩이 고안되어 있다(예컨대, 일본 특허공개 2005-19646호 공보 참조).
또한, LED칩의 모듈화에 있어서는 공간을 효율화하기 위해서 종래의 정방형형상으로부터 직사각형 형상, 특히 변형 형상으로의 요구가 높아지고 있다. 그 이 유로서 정방형 형상은 가로 방향에 광을 조사하는 칩에서는 설치상 비효율적이어서 모듈 높이를 저감할 수 있는 직사각형 형상이 바람직하다. 그러나, 이러한 직사각형 형상의 LED 칩은 전극간 거리 및 전극형상의 관계에서 종래 이룰 수 있었던 LED 칩의 높은 광방출 효율이 손상되는 사태가 발생하고 있다.
예컨대, 일본 특허공개 2004-221529호 공보에서는 전류의 과도한 집중을 피하기 위해서 본래 광방출을 위해 형성되어 있는 투명전극에 불투명한 확산용 전극을 형성하는 등을 하여 발광소자 전체의 발광 출력이 희생되고 있다.
본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결하고, 광방출 효율이 우수하고 발광 출력이 높은 평면 형상이 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형인 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자를 제공하는 것이다.
본 발명은 하기의 발명을 제공한다.
(1) 기판, 및 기판 상에 적층된 질화 갈륨계 화합물 반도체층으로 이루어지는 발광소자로서, 발광소자의 평면 형상이 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형이며, 상기 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 측면이 기판 주면(主面)에 대하여 수직하지 않는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
(2) 상기 (1)에 있어서, 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 측면과 기판 주면의 각도 θ가 90°보다 작은 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
(3) 상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 기판이 사파이어 C면인 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
(4) 상기 (3)에 있어서, 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 직사각형 장변측의 측면은 질화 갈륨 단결정 격자에 있어서 M면 이외의 면방위인 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
(5) 상기 (1)~(4) 중 어느 하나에 있어서, 발광소자의 장변의 길이가 50㎛∼2000㎛인 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
(6) 상기 (1)~(5) 중 어느 하나에 있어서, 발광소자의 단변과 장변의 비가 1:10~4:5인 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
(7) 상기 (1)~(6) 중 어느 하나에 있어서, 정극 본딩 패드가 직사각형 장변의 중앙부에 위치하여 있는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
(8) 기판, 및 기판 상에 적층된 질화 갈륨계 화합물 반도체층으로 이루어지고, 평면 형상이 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형인 발광소자의 제조방법으로서,질화 갈륨계 화합물 반도체층의 표면측을 소정의 패턴을 가진 마스크로 덮는 공정, 소자로 분할할 부위의 질화 갈륨계 화합물 반도체층을 기판에 도달할 때까지 제거하는 공정, 제거 후에 웨트 에칭처리하는 공정, 및 각 소자로 분할하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
(9) 상기 (8)에 있어서, 마스크가 포토레지스트인 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
(10) 상기 (8) 또는 (9)에 있어서, 질화 갈륨계 화합물 반도체층을 제거하는 공정은 레이저에 의해 이루어지는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
(11) 상기 (8) 또는 (9)에 있어서, 질화 갈륨계 화합물 반도체층을 제거하는 공정은 다이서에 의해 이루어지는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
(12) 상기 (8)~(11) 중 어느 하나에 있어서, 웨트 에칭처리를 오르토 인산을 사용하여 행하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
(13) 상기 (1)~(7) 중 어느 하나에 기재된 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자로 이루어진 램프.
(14) 상기 (13)에 기재된 램프가 조립되어 있는 전자기기.
(15) 상기 (14)에 기재된 전자기기가 조립되어 있는 기계장치.
평면 형상이 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형인 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자에 있어서, 발광소자의 반도체층의 측면을 경사시킴으로써 측면에서의 광의 투과량 또는 측면에서 반사한 광이 다른 면으로부터 외부로 방출되는 양이 많아져서 광의 방출 효율이 향상된다.
또한, 주면이 사파이어 C면인 기판을 사용하고, 반도체층의 직사각형 장변측의 측면을 질화 갈륨 단결정 격자에 있어서 M면 이외의 면방위로 함으로써 광방출 효율이 한층 더 향상된다.
또한, 사파이어와 같은 가공이 어려운 기판 상에 형성된 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 측면가공을 웨트 에칭으로 행함으로써 데미지가 적은 발광소자가 얻어진다.
도 1은 본 발명의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자에 있어서의 광 진행의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 형태의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자에 있어서의 광 진행의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 종래의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자에 있어서의 광 진행의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 일반적인 층구조를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 실시예 1에서 제작한 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 전극의 평면배치를 나타낸 모식도이다.
도 6은 실시예 1에서 제작한 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 측면형상을 설명하는 모식도이다.
도 7은 실시예 2에서 얻어진 정극 본딩 패드―부극간 거리와 발광소자 특성의 관계를 나타낸 도면이다.
본 발명은 평면 형상이 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형인 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자에 있어서, 반도체층의 측면이 기판의 주면에 대하여 수직하지 않은(이하, 경사라고 함) 소자 구조로 함으로써 광방출 효율을 비약적으로 향상시킨 것이 특징이다. 또한, 질화 갈륨계 화합물 반도체 결정의 각 결정면의 화학적 에칭의 이난성(易難性)의 차이를 이용하여, 길이가 긴 측면을 광방출에 우위한 형 상으로 형성하는 것에 특징이 있다.
이하, 도면을 참고로 해서 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자에 있어서의 광 진행의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이며, 반도체층의 측면과 기판의 주면의 각도 θ가 90°보다 작은 경우이다. 도 2는 본 발명의 다른 형태의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자에 있어서의 광 진행의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이며, 반도체층의 측면과 기판의 주면의 각도 θ가 90°보다 큰 경우이다. 이들 도면에 있어서, 204는 기판(201)의 주면, 205는 질화 갈륨계 화합물 반도체층(202)의 측면이고, 이들의 각도가 θ이다. 203은 반도체층 중의 A점에서 발광한 광의 진로이다.
도 3은 종래의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자에 있어서의 광 진행의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이며, 반도체층의 측면이 기판의 주면에 대하여 수직으로 되어 있는 경우이다. 도면 중 번호는 도 1 및 2와 동일하다.
본 발명과 같이 반도체층의 측면이 기판의 주면에 대하여 경사져 있음으로써광의 방출 효율이 향상되는 이유에 대해서는 확실하지 않지만, 다음과 같이 생각된다.
도 3은 종래의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자지만, 예컨대 A점에서 발광한 광이 실선과 같이 진행했을 경우, 반도체층의 측면에 입사한 광이 임계각 이상이면 광은 거기에서 반사하고, 또한 반도체층의 상면에서도 임계각 이상이 되어 반사된다. 그 결과 광의 방출율은 감소된다.
이것에 반하여 도 1의 경우, 광은 반도체층의 측면에서는 반사되지만, 반도체층의 표면에서는 임계각 이내가 되므로 광이 투과해 발광소자로부터 방출될 수 있다. 도 1에 있어서 경사각 θ은 90°보다 작다. 바람직하게는 θ은 10°이상 80°이하, 더욱 바람직하게는 30°이상 70°이하이다.
또한, 도 2의 경우 반도체층의 측면에서 입사광이 임계각 이내가 되므로 광은 반도체층을 투과한다.
이것으로부터 도 1 및 2의 경우 모두 광방출 효율은 상승하지만, 도 1과 같이 반도체층의 측면과 기판의 주면의 각도 θ가 90°보다 작은 경우에는 반도체층의 측면을 향한 광이 측면에서 반사되어 상방으로 향할 확률이 도 2의 경우보다도 많아지므로 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 발광소자의 측면을 이용한 광방출 효율의 향상을 꾀하고 있다. 따라서, 발광소자의 면적(평면 투영 면적)이 같을 경우, 측면 면적이 큰 쪽이 유리하다. 요컨대, 발광소자의 평면 투영 면적에 대한 주변길이의 비가 큰 쪽이 유리하다.
직사각형의 경우 면적에 대한 주변길이의 비는 변의 길이가 모두 같은 정사각형보다도 마주 대하는 변의 길이가 다른 직사각형의 쪽이 크다.
따라서, 발광소자의 반도체층 측면을 기판 주면에 대하여 경사시킴에 의한 광방출 효율의 향상 효과는 발광소자의 평면 형상이 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형인 경우에 커진다.
본 발명의 발광소자의 평면 형상은 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형이면 특별히 제한받지 않는다. 요컨대, 발광소자가 조립되는 전자기기 등에 맞춰서 임의의 형상으로 할 수 있다.
직사각형의 단변과 장변의 비는 되도록 큰 편이 바람직하다. 왜냐하면, 단변과 장변의 비가 큰 편이 면적에 대한 주변길이의 비가 커지기 때문이다. 그러나, 이 비가 지나치게 커지면 발광소자가 너무 가늘고 길어져서, 그 결과 정극 및 부극의 배치가 곤란해지거나 구동전압이 상승하게 된다. 따라서, 본 발명의 발광소자의 단변과 장변의 비는 1:10~4:5이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 1:2~2:3이다.
정극 및 부극의 배치, 발광소자 제작시의 가공성 및 전류분포 등을 고려하면, 장변의 절대길이로서는 50∼2000㎛가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 200∼600㎛이다. 또한, 단변의 절대길이로서는 40∼1000㎛가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 100∼300㎛이다.
질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 층구조로서는, 예컨대 도 4에 나타낸 바와 같은 층구조가 공지되고, 본 발명의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 층구조도 이러한 공지의 층구조를 포함하여 어떠한 층구조로 할 수 있다. 도 4에 있어서, 1은 기판, 2는 버퍼층, 3은 n형 반도체층이다. n형 반도체층은 하지층(3c), n형 콘택트층(3a) 및 n형 클래드층(3b)으로 구성되어 있다. 4는 발광층, 5는 p형 반도체층이다. p형 반도체층은 p형 클래드층(5b) 및 p형 콘택트층(5a)으로 구성되어 있다. 10은 정극이며, 투광성 정극(11) 및 정극 본딩 패드(12)로 구성되어 있다. 20은 부극이다.
본 발명에 있어서, 기판(1)에는 사파이어 단결정(Al2O3; A면, C면, M면, R면), 스피넬 단결정(MgAl2O4), ZnO 단결정, LiAlO2 단결정, LiGaO2 단결정, MgO 단결정 또는 Ga2O3 단결정 등의 산화물 단결정 기판, 및 Si 단결정, SiC 단결정, GaAs 단결정, AlN 단결정, GaN 단결정 또는 ZrB2 등의 붕소화물 단결정 등의 비산화물 단결정 기판에서 선택된 공지의 기판재료를 아무런 제한없이 사용할 수 있다. 이들 중에서도 사파이어 단결정 또는 SiC 단결정이 바람직하다. 또한, 저스트(just) 기판에서도 좋고 오프(off) 각을 부여한 기판이여도 좋다.
사파이어 단결정을 기판에 사용했을 경우, 기판 상에 성장시킨 질화 갈륨계 화합물 반도체 단결정은 사파이어 단결정(Al2O3; A면, C면, M면, R면)에 의거한 방위로 결정 성장하는 것이 알려져 있다.
사파이어 단결정의 C면을 기판으로 하여 성장시킨 질화 갈륨계 화합물 반도체 단결정의 C면에 수직한 면을 C축 방향으로부터 에칭하는 경우, M면 이외의 면, 예컨대 A면은 결정 정점이 노출되고 있어 요철이 형성되기 쉽고, M면은 평탄해지기 쉽다. 본 발명에 있어서는, 발광소자의 측면을 광방출 효율의 향상에 이용하기 때문에 측면이 요철이면 측면의 표면적이 커져서 광방출 효율도 더욱 향상된다. 따라서, 본 발명의 발광소자에 있어서는, 직사각형의 장변을 M면 이외의 면, 예컨대 A면으로 하는 것이 바람직하다.
버퍼층, n형 반도체층, 발광층 및 p형 반도체층을 구성하는 질화 갈륨계 화 합물 반도체로서는 일반식 AlxInyGal-x-yN(0≤x≤1, 0≤y<1, 0≤x+y≤1)으로 표시되는 각종 조성의 반도체가 공지되어 있다. 본 발명에 있어서의 버퍼층, n형 반도체층, 발광층 및 p형 반도체층을 구성하는 III족 질화물 반도체에 있어서도 일반식 AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y<1, 0≤x+y≤1)으로 표시되는 각종 조성의 반도체를 아무런 제한없이 사용할 수 있다.
이들 III족 질화물 반도체를 성장시키는 방법으로서는 유기금속 기상성장법(MOCVD법), 분자선 에피택시성장법(MBE), 히드라이드 기상성장법(HVPE) 등이 있다. 바람직하게는, 조성 제어가 용이하고 양산성을 구비한 MOCVD법이 적합하지만, 반드시 이것에 한정되는 것은 아니다.
MOCVD법을 상기 반도체층의 성장 방법으로서 사용할 경우는, III족인 Ga의 원료로서 유기금속 재료인 트리메틸갈륨(TMGa) 또는 트리에틸갈륨(TEGa)을, 마찬가지로 III족인 Al의 원료로서 트리메틸알루미늄(TMAl) 또는 트리에틸알루미늄(TEAl)을 주로 사용한다. 또한, 발광층의 구성 재료인 In에 대해서는 그 원료로서 트리메틸인듐(TMI) 또는 트리에틸인듐(TEI)을 사용한다. V족인 N의 원료로서 암모니아(NH3) 또는 히드라진(N2H4) 등을 사용한다.
n형 반도체층에는 도펀트 재료로서 Si 또는 Ge를 사용한다. Si의 원료로서 모노실란(SiH4) 또는 디실란(Si2H6), Ge의 원료로서 게르만(GeH4) 또는 유기게르마늄 화합물을 사용한다. p형 반도체층에서는 도펀트로서 Mg를 사용한다. 그 원료로서 는, 예컨대 비스시클로펜타디에닐 마그네슘(Cp2Mg) 또는 비스에틸클로펜타디에닐 마그네슘((EtCp)2Mg)을 사용한다.
상기 기판 상에 질화 갈륨계 화합물 반도체를 적층하기 위해서, 일본 특허 제 3026087호 공보나 일본 특허공개 평4-297023호 공보에 개시되어 있는 저온 버퍼법이나 일본 특허공개 2003-243302호 공보 등에 개시되어 있는 시딩 프로세스(SP; Seeding Process)법이라 불리는 격자 부정합 결정 에피택셜 성장기술을 사용할 수 있다.
저온 버퍼법이나 SP법 등의 격자부정합 결정 에피택셜 성장기술을 사용했을 경우, 그 위에 적층하는 하지로서의 질화 갈륨계 화합물 반도체는 언도프나 또는 5×1O17cm-3 정도의 저도프의 GaN인 것이 바람직하다. 하지층의 두께는 1∼20㎛인 것이 바람직하고, 5∼15㎛인 것이 더욱 바람직하다.
하지층 상에 부극과 접촉하여 전류를 공급하기 위해서 n형 GaN으로 이루어진 n형 콘택트층을 성장시킨다. n형 GaN에는 1×1018cm-3∼1×1Ol9cm-3이 되도록 n형 도펀트를 공급하면서 성장시킨다. n형 도펀트로서는 일반적으로는 Si나 Ge가 선택된다. 도핑에 관해서, 균일하게 도프할 경우나 주기적으로 저도프층과 고도프층을 반복하는 구조를 취할 경우가 있다. 특히 후자의 간헐 도프는 결정 성장중 발생하는 피트의 억제에 유효하다.
n형 콘택트층과 발광층 사이에 n형 클래드층을 형성하는 것이 바람직하다. n 형 클래드층은 AlGaN, GaN, InGaN 등으로 형성하는 것이 가능하지만, InGaN으로 할 경우에는 활성층의 InGaN의 밴드갭보다도 큰 조성으로 하는 것이 바람직한 것은 말할 필요도 없다. n형 클래드층의 캐리어 농도는 n형 콘택트층과 같아도 좋고, 크거나 작아도 좋다.
n형 클래드층 상의 발광층으로서는 양자우물구조로 하는 것이 바람직하다. 우물층이 하나밖에 없는 단일 양자우물구조이어도 좋고, 복수의 우물층을 갖는 다중 양자우물구조이어도 좋다. 그 중에서도, 다중 양자우물구조가 질화 갈륨계 화합물 반도체를 사용한 소자의 구조로서는 고출력과 저구동 전압을 겸비할 수 있으므로 적합하다. 또한, 다중 양자우물구조의 경우, 우물층(활성층)과 장벽층을 합한 전체를 본 명세서에서는 발광층이라고 부른다.
p형 반도체층은 보통 0.01∼1㎛의 두께이고, 발광층에 접하고 있는 p형 클래드층과 정극을 형성하기 위한 p형 콘택트층으로 이루어진다. p형 클래드층과 p형 콘택트층은 겸할 수 있다. p형 클래드층은 GaN, AlGaN 등을 사용해서 형성하고, p도펀트로서 Mg을 도프한다.
부극은 각종 조성 및 구조의 부극이 공지되어 있고, 이들 공지의 부극을 아무 제한 없이 사용할 수 있다. n형 콘택트층으로 접하는 부극용 콘택트 재료로서는 Al, Ti, Ni, Au 등 이외에 Cr, W, V 등을 사용할 수 있다. 부극 전체를 다층구조로 하여 본딩성 등을 부여할 수 있는 것은 말할 필요도 없다. 특히, 최표면을 Au로 덮는 것은 본딩을 하기 쉽게 하기 위해서 바람직하다.
정극도 각종 조성 및 구조의 정극이 공지되어 있고, 이들 공지의 정극을 아 무 제한 없이 사용할 수 있다.
투광성 정극 재료로서는 Pt, Pd, Au, Cr, Ni, Cu, Co 등을 포함해도 좋다. 또한, 그 일부가 산화되어 있는 구조를 사용함으로써, 투광성이 향상하는 것이 알려져 있다. 또한, 투명전극으로서 일반적인 ITO, IZO, IWO 등의 도전성 산화물을 사용하는 것도 아무 문제가 없다. 반사형 정극 재료로서는 상기 재료 이외에 Rh, Ag, Al 등을 사용할 수 있다.
보통, 광투과성 또는 반사성 정극을 형성한 후, 그 일부 표면에 본딩 패드부를 구성하는 정극 본딩 패드를 제작한다. 정극 본딩 패드를 합해서 정극을 구성하게 된다. 정극 본딩 패드의 재료로서 각종 구조의 것이 알려지고 있고, 본 발명에 있어서도 이들 공지의 것을 특별히 제한하지 않고 사용하는 것이 가능하다. 부극재료로 사용한 Al, Ti, Ni, Au 이외에 Cr, W, V도 아무 제한없이 사용할 수 있다. 그러나, 사용한 광투과성 또는 반사성 정극과의 밀착성이 좋은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 두께는 결합시의 응력에 대하여 광투과성 또는 반사성 정극에 데미지를 주지 않도록 충분히 두껍게 할 필요가 있다. 또한, 최표층은 본딩볼과의 밀착성이 좋은 재료, 예컨대 Au로 하는 것이 바람직하다.
또한, 정극 본딩 패드의 위치에 있어서는 정극 본딩 패드 하부에서의 발광을 가로방향으로부터 최대한 방출시키기 위해서, 직사각형 장변의 중심 부근에 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 직사각형 장변의 중앙부, 예컨대 중심에서 ±30%의 위치에 정극 본딩 패드를 배치함으로써 전류 확산 경로가 짧아져 소자의 구동전압도 저하시킬 수 있다.
기판 상에 질화 갈륨계 화합물 반도체, 부극 및 정극을 적층한 웨이퍼를 각발광소자로 분할하고, 그 반도체층의 측면을 경사지게 하기 때문에, 상기 정극, 부극 및 노출된 p형 반도체층을 덮도록 우선 레지스트 패턴을 형성한다.
그 때, 측면의 면방위를 질화 갈륨계 화합물 반도체 결정의 M면으로 했을 경우, 측면형상은 평탄해진다. 한편, 측면의 면방위를 질화 갈륨계 화합물 반도체 결정의 M면 이외의 면으로 했을 경우, 측면형상은 요철 형상이 된다. 직사각형의 장변측을 M면 이외의 면으로 함으로써 광방출 효율이 뛰어난 발광소자로 할 수 있다.
레지스트는 포지티브형이어도 또는 네거티브형이어도 좋다. 정극 및 부극을 포함하는 각각의 소자의 경계가 노출되도록 적당한 패턴을 가진 포토마스크를 사용해서 일반적인 수속을 따라서 리소그래피를 행한다. 또는, 레지스트가 상술한 전극 및 p형 반도체층을 덮어서 각각의 소자를 판별할 수 있으면 리소그래피가 반드시 필요한 것은 아니다. 두께는 0.1㎛∼20㎛가 바람직하다. 두께가 얇으면 웨트 에칭시에 막이 박리되기 쉽고, 두꺼우면 리소그래피의 해상의 문제가 생기거나 아래의 패턴의 인식이 곤란해진다. 바람직하게는 0.5㎛∼10㎛이며, 1㎛∼5㎛인 것이 더욱 바람직하다.
질화 갈륨계 화합물 반도체의 기판에 도달할 때까지의 제거는 레이저에 의해 행하는 것이 바람직하다. 질화 갈륨계 화합물 반도체의 흡수단보다 짧은 파장의 레이저를 선택함으로써, 질화 갈륨계 화합물 반도체의 105cm-1에 달하는 높은 흡수계수 때문에 피가공 위치가 레이저 조사 위치에 한정된다. 레이저의 광학계를 적당히 선택함으로써 10㎛보다 좁은 폭으로의 가공도 가능해서 소자 수율의 향상이 도모된다. 기판의 레이저 가공 깊이는 1㎛ 이상의 범위에서 임의로 선택할 수 있지만, 가공 깊이가 짧으면 나중의 분할 처리의 형상불량이 발생하기 쉽다. 10㎛ 이상이면 불량 발생은 억제되지만, 20㎛ 이상이면 더욱 바람직하다.
또는, 기계적 방법인 다이서에 의한 방법도 가능하다. 이 경우, 절단에 사용하는 블레이드의 선정을 바람직한 것으로 하여, 기판에의 바이팅(biting)량을 가능한 한 작게 억제함으로써 소자의 칩핑(chipping), 크래킹(cracking)의 발생을 억제할 수 있다. 1㎛∼50㎛의 범위에서 임의로 선택할 수 있지만, 1㎛∼20㎛, 더욱 바람직하게는 1㎛∼10㎛에서 선택해도 좋다.
다음에, 분할 부위에 웨트 에칭을 실시하고, 오목부(분할홈)을 형성한다. 웨트 에칭은 오르토 인산을 사용해서 행해진다. 소정의 가열 장치에 수납된 비커에 오르토 인산을 첨가하고 100℃∼400℃로 가열한다. 가열 온도가 낮으면 에칭 속도가 늦고, 지나치게 높으면 마스크에 박리가 발생한다. 바람직하게는 150℃∼300℃, 더욱 바람직하게는 180℃∼240℃에서 충분한 에칭 속도와 마스크 내성의 양립이 얻어진다. 이 웨트 에칭에 의해 기판 주면에 대해 경사한 반도체층 측면이 얻어진다.
그 후, 각 발광소자로 분할된다.
발광소자의 형태로서는, 투명정극을 사용해서 반도체측에서 광을 방출하는 소위 페이스업(FU) 형태로 하여도 좋고, 반사형의 정극을 사용해서 기판측에서 광을 방출하는 소위 플립칩(FC) 형태로 하여도 좋다.
본 발명의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자는, 예컨대 당업계 주지의 수 단에 의해 투명 커버를 설치해서 램프로 할 수 있다. 또한, 본 발명의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자와 형광체를 갖는 커버를 조립시켜서 백색의 램프를 제작할 수도 있다.
또한, 본 발명의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자로 제작한 램프는 발광 출력이 높고, 구동전압이 낮으므로 이 기술에 의해 제작한 램프를 조립한 휴대전화, 디스플레이, 패널류 등의 전자기기나, 그 전자기기를 조립한 자동차, 컴퓨터, 게임기 등의 기계장치류는 저전력에서의 구동이 가능해지고, 높은 특성을 실현하는 것이 가능하다. 특히, 휴대전화, 게임기, 장난감, 자동차 부품 등의 배터리 구동시키는 기기류에 있어서 전력 절약의 효과를 발휘한다.
실시예
이하에, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
기판으로서 사파이어(Al2O3) C면 기판을 사용하고, 그 위에 일본 특허공개 2003-243302호 공보에 있는 방법에 따라서 AlN으로 이루어진 버퍼층을 적층했다. 이어서, 버퍼층 상에 언도프 GaN으로 이루어진 하지층을 6㎛, Ge를 주기적으로 도프해서 평균의 캐리어 농도가 1×1019cm-3이 되도록 한 GaN으로 이루어진 n형 콘택트층을 4㎛, In0.1Ga0.9N으로 이루어진 두께 12.5nm의 n형 클래드층, GaN으로 이루어진 두께 16nm의 장벽층과 In0.2Ga0.8N으로 이루어진 두께 2.5nm의 우물층을 교대로 5회 적층시킨 후, 최후에 장벽층을 형성한 다중 양자우물구조의 발광층, Mg도프(농도 8×10l9/cm3) Al0.03Ga0.97N으로 이루어진 두께 0.15㎛의 p형 콘택트층을 순차 적층해서 기판 상의 질화 갈륨계 화합물 반도체층으로 했다.
이들 적층은 통상의 MOCVD법에 의해 행했다.
발광소자의 제작에 있어서는, 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 표면에 스퍼터링 장치를 사용해서 두께 0.25㎛의 산화인듐주석(ITO)막을 형성하여 투명전극으로 했다. 그 후, 공지의 리소그래피기술과 ITO 에칭기술을 사용하여 산화인듐주석(ITO)막 부분을 소정의 직사각 형상으로 했다. 이 때, 직사각 형상 각 변의 방향에 있어서는 발광소자의 종횡방향을 사파이어 C면 기판의 면방위에 의거하여, 직사각형의 장변이 GaN 결정의 A면(11-20)에 평행해지도록 방위를 맞췄다.
이어서, 공지의 리소그래피기술에 의해 직사각형으로 형성한 투명도전막을 보호할 목적으로 레지스트 보호막을 형성했다.
그 후, RIE장치를 사용하여 각각의 발광소자의 경계부분 및 부극형성 영역(레지스트로 보호되고 있지 않은 부분)의 n형 콘택트층을 노출시켰다.
이어서, 공지의 리소그래피기술에 의해 부극형성 영역의 n형 콘택트층에 부극을 형성했다. 마찬가지로 공지의 리소그래피기술에 의해 투명전극 상에 정극 본딩 패드를 형성했다. 부극 및 정극 본딩 패드는 함께 반도체층 측부터 Cr(400Å)/Ti(1000Å)/Au(10000Å)이 적층된 구조이며, 이 적층은 공지의 증착기술에 의해 행했다.
도 5는 본 실시예에서 제작한 발광소자의 전극의 평면배치를 나타낸 모식도이다. 발광소자의 외형은 단변이 250㎛, 장변이 500㎛인 직사각형이며, 정극 본딩 패드의 위치는 장변의 중앙부이며, 또한 부극과의 거리는 235㎛로 했다. 정극 본딩 패드의 직경은 95㎛이다.
각각의 발광소자의 전극제작 공정이 종료된 후, 웨이퍼에 리소그래피에 사용한 포토레지스트를 도포한다. 그 후, 다시 리소그래피에 의해 각각의 발광소자의 경계부분만 기판을 노출시켰다.
질화 갈륨계 화합물 반도체층을 기판에 도달할 때까지 제거하는 수단으로서는 레이저를 사용했다. 레이저의 파장은 266nm, 주파수는 50kHz, 출력은 1.6W, 가공 속도는 70mm/초로 기판에 깊이 20㎛에 달하는 분할홈을 우선 X축 방향에 형성했다. 스테이지를 90°회전시키고, Y축 방향으로 동일하게 하여 분할홈을 형성했다. 분할홈의 폭은 2㎛로 했다.
분할홈 형성 후의 기판을 가열장치를 사용해서 240℃로 가열한 오르토 인산이 든 석영 비커 중에 20분간 침지해서 웨트 에칭을 행했다. 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 에칭량은 5.2㎛였다. 웨트 에칭이 종료된 기판 및 질화 갈륨계 화합물 반도체층은 초음파 중에서 수세를 행하고, 또한 유기 세정에 의해 레지스트로 이루어진 에칭 마스크를 제거했다.
에칭처리 후의 기판과 질화 갈륨계 화합물 반도체층을 더욱 기판측의 연마에 의해 기판의 두께가 80μ가 될때까지 얇게 하고, 그 후 파괴장치에 의해 각각의 발광소자로 분리했다.
분리된 발광소자의 출력을 적분구로서 평가한 바, 20mA 인가했을 경우 7.lmW였다. 또한, 구동전압을 측정한 바, 20mA 인가했을 경우의 전압은 3.35V였다.
발광소자 측면을 SEM에 의해 관찰한 바, 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 측면은 수직으로 분할된 사파이어 기판 측면에 대하여 도 1에 나타낸 바와 같이 측면과 기판 주면의 각도(θ)는 70°였다. 또한, 발광소자 측면의 형상은 도 6에 나타낸 바와 같이 단변측은 거의 평탄했지만 장변측은 요철이 형성되어 있었다.
(실시예 2)
정극 본딩 패드의 위치를 바꾼 것을 제외하고는 실시예 1과 같이 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자를 제작하고, 얻어진 발광소자를 실시예 1과 같이 평가하여, 정극 본딩 패드―부극간 거리와 발광소자 특성의 관계를 검토했다.
결과를 도 7에 나타낸다. 이 도면으로부터 정극 본딩 패드―부극간 거리를 크게함에 따라서, 발광 출력이 서서히 상승하는 것을 알 수 있다. 한편, 구동전압도 정극 본딩 패드―부극간 거리를 크게함에 따라서, 특히 250㎛를 초과하면 상승폭이 커지는 것을 알 수 있다. 따라서, 발광 출력과 구동전압의 균형으로부터 정극 본딩 패드의 위치는 발광소자 장변의 중앙부 부근이 바람직하다.
(실시예 3)
직사각형의 장변이 GaN 결정의 M면(10-10)에 평행해지도록 방향을 맞춘 것을 제외하고는, 실시예 1과 같이 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자를 제작했다.
얻어진 발광소자를 실시예 1과 같이 평가한 바, 20mA 인가시의 출력은 6.4mW이며, 구동전압은 3.30V이었다. 발광소자 측면을 SEM에 의해 관찰한 바, 질화 갈륨 계 화합물 반도체층의 측면은 도 1에 나타낸 바와 같이 측면과 기판 주면의 각도(θ)가 70°였다. 또한, 질화 갈륨계 화합물 반도체층 측면의 형상은 단변측은 요철이 형성되어 있었지만 장변측은 거의 평탄했다.
(비교예)
웨트 에칭을 실시하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 1과 같이 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자를 제작했다.
얻어진 발광소자를 실시예 1과 같이 평가한 바, 20mA 인가시의 출력은 5.1mW이며, 구동전압은 3.32V이었다. 발광소자 측면을 SEM에 의해 관찰한 바, 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 측면은 기판의 측면과 같이 기판 주면에 대하여 수직이었다. 또한, 질화 갈륨계 화합물 반도체층 측면의 형상은 단변측도 장변측도 거의 평탄했다.
본 발명의 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자는 발광 출력이 높고, 또한 그 평면 형상이 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형이기 때문에 각종 전자기기로의 조립이 효율적으로 행해져 산업상의 이용 가치는 매우 크다.

Claims (15)

  1. 기판, 및 상기 기판 상에 적층된 질화 갈륨계 화합물 반도체층으로 이루어지는 발광소자로서:
    상기 발광소자의 평면 형상이 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형이며, 상기 직사각형 장변측의 측면은 질화 갈륨 단결정 격자에 있어서 A면의 면방위를 갖고, 상기 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 측면이 기판 주면에 대하여 경사진 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 측면과 기판 주면의 각도 θ가 90°보다 작은 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판이 사파이어 C면인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광소자의 장변의 길이가 50㎛∼2000㎛인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광소자의 단변과 장변의 비가 1:10~4:5인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    정극 본딩 패드가 직사각형 장변의 중앙부에 위치하여 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자.
  8. 기판, 및 상기 기판 상에 적층된 질화 갈륨계 화합물 반도체층으로 이루어지고, 평면 형상이 종횡의 변의 길이가 다른 직사각형이며, 상기 직사각형 장변측의 측면은 질화 갈륨 단결정 격자에 있어서 A면의 면방위를 갖고, 상기 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 측면이 기판 주면에 대하여 경사진 발광소자의 제조방법으로서:
    상기 질화 갈륨계 화합물 반도체층의 표면측을 소정의 패턴을 가진 마스크로 덮는 공정;
    소자로 분할할 부위의 질화 갈륨계 화합물 반도체층을 레이저 또는 다이서를 이용하여 기판에 도달할 때까지 제거하는 공정;
    제거 후에 형성된 분할홈의 상기 질화 갈륨계 화합물 반도체층을 웨트 에칭처리하는 공정; 및
    각 소자로 분할하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 마스크가 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 웨트 에칭처리를 오르토 인산을 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자의 제조방법.
  13. 제 1 항에 기재된 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 램프.
  14. 제 13 항에 기재된 램프가 조립되어 있는 것을 특징으로 하는 전자기기.
  15. 제 14 항에 기재된 전자기기가 조립되어 있는 것을 특징으로 하는 기계장치.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7652299B2 (en) * 2005-02-14 2010-01-26 Showa Denko K.K. Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof
JP5326225B2 (ja) * 2006-05-29 2013-10-30 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2009246275A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びランプ
KR101118268B1 (ko) * 2009-08-27 2012-03-20 한국산업기술대학교산학협력단 요철 패턴 기판 상의 고품질 비극성／반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101082788B1 (ko) * 2009-10-16 2011-11-14 한국산업기술대학교산학협력단 다공성 질화물 반도체 상의 고품질 비극성／반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법
TWI422064B (zh) * 2010-05-21 2014-01-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體晶片及其製作方法
CN102064242B (zh) * 2010-11-03 2012-08-15 中国科学院半导体研究所 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法
KR20180055922A (ko) * 2011-05-25 2018-05-25 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광전 반도체 칩
JP2013157523A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法および発光装置
JP5900131B2 (ja) * 2012-04-24 2016-04-06 豊田合成株式会社 発光装置
CN102709431A (zh) * 2012-05-04 2012-10-03 施科特光电材料(昆山)有限公司 适用于大功率GaN基LED芯片的复合电极
JP6355492B2 (ja) * 2013-10-03 2018-07-11 アルパッド株式会社 複合樹脂及び電子デバイス
JP6265799B2 (ja) * 2014-03-14 2018-01-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
CN105098021A (zh) * 2014-05-15 2015-11-25 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 半导体发光器件
USD845920S1 (en) 2015-08-12 2019-04-16 Epistar Corporation Portion of light-emitting diode unit
US10373825B1 (en) * 2018-05-29 2019-08-06 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Method for manufacturing gallium nitride substrate using core-shell nanoparticle
JP7050250B2 (ja) * 2020-02-07 2022-04-08 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003110136A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子
JP2004281445A (ja) 2003-03-12 2004-10-07 Sanyo Electric Co Ltd 積層型発光ダイオード素子
US20050121688A1 (en) 2003-12-03 2005-06-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light emitting device

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6365917A (ja) 1986-09-06 1988-03-24 Kurita Mach Mfg Co Ltd 濾過ユニット
JPH088217B2 (ja) 1991-01-31 1996-01-29 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
JP3400110B2 (ja) * 1994-06-28 2003-04-28 シャープ株式会社 発光ダイオード
JP2780618B2 (ja) 1993-11-06 1998-07-30 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
JP3227287B2 (ja) 1993-11-17 2001-11-12 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法と窒化ガリウム系化合物半導体素子
JP3557011B2 (ja) 1995-03-30 2004-08-25 株式会社東芝 半導体発光素子、及びその製造方法
JPH1027769A (ja) 1996-07-10 1998-01-27 Toshiba Corp 半導体チップとその製造方法
JPH1032367A (ja) * 1996-07-15 1998-02-03 Fujitsu Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
JP3855347B2 (ja) * 1996-11-11 2006-12-06 住友化学株式会社 ３−５族化合物半導体素子の製造方法
JP3532752B2 (ja) 1997-02-03 2004-05-31 株式会社東芝 半導体デバイスの分離方法
US5994205A (en) 1997-02-03 1999-11-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of separating semiconductor devices
JP4203132B2 (ja) 1997-03-31 2008-12-24 シャープ株式会社 発光素子及びその製造方法
JP3532100B2 (ja) 1997-12-03 2004-05-31 日本碍子株式会社 レーザ割断方法
JP3545197B2 (ja) 1998-03-23 2004-07-21 三洋電機株式会社 半導体素子およびその製造方法
US6307218B1 (en) 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
US6653663B2 (en) * 1999-12-06 2003-11-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Nitride semiconductor device
TW518767B (en) * 2000-03-31 2003-01-21 Toyoda Gosei Kk Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element
JP2002100791A (ja) * 2000-09-21 2002-04-05 Canon Inc 太陽電池の製造方法
JP2001320091A (ja) 2001-03-29 2001-11-16 Clarion Co Ltd Ｌｅｄ用キャップ部材及びｌｅｄ用キャップ部材を備えたｌｅｄ照明装置
JP3714188B2 (ja) * 2001-04-19 2005-11-09 ソニー株式会社 窒化物半導体の気相成長方法及び窒化物半導体素子
WO2003043150A1 (fr) * 2001-10-26 2003-05-22 Ammono Sp.Zo.O. Structure d'element electoluminescent a couche monocristalline non epitaxiee de nitrure
JP3715627B2 (ja) * 2002-01-29 2005-11-09 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP3656606B2 (ja) 2002-02-15 2005-06-08 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法
JP3705791B2 (ja) 2002-03-14 2005-10-12 株式会社東芝 半導体発光素子および半導体発光装置
TWI236772B (en) 2002-03-14 2005-07-21 Toshiba Corp Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device
JP2004103672A (ja) * 2002-09-06 2004-04-02 Toshiba Corp 半導体発光素子および半導体発光装置
JP3956918B2 (ja) 2002-10-03 2007-08-08 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP4415575B2 (ja) 2003-06-25 2010-02-17 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置
JP4325471B2 (ja) * 2003-10-23 2009-09-02 ソニー株式会社 エッチング方法および素子分離方法
JP4594707B2 (ja) 2003-12-05 2010-12-08 昭和電工株式会社 半導体チップ製造方法
CN100454494C (zh) 2003-12-05 2009-01-21 昭和电工株式会社 半导体芯片的制造方法以及半导体芯片
KR100576853B1 (ko) 2003-12-18 2006-05-10 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
JP3928621B2 (ja) * 2004-01-19 2007-06-13 日亜化学工業株式会社 発光素子用ウエハー
JP2005268329A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Daido Steel Co Ltd 半導体発光素子
EP1746664B1 (en) * 2004-03-31 2017-05-17 Nichia Corporation Nitride semiconductor light emitting element
JP2005327979A (ja) 2004-05-17 2005-11-24 Toshiba Corp 半導体発光素子および半導体発光装置
JP4630629B2 (ja) 2004-10-29 2011-02-09 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US7417220B2 (en) 2004-09-09 2008-08-26 Toyoda Gosei Co., Ltd. Solid state device and light-emitting element
KR100576872B1 (ko) * 2004-09-17 2006-05-10 삼성전기주식회사 정전기 방전 방지기능을 갖는 질화물 반도체 발광소자
JP4476087B2 (ja) 2004-09-27 2010-06-09 シャープ株式会社 発光ダイオード素子の製造方法
US7352006B2 (en) * 2004-09-28 2008-04-01 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes exhibiting both high reflectivity and high light extraction
JP2006100500A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
KR100631975B1 (ko) * 2005-03-30 2006-10-11 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
JP5082278B2 (ja) * 2005-05-16 2012-11-28 ソニー株式会社 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003110136A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子
JP2004281445A (ja) 2003-03-12 2004-10-07 Sanyo Electric Co Ltd 積層型発光ダイオード素子
US20050121688A1 (en) 2003-12-03 2005-06-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light emitting device

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