TWI422064B - 發光二極體晶片及其製作方法 - Google Patents

Description

發光二極體晶片及其製作方法

本發明是有關於一種發光二極體晶片，且特別是有關於一種側壁光取出率佳的發光二極體晶片。

由於發光二極體具有壽命長、體積小、高耐震性、發熱度小以及耗電量低等優點，發光二極體已被廣泛地應用於家電產品以及各式儀器之指示燈或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的主要照明光源。

圖1繪示習知之發光二極體晶片的剖面圖。請參照圖1，習知的發光二極體晶片100包括一絕緣基板110、一第一型摻雜半導體層120、一發光層130、一第二型摻雜半導體層140、一第一電極150與一第二電極160，其中第一型摻雜半導體層120、發光層130與第二型摻雜半導體層140依序堆疊於絕緣基板110上。發光二極體晶片100具有一貫穿第二型摻雜半導體層140與發光層130的凹槽102。發光層130所發出的光可從發光二極體晶片100的一頂面104或是與頂面104相連的一側面106出光。然而，發光層130所發出的光容易以較大的入射角入射側面106以致於易在側面106產生全反射(並且易在發光二極體晶片100內部反射的過程中被材料吸收)，以致於發光二極體晶片100的側面106光取出效率偏低。

本發明提供一種發光二極體晶片，其具有較佳的側壁光取出率。

本發明提出一種發光二極體晶片包括一基板、一發光半導體元件、一第一電極以及一第二電極。發光半導體元件具有一凹槽，發光半導體元件包括一第一部分與一第二部分，其中第一部分配置於基板上，且第一部分位於第二部分與基板之間。凹槽貫穿第二部分並暴露出第一部分的一暴露區，其中第一部分的橫截面積沿著遠離基板的方向而遞增，第二部分的橫截面積沿著遠離基板的方向而遞增。第一電極配置於第一部分之暴露區上，並與第一部分電性連接。第二電極配置於第二部分上，並與第二部分電性連接。

在本發明之一實施例中，發光半導體元件包括依序堆疊的一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。

在本發明之一實施例中，第一型摻雜半導體層位於第一部分，發光層與第二型摻雜半導體層位於第二部分。

在本發明之一實施例中，一部分的第一型摻雜半導體層位於第一部分，而另一部分的第一型摻雜半導體層以及發光層與第二型摻雜半導體層位於第二部分。

在本發明之一實施例中，發光半導體元件具有一底切的側壁，且第一部分的一第一側壁與第二部分的一第二側壁構成底切的側壁。

在本發明之一實施例中，暴露區的面積為A，第二部分之一最大橫截面積為B，且A/(A+B)≦0.15。

在本發明之一實施例中，A/(A+B)≦0.1。

在本發明之一實施例中，凹槽位於發光半導體元件的邊緣。

本發明提出一種發光二極體晶片包括一導電基板、一發光半導體元件與一電極。發光半導體元件配置於導電基板上，發光半導體元件包括依序堆疊的一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層，第一型摻雜半導體層具有一朝向導電基板的第一表面，第二型摻雜半導體層具有朝向遠離導電基板方向的一第二表面，發光半導體元件的橫截面積由第一表面朝向第二表面而遞減。電極配置於第二表面上，並與第二型摻雜半導體層電性連接。

在本發明之一實施例中，發光半導體元件具有連接於第一表面與第二表面之間的一側面，發光二極體晶片更包括一保護層，其覆蓋側面。

在本發明之一實施例中，保護層更覆蓋部分第一表面。

在本發明之一實施例中，發光二極體晶片更包括一導電接合層，其連接於導電基板與發光半導體元件之間。

本發明提出一種發光二極體晶片的製作方法如下所述。於一基板上形成一發光半導體材料層。於發光半導體材料層上形成多個凹槽，其中各凹槽的深度小於發光半導體材料層的厚度。於發光半導體材料層上形成一罩幕層。形成貫穿罩幕層與發光半導體材料層的多條溝槽，以將發光半導體材料層分割成多個彼此分離的發光半導體元件，其中各發光半導體元件具有一凹槽。以罩幕層為罩幕蝕刻發光半導體元件之暴露於溝槽中的部分，以使各溝槽的寬度沿著朝向基板的方向而遞增。移除罩幕層。於各發光半導體元件的凹槽中形成一第一電極，並且在各發光半導體元件之位於凹槽外並朝向遠離基板的方向的一表面上形成一第二電極。

在本發明之一實施例中，發光二極體晶片的製作方法更包括沿著溝槽切割基板，以形成多個彼此獨立的發光二極體晶片

在本發明之一實施例中，形成凹槽的方法包括乾式蝕刻或濕式蝕刻。

在本發明之一實施例中，形成溝槽的方法包括刀具切割或雷射切割。

在本發明之一實施例中，蝕刻發光半導體元件之暴露於溝槽中的部分的方法包括濕式蝕刻或乾式蝕刻。

在本發明之一實施例中，在以罩幕層為罩幕蝕刻發光半導體元件之暴露於溝槽中的部分之後，各發光半導體元件具有一第一部分與一第二部分，第一部分位於第二部分與基板之間，各發光半導體元件的凹槽貫穿第二部分並暴露出第一部分的一暴露區，第一部分的橫截面積沿著遠離基板的方向而遞增，第二部分的橫截面積沿著遠離基板的方向而遞增。

在本發明之一實施例中，發光半導體元件包括依序堆疊的一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。

本發明提出一種發光二極體晶片的製作方法如下所述。於一基板上形成一發光半導體材料層，發光半導體材料層包括依序堆疊的一第二型摻雜半導體層、一發光層以及一第一型摻雜半導體層。於發光半導體材料層上形成一罩幕層。形成貫穿發光半導體材料層與罩幕層的多條溝槽，以將發光半導體材料層分割成多個彼此分離的發光半導體元件。以罩幕層為罩幕蝕刻發光半導體元件之暴露於溝槽中的部分，以使各溝槽的寬度沿著朝向基板的方向而遞增。移除罩幕層。使發光半導體元件連接至一導電基板，其中發光半導體元件位於導電基板與基板之間。移除基板。於各發光半導體元件之朝向遠離導電基板的一第一表面上形成一電極。

在本發明之一實施例中，發光二極體晶片的製作方法更包括沿著溝槽切割導電基板，以形成多個彼此分離的發光二極體晶片。

在本發明之一實施例中，發光二極體晶片的製作方法更包括在以罩幕層為罩幕蝕刻發光半導體元件之暴露於溝槽中的部分之後，於各發光半導體元件的一側壁上形成一保護層。

在本發明之一實施例中，發光二極體晶片的製作方法更包括在使發光半導體元件連接至導電基板之前，於導電基板或是各發光半導體元件之朝向遠離基板的一第二表面上形成一導電接合層，以使各發光半導體元件經由導電接合層而連接導電基板。

在本發明之一實施例中，形成溝槽的方法包括刀具切割或雷射切割。

在本發明之一實施例中，蝕刻發光半導體元件之暴露於溝槽中的部分的方法包括濕式蝕刻或乾式蝕刻。

在本發明之一實施例中，在蝕刻發光半導體元件之暴露於溝槽中的部分之後，各發光半導體元件具有相對的第一表面與一第二表面，各第一表面與基板連接，各發光半導體元件的橫截面積由第一表面朝向第二表面而遞增。

基於上述，本發明的發光二極體晶片之發光半導體元件的截面積會隨著與基板的距離不同而有所不同，因此，發光二極體晶片的側壁可為一斜面。如此一來，發光層所發出的光容易以較小的入射角入射側壁，並經由側壁射出，故可提升發光二極體晶片的側壁光取出效率，進而可提升發光二極體晶片的發光亮度。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖2A～圖2F繪示本發明一實施例之發光二極體晶片的製程剖面圖。圖3A～圖3F繪示圖2A～圖2F的上視圖，且圖2A～圖2F是繪示圖3A～圖3F中沿I-I’線段的剖面圖。圖4繪示圖3F中沿II-II’線段的剖面圖。

首先，請同時參照圖2A與圖3A，於一基板210上形成一發光半導體材料層220a，其中發光半導體材料層220a包括依序堆疊的一第一型摻雜半導體層222、一發光層224以及一第二型摻雜半導體層226。發光層224位於第一型摻雜半導體層222與第二型摻雜半導體層226之間，且第一型摻雜半導體層222與基板210相連。

接著，請同時參照圖2B與圖3B，於發光半導體材料層220a上形成多個凹槽R，其中形成凹槽R的方法例如為乾式蝕刻、濕式蝕刻或是其他適合蝕刻半導體材料的方法。各凹槽R的深度D小於發光半導體材料層220a的厚度T，換言之，凹槽R並未貫穿發光半導體材料層220a。

然後，請同時參照圖2C與圖3C，於發光半導體材料層220a上形成一罩幕層230，罩幕層230的材質例如為二氧化矽或是其他的抗蝕刻材料。

之後，請同時參照圖2D與圖3D，例如以刀具切割或雷射切割的方式形成貫穿罩幕層230與發光半導體材料層220a的多條溝槽C，以將發光半導體材料層220a分割成多個彼此分離的發光半導體元件220，其中各發光半導體元件220具有一凹槽R。

接著，請同時參照圖2E與圖3E，以罩幕層230為罩幕蝕刻發光半導體元件220之暴露於溝槽C中的部分，以使各溝槽C的寬度W沿著朝向基板210的方向V而遞增。在本實施例中，蝕刻發光半導體元件220之暴露於溝槽C中的部分的方法包括濕式蝕刻、乾式蝕刻或是其他適合的等向性蝕刻。

詳細而言，由於本實施例是對發光半導體元件220進行等向性蝕刻，且罩幕層230為抗蝕刻材料層，因此，蝕刻製程會在發光半導體元件220之暴露於溝槽C中的部分(亦即暴露於罩幕層230外的部分)產生底切現象，進而使得溝槽C的寬度W沿著朝向基板210的方向V而遞增。

然後，請同時參照圖2F、圖3F與圖4，移除罩幕層230，並於各發光半導體元件220的凹槽R中形成一第一電極240，並且在各發光半導體元件220之位於凹槽R外並朝向遠離基板210的方向V1的一表面228上形成一第二電極250。

接著，在本實施例中，可選擇性地沿著溝槽C切割基板210，以形成多個彼此獨立的發光二極體晶片200。

以下將就發光二極體晶片200的結構部分進行詳細地描述。

請同時參照圖2F、圖3F與圖4，本實施例之發光二極體晶片200包括一基板210、一發光半導體元件220、一第一電極240以及一第二電極250，其中發光半導體元件220包括依序堆疊的一第一型摻雜半導體層222、一發光層224以及一第二型摻雜半導體層226。

發光半導體元件220具有一凹槽R，且凹槽R例如位於發光半導體元件220的邊緣。發光半導體元件220包括一第一部分P1與一第二部分P2，其中第一部分P1配置於基板210上，且第一部分P1位於第二部分P2與基板210之間，凹槽R貫穿第二部分P2並暴露出第一部分P1的一暴露區E。本實施例是以凹槽R的底面J所在的平面K為界，將發光半導體元件220區分成第一部分P1與第二部分P2。

第一部分P1的橫截面積沿著遠離基板210的方向V1而遞增，第二部分P2的橫截面積沿著遠離基板210的方向V1而遞增。詳細而言，在本實施例中，發光半導體元件220具有一底切的側壁S，且第一部分P1的一第一側壁S1與第二部分P2的一第二側壁S2構成底切的側壁S。

值得注意的是，由於底切的側壁S為一傾斜的側壁，因此，發光層224所發出的光L容易以較小的入射角入射底切的側壁S，並經由底切的側壁S射出，故可提升發光二極體晶片200的側壁光取出效率，進而可提升發光二極體晶片200的發光亮度。

在本實施例中，暴露區E的面積為A，第二部分P2之一最大橫截面積為B，且A/(A+B)≦0.15，舉例來說，A/(A+B)≦0.1。值得注意的是，由於本實施例之暴露區E的面積較小，故發光層224與第二型摻雜半導體層226的面積較大，因此，可有助於增加發光二極體晶片200中電子與電洞複合的機率，進而提升發光二極體晶片200的發光亮度。

在本實施例中，一部分的第一型摻雜半導體層222位於第一部分P1，而另一部分的第一型摻雜半導體層222以及發光層224與第二型摻雜半導體層226位於第二部分P2。換言之，在本實施例中，凹槽R不但貫穿發光層224與第二型摻雜半導體層226，還延伸入第一型摻雜半導體層222中。

在其他實施例中，第一型摻雜半導體層222位於第一部分P1，發光層224與第二型摻雜半導體層226位於第二部分P2，也就是說，凹槽R僅貫穿發光層224與第二型摻雜半導體層226，而未延伸入第一型摻雜半導體層222中。

第一電極240配置於第一部分P1之暴露區E上，並與第一型摻雜半導體層222電性連接。第二電極250配置於第二部分P2上，並與第二型摻雜半導體層226電性連接。

圖5A～圖5G繪示本發明一實施例之發光二極體晶片的製程剖面圖。

首先，請參照圖5A，於一基板510上形成一發光半導體材料層520a，發光半導體材料層520a包括依序堆疊的一第二型摻雜半導體層526、一發光層524以及一第一型摻雜半導體層522。接著，於發光半導體材料層520a上形成一罩幕層530。

然後，請參照圖5B，切割罩幕層530與發光半導體材料層520a，以形成貫穿罩幕層530與發光半導體材料層520a的多條溝槽C，且溝槽C將發光半導體材料層520a分割成多個彼此分離的發光半導體元件520。切割罩幕層530與發光半導體材料層520a的方法例如為刀具切割或雷射切割。

之後，請參照圖5C，以罩幕層530為罩幕蝕刻發光半導體元件520之暴露於溝槽C中的部分，以使各溝槽C的寬度W沿著朝向基板510的方向V而遞增。在本實施例中，蝕刻發光半導體元件520之暴露於溝槽C中的部分的方法例如為濕式蝕刻、乾式蝕刻或是其他的等向性蝕刻。

接著，請參照圖5D，移除罩幕層530。之後，可選擇性地於各發光半導體元件520的一側壁528上形成一保護層540。詳細而言，在本實施例中，保護層540不但可形成在側壁528上，還可形成在部分的第一型摻雜半導體層522上以及發光半導體元件520之間的基板510上。

然後，請參照圖5E，使發光半導體元件520連接至一導電基板570，其中發光半導體元件520位於導電基板570與基板510之間。

詳細而言，在本實施例中，在使發光半導體元件520連接至導電基板570之前，可選擇性地在導電基板570或是各發光半導體元件520之朝向遠離基板510的一第一表面F1上形成一導電接合層550，以使各發光半導體元件520可經由導電接合層550而連接至導電基板570。

之後，請參照圖5F，移除基板510，並於各發光半導體元件520之朝向遠離導電基板570的一第二表面F2上形成一電極560，其中移除基板510的方法例如為雷射剝離(laser lift-off)法。

然後，請參照圖5G，在本實施例中，可選擇性地沿著溝槽C切割導電基板570，以形成多個彼此分離的發光二極體晶片500(圖5G僅繪示一個發光二極體晶片500作為代表)。

以下將就發光二極體晶片500的結構部分進行詳細地描述。

請參照圖5G，本實施例之發光二極體晶片500包括一導電基板570、一發光半導體元件520與一電極560，其中發光半導體元件520包括依序堆疊的一第一型摻雜半導體層522、一發光層524以及一第二型摻雜半導體層526。

發光半導體元件520配置於導電基板570上，且發光半導體元件520與導電基板570之間可選擇性地配置一導電接合層550，以連接導電基板570與發光半導體元件520。

第一型摻雜半導體層522具有一朝向導電基板570的第一表面F1，第二型摻雜半導體層526具有朝向遠離導電基板570方向的一第二表面F2。發光半導體元件520的橫截面積由第一表面F1朝向第二表面F2而遞減，換言之，發光半導體元件520呈截切之錐狀體。電極560配置於第二表面F2上，並與第二型摻雜半導體層526電性連接。

在本實施例中，發光半導體元件520具有連接於第一表面F1與第二表面F2之間的一側面G，且一保護層540覆蓋側面G。此外，在本實施例中，保護層540還可覆蓋部分第一表面F1。

綜上所述，本發明的發光二極體晶片之發光半導體元件的截面積會隨著與基板的距離不同而有所不同，因此，發光二極體晶片的側壁可為一斜面。如此一來，發光層所發出的光容易以較小的入射角入射側壁，並經由側壁射出，故可提升發光二極體晶片的側壁光取出效率，進而可提升發光二極體晶片的發光亮度。

此外，由於本發明之凹槽所暴露出的第一部分的面積較小，故發光層與第二型摻雜半導體層的面積較大，因此，可有助於增加發光二極體晶片中電子與電洞複合的機率，進而提升發光二極體晶片的發光亮度。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、200、500．．．發光二極體晶片

102．．．凹槽

104．．．頂面

106、G．．．側面

110．．．絕緣基板

120．．．第一型摻雜半導體層

130．．．發光層

140．．．第二型摻雜半導體層

150．．．第一電極

160．．．第二電極

210、510．．．基板

220、520．．．發光半導體元件

220a、520a．．．發光半導體材料層

222、522．．．第一型摻雜半導體層

224、524．．．發光層

226、526．．．第二型摻雜半導體層

228．．．表面

230、530．．．罩幕層

240．．．第一電極

250．．．第二電極

528．．．側壁

540．．．保護層

550．．．導電接合層

560．．．電極

570．．．導電基板

C．．．溝槽

D．．．深度

E．．．暴露區

F1．．．第一表面

F2．．．第二表面

J．．．底面

K．．．平面

P1．．．第一部分

P2．．．第二部分

R．．．凹槽

S．．．底切的側壁

S1．．．第一側壁

S2．．．第二側壁

T．．．厚度

V、V1．．．方向

W．．．寬度

圖1繪示習知之發光二極體晶片的剖面圖。

圖2A～圖2F繪示本發明一實施例之發光二極體晶片的製程剖面圖。

圖3A～圖3F繪示圖2A～圖2F的上視圖，且圖2A～圖2F是繪示圖3A～圖3F中沿I-I’線段的剖面圖。

圖4繪示圖3F中沿II-II’線段的剖面圖。

圖5A～圖5G繪示本發明一實施例之發光二極體晶片的製程剖面圖。

200．．．發光二極體晶片

210．．．基板

220．．．發光半導體元件

222．．．第一型摻雜半導體層

224．．．發光層

226．．．第二型摻雜半導體層

228．．．表面

240．．．第一電極

250．．．第二電極

E．．．暴露區

J．．．底面

K．．．平面

P1．．．第一部分

P2．．．第二部分

R．．．凹槽

S．．．底切的側壁

S1．．．第一側壁

S2．．．第二側壁

V1．．．方向

Claims (28)

1. 一種發光二極體晶片，包括：一基板；一發光半導體元件，具有一凹槽，該發光半導體元件包括：一第一部分，配置於該基板上；一第二部分，該第一部分位於該第二部分與該基板之間，該凹槽貫穿該第二部分並暴露出該第一部分的一暴露區，其中該第一部分的橫截面積沿著遠離該基板的方向而遞增，該第二部分的橫截面積沿著遠離該基板的方向而遞增；一第一電極，配置於該第一部分之該暴露區上，並與該第一部分電性連接；以及一第二電極，配置於該第二部分上，並與該第二部分電性連接。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片，其中該發光半導體元件包括依序堆疊的一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。
3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體晶片，其中該第一型摻雜半導體層位於該第一部分，該發光層與該第二型摻雜半導體層位於該第二部分。
4. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體晶片，其中一部分的該第一型摻雜半導體層位於該第一部分，而另一部分的該第一型摻雜半導體層以及該發光層與該第二 型摻雜半導體層位於該第二部分。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片，其中該發光半導體元件具有一底切的側壁，且該第一部分的一第一側壁與該第二部分的一第二側壁構成該底切的側壁。
6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片，其中該暴露區的面積為A，該第二部分之一最大橫截面積為B，且A/(A+B)≦0.15。
7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體晶片，其中A/(A+B)≦0.1。
8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體晶片，其中該凹槽位於該發光半導體元件的邊緣。
9. 一種發光二極體晶片，包括：一導電基板；一發光半導體元件，配置於該導電基板上，該發光半導體元件包括依序堆疊的一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層，該第一型摻雜半導體層具有一朝向該導電基板的第一表面，該第二型摻雜半導體層具有朝向遠離該導電基板方向的一第二表面，該發光半導體元件的橫截面積由該第一表面朝向該第二表面而遞減；以及一電極，配置於該第二表面上，並與該第二型摻雜半導體層電性連接。
10. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體晶片， 其中該發光半導體元件具有連接於該第一表面與該第二表面之間的一側面，該發光二極體晶片更包括：一保護層，覆蓋該側面。
11. 如申請專利範圍第10項所述之發光二極體晶片，其中該保護層更覆蓋部分該第一表面。
12. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體晶片，更包括：一導電接合層，連接於該導電基板與該發光半導體元件之間。
13. 一種發光二極體晶片的製作方法，包括：於一基板上形成一發光半導體材料層；於該發光半導體材料層上形成多個凹槽，其中各該凹槽的深度小於該發光半導體材料層的厚度；於該發光半導體材料層上形成一罩幕層；形成貫穿該罩幕層與該發光半導體材料層的多條溝槽，以將該發光半導體材料層分割成多個彼此分離的發光半導體元件，其中各該發光半導體元件具有一凹槽；以該罩幕層為罩幕蝕刻該些發光半導體元件之暴露於該些溝槽中的部分，以使各該溝槽的寬度沿著朝向該基板的方向而遞增；移除該罩幕層；以及於各該發光半導體元件的該凹槽中形成一第一電極，並且在各該發光半導體元件之位於該凹槽外並朝向遠離該基板的方向的一表面上形成一第二電極。
14. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體晶片的製作方法，更包括：沿著該些溝槽切割該基板，以形成多個彼此獨立的發光二極體晶片。
15. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體晶片的製作方法，其中形成該些凹槽的方法包括乾式蝕刻或濕式蝕刻。
16. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體晶片的製作方法，其中形成該些溝槽的方法包括刀具切割或雷射切割。
17. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體晶片的製作方法，其中蝕刻該些發光半導體元件之暴露於該些溝槽中的部分的方法包括濕式蝕刻或乾式蝕刻。
18. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體晶片的製作方法，其中在以該罩幕層為罩幕蝕刻該些發光半導體元件之暴露於該些溝槽中的部分之後，各該發光半導體元件具有一第一部分與一第二部分，該第一部分位於該第二部分與該基板之間，各該發光半導體元件的該凹槽貫穿該第二部分並暴露出該第一部分的一暴露區，該第一部分的橫截面積沿著遠離該基板的方向而遞增，該第二部分的橫截面積沿著遠離該基板的方向而遞增。
19. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體晶片的製作方法，其中該發光半導體元件包括依序堆疊的一第一型摻雜半導體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。
20. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體晶片的製作方法，其中該罩幕層的材質包括二氧化矽。
21. 一種發光二極體晶片的製作方法，包括：於一基板上形成一發光半導體材料層，該發光半導體材料層包括依序堆疊的一第二型摻雜半導體層、一發光層以及一第一型摻雜半導體層；於該發光半導體材料層上形成一罩幕層；形成貫穿該發光半導體材料層與該罩幕層的多條溝槽，以將該發光半導體材料層分割成多個彼此分離的發光半導體元件；以該罩幕層為罩幕蝕刻該些發光半導體元件之暴露於該些溝槽中的部分，以使各該溝槽的寬度沿著朝向該基板的方向而遞增；移除該罩幕層；使該些發光半導體元件連接至一導電基板，其中該些發光半導體元件位於該導電基板與該基板之間；移除該基板；以及於各該發光半導體元件之朝向遠離該導電基板的一第一表面上形成一電極。
22. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體晶片的製作方法，更包括：沿著該些溝槽切割該導電基板，以形成多個彼此分離的發光二極體晶片。
23. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體晶片 的製作方法，更包括：在以該罩幕層為罩幕蝕刻該些發光半導體元件之暴露於該些溝槽中的部分之後，於各該發光半導體元件的一側壁上形成一保護層。
24. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體晶片的製作方法，更包括：在使該些發光半導體元件連接至該導電基板之前，於該導電基板或是各該發光半導體元件之朝向遠離該基板的一第二表面上形成一導電接合層，以使各該發光半導體元件經由該導電接合層而連接該導電基板。
25. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體晶片的製作方法，其中形成該些溝槽的方法包括刀具切割或雷射切割。
26. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體晶片的製作方法，其中蝕刻該些發光半導體元件之暴露於該些溝槽中的部分的方法包括濕式蝕刻或乾式蝕刻。
27. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體晶片的製作方法，其中在蝕刻該些發光半導體元件之暴露於該些溝槽中的部分之後，各該發光半導體元件具有相對的該第一表面與一第二表面，各該第一表面與該基板連接，各該發光半導體元件的橫截面積由該第一表面朝向該第二表面而遞增。
28. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體晶片的製作方法，其中該罩幕層的材質包括二氧化矽。