JP2007165409A - 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体発光素子1は、支持基板2と、光を発光するMQW活性層13及び最上層のn−GaN層14とを含む半導体積層構造6とを備え、半導体積層構造6のn−GaN層14の上面には複数のコーン形状の凸部14aが形成されている。MQW活性層から発光される光の波長をλ、n−GaN層14の屈折率をnとすると、凸部14の底面の幅Wの平均値WAが、
WA≧λ/n
となるように凸部14aが形成されている。
【選択図】図1
Description
WA≧λ/n
となるように前記凸部が形成されていることを特徴とする半導体発光素子である。
WA≧λ/n
となるように前記凸部を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。
WA≧λ/n ・・・(1)
を満たすように形成されている。
2 支持基板
3 p側電極
4 反射層
4a 金属層
5 マスク層
5a コンタクトホール
6 半導体積層構造
7 n側電極
11 ZnO電極
12 p−GaN層
13 MQW活性層
14 n−GaN層
14a 凸部
20 成長基板
Claims (5)
- 基板と、
光を発光する活性層を含み、前記基板上に設けられた半導体積層構造とを備え、
前記半導体積層構造の最上層の光が放出される半導体層の上面に1又は複数の凸部が形成され、
前記活性層から発光される光の波長をλ、前記最上層の半導体層の屈折率をnとした場合、
前記複数の凸部の底面の幅の平均値WAが、
WA≧λ/n
となるように前記凸部が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記最上層の半導体層は、n−GaN層であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記凸部は、錐体形状であることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 活性層を含む半導体積層構造を成長基板に形成する積層工程と、
前記半導体積層構造を支持基板に貼りかえる貼りかえ工程と、
前記半導体積層構造の最上層の半導体層にKOH(水酸化カリウム)溶液に浸漬した状態でUV(紫外線)光を照射することによって1又は複数の凸部を形成することにより、前記最上層の半導体層の表面を粗面化する粗面化工程とを備え、
前記粗面化工程では、
前記活性層から発光される光の波長をλ、前記最上層の半導体層の屈折率をnとした場合、
前記複数の凸部の底面の幅の平均値WAが、
WA≧λ/n
となるように前記凸部を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記粗面化工程において、前記KOH溶液の濃度に基づいて前記凸部の形状を決定することを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子の製造方法。
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