JP2012124219A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体発光素子1は、n型半導体層11とp型半導体層13とに挟まれた発光層12を有する半導体積層構造を有し、発光層12のn型半導体層11側から光を取り出す半導体発光素子であって、p型半導体層13上に形成された、発光層12から発せられた光を反射する反射層16と、を有し、n型半導体層11は、発光層12と反対側の面に光の進路を変更するための凹凸領域110を有し、反射層16の少なくとも一部は、凹凸領域110の端部の直上まで形成される。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光素子1の垂直断面図である。
第2の実施の形態の半導体発光素子2は、反射層16がp型半導体層13のコンタクト電極を兼ねる点において第1の実施の形態の半導体発光素子1と異なる。なお、第1の実施の形態と同様の点については、説明を省略または簡略化する。
第3の実施の形態の半導体発光素子3は、基板10が除去される点において第1の実施の形態の半導体発光素子1と異なる。なお、第1の実施の形態と同様の点については、説明を省略または簡略化する。
第4の実施の形態の半導体発光素子4は、基板10が除去される点、半導体構造が支持基板に接合される点、および電極28a、28bが半導体発光素子を挟むように形成されている点において第1の実施の形態の半導体発光素子1と異なる。なお、第1の実施の形態と同様の点については、説明を省略または簡略化する。
2 半導体発光素子
10 基板
11 n型半導体層
12 発光層
13 p型半導体層
16 反射層
17 絶縁層
110 凹凸
111 凹凸
Claims (6)
- 第1導電型層と第2導電型層とに挟まれた発光層を有する半導体積層構造を有し、前記発光層の前記第1導電型層側から光を取り出す半導体発光素子であって、
前記第2導電型層上に形成された、前記発光層から発せられた光を反射する反射層と、
を有し、
前記第1導電型層は、前記発光層と反対側の面に光の進路を変更するための凹凸領域を有し、
前記反射層の少なくとも一部は、前記凹凸領域の端部の直上まで形成される、
半導体発光素子。 - 前記第1導電型層の前記凹凸領域を有する前記面と接する透光性基板をさらに有する、
請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記半導体積層構造の少なくとも一部は、前記透光性基板の端部上まで形成される、
請求項2に記載の半導体発光素子。 - 前記反射層の前記第1導電型層の端部の直上に位置する部分の側面は、前記絶縁層に覆われない、
請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 前記凹凸領域は、前記第1導電型層の前記面の全域に形成される、
請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 前記反射層は、前記第2導電型層上に絶縁層を介して形成される、
請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
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