JP2013106020A - 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
半導体発光装置1は、III族窒化物半導体からなる発光層を含む半導体膜20と、半導体膜の光取り出し面とは反対側の面に設けられた反射電極40と、反射電極に接合層を介して接合された支持基板60と、を含む。半導体膜20は、光取り出し面に対して斜め方向に傾斜したテーパー状端面20aを有する。光取り出し面は、半導体膜の結晶構造に由来する形状の複数の突起からなる凹凸構造を有し、光取り出し面のエッジ部周辺の第1領域101における複数の突起の平均サイズが、第2領域102における複数の突起の平均サイズよりも小である。
【選択図】図4
Description
半導体結晶の成長を行うための成長用基板としてサファイア基板10を用意する。サファイア基板10を水素雰囲気中で1000℃、10分間加熱してサファイア基板10のサーマルクリーニングを行う。次にMOCVD法(有機金属気相成長法)によりサファイア基板10上に低温バッファ層、下地GaN層、n型GaN層、発光層、p型AlGaNクラッド層、p型GaN層からなる半導体膜20を形成する。具体的には、基板温度を500℃とし、TMG(トリメチルガリウム)(流量10.4μmol/min)およびNH3(流量3.3LM)を約3分間供給してGaNからなる低温バッファ層をサファイア基板10上に形成する。その後、基板温度を1000℃まで昇温し、約30秒間保持することで低温バッファ層を結晶化させる。続いて、基板温度を1000℃に保持したままTMG(流量45μmol/min)およびNH3(流量4.4LM)を約20分間供給し、厚さ約1μmの下地GaN層を形成する。次に、基板温度1000℃にてTMG(流量45μmol/min)、NH3(流量4.4LM)およびドーパントガスとしてSiH4(流量2.7×10-9mol/min)を約100分間供給し、厚さ約5μmのn型GaN層を形成する。続いて、n型GaN層の上に発光層を形成する。本実施例では、発光層としてInGaN/GaNからなる多重量子井戸構造を適用した。すなわち、InGaN/GaNを1周期として5周期の成長を行う。具体的には、基板温度を700℃とし、TMG(流量3.6μmol/min)、TMI(トリメチルインジウム)(流量10μmol/min)、NH3(流量4.4LM)を約33秒間供給し、厚さ約2.2nmのInGaN井戸層を形成し、続いてTMG(流量3.6μmol/min)、NH3(流量4.4LM)を約320秒間供給して厚さ約15nmのGaN障壁層を形成する。かかる処理を5周期分繰り返すことにより発光層が形成される。次に、基板温度を870℃まで昇温し、TMG(流量8.1μmol/min)、TMA(トリメチルアルミニウム)(流量7.5μmol/min)、NH3(流量4.4LM)およびドーパントとしてCp2Mg(bis-cyclopentadienyl Mg)(流量2.9×10-7μmol/min)を約5分間供給し、厚さ約40nmのp型AlGaNクラッド層を形成する。続いて、基板温度を保持したまま、TMG(流量18μmol/min)、NH3(流量4.4LM)およびドーパントとしてCp2Mg(流量2.9×10-7μmol/min)を約7分間供給し、厚さ約150nmのp型GaN層を形成する。サファイア基板10上には、これらの各層によって構成される半導体膜20が形成される(図6(a))。
ウエハをMOCVD装置から取り出し、p型GaN層の活性化を行う。成長過程において、p型GaN層の層内にはキャリアガスの原料である水素が混入しており、Mg−H結合が形成されている。このような状態では、ドープされたMgはドーパントとしての機能を果たすことができず、p型GaN層は高抵抗化している。この為、p型GaN層内に混入している水素を脱離させる活性化工程が必要となる。具体的には、400℃の不活性ガス雰囲気中でウエハの熱処理を行ってp型GaN層を活性化させる。
半導体膜20のp型GaN層の表面を洗浄した後、基板温度を約200℃とし、スパッタ法によりp型GaN層の表面に厚さ約40nmのITO膜30を形成する。次に、ITO膜30上に、半導体発光装置の1区画を画定する分割ラインに沿った格子状の開口パターンを有するレジストマスク(図示せず)を形成し、このレジストマスクを介してITO膜30を硝酸と塩酸の混合液を用いたウェットエッチングにより除去してITO膜30にパターニングを施す。このウェットエッチングによりITO膜30には上記分割ラインに沿った格子状の溝が形成され、ITO膜30は、ウエハ内に形成される複数の発光素子毎に分割される。分割されたITO膜30の個片の各々が正方形または長方形となるようにパターニングされる。レジストマスクを除去した後、450℃の酸素を含む雰囲気中にウエハを投入し、1分間の熱処理を行う。この熱処理によりITO膜30と半導体膜20との間にオーミック性接触が形成され、接触抵抗が大幅に低減される(図6(b))。
ITO膜30上に開口部を有するレジスト(図示せず)を形成した後、逆スパッタ法によりITO膜30の表面を浄化する。次に、スパッタ法によりウエハ全面に厚さ150nm程度のAg膜を形成した後、不要部分のAg膜を上記のレジストと供に除去することによりAg膜のパターニングを行って、反射電極40を形成する(図6(c))。
ITO膜30の形成領域に対応する部分に開口部を有するレジスト(図示せず)を形成する。次に、スパッタ法などによりITO膜30および反射電極40からなる積層体を全体的に覆うようにTiW(厚さ400nm)、Ti(厚さ100nm)、Pt(厚さ200nm)、Au(厚さ200nm)を順次堆積した後、不要部分を上記のレジストと供に除去することによりパターニングを行って、キャップ層50を形成する(図6(d))。キャップ層50を形成する上記の金属のうち、TiW層およびTi層は、共晶メタル層61を構成するAuSnの反射電極40への拡散を防止するバリア層として機能する。Pt層およびAu層は、AuSnに対する濡れ性を向上させるための層である。
半導体膜20に半導体発光装置の1区画を画定する分割溝(ストリート)25を形成する。具体的には、半導体膜20の表面に分割溝25のパターンに対応した格子状パターンのレジスト(図示せず)を形成する。次に、ウエハをRIE(反応性イオンエッチング)装置に投入し、Cl2プラズマによるドライエッチングにより上記レジストの開口部において露出している半導体膜20をp型GaN層側からエッチングする。これにより半導体膜20には、サファイア基板10に達する格子状の分割溝25が形成され、半導体膜20は例えば一辺が1000μmの個片(チップ)に分割される。半導体膜20の個片の端面(側面)20aは、光取り出し面に対して斜め方向に傾斜したテーパー状となっている。すなわち、半導体膜20の個片は、メサ形状となる(図6(e))。
半導体膜20を支持するための支持基板60を用意する。支持基板60は、例えば熱伝導率がサファイア基板10よりも高く、半導体膜20を支持するのに十分な機械的強度を有する部材が好ましい。支持基板60として、例えばシリコン基板、セラミック基板、ガラスエポキシ基板、金属基板などを用いることが可能である。支持基板60の表面には、共晶接合材であるAuSnなどからなる共晶メタル層61が形成されている。共晶メタル層61と、キャップ層50とを密着させ真空中でこれらを熱圧着することにより、半導体膜20と支持基板60とを接合する(図7(a))。
サファイア基板10を半導体膜20から剥離する。サファイア基板10の剥離には、レーザリフトオフ法を用いることができる。具体的には、サファイア基板10の裏面(半導体膜20の形成面とは反対側の面)からエキシマレーザを照射する。これによりサファイア基板10との界面近傍におけるGaN結晶がGaとN2ガスに分解し、サファイア基板10が半導体膜20から剥離する。サファイア基板10を除去することによりn型GaN層の表面20bが露出する。n型GaN層の表面20bは、IC−面で構成されており、アルカリ溶液を用いたウェットエッチング処理によりウルツ鉱型結晶構造に由来する形状の複数の六角錐状突起からなる凹凸構造を形成することが可能である。サファイア基板10を除去することにより露出したn型GaN層の表面20bに付着しているGaは、HClを用いて除去される(図7(b))。
分割溝25にレジスト80を埋め込んだ後、CMP(化学機械研磨)技術によりサファイア基板10を除去することにより露出したn型GaN層の表面(C−面)20bを研磨する。これにより、n型GaN層の表面(C−面)20bのエッジ部の面取りが行われ、エッジ部周辺においてC−面からオフセットしたオフセット面20cが表出する(図7(c))。図8は、研磨処理後における半導体膜20のエッジ部周辺の断面図である。例えば、半導体膜20のエッジ部からの幅aが10μm、光取り出し面からの深さbが約1μmの範囲が研磨により除去される。これにより、半導体膜20のエッジ部周辺にC−面20bから約5.7°オフセットしたオフセット面20cが表出する。オフセット面20cは、半導体膜20のテーパー状端面20aの直上に形成される。
ウエハを70℃のKOHに10分間浸漬してサファイア基板10を除去することにより露出したn型GaN層の表面(C−面)20bおよびC−面からオフセットしたオフセット面20cをエッチングして、これらの面にウルツ鉱型の結晶構造に由来する形状の複数の六角錐状突起からなる凹凸構造を形成する。オフセット面20cのエッチングレートは、C−面20bのエッチングレートよりも低いため、オフセット面20cに形成される六角錐状突起の平均サイズ(平均径)は、C−面20bに形成される六角錐状突起の平均サイズ(平均径)よりも小さくなる(図7(d))。尚、オフセット面20cは、図9に示すように、丸みを帯びた湾曲面を含んでいてもよい。この場合、半導体膜20のエッジ部に近づくにつれてC−面20bからのオフセット量が徐々に大きくなるので、エッジ部に近づくにつれて六角錐状突起のサイズが段階的に小さくなる。図7(d)においては、エッチング後もオフセット面20cによる傾斜形状が残存している場合が示されている。しかしながら、オフセット面20cのエッチングレートは、C−面20bのエッチングレートよりも低いため、図10に示すように、半導体膜20のエッジ部周辺が中央部よりも盛り上がった形状となることもある。このような形状の差異はエッチング条件などにより生じるが、いずれの形状であってもオフセット面20c上に形成される六角錐状突起のサイズがC−面20b上に形成されるものよりも小さくなることに変わりはない。
凹凸構造が形成された半導体膜20のn型GaN層の表面にTiおよびAlを順次蒸着した後、これをエッチングまたはリフトオフなどによりパターニングしてn電極70を形成する(図7(e))。以上の各工程を経ることにより、半導体発光装置1が完成する。
10 サファイア基板
20 半導体膜
20a テーパー状端面
20b C−面
20c オフセット面
30 ITO膜
40 反射電極
50 キャップ層
60 支持基板
101 第1領域
102 第2領域
Claims (9)
- 成長用基板上に発光層を含む半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、
前記半導体膜上に反射電極を介して支持基板を接合する支持基板接合工程と、
前記成長用基板を除去する成長用基板除去工程と、
前記成長用基板を除去することにより露出した前記半導体膜の表面のエッジ部周辺の第1領域において、前記第1領域よりも内側の第2領域において表出している結晶面に対してオフセットした面を表出させるオフセット面表出工程と、
前記半導体膜の表面をウェットエッチング処理して前記第1領域および第2領域に前記半導体膜の結晶構造に由来する形状の複数の突起からなる凹凸構造を形成する凹凸構造形成工程と、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 前記半導体膜は、III族窒化物半導体からなり、
前記オフセット面表出工程において、前記第2領域に表出しているIII族窒化物半導体結晶のC−面に対してオフセットした面が前記第1領域に表出することを特徴とする請求項1に記載の製造方法。 - 前記オフセット面表出工程は、前記成長用基板を除去することにより露出した前記半導体膜の表面を研磨して前記半導体膜の表面のエッジ部を面取りする処理を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。
- 前記オフセット面表出工程は、前記成長用基板を除去することにより露出した前記半導体膜の表面に、前記半導体膜の表面のエッジ部から前記第2領域に向けて連続的に膜厚が大きくなっているテーパー形状を有するレジストを形成し、前記レジストを介して前記半導体膜の表面のエッジ部周辺をエッチングする処理を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。
- 前記支持基板の接合工程の前に、前記半導体膜の表面から前記成長基板に達する分割溝を形成して前記半導体膜を複数の個片に分割する分割溝形成工程を更に有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載の製造方法。
- III族窒化物半導体からなる発光層を含む半導体膜と、
前記半導体膜の光取り出し面とは反対側の面に設けられた反射電極と、
前記反射電極に接合層を介して接合された支持基板と、を含み、
前記半導体膜は、前記光取り出し面に対して傾斜したテーパー状端面を有し、
前記光取り出し面は、前記半導体膜の結晶構造に由来する形状の複数の突起からなる凹凸構造を有し、
前記光取り出し面のエッジ部周辺の第1領域における前記複数の突起の平均サイズが、前記光取り出し面の前記第1領域よりも内側の第2領域における前記複数の突起の平均サイズよりも小であることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第1領域は、前記テーパー状端面の直上領域を含み、
前記第2領域は、前記反射電極の直上領域を含んでいることを特徴とする請求項6に記載の半導体発光装置。 - 前記第1領域における前記複数の突起のうち、その径が前記発光層から発せられる光の波長よりも小さいものの面積占有率が70%以上であることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体発光装置。
- 前記第2領域における前記複数の突起のうち、その径が前記発光層から発せられる光の波長よりも大きいものの面積占有率が40%以上であることを特徴とする請求項8に記載の半導体発光装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015076514A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | エルシード株式会社 | Led素子 |
WO2016072050A1 (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
CN105720139A (zh) * | 2016-02-24 | 2016-06-29 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 提高氮化物发光二极管p型掺杂浓度的外延生长方法 |
JP2018022919A (ja) * | 2017-10-06 | 2018-02-08 | エルシード株式会社 | Led素子 |
JP2020035829A (ja) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウェーハの加工方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102075644B1 (ko) | 2013-06-14 | 2020-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
DE102015111721A1 (de) * | 2015-07-20 | 2017-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips und strahlungsemittierender Halbleiterchip |
WO2017036900A1 (en) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | Lumileds Holding B.V. | Led module and lighting module |
CN113299809B (zh) * | 2021-05-24 | 2023-04-18 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光元件及其显示装置 |
TWI760231B (zh) * | 2021-05-24 | 2022-04-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光元件及其顯示裝置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006253298A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP2007165409A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2008172040A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、バックライト、ディスプレイおよび電子機器 |
JP2009043901A (ja) * | 2006-08-22 | 2009-02-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
WO2009084670A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Nichia Corporation | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2010092957A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Panasonic Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
US20110227114A1 (en) * | 2010-03-22 | 2011-09-22 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | High efficiency light emitting diode |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000228539A (ja) | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Sharp Corp | 窒素化合物半導体の製造方法 |
TWI226139B (en) | 2002-01-31 | 2005-01-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method to manufacture a semiconductor-component |
US20060204865A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Luminus Devices, Inc. | Patterned light-emitting devices |
EP2458652B1 (en) * | 2006-06-23 | 2023-08-02 | LG Electronics Inc. | Method of making light emitting diodes having vertical topology |
US7781247B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-08-24 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method for producing Group III-Group V vertical light-emitting diodes |
KR20110060666A (ko) * | 2009-11-30 | 2011-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그의 제조방법 |
CN102087979A (zh) | 2009-12-04 | 2011-06-08 | 中国科学院微电子研究所 | 高性能半导体器件及其形成方法 |
KR101014071B1 (ko) * | 2010-04-15 | 2011-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
JP2011251271A (ja) | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Miura Co Ltd | 軟水化装置 |
DE102010044986A1 (de) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips |
-
2011
- 2011-11-17 JP JP2011251271A patent/JP5912442B2/ja active Active
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2012
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006253298A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP2007165409A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2009043901A (ja) * | 2006-08-22 | 2009-02-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
JP2008172040A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、バックライト、ディスプレイおよび電子機器 |
WO2009084670A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Nichia Corporation | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2010092957A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Panasonic Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
US20110227114A1 (en) * | 2010-03-22 | 2011-09-22 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | High efficiency light emitting diode |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015076514A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | エルシード株式会社 | Led素子 |
WO2016072050A1 (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JPWO2016072050A1 (ja) * | 2014-11-07 | 2017-08-17 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
TWI628810B (zh) * | 2014-11-07 | 2018-07-01 | 信越半導體股份有限公司 | 發光元件以及發光元件的製造方法 |
CN105720139A (zh) * | 2016-02-24 | 2016-06-29 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 提高氮化物发光二极管p型掺杂浓度的外延生长方法 |
JP2018022919A (ja) * | 2017-10-06 | 2018-02-08 | エルシード株式会社 | Led素子 |
JP2020035829A (ja) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウェーハの加工方法 |
CN110911530A (zh) * | 2018-08-28 | 2020-03-24 | 株式会社迪思科 | 光器件晶片的加工方法 |
JP7258414B2 (ja) | 2018-08-28 | 2023-04-17 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウェーハの加工方法 |
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