JP2011029612A - Iii族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】III 族窒化物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光素子100は、p型層103のp電極と接合している側の表面に、複数のドット状の溝108が形成されている。溝108は、n型層106に達する深さである。また、溝108の側面は、p型層104からn型層106に向かうにつれて素子面方向の断面積が減少するように傾斜している。n型層106のn電極107と接合している側の表面には、n電極107が形成されている領域を除いて微細な凹凸113が形成されていて、微細な凹凸113上には、屈折率が1.5〜2.3の透光性を有した絶縁膜114が形成されている。溝108によるn型層106側への光の反射と、絶縁膜114によるn型層106側への反射防止により、光取り出し効率が向上している。
【選択図】図1
【解決手段】発光素子100は、p型層103のp電極と接合している側の表面に、複数のドット状の溝108が形成されている。溝108は、n型層106に達する深さである。また、溝108の側面は、p型層104からn型層106に向かうにつれて素子面方向の断面積が減少するように傾斜している。n型層106のn電極107と接合している側の表面には、n電極107が形成されている領域を除いて微細な凹凸113が形成されていて、微細な凹凸113上には、屈折率が1.5〜2.3の透光性を有した絶縁膜114が形成されている。溝108によるn型層106側への光の反射と、絶縁膜114によるn型層106側への反射防止により、光取り出し効率が向上している。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板リフトオフ法によって成長基板を除去され、支持体と接合されたIII 族窒化物半導体発光素子に関するものである。
III 族窒化物半導体の成長基板として、一般的にサファイア基板が用いられている。しかし、サファイアは導電性や熱伝導性に問題があり、明確な劈開面がなく加工が容易でない。そこで、これらの問題を解決する技術として、成長基板上にIII 族窒化物半導体を成長させた後に成長基板を除去する技術(基板リフトオフ)が開発されている。
その技術の1つがレーザーリフトオフ法である。これは、III 族窒化物半導体層と支持基板とを接合した後、成長基板とIII 族窒化物半導体との界面にレーザーを照射してIII 族窒化物半導体層を分解させて成長基板を分離除去する方法である。また、別の技術として、III 族窒化物半導体層の成長基板に近い層に薬液に溶解可能な層を導入し、III 族窒化物半導体層と支持基板とを接合した後に、所望の薬液により上記薬液に溶解可能な層を溶解して成長基板を除去する方法(ケミカルリフトオフ法)も知られている。
このような成長基板が除去され、支持基板と接合されたIII 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させる技術が特許文献1に示されている。特許文献1に記載の発光素子では、p型層のp電極と接合している側の表面からn型層に達する深さの光反射用凹部を設け、p型層からn型層に向かうにつれ素子面方向における断面積が減少するように凹部側面を傾斜させている。この反射用凹部により、活性層近傍に閉じ込められて素子面方向に伝搬している光をn型層側へと反射させ、光取り出し効率を向上させている。
しかし、特許文献1のように光反射用凹部を設けた場合であっても、光反射用凹部によってn型層側へと反射された光の一部は、n型層のn電極と接合している側の表面において反射して素子内部へと戻ってしまうため、光取り出し効率が十分に向上していなかった。
そこで本発明の目的は、光取り出し効率を向上させたIII 族窒化物半導体発光素子、およびその製造方法を提供することにある。
第1の発明は、導電性の支持体と、支持体上に位置するp電極と、p電極上に順に位置する、III 族窒化物半導体からなるp型層、活性層、n型層と、n型層上に位置するn電極と、を有し、n型層のn電極側表面に微細な凹凸が設けられたIII 族窒化物半導体発光素子において、微細な凹凸を覆うように形成され、透光性で屈折率が1.5〜2.3の絶縁膜と、p型層のp電極側表面から少なくともn型層に達する深さの溝と、溝の側面および底面に形成された透光性で絶縁性の保護層と、を備え、溝の側面は、溝の素子面方向における断面積がn型層側に向かって減少する傾斜を有する、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子である。
ここでIII 族窒化物半導体とは、一般式Alx Gay Inz N(x+y+z=1、0≦x、y、z≦1)で表される半導体であり、Al、Ga、Inの一部を他の第13族元素であるBやTlで置換したもの、Nの一部を他の第15族元素であるP、As、Sb、Biで置換したものをも含むものとする。より一般的には、Gaを少なくとも含むGaN、InGaN、AlGaN、AlGaInNを示す。n型不純物としてはSi、p型不純物としてはMgが通常用いられる。
透光性を有し、屈折率が1.5〜2.3の絶縁膜には、たとえばAl2 O3 、CeO2 、HfO2 、MgO、Nb2 O5 、Ta2 O5 、Y2 O3 、ZrO2 などを用いることができる。なお、本明細書中における屈折率は、III 族窒化物半導体発光素子の発光波長における屈折率を意味する。絶縁膜のより望ましい屈折率は、1.7〜2.1である。また、本明細書中における透光性は、III 族窒化物半導体発光素子の発光波長に対する透光性を意味する。
微細な凹凸は、n型層表面のn電極形成領域には設けずに平坦なままとすることが望ましい。これは、n電極と微細な凹凸との間で光が多重反射して減衰してしまい、光取り出し効率が悪化してしまうのを防止するためである。
溝は、任意のパターンでよく、ストライプ状、格子状などのライン状のパターンや、複数のドット状のパターンなどである。ドット状に単数もしくは複数設けられていてもよいし、直線状、曲線状などのライン状に設けられていてもよい。
溝の側面の傾斜は、素子面に対して30〜85度であることが望ましく、40〜80度であるとさらに望ましい。
溝をドット状とする場合の形状は、角錐、円錐、角錐台、円錐台、など任意の形状でよく、不定形であってもよい。また、ドット状の溝を複数設ける場合には、マトリクス状に配置するなどの等間隔で周期的な配置として均一に設けることが望ましい。発光の均一性を高めることができるからである。溝の形状を素子面方向の断面が円である形状とする場合には、溝のp型層表面における直径は0.5〜50μmであることが望ましく、1〜5μmであることがより望ましい。また、溝の底面の直径が0〜45μmであることが望ましく、0〜4.5μmであることがより望ましい。
溝を複数の直線状のラインによるパターンとする場合には、ラインの間隔、幅を均等にすることが望ましい。また、溝のパターンをライン状とする場合には、p型層表面でのライン幅は0.5〜30μmが望ましく、1〜15μmがより望ましい。溝の底面におけるライン幅は、0〜25μmが望ましく、0〜12μmであることがより望ましい。
保護層は、電流のリークやショートを防止するために設けるものである。保護層を誘電体とする場合、溝の底面および側面に膜状に形成されていてもよいし、溝全体を埋めるようにして形成されていてもよい。保護層である誘電体を溝の底面および側面に膜状に形成する場合には、保護層を介して溝の側面や底面に高反射層を設けることが望ましい。高反射層もまた、膜状に形成してもよいし、溝を埋めるようにして形成されていてもよい。また、高反射な材料からなるp電極が上記高反射層であってもよい。保護層の外側(溝の内部側)にp電極などの高反射層を設けない場合には、保護層である誘電体は、n型層、活性層、p型層を構成する材料のうち、最も屈折率の小さい材料よりも小さい屈折率の材料であることが望ましい。活性層近傍において素子面方向に伝搬する光を、n型層側へ全反射させるためである。また、保護層を多層膜としてブラッグ反射を利用した構造としてもよい。さらに、保護層は、溝の底面および側面にイオン注入することで膜状に高抵抗化されたイオン注入領域であってもよい。注入するイオンは、Ar、Nなどを用いることができる。このように保護層をイオン注入領域とし、溝の底面および側面にイオン注入領域を介してp電極を形成すれば、p電極の密着性を損なわずに、n型層側への光反射率を高めることができる。なお、保護層としてイオン注入領域を用いる場合も、p電極は溝を埋めるように形成されていてもよいし、溝の側面および底面に沿って膜状に形成されていてもよい。
n電極は、櫛歯型、ストライプ状、格子状などの配線状のパターンに形成することが望ましい。素子面方向への電流拡散性を向上させ、発光を均一にし、駆動電圧の上昇を抑制させるためである。
成長基板は、サファイアが一般的であるが、他にもSiC、ZnO、スピネル、などを用いることができる。また、支持体には、Si、Ge、GaAs、Cu、Cu−Wなどの基板を用いることができ、金属層を介してp電極と支持体を接合することで、支持体上にp電極を形成することができる。金属層には、Au−Sn層、Au−Si層、Ag−Sn−Cu層、Sn−Bi層などの金属共晶層を用いることができ、Au層、Sn層、Cu層などを用いることもできる。また、p電極上に直接めっきやスパッタなどによってCuなどの金属層を形成して支持体としてもよい。
第2の発明は、第1の発明において、溝はドット状であり、複数形成されている、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子である。
第3の発明は、第2の発明において、溝は、マトリクス状に配置されている、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子である。
第4の発明は、第1の発明において、溝は、格子状に形成されている、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子である。
第5の発明は、第1の発明から第4の発明において、保護層は、溝を埋めるようにして形成された誘電体である、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子である。
第6の発明は、第1の発明から第4の発明において、保護層は膜状に形成された誘電体であり、溝は、保護層を介してp電極により埋められている、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子である。
第7の発明は、第5の発明または第6の発明において、保護層である誘電体は、p型層、活性層、およびn型層を構成する材料の屈折率よりも屈折率の小さい材料からなる、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子である。
第8の発明は、第1の発明から第4の発明において、保護層は、溝の側面および底面にイオン注入することで膜状に高抵抗化されたイオン注入領域であり、溝の側面および底面には、保護層を介してp電極が形成されている、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子である。
第9の発明は、第1の発明から第8の発明において、絶縁膜は、Al2 O3 、CeO2 、HfO2 、MgO、Nb2 O5 、Ta2 O5 、Y2 O3 、またはZrO2 であることを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子である。
第1の発明によると、発光素子が封止樹脂によって封止された際に、封止樹脂と微細な凹凸との間に第1絶縁膜が位置し、その第1絶縁膜の屈折率がIII 族窒化物半導体の屈折率よりも小さく封止樹脂の屈折率よりも大きい1.5〜2.3であるため、微細な凹凸と封止樹脂との界面で光が反射して光取り出し効率が悪化するのを防止し、光取り出し効率を向上させることができる。また、溝によって、素子面方向に閉じ込められていた光をn型層側へと反射させることができ、微細な凹凸によって効率的に外部へ放射させることができるため、光取り出し効率を向上させることができる。
また、第2の発明のように、溝は複数のドット状のパターンとすることができ、第3の発明のように、ドット状の溝がマトリクス状に配置されたパターンとすれば、発光の均一性を損なうことなく光取り出し効率を向上させることができる。
また、第4の発明のように、溝は格子状のパターンとすることができ、第3の発明と同様に光の均一性を損なうことなく光取り出し効率を向上させることができる。
また、第5の発明のように、保護層である誘電体によって溝を埋めてもよい。また、第6の発明のように、保護層を膜状の誘電体とし、保護層を介してp電極により溝を埋める構成とすれば、p電極によって光をn型層側へと反射させることができるので、光取り出し効率をさらに向上させることができる。また、第7の発明のように、保護層の材料を、p型層、活性層、およびn型層を構成する材料の屈折率よりも屈折率の小さい材料とすれば、溝による光の反射率をより高めることができ、さらに光取り出し効率を向上させることができる。
また、第8の発明によれば、第6の発明と同様に光取り出し効率を向上させることができるとともに、保護層としてイオン注入領域を用いるため、保護層として誘電体を用いた場合よりもp電極の密着性が優れ、素子の信頼性を向上させることができる。
また、第9の発明のように、絶縁膜の材料としてAl2 O3 、CeO2 、HfO2 、MgO、Nb2 O5 、Ta2 O5 、Y2 O3 、またはZrO2 を用いることができる。
以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
図1は、実施例1の発光素子100の構成を示した断面図である。発光素子100は、支持体101と、支持体101上に低融点金属層102を介して接合されたp電極103と、p電極103上に順に積層されたIII 族窒化物半導体からなるp型層104、活性層105、n型層106と、n型層106上に形成されたn電極107と、によって構成されている。
支持体101には、Si、GaAs、Cu、Cu−Wなどからなる導電性基板を用いることができる。低融点金属層102には、Au−Sn層、Au−Si層、Ag−Sn−Cu層、Sn−Bi層などの金属共晶層を用いることができ、低融点金属ではないが、Au層、Sn層、Cu層などを用いることもできる。なお、低融点金属層102を用いて支持体101とp電極103とを接合するのではなく、p電極103上に直接めっきやスパッタなどによってCuなどの金属層を形成して支持体101としてもよい。p電極103は、Ag、Rh、Pt、Ruやこれらの金属を主成分とする合金などの高光反射率で低コンタクト抵抗な金属である。他にp電極103の材料として、Ni、Ni合金、Au合金などを用いることもでき、ITOなどの透明電極膜と高反射金属膜からなる複合層であってもよい。
p型層104、活性層105、n型層106は、従来より発光素子の構成として知られている任意の構成でよい。p型層104は、たとえば、支持体101側から順に、GaNからなるMgがドープされたpコンタクト層、AlGaNからなるMgがドープされたpクラッド層が積層された構造である。活性層105は、たとえば、GaNからなる障壁層とInGaNからなる井戸層が繰り返し積層されたMQW構造である。n型層106は、たとえば、活性層105側から順に、GaNからなるnクラッド層、GaNからなる高濃度にSiがドープされたn型コンタクト層、が積層された構造である。
p型層104のp電極103と接合している側の表面には、ドット状の溝108が複数形成されている。この溝108は、p型層104、活性層105を貫通し、n型層106に達する深さである。溝108の形状は、p型層104からn型層106に向かうにつれ素子面方向の断面積が減少する円錐台状である。
溝108の内部は、電流のリークやショートを防止するために、透光性、絶縁性を有した誘電体からなる保護層110によって埋められている。この保護層110の材料は、p型層104、活性層105、n型層106を構成する材料のうち最も小さい屈折率よりも小さい屈折率の材料である。たとえばSiO2 などである。保護層110の屈折率は2.0以下が望ましく、1.6以下であればより望ましい。保護層110の屈折率が小さいほど、p型層104、活性層105、n型層106から保護層110へ入射する光の臨界角を小さくすることができる。したがって、n型層側へ全反射される光量が増大し、より光取り出し効率を向上させることができる。
溝108側面の傾斜角度は、素子面に対して30〜85度であることが望ましく、40〜80度であるとより望ましい。光取り出し効率をより向上させることができるからである。また、溝108の形状は上記のような円錐台状に限るものではなく、円錐、角錐、角錐台、などであってもよく、不定形であってもよい。
図2は、発光素子100をn電極107側からみた平面図である。n電極107は、図2のように、配線状部111と、2つのパッド部112とで構成されている。2つのパッド部112は、正方形の発光素子100のある一辺側の2つの角部にそれぞれ配置されている。配線状部111は、発光素子100の平面形状である正方形の辺に対して平行に辺を揃えた長方形を、その短手方向に並べたパターンに形成されており、2つのパッド部112に接続している。n電極107には、たとえばCr/Ti/Ni/Auなどを用いる。
また、図2のように、溝108はマトリクス状に配置されている。溝108が設けられた領域はn型層106の厚さが薄く、シート抵抗が高くなる。溝108が等間隔で周期的なマトリクス状に配置されていることから、n型層106のシート抵抗の高い領域はドット状に等間隔で周期的に存在しており、n型層106のシート抵抗の高い領域で区画される領域は存在しないため、素子面方向への電流拡散性を大きく損なうことはない。また、配線状部111による各長方形のパターン内に、同数のドット状の溝108が含まれるように均等に配線状部111を形成することで、素子面方向への電流拡散性が悪化しないようにしている。
溝108の配列は必ずしもこのようなマトリクス状の配置である必要はないが、電流を素子面方向に均等に拡散させ、発光を均一とするために、溝108は等間隔に周期的に配置されていることが望ましい。なお、溝108は、素子面方向に垂直方向においてn電極107の配線状部111やパッド部112に対向する位置に形成されていてもよいし、対向しない位置に形成されていてもよい。
n型層106のn電極107と接合している側の表面には、n電極107が形成されている領域を除いて微細な凹凸113が形成されている。微細な凹凸113は、微小な六角推が多数形成されたものであり、その六角推の側面と素子面との成す角度は約60度である。この微細な凹凸113により、光取り出し効率を向上させている。n型層106のn電極107が接合している側の表面のn電極107形成領域については微細な凹凸113を形成せず、平坦なままとしているが、これはn電極107と微細な凹凸113との間で光が多重反射して減衰し、光取り出し効率を悪化させてしまうのを防止するためである。
微細な凹凸113上には、ZrO2 からなる絶縁膜114が形成されている。ZrO2 以外にも透光性と絶縁性を有し、屈折率が1.5〜2.3の材料を用いてよく、たとえばAl2 O3 、CeO2 、HfO2 、MgO、Nb2 O5 、Ta2 O5 、Y2 O3 、などの材料を絶縁膜114として用いることができる。また、保護層110と絶縁膜114の材料は同じであってもよい。絶縁膜114のより望ましい屈折率は、1.7〜2.1である。この絶縁膜114は、凹凸113上だけでなく、発光素子100の端面に露出するn型層106、活性層105、p型層の側面をも覆うようにして形成してもよい。これにより、発光素子100の側端面における電流のリークやショートを防止することができる。
この発光素子100の構成によれば、活性層105近傍において水平方向に閉じ込められていた光を、溝108の側面によりn型層106側へと反射させることができ、光取り出し効率を向上させることができる。また、発光素子100がシリコーン等の樹脂に封止された際に、その樹脂層と微細な凹凸113との間に絶縁膜114が位置し、その絶縁膜114の屈折率が、III 族窒化物半導体の屈折率(約2.4)よりも小さく、シリコーン樹脂の屈折率(約1.45)よりも大きい値であるため、微細な凹凸114と樹脂層との間での反射により光取り出しが阻害されてしまうことがなく、光取り出し効率を向上させることができる。
次に、発光素子100の製造工程について、図3を参照に説明する。
まず、サファイア基板115上に、MOCVD法によってIII 族窒化物半導体からなるn型層106、活性層105、p型層104を順に積層させる(図3.A)。MOCVD法において用いる原料ガスは、窒素源として、アンモニア(NH3 )、Ga源として、トリメチルガリウム(Ga(CH3 )3 )、In源として、トリメチルインジウム(In(CH3 )3 )、Al源として、トリメチルアルミニウム(Al(CH3 )3 )、n型ドーピングガスとして、シラン(SiH4 )、p型ドーピングガスとしてシクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5 H5 )2 )、キャリアガスとしてH2 またはN2 である。サファイア基板115以外にもSiC、ZnO、スピネル、などを用いることができる。
次に、p型層104上に、溝108を形成する領域に窓を開けたパターンのSiO2 からなるマスクを形成し、塩素系ガスプラズマを用いたドライエッチングを行う。これにより、マトリクス状に配列された、n型層106に達する深さの溝108が複数形成される。その後、マスクはバッファードフッ酸等により除去する(図3.B)。
次に、p型層103上に溝108を埋めるようにして透光性の絶縁層を形成し、その後p型層103が露出するまでエッチバックすることにより、溝108の内部を埋める保護層110を形成する(図3.C)。
次に、p電極103を蒸着法によってp型層104上および保護層110上に形成し、さらにその上に低融点金属層102を形成する(図3.D)。
次に、支持体101を用意し、低融点金属層102を介して、支持体101とp電極103を接合する(図3.E)。なお、p電極103と低融点金属層102との間に図示しない拡散防止層をあらかじめ形成しておき、低融点金属層102の金属がp電極103側に拡散するのを防止するとよい。
そして、サファイア基板115側からレーザー光を照射して、レーザーリフトオフにより、サファイア基板115を分離除去する(図3.F)。
次に、サファイア基板114の除去により露出したn型層106表面であって、のちにn電極107を形成する領域に、SiO2 からなるマスクを形成し、濃度2.2%のTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)水溶液にウェハを浸漬することで、マスクに覆われていないn型層106表面の領域に微細な凹凸113を形成する。その後マスクをバッファードフッ酸により除去する(図3.G)。微細な凹凸の形成にはTMAH以外にもKOHやNaOHなどの水溶液を用いることもできる。
次に、n型層106上の全面にCVD法によって絶縁膜を形成し、微細な凹凸113が形成されていない平坦なn型層106の領域上の絶縁膜をドライエッチングにより除去することで、微細な凹凸113上に絶縁膜114を形成する(図3.H)。なお、素子分離のメサ溝形成をこの工程の前に行っておき、絶縁膜114をメサ溝側面にも形成しておくとよい。
次に、微細な凹凸113が形成されていない平坦なn型層106上に、配線状部111と2つのパッド部112とを有したn電極107を、レジストを用いたリフトオフ法によって形成する。そして、支持体101を研磨して薄くし、支持体101の低融点金属層102側とは反対側の表面に裏面電極(図示しない)を形成し、レーザーダイシングによるチップ分離を行って図1に示す発光素子100が製造される。
図4は、実施例2の発光素子200の構成を示した断面図である。実施例2の発光素子200は、発光素子100の保護層110に替えて保護層210とし、p電極103に替えてp電極203とした以外は発光素子100と同様の構成である。
保護層210は、溝108の底面、側面の形状に沿って膜状に形成された誘電体であり、保護層110と同様に電流のリークやショートを防止するために設けるものである。保護層210は、保護層110と同様の材料からなる。すなわち、透光性と絶縁性を有した材料であって、p型層104、活性層105、n型層106を構成する材料のうち最も小さい屈折率よりも小さい屈折率の材料である。保護層210を多層膜として、ブラッグ反射を利用した高反射率な構造としてもよい。
p電極203は、p型層104の支持体101側の表面上に形成され、さらに保護層210を介して溝108を埋めるようにして形成されている。p電極203は、p電極103と同様に、Ag、Rh、Pt、Ruやこれらの金属を主成分とする合金などの高光反射率で低コンタクト抵抗な金属からなる。
なお、保護層210とp電極203との間に、p電極203の材料とは異なる材料の高反射率な金属膜をさらに設けてもよい。また、p電極203により溝108を埋めずに、p電極203の材料とは異なる材料の高反射率な金属層により保護層210を介して溝108を埋めるようにしてもよい。
以上の発光素子200の構成によれば、活性層105近傍において水平方向に閉じ込められていた光を、溝108の側面(保護層210と、n型層106、活性層105、p型層104との界面)によって効率的にn型層106側へと反射させることができ、保護層210を透過した光は、p電極203または高反射率な金属層によってn型層106の出力面に向かう方向へ反射させることができるので、光取り出し効率を向上させることができ、光出力を向上させることができる。
図6は、実施例3の発光素子300の構成を示した断面図である。実施例3の発光素子300は、発光素子200の保護層210、p電極203に替えて、以下に説明する保護層310、p電極303とした構成であり、他の構成は発光素子200と同様である。
保護層310は、溝108の底面および側面に、イオン注入することによって膜状に高抵抗化されたイオン注入領域である。すなわち、イオン注入領域は、イオンの注入によって結晶構造が破壊されて高抵抗化したIII 族窒化物半導体である。イオン注入領域である保護層310は、誘電体からなる保護層110、210と同様に電流のリークやショートを防止するためのものである。また、保護層310は、III 族窒化物半導体の結晶構造が破壊されたものであるから、透光性を有している。また、保護層310の厚さや抵抗値は、注入する元素の種類、イオンの注入量、加速電圧によって制御可能である。注入する元素は、たとえばAr、Nなどである。
p電極303は、p型層104の支持体101側の表面上に形成され、さらに保護層310を介して溝108を埋めるようにして形成されている。p電極303は、保護層310を介して溝108の側面および底面に沿って膜状に形成されていてもよい。p電極303は、p電極103と同様に、Ag、Rh、Pt、Ruやこれらの金属を主成分とする合金などの高光反射率で低コンタクト抵抗な金属からなる。ここで、p電極303は、保護層310と接触しているが、保護層310はIII 族窒化物半導体の結晶構造が破壊されて高抵抗化されたイオン注入領域であるから、保護層310を誘電体とした場合よりも密着性に優れており、発光素子300の信頼性を向上させることができる。
以上に説明した発光素子300によれば、実施例2の発光素子200と同様に、光取り出し効率を向上させ、光出力を向上させることができる。
なお、実施例1〜3では溝をドット状として複数設けたが、必ずしもドット状である必要はなく、直線状、曲線状、それらの複合などのライン状のパターンの溝を設けてもよい。たとえば、図5は、所定幅の交差する直線からなる格子状の溝308を設けた例である。このとき、溝308が設けられた領域はn型層106の厚さが薄くシート抵抗が高くなり、溝308によって区画された矩形領域への電流拡散が阻害される。しかし、n電極107の配線状部111を、溝308によって区画された矩形領域すべてを通るように形成することで、素子面方向への電流拡散性が悪化しないようにしている。なお、溝をライン状に形成する場合、p型層表面でのライン幅は、0.5〜30μmであることが望ましく、1〜15μmがより望ましい。また溝の底面におけるライン幅は、0〜25μmが望ましく、0〜12μmであることがより望ましい。ここで、溝の底面におけるライン幅が0のものは、たとえば溝の断面形状が三角形の場合などである。
また、実施例1〜3では、サファイア基板の除去にレーザーリフトオフを用いているが、サファイア基板とn型層との間に薬液に溶解させることができるバッファ層を形成し、支持体との接合後に薬液によってバッファ層を溶解させてサファイア基板を分離除去するケミカルリフトオフを用いてもよい。
本発明のIII 族窒化物半導体発光素子は、表示装置や照明装置などに用いることができる。
101:支持体
102:低融点金属層
103、203、303:p電極
104:p型層
105:活性層
106:n型層
107:n電極
108:溝
110、210、310:保護層
111:配線状部
112:パッド部
113:微細な凹凸
114:絶縁膜
115:サファイア基板
102:低融点金属層
103、203、303:p電極
104:p型層
105:活性層
106:n型層
107:n電極
108:溝
110、210、310:保護層
111:配線状部
112:パッド部
113:微細な凹凸
114:絶縁膜
115:サファイア基板
Claims (9)
- 導電性の支持体と、前記支持体上に位置するp電極と、前記p電極上に順に位置する、III 族窒化物半導体からなるp型層、活性層、n型層と、前記n型層上に位置するn電極と、を有し、前記n型層の前記n電極側表面に微細な凹凸が設けられたIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記微細な凹凸を覆うように形成され、透光性で屈折率が1.5〜2.3の絶縁膜と、
前記p型層の前記p電極側表面から少なくとも前記n型層に達する深さの溝と、
前記溝の側面および底面に形成された透光性で絶縁性の保護層と、
を備え、
前記溝の側面は、前記溝の素子面方向における断面積が前記n型層側に向かって減少する傾斜を有する、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 前記溝はドット状であり、複数形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記溝は、マトリクス状に配置されている、ことを特徴とする請求項2に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記溝は、格子状に形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記保護層は、前記溝を埋めるようにして形成された誘電体である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記保護層は膜状に形成された誘電体であり、
前記溝は、前記保護層を介して前記p電極により埋められている、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。 - 前記保護層である前記誘電体は、前記p型層、前記活性層、および前記n型層を構成する材料の屈折率よりも屈折率の小さい材料からなる、ことを特徴とする請求項5または請求項6に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記保護層は、前記溝の側面および底面にイオン注入することで膜状に高抵抗化されたイオン注入領域であり、
前記溝の側面および底面には、前記保護層を介して前記p電極が形成されている、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。 - 前記絶縁膜は、Al2 O3 、CeO2 、HfO2 、MgO、Nb2 O5 、Ta2 O5 、Y2 O3 、またはZrO2 であることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
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