JP2011216882A - 高効率発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、支持基板上に位置する半導体積層構造体を含む。半導体積層構造体はp型化合物半導体層、活性層及びn型化合物半導体層を有し、p型化合物半導体層がn型化合物半導体層よりも支持基板側に位置する。開口部がp型化合物半導体層及び活性層を少なくとも二領域に分け、n型化合物半導体層を露出する。絶縁層がn型化合物半導体層の露出面と開口部の側壁とを覆う。透明電極層が絶縁層及びp型化合物半導体層を覆い、p型化合物半導体層にオーミックコンタクトする。反射絶縁層が透明電極層を覆って形成され、活性層から支持基板側に向かう光を反射する。p‐電極が反射絶縁層を覆って形成され、n‐電極がn型化合物半導体層の上部に形成される。反射絶縁層は透明電極層を露出するように一部が除去され、p‐電極は露出した透明電極層に電気的に接続される。
【選択図】図1
Description
23 n型化合物半導体層
25 活性層
27 p型化合物半導体層
30 半導体積層構造体
31 開口部
32 絶縁層
33 透明電極層
34 反射絶縁層
34a 開口部
41 p‐電極
42 ボンディング金属
43 p‐電極パッド
45 n‐電極
51 支持基板
Claims (27)
- 支持基板と、
前記支持基板上に位置し、p型化合物半導体層、活性層、及びn型化合物半導体層を有し、前記p型化合物半導体層が前記n型化合物半導体層よりも前記支持基板側に位置する半導体積層構造体と、
前記p型化合物半導体層及び前記活性層を少なくとも二領域に分け、前記n型化合物半導体層を露出する開口部と、
前記n型化合物半導体層の露出面と前記開口部の側壁とを覆う絶縁層と、
前記絶縁層及び前記p型化合物半導体層を覆い、前記p型化合物半導体層にオーミックコンタクトする透明電極層と、
前記透明電極層を覆って形成され、前記活性層から前記支持基板側に向かう光を反射させる反射絶縁層と、
前記反射絶縁層を覆って形成されるp‐電極と、
前記n型化合物半導体層の上部に形成されたn‐電極と、を備え、
前記反射絶縁層は、前記透明電極層を露出するように一部が除去され、前記p‐電極は、前記露出した前記透明電極層に電気的に接続されることを特徴とする発光ダイオード。 - p‐電極バッドをさらに備え、前記p‐電極の一部が前記半導体積層構造体の外部に露出し、前記p‐電極パッドは、前記露出したp‐電極上に位置することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記反射絶縁層は、分布ブラッグ反射器であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記反射絶縁層は、SixOyNz、TixOy、TaxOy、及びNbxOyから選ばれた少なくとも二つの層を交互に積層して形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記反射絶縁層は、Si、Ti、Ta、Nb、In、及びSnから選ばれた少なくとも一つ以上の元素を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記p‐電極と前記支持基板との間に位置するボンディング金属をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記透明電極層は、透明金属または透明導電性酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記反射絶縁層は、前記透明電極層を露出する複数の開口部を有し、前記p‐電極は、前記複数の開口部を充填することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記開口部の幅は、前記n型化合物半導体層に向かうほど狭くなることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記半導体積層構造体は、前記n型化合物半導体層の上部表面に複数の第1突出部が形成され、
前記複数の第1突出部上を覆う誘電物質が形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記誘電物質の上部表面は、複数の第2突出部を有することを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオード。
- 前記複数の第1突出部は、六角形ピラミッド状を有し、且つ、前記複数の第2突出部は、円錐状を有することを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオード。
- 前記複数の第2突出部の少なくとも一つは、前記複数の第1突出部の少なくとも二つを覆っていることを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオード。
- 前記n型化合物半導体層の上部表面は、前記誘電物質の上部表面より高い粗面を有することを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオード。
- 前記複数の第1突出部は、PECエッチングによって形成されたことを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオード。
- 成長基板上に、n型化合物半導体層、活性層、及びp型化合物半導体層を有するエピタキシャル層を成長させ、
前記p型化合物半導体層及び活性層をエッチングし、n型化合物半導体層を露出する開口部を形成し、
前記n型化合物半導体層の露出面と前記開口部の側壁を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層及び前記p型化合物半導体層を覆う透明電極層を形成し、
前記透明電極層を覆って反射絶縁層を形成し、
前記透明電極層を露出するために、反射絶縁層の一部を除去し、
前記反射絶縁層上にp‐電極を覆って形成し、
前記p‐電極上にボンディング金属を介して支持基板をボンディングし、
前記成長基板を除去すること、を含み、
前記p‐電極は、前記露出した前記透明電極層に電気的に接続されることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 前記反射絶縁層は、分布ブラッグ反射器であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 支持基板と、
前記支持基板上に位置し、p型化合物半導体層、活性層、及びn型化合物半導体層を有する半導体積層構造体と、
前記支持基板と前記半導体積層構造体との間に位置し、前記半導体積層構造体にオーミックコンタクトし、前記半導体積層構造体の外部に露出した領域を有する第1電極と、
前記第1電極の外部に露出した領域上に位置し、前記第1電極に電気的に接続された第1ボンディングパッドと、
前記半導体積層構造体上に位置する第2電極と、を備え、
前記半導体積層構造体の上部表面に複数の第1突出部が形成され、
前記複数の第1突出部上を覆う誘電物質が形成されることを特徴とする発光ダイオード。 - 前記半導体積層構造体の上部表面は、前記誘電物質の上部より高い粗面を有することを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記誘電物質の上部表面は、複数の第2突出部を有することを特徴とする請求項19に記載の発光ダイオード。
- 前記複数の第2突出部の少なくとも一つは、前記複数の第1突出部の少なくとも二つを覆っていることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記複数の第1突出部は、六角形ピラミッド状を有し、且つ、前記複数の第2突出部は、円錐状を有することを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記複数の第1突出部は、PECエッチングによって形成されることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記支持基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記第1電極は、反射層と、前記反射層を保護するための保護金属層とを有することを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
- 前記反射層は、前記保護金属層と前記半導体積層構造体との間に埋め込まれ、前記保護金属層が前記半導体積層構造体の外部に露出していることを特徴とする請求項25に記載の発光ダイオード。
- 前記第1電極は、p型化合物半導体層にオーミックコンタクトすることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。
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