KR101567807B1 - 형광체 시트를 이용한 led 패키지 및 형광체 시트의 제조방법 - Google Patents

형광체 시트를 이용한 led 패키지 및 형광체 시트의 제조방법 Download PDF

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Abstract

형광체 시트를 이용한 LED 패키지와 형광체 시트의 제조방법이 개시된다. 개시된 LED 패키지는, 기판과, 기판 상에 본딩되는 LED 칩과, LED 칩의 상면에 부착되는 일정한 두께를 가진 형광체 시트를 포함한다. 형광체 시트는 형광체를 함유한 에폭시 수지로 이루어지며, 0.1mm ~ 0.2mm 범위 내에서 일정한 두께를 가진다. 그리고, 개시된 형광체 시트의 제조방법은, 에폭시 몰딩 컴파운드 파우더와 형광체를 균일하게 혼합하는 혼합단계와, 혼합단계의 혼합물을 압축 성형하여 형광체 타블렛을 제조하는 형광체 타블렛 성형단계와, 형광체 타블렛을 트랜스퍼 몰딩 방식으로 성형하여 일정한 두께를 가진 형광체 시트를 제조하는 형광체 시트 성형단계를 포함한다.

Description

형광체 시트를 이용한 LED 패키지 및 형광체 시트의 제조방법{Manufacturing method of phosphor sheet and LED package using phosphor sheet}
본 발명은 LED 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 형광체 시트를 이용한 LED 패키지 및 형광체 시트의 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드라고 불리는 LED(Light Emitting Diode)는 전력 소모나 수명에 있어서 큰 장점을 갖고 있어서 각종 전자제품의 광원으로서 널리 사용되어 왔다. 특히, 최근에 높은 휘도를 가진 LED 제품들이 개발되면서, 첨단 조명용 광원으로서도 그 이용 분야가 넓어지고 있다. LED를 이용한 램프는 기존의 전구에 비해 낮은 전력 소비량으로 인해 효율이 높고 내구성이 뛰어나 교체 비용과 같은 유지, 관리 비용을 절감할 수 있는 장점이 있다.
이러한 LED는 반도체소자로서 칩 상태로 제조되어 기판상에 탑재된 후 몰딩되어 패키지 형태로 구성된다. 이와 같이 구성된 LED 패키지는 인쇄회로기판(PCB) 상에 실장된 후, 인쇄회로기판상에 인쇄된 회로 패턴에 연결되어 구동됨으로써, 그 기능을 수행하게 된다.
도 1에는 종래의 LED 패키지의 일 예가 도시되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 LED 패키지(10)는, 기판(11) 상에 LED 칩(14)이 탑재되고, LED 칩(14)은 기판(11)에 형성된 전극들(12)과 와이어(15)를 통해 서로 전기적으로 연결된다. 기판(11) 상에는 LED 칩(14)을 수납하는 공간을 가진 벽체(16)가 형성되며, 벽체(16)의 공간 내부에는 형광체를 함유한 몰딩층(17)이 충진됨으로써, LED 패키지(10)가 구성된다. 상기 전극들(12)은 LED 패키지(10)를 인쇄회로기판 상에 실장할 때 인쇄회로기판 상에 형성된 회로 패턴과 전기적으로 접속된다.
그런데, 종래의 LED 패키지(10)에 있어서는 형광체를 함유한 몰딩층(17)을 형성할 때, 즉 벽체(16)의 공간 내부에 형광체를 함유한 몰딩재료를 도포하고 이를 큐어링(curing)하는 과정에서 형광체가 침전되거나 불균일하게 분산됨으로써 발광 휘도가 불균일하고 색 균일성이 떨어져 불량율이 높은 문제점이 있었다. 또한, LED 칩(14)으로부터 몰딩층(17)을 투과하는 광의 레이 패스(lay path)가 비교적 길어서 광 효율이 저하되는 문제점도 있었다.
한편, 종래의 LED 패키지(10)에서는 LED 칩(14)과 기판(11)의 전극들(12)을 전기적으로 연결하기 위해 금으로 이루어진 와이어(15)가 사용되었는데, 이와 같은 와이어 본딩을 위해서는 기판(11)의 면적이 LED 칩(14)의 면적보다 훨씬 커야 했다. 이에 따라, LED 패키지(10)의 전체 크기가 커지게 되어 인쇄회로기판 상에 LED 패키지(10)를 실장하기 위해 필요한 면적, 즉 실장 면적이 넓어지게 되므로 최근의 전자제품의 경박단소화의 추세에 부합되지 않는 단점도 있었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하고자 창출된 것으로서, LED 칩의 상면에 형광체 시트가 부착된 구조를 가짐으로써 광 효율과 색 균일성이 향상된 LED 패키지와, LED 패키지에 사용되는 형광체 시트의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면,
기판;
상기 기판 상에 본딩되는 LED 칩; 및
상기 LED 칩의 상면에 부착되는 일정한 두께를 가진 형광체 시트;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지가 제공된다.
여기서, 상기 형광체 시트는 형광체를 함유한 에폭시 수지로 이루어지며, 0.1mm ~ 0.2mm 범위 내에서 일정한 두께를 가질 수 있다.
또한, 상기 형광체 시트는 상기 LED 칩의 상면 전체를 덮을 수 있는 넓이를 가질 수 있다.
또한, 상기 LED 칩과 형광체 시트의 둘레에 언더필(Under-fill)이 형성되며, 상기 언더필은 상기 형광체 시트의 상면과 동일한 높이로 편평하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 LED 칩과 형광체 시트의 둘레에 언더필(Under-fill)이 형성되며, 상기 형광체 시트와 언더필의 상부에 렌즈가 형성될 수 있다.
또한, 상기 언더필은 화이트 색상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 기판은 상면에 형성된 제1 전극층과 저면에 형성된 제2 전극층을 가지며, 상기 LED 칩은 저면에 상기 기판의 제1 전극층에 본딩되는 전극 패드가 형성된 플립 칩일 수 있다.
또한, 상기 LED 칩의 전극 패드는 상기 기판의 제1 전극층에 유테틱 본딩(Eutectic bonding)될 수 있다.
또한, 상기 LED 칩의 전극 패드는 Au-Sn, Au-Ge 및 Au-Si로 이루어진 군 중에서 선택된 어느 하나의 Au 합금으로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기한 기술적 과제를 달성하기 위해, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 에폭시 몰딩 컴파운드 파우더와 형광체를 균일하게 혼합하는 혼합단계;
상기 혼합단계의 혼합물을 압축 성형하여 형광체 타블렛을 제조하는 형광체 타블렛 성형단계; 및
상기 형광체 타블렛을 트랜스퍼 몰딩 방식으로 성형하여 일정한 두께를 가진 형광체 시트를 제조하는 형광체 시트 성형단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트의 제조방법이 제공된다.
여기서, 상기 형광체 시트 성형단계는, 트랜스퍼 금형의 포트 내에 상기 형광체 타블렛을 넣은 후, 상기 형광체 타블렛을 가열하면서 플런저로 가압하여 시트 금형의 캐비티 내부로 압입함으로써 상기 형광체 시트를 성형할 수 있다.
또한, 상기 형광체 시트를 일정한 크기로 다이싱하는 단계와, 다이싱된 상기 형광체 시트의 상면에 블루 테이프를 접착시킨 후, 익스팬딩시킴으로써, 다이싱된 상기 형광체 시트를 각각 별개로 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 패키지는, LED 칩의 상면에 일정한 두께를 가진 형광체 시트가 부착된 구성을 가짐으로써, LED 칩으로부터 형광체 시트를 투과하는 광의 레이 패스가 일정하므로, 형광체 시트를 투과하여 방사되는 광의 색 균일성이 향상되는 장점이 있다. 또한, 종래의 몰딩층에 비해 형광체 시트의 두께를 매우 얇게 형성할 수 있어서, 형광체 시트를 투과하는 광의 레이 패스를 최소화할 수 있으므로, 광효율을 향상시킬 수 있는 장점도 있다.
그리고, 본 발명에 따른 LED 패키지에 사용되는 형광체 시트의 제조방법에 의하면, 에폭시 몰딩 컴파운드 파우더와 형광체가 균일하게 혼합된 형광체 타블렛을 사용하여 트랜스퍼 몰딩 방식으로 형광체 시트를 제조하게 되므로, 형광체 시트의 두께가 일정하고 형광체의 분산도가 우수하다. 따라서, 이러한 형광체 시트를 사용하는 LED 패키지의 색 균일성이 더욱 향상될 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래의 LED 패키지의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에 표시된 A-A'선을 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 LED 패키지의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 5와 도 6은 본 발명에 따른 LED 패키지의 색 균일성을 종래의 LED 패키지와 비교하여 보여주는 그래프들이다.
도 7과 도 8은 도 3에 도시된 LED 칩의 전극 패드와 기판의 제1 전극층 사이의 본딩 방식을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9a 내지 도 9d는 도 3에 도시된 형광체 시트의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명에 따른 형광체 시트를 이용한 LED 패키지와 형광체 시트의 제조방법에 대해 설명하기로 한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 가리킨다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지를 도시한 사시도이고, 도 3은 도 2에 표시된 A-A'선을 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 2와 도 3을 함께 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(100)는, 기판(110)과, 상기 기판(110) 상에 본딩되는 LED 칩(120)과, 상기 LED 칩(120)의 상면에 부착되는 일정한 두께를 가진 형광체 시트(130)를 포함하여 구성된다.
구체적으로, 상기 기판(110)은 예컨대 사각형의 평판 형상을 가질 수 있으며, 그 상면에는 제1 전극층(111)이 형성되고, 그 저면에는 제2 전극층(112)이 형성된다. 상기 기판(110)으로는 세라믹 기판으로서, 예를 들어 Al2O3 기판이나 ZTA(Zirconia Toughened Alumina) 기판이 사용될 수 있다.
상기 제1 전극층(111)과 제2 전극층(112)은 모두 전기 전도성이 양호한 금속, 예컨대 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 상기 제1 전극층(111)과 제2 전극층(122)은 각각 두 개로 이루어질 수 있으며, 다양한 형상으로 배치될 수 있다. 상기 제1 전극층(111)은 상기 LED 칩(120)과의 전기적 연결을 위한 것이며, 상기 제2 전극층(112)은 상기 LED 패키지(100)가 실장될 인쇄회로기판(미도시)과의 전기적 연결을 위한 것이다.
본 발명에 따른 LED 패키지(100)에 사용되는 상기 LED 칩(120)으로서, 저면에 상기 기판(110)의 제1 전극층(111)에 본딩되는 전극 패드(121)가 형성된 플립 칩(flip chip)이 사용될 수 있으며, 상기 전극 패드(121)는 상기 제1 전극층(111)과 대응되도록 두 개로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상기 LED 칩(120)으로서 플립 칩을 사용하게 되면, 종래의 와이어(도 1의 15)를 사용하지 않고 그 저면에 형성된 전극 패드(121)를 이용하여 기판(110) 상의 제1 전극층(111)에 직접 본딩시킬 수 있는 장점이 있다. 상기 LED 칩(120)의 전극 패드(121)와 상기 기판(110)의 제1 전극층(111) 사이의 본딩 방식에 대해서는 뒤에서 상세하게 설명하기로 한다.
상기 형광체 시트(130)는 형광체를 함유한 에폭시 수지로 이루어질 수 있으며, 일정한 두께, 예컨대 대략 0.1mm ~ 0.2mm의 두께를 가진 시트 형상으로 제조된다. 예를 들어, 상기 LED 칩(120)이 블루 색상의 광을 발광하는 블루 칩일 경우, 상기 형광체 시트(130)에 함유되는 형광체의 조합을 통해 화이트 색상 또는 앰버(amber) 색상을 구현할 수 있다. 상기 형광체 시트(130)의 제조방법에 대해서는 뒤에서 상세하게 설명하기로 한다.
상기 형광체 시트(130)는 상기 LED 칩(120)의 상면에 부착된다. 예를 들어, 상기 LED 칩(120)의 상면에 소정의 접착제, 예컨대 실리콘 접착제를 도포한 후, 상기 형광체 시트(130)를 실리콘 접착제 위에 밀착시킨 상태에서 큐어링(curing) 하면, 실리콘 접착제가 경화되면서 상기 형광체 시트(130)가 LED 칩(120)의 상면에 견고하게 접착될 수 있다. 그리고, 상기 형광체 시트(130)는 상기 LED 칩(120)의 상면 전체를 덮을 수 있는 넓이를 가지는 것이 바람직하다.
상기 LED 칩(120)과 형광체 시트(130)의 둘레에는 언더필(Under-fill)(140)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 언더필(140)은 상기 형광체 시트(130)의 상면과 동일한 높이로 편평하게 형성될 수 있다. 상기 언더필(140)은 반사율이 높은 화이트 색상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지로 이루어질 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 LED 패키지의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 LED 패키지(100)는 상기 형광체 시트(130)와 언더필(140)의 상부에 형성되는 렌즈(150)를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 언더필(140)은 상기 LED 칩(120)과 형광체 시트(130)의 측면과 기판(110)의 상면 사이의 구석 부위에 형성될 수 있으며, 상기 렌즈(150)는 투명한 실리콘 수지를 사용하여 볼록한 돔 형상으로 형성될 수 있다. 상기 렌즈(150)는 형광체 시트(130)를 투과한 광을 확산시키거나 광의 지향각을 조절하는 역할을 할 수 있으며, 또한 봉지재(encapsulant)로서의 역할도 할 수 있다.
도 5와 도 6은 본 발명에 따른 LED 패키지의 색 균일성을 종래의 LED 패키지와 비교하여 보여주는 그래프들이다.
도 5에는 광의 지향각(viewing angle)에 따른 색온도(CCT) 분포를 나타낸 그래프가 도시되어 있다. 도 5의 그래프를 보면, 본 발명에 따른 LED 패키지의 색온도 분포①가 종래기술에 따른 LED 패키지의 색온도 분포②에 비해 훨씬 균일하다는 것을 알 수 있다.
도 6에는 광의 지향각(viewing angle)에 따른 연색성(Ra) 분포를 나타낸 그래프가 도시되어 있다. 도 6의 그래프를 보면, 본 발명에 따른 LED 패키지의 연색성 분포①도 종래기술에 따른 LED 패키지의 연색성 분포②에 비해 훨씬 균일하다는 것을 알 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 LED 패키지(100)는, LED 칩(120)의 상면에 일정한 두께를 가진 형광체 시트(130)가 부착된 구성을 가짐으로써, LED 칩(120)으로부터 형광체 시트(130)를 투과하는 광의 레이 패스(lay path)가 일정하므로, 형광체 시트(130)를 투과하여 각 방향으로 방사되는 광의 색온도(CCT) 분포와 연색성(Ra) 분포가 종래기술에 비해 훨씬 균일하게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 LED 패키지(100)는 종래에 비해 색 균일성이 향상되는 장점을 가진다. 또한, 종래의 몰딩층(도 1의 17)에 비해 형광체 시트(130)의 두께를 매우 얇게 형성할 수 있어서, 형광체 시트(130)를 투과하는 광의 레이 패스(lay path)를 최소화할 수 있으므로, 광효율을 향상시킬 수 있는 장점도 있다.
그리고, 본 발명에 따른 LED 패키지(100)는, 종래의 와이어를 사용하지 않고 LED 칩(120)을 기판(110) 상에 직접 본딩하는 구성을 가지고 있으므로, 전체 크기가 와이어를 사용하는 종래기술의 LED 패키지에 비해 작아질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 LED 패키지(100)의 실장 면적이 종래기술의 LED 패키지에 비해 줄어드는 장점이 있다. 또한, 본 발명에 따른 LED 패키지(100)의 제조 비용 측면에서도 고가의 와이어가 사용되지 않아서 재료비가 절감되고 공정 효율성도 높아지는 장점이 있다.
도 7과 도 8은 도 3에 도시된 LED 칩의 전극 패드와 기판의 제1 전극층 사이의 본딩 방식을 설명하기 위한 도면들이다.
먼저, 도 7을 참조하면, 상기 LED 칩(120)의 전극 패드(121)는 Ag를 함유한 에폭시(160)를 사용하여 기판(110)의 제1 전극층(111)에 본딩될 수 있다.
구체적으로, 기판(110)의 제1 전극층(111) 상면에 Ag 에폭시(160)를 도포하고, 그 위에 LED 칩(120)의 전극 패드(121)를 밀착시킨 후 큐어링(curing)하면, Ag 에폭시(160)가 경화되면서 LED 칩(120)의 전극 패드(121)가 기판(110)의 제1 전극층(111)에 견고하게 본딩된다. 이때 사용되는 Ag 에폭시(160)는 열저항이 비교적 높아서 열전도율은 대략 10 ~ 60 W/mk이다.
이러한 본딩 방식은 일반적으로 사용되는 플립 칩 본딩 방식으로서, 본딩 신뢰성이 낮고 내구성이 떨어지는 단점이 있다.
다음으로, 도 8을 참조하면, 상기 LED 칩(120)의 전극 패드(121)는 유테틱 본딩(Eutectic bonding) 방식에 의해 기판(110)의 제1 전극층(111)에 본딩될 수 있으며, 본 발명에 따른 LED 패키지(100)에서는 유테틱 본딩 방식을 채용하는 것이 바람직하다.
구체적으로, 유테틱 본딩을 위해 상기 LED 칩(120)의 전극 패드(121)는 유테틱 합금으로 이루어진다. 상기 유테틱 합금으로서 Au 합금, 예컨대 Au-Sn, Au-Ge, Au-Si 등이 사용될 수 있으며, 본 발명에서는 상기 전극 패드(121)로서 Au-Sn 유테틱 합금이 사용되었다. 그리고, 상기 기판(110)의 제1 전극층(111)을 소정 온도로 가열하는 상태에서, 상기 LED 칩(120)의 전극 패드(121)를 가압하거나 가압 및 가열하면, 전극 패드(121)는 제1 전극층(111)에 유테틱 본딩된다. 이때, 유테틱 본딩을 위한 가열온도는 사용된 유테틱 합금을 이루는 성분에 따라 달라질 수 있으며, 일반적으로 유테틱 온도 이상으로 정해진다.
상기한 유테틱 본딩의 경우 열저항이 낮아서 그 열전도율은 대략 58W/mk로 나타나며 도 7을 통해 설명된 Ag 에폭시(160)의 열전도율에 비해 우수한 장점이 있다. 그리고, 유테틱 본딩은 결합력이 우수하여 내구성이 좋고, 이에 따라 본딩 신뢰성이 향상되는 장점이 있다. 또한, 유테틱 본딩 방식은 Ag 에폭시(160)를 도포하는 공정이 없으므로, 전체 공정이 간소화되어 제조 비용이 저감되는 장점도 있다.
이하에서는, 도 9a 내지 도 9d를 참조하면서, 본 발명에 따른 LED 패키지(100)에 사용되는 형광체 시트(130)의 제조방법에 대해 설명하기로 한다.
종래의 형광체 시트는 스크린 프린팅 방식으로 제조되었다. 이 방식에 의하면, 형광체를 함유한 수지의 경화 시간이 비교적 오래 걸리므로, 이 과정에서 형광체가 침전되거나 형광체가 균일하게 분산되지 못하는 단점이 있었으며, 또한 이 방식에 의해 제조된 형광체 시트의 두께가 일정하지 못하고 평탄도가 양호하지 못한 단점이 있었다. 이에 따라, 공정상 문제점이 많이 발생되었으며, 형광체 시트를 투과하는 광의 색 균일성도 만족할 만한 수준이 되지 못하였다.
이러한 종래의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에 따른 형광체 시트 제조방법은, 에폭시 몰딩 컴파운드 파우더(powder)와 형광체를 균일하게 혼합하는 단계와, 혼합물을 압축 성형하여 형광체 타블렛(tablet)을 제조하는 단계와, 형광체 타블렛을 트랜스퍼 몰딩(transfer molding) 방식으로 성형하여 일정한 두께를 가진 형광체 시트를 제조하는 단계를 포함한다.
상세하게 설명하면, 먼저 에폭시 몰딩 컴파운드 파우더(powder)와 형광체를 소정의 혼합비율로 균일하게 혼합한다(혼합단계). 이때, 형광체의 색상과 혼합비율은 LED 패키지(100)를 통해 구현하고자 하는 색상에 따라 달라질 수 있다.
다음으로, 상기 혼합단계의 결과물인 혼합물을 타블렛 금형을 사용하여 압축 성형함으로써 형광체 타블렛(도 9a의 131)을 제조한다(형광체 타블렛 성형단계). 이때, 형광체 타블렛(131)은 원기둥 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 이와 같이, 에폭시 몰딩 컴파운드 파우더와 형광체가 균일하게 혼합된 그 상태로 압축 성형됨으로써, 형광체 타블렛(131) 내부에서도 형광체의 균일한 분포가 그대로 유지된다.
다음으로, 도 9a와 도 9b에 도시된 바와 같이, 형광체 타블렛(131)을 트랜스퍼 몰딩 방식으로 성형하여 일정한 두께를 가진 형광체 시트(130)를 제조한다(형광체 시트 성형단계).
구체적으로, 도 9a에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼 금형(171)의 포트(가열실)(172) 내에 형광체 타블렛(131)을 넣은 후, 형광체 타블렛(131)을 대략 150℃ 이상으로 가열하면서 플런저(173)을 사용하여 시트 금형(174)쪽으로 가압한다. 그러면, 도 9b에 도시된 바와 같이, 형광체 타블렛(131)은 연화 또는 용융되면서 시트 금형(174)의 캐비티(175) 내부로 압입된다. 이와 같이 압입되는 형광체 타블렛(131)이 캐비티(175) 내에 채워지면서 일정한 두께를 가진 형광체 시트(130)가 제조된다.
이와 같은 트랜스퍼 몰딩 방식에 의하면, 시트 금형(174)의 캐비티(175)의 형상에 따라 일정한 두께를 가진 형광체 시트(130)가 제조될 수 있으며, 시트 금형(174)의 캐비티(175) 내에 압입된 후 빠른 시간 내에 냉각 및 경화되므로, 이 과정에서 형광체의 침전이 방지되고 형광체의 균일한 분산 상태가 그대로 유지될 수 있다.
상기 단계에서 제조되는 형광체 시트(130)는 예컨대 가로 50mm, 세로 50mm의 크기를 가질 수 있으며, 그 두께는 대략 0.1mm ~ 0.2mm로 형성될 수 있다.
이어서, 제조된 형광체 시트(130)는 포스트 큐어링(curing) 단계를 거쳐 더욱 경화될 수 있다.
다음으로, 도 9c에 도시된 바와 같이, 형광체 시트(130)를 다이싱(dicing)용 UV 테이프(181)에 부착한 후, 일정한 크기로 다이싱한다. 이때, 형광체 시트(130)는 상기 LED 칩(120)의 상면과 대응되는 크기, 예컨대 가로 1mm, 세로 1mm의 크기를 가진 사각형으로 다이싱될 수 있다.
다음으로, 도 9d에 도시된 바와 같이, 다이싱된 형광체 시트(130)의 상면에 블루 테이프(blue tape)(182)를 접착시킨 후, 익스팬딩(expanding) 공정을 거치게 되면, 다이싱된 형광체 시트(130)는 각각 별개의 형광체 시트(130)로 분리되며, 이로써 LED 칩(120)의 상면에 부착할 준비가 완료되는 것이다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 제조방법에 의해 제조된 형광체 시트(130)는 그 두께가 일정하고 형광체의 분산도가 우수하므로, 이러한 형광체 시트(130)를 사용하는 본 발명에 따른 LED 패키지(100)는 색 균일성이 더욱 향상될 수 있는 것이다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
100...LED 패키지 110...기판
111...제1 전극층 112...제2 전극층
120...LED 칩 121...전극 패드
130...형광체 시트 140...언더필(Under-fill)
150...렌즈 160...Ag 에폭시

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  10. 에폭시 몰딩 컴파운드 파우더와 형광체를 균일하게 혼합하는 혼합단계;
    상기 혼합단계의 혼합물을 타블렛 금형을 사용하여 압축 성형하여 형광체 타블렛을 제조하는 형광체 타블렛 성형단계; 및
    상기 형광체 타블렛을 트랜스퍼 금형의 포트 내에 넣은 후, 상기 형광체 타블렛을 가열하면서 플런저로 가압하여 시트 금형의 캐비티 내부로 압입함으로써 일정한 두께를 가진 형광체 시트를 제조하는 형광체 시트 성형단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트의 제조방법.
  11. 삭제
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 형광체 시트를 일정한 크기로 다이싱하는 단계와,
    다이싱된 상기 형광체 시트의 상면에 블루 테이프를 접착시킨 후, 익스팬딩시킴으로써, 다이싱된 상기 형광체 시트를 각각 별개로 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트의 제조방법.
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