JP2007311784A - 多重パターン構造を有する半導体発光素子 - Google Patents
多重パターン構造を有する半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007311784A JP2007311784A JP2007121093A JP2007121093A JP2007311784A JP 2007311784 A JP2007311784 A JP 2007311784A JP 2007121093 A JP2007121093 A JP 2007121093A JP 2007121093 A JP2007121093 A JP 2007121093A JP 2007311784 A JP2007311784 A JP 2007311784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- emitting device
- light emitting
- substrate
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 16
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
Abstract
【解決手段】基板31及び基板上に形成された半導体層、活性層及び電極層を備える半導体発光素子において、基板と半導体層との間に凹凸構造で形成された第1パターン32と、第1パターンの凹凸構造上に形成された凹凸構造の第2パターン33と、を備える多重パターン構造を有する半導体発光素子である。これにより、光抽出効率を大きく改善できる。
【選択図】図3
Description
12、34、62 第1半導体層、
13、22、35、63 活性層、
14、36 第2半導体層、
15、16、37、38 電極層、
32、61a 第1パターン、
33、61b 第2パターン、
40 ナノドット。
Claims (13)
- 基板及び前記基板上に形成された半導体層、活性層及び電極層を備える半導体発光素子において、
前記基板と前記半導体層との間に凹凸構造で形成された第1パターンと、
前記第1パターンの凹凸構造上に形成された凹凸構造の第2パターンと、
を備えることを特徴とする多重パターン構造を有する半導体発光素子。 - 前記凹凸構造の第2パターンは、前記第1パターンの凹凸と凹凸構造との間に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の多重パターン構造を有する半導体発光素子。
- 前記第1パターンの凹凸構造は、角形の凹凸と曲面型の凹凸のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の多重パターン構造を有する半導体発光素子。
- 前記第2パターンの凹凸構造は、角形の凹凸と曲面型の凹凸のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項2に記載の多重パターン構造を有する半導体発光素子。
- 前記基板は、サファイアまたはSiを含む物質から形成されたことを特徴とする請求項1に記載の多重パターン構造を有する半導体発光素子。
- 前記第2パターンは、前記第1パターンの凹凸構造の突出部または溝部に透光性物質をナノパターン構造で形成したことを特徴とする請求項1に記載の多重パターン構造を有する半導体発光素子。
- 前記透光性物質は、SiO2またはSiNxであることを特徴とする請求項6に記載の多重パターン構造を有する半導体発光素子。
- 前記突出部は、曲面型の突出部であることを特徴とする請求項6に記載の多重パターン構造を有する半導体発光素子。
- 前記基板上に形成された第1半導体層と、
前記第1半導体層の第1領域上に順次に形成された活性層、第2半導体層、及び第1電極層と、
前記第1半導体層の第2領域上に形成された第2電極層と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の多重パターン構造を有する半導体発光素子。
- 前記基板は、サファイアまたはSiを含む物質から形成されたことを特徴とする請求項9に記載の多重パターン構造を有する半導体発光素子。
- 前記第2パターンは、前記第1パターンの複数の曲面型の突出部または前記曲面型の突出部の間の領域に透光性物質をナノパターン構造で形成したことを特徴とする請求項9に記載の多重パターン構造を有する半導体発光素子。
- 前記透光性物質は、SiO2またはSiNxであることを特徴とする請求項9に記載の多重パターン構造を有する半導体発光素子。
- 前記基板上に形成された第1半導体層と、
前記第1半導体層の第1領域上に順次に形成された活性層、第2半導体層、及び第1電極層と、
前記第1半導体層の第2領域上に形成された第2電極層と、
を備えることを特徴とする請求項9に記載の多重パターン構造を有する半導体発光素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2006-0043477 | 2006-05-15 | ||
KR1020060043477A KR100780233B1 (ko) | 2006-05-15 | 2006-05-15 | 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007311784A true JP2007311784A (ja) | 2007-11-29 |
JP5206923B2 JP5206923B2 (ja) | 2013-06-12 |
Family
ID=38024236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007121093A Active JP5206923B2 (ja) | 2006-05-15 | 2007-05-01 | 半導体発光素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8013354B2 (ja) |
EP (1) | EP1858090B1 (ja) |
JP (1) | JP5206923B2 (ja) |
KR (1) | KR100780233B1 (ja) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012502496A (ja) * | 2008-09-11 | 2012-01-26 | エプラステク カンパニー.,リミテッド | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2012074701A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-12 | National Chung Hsing Univ | パターン基板、及びそれを用いた発光ダイオード |
JP2012114277A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2012124257A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2013055289A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-21 | Rohm Co Ltd | 発光素子および発光素子パッケージ |
JP2013084953A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
JP2013084956A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
JP2013084955A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
JP2013118380A (ja) * | 2011-12-03 | 2013-06-13 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
JP2013118379A (ja) * | 2011-12-03 | 2013-06-13 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
JP2013118378A (ja) * | 2011-12-03 | 2013-06-13 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
WO2013150984A1 (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-10 | 旭化成株式会社 | 光学基板、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
US8759858B2 (en) | 2011-12-03 | 2014-06-24 | Tsinghua University | Light emitting diode |
US8785955B2 (en) | 2011-12-03 | 2014-07-22 | Tsinghua University | Light emitting diode |
US8796716B2 (en) | 2011-12-03 | 2014-08-05 | Tsinghua University | Light emitting diode |
JP2014529195A (ja) * | 2011-09-30 | 2014-10-30 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 凹凸パターンを有する基板、これを具備する発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 |
JP2014212354A (ja) * | 2014-08-20 | 2014-11-13 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US9281444B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-03-08 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
CN105514225A (zh) * | 2014-10-09 | 2016-04-20 | 新世纪光电股份有限公司 | 具粗化表面的薄膜式覆晶发光二极管及其制造方法 |
JP2016115917A (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-23 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板、および、半導体発光素子 |
CN105845789A (zh) * | 2016-04-11 | 2016-08-10 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种提高背光源亮度的衬底制作方法 |
JP2022075717A (ja) * | 2019-01-11 | 2022-05-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100736623B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101371819B1 (ko) | 2007-11-08 | 2014-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100988146B1 (ko) | 2008-07-16 | 2010-10-18 | 주식회사 실트론 | 화합물 반도체 기판, 그 제조 방법 및 이를 이용한 화합물반도체 소자 |
KR101064016B1 (ko) | 2008-11-26 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101064053B1 (ko) * | 2009-02-25 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101134810B1 (ko) * | 2009-03-03 | 2012-04-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
CN101877377B (zh) * | 2009-04-30 | 2011-12-14 | 比亚迪股份有限公司 | 一种分立发光二极管的外延片及其制造方法 |
CN102017791B (zh) * | 2009-05-12 | 2013-03-06 | 松下电器产业株式会社 | 板、发光装置及板的制造方法 |
US8203153B2 (en) * | 2010-01-15 | 2012-06-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | III-V light emitting device including a light extracting structure |
US20130000721A1 (en) * | 2010-03-15 | 2013-01-03 | Yoshiyuki Nasuno | Substrate for photoelectric conversion device, photoelectric conversion device using the substrate, and method for producing the substrate and device |
TW201145579A (en) * | 2010-06-08 | 2011-12-16 | Epileds Technologies Inc | Substrate for light-emitting diode |
KR101673955B1 (ko) | 2010-07-02 | 2016-11-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
KR101009744B1 (ko) * | 2010-07-26 | 2011-01-19 | (주)더리즈 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101707116B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2017-02-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 및 그 제조 방법 |
KR101193913B1 (ko) | 2010-08-23 | 2012-10-29 | 고려대학교 산학협력단 | 광결정 패턴이 형성된 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
CN101980391A (zh) * | 2010-09-14 | 2011-02-23 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
CN102280534A (zh) * | 2011-07-06 | 2011-12-14 | 上海蓝光科技有限公司 | 预处理蓝宝石衬底提高led出光效率的方法 |
CN103050598B (zh) * | 2012-12-17 | 2016-06-01 | 江苏新广联科技股份有限公司 | 混合型不等间距图形化衬底及其制备方法 |
CN108198918B (zh) | 2013-05-15 | 2020-10-02 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有衬底中的散射特征的led |
KR101466833B1 (ko) * | 2013-07-08 | 2014-11-28 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
CN103887390B (zh) * | 2014-01-29 | 2017-06-27 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 图形化蓝宝石衬底及其制作方法、外延片的制作方法 |
DE102014108301A1 (de) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips |
CN104465927B (zh) * | 2014-11-28 | 2017-08-25 | 华南理工大学 | 一种圆锥簇型图案的led图形优化衬底及led芯片 |
DE102015102365A1 (de) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungskörper und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskörpers |
DE102016200957A1 (de) * | 2016-01-25 | 2017-07-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Substrat mit Strukturelementen und Halbleiterbauelement |
CN105821387B (zh) * | 2016-04-05 | 2018-08-17 | 南京航空航天大学 | 基于微米级阵列结构和氧化钇薄膜的蓝宝石光学性能提升方法 |
FR3059788B1 (fr) | 2016-12-02 | 2019-01-25 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif optoelectronique a diode electroluminescente a extraction augmentee |
FR3059828B1 (fr) | 2016-12-02 | 2019-05-31 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif optoelectronique a diode electroluminescente a extraction augmentee |
CN108011001A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-05-08 | 苏州亿沃光电科技有限公司 | 具有羽化表面的堆叠式图形化led衬底及led器件 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164296A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-06-07 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体基材及びその作製方法 |
JP2003209283A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004253743A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 付活剤を含有した基板を用いた発光装置 |
JP2005064492A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-03-10 | Kyocera Corp | 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 |
KR20060000464A (ko) * | 2004-06-29 | 2006-01-06 | 삼성전기주식회사 | 돌기부가 형성된 기판을 구비한 질화물 반도체 발광소자 |
JP2006041479A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-02-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2006100518A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 基板表面処理方法及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1234344B1 (en) * | 1999-12-03 | 2020-12-02 | Cree, Inc. | Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements |
US6562644B2 (en) * | 2000-08-08 | 2003-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor substrate, method of manufacturing the semiconductor substrate, semiconductor device and pattern forming method |
US6787692B2 (en) * | 2000-10-31 | 2004-09-07 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | Solar cell substrate, thin-film solar cell, and multi-junction thin-film solar cell |
KR100632760B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2006-10-11 | 미츠비시 덴센 고교 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 |
TW576864B (en) * | 2001-12-28 | 2004-02-21 | Toshiba Corp | Method for manufacturing a light-emitting device |
KR100714639B1 (ko) | 2003-10-21 | 2007-05-07 | 삼성전기주식회사 | 발광 소자 |
US20050285128A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-12-29 | California Institute Of Technology | Surface plasmon light emitter structure and method of manufacture |
KR100568297B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
TWM261838U (en) * | 2004-09-16 | 2005-04-11 | Super Nova Optoelectronics Cor | Structure for GaN based LED with high light extraction efficiency |
KR100657941B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2006-12-14 | 삼성전기주식회사 | 요철 구조를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
US20060204865A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Luminus Devices, Inc. | Patterned light-emitting devices |
TWI248691B (en) * | 2005-06-03 | 2006-02-01 | Formosa Epitaxy Inc | Light emitting diode and method of fabricating thereof |
-
2006
- 2006-05-15 KR KR1020060043477A patent/KR100780233B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-01-04 EP EP07100133.3A patent/EP1858090B1/en active Active
- 2007-04-19 US US11/737,479 patent/US8013354B2/en active Active
- 2007-05-01 JP JP2007121093A patent/JP5206923B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164296A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-06-07 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体基材及びその作製方法 |
JP2003209283A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004253743A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 付活剤を含有した基板を用いた発光装置 |
JP2005064492A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-03-10 | Kyocera Corp | 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 |
JP2006041479A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-02-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
KR20060000464A (ko) * | 2004-06-29 | 2006-01-06 | 삼성전기주식회사 | 돌기부가 형성된 기판을 구비한 질화물 반도체 발광소자 |
JP2006100518A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 基板表面処理方法及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012502496A (ja) * | 2008-09-11 | 2012-01-26 | エプラステク カンパニー.,リミテッド | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2012074701A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-12 | National Chung Hsing Univ | パターン基板、及びそれを用いた発光ダイオード |
JP2012114277A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2012124257A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US8877526B2 (en) | 2010-12-07 | 2014-11-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
US9281444B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-03-08 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
US10529903B2 (en) | 2011-09-01 | 2020-01-07 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
US9991430B2 (en) | 2011-09-01 | 2018-06-05 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
JP2013055289A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-21 | Rohm Co Ltd | 発光素子および発光素子パッケージ |
US10069038B2 (en) | 2011-09-30 | 2018-09-04 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Substrate having concave-convex pattern, light-emitting diode including the substrate, and method for fabricating the diode |
JP2014529195A (ja) * | 2011-09-30 | 2014-10-30 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 凹凸パターンを有する基板、これを具備する発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 |
JP2013084956A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
JP2013084955A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
JP2013084953A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
US9029889B2 (en) | 2011-10-07 | 2015-05-12 | Tsinghua University | Light emitting diode |
US9041030B2 (en) | 2011-10-07 | 2015-05-26 | Tsinghua University | Light emitting diode |
US9041029B2 (en) | 2011-10-07 | 2015-05-26 | Tsinghua University | Light emitting diode |
TWI450420B (zh) * | 2011-10-07 | 2014-08-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 發光二極體 |
JP2013118380A (ja) * | 2011-12-03 | 2013-06-13 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
JP2013118378A (ja) * | 2011-12-03 | 2013-06-13 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
US8796716B2 (en) | 2011-12-03 | 2014-08-05 | Tsinghua University | Light emitting diode |
US8785955B2 (en) | 2011-12-03 | 2014-07-22 | Tsinghua University | Light emitting diode |
US8759858B2 (en) | 2011-12-03 | 2014-06-24 | Tsinghua University | Light emitting diode |
JP2013118379A (ja) * | 2011-12-03 | 2013-06-13 | Qinghua Univ | 発光ダイオード |
US9614136B2 (en) | 2012-04-02 | 2017-04-04 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element |
WO2013150984A1 (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-10 | 旭化成株式会社 | 光学基板、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2014212354A (ja) * | 2014-08-20 | 2014-11-13 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
CN105514225A (zh) * | 2014-10-09 | 2016-04-20 | 新世纪光电股份有限公司 | 具粗化表面的薄膜式覆晶发光二极管及其制造方法 |
JP2016115917A (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-23 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板、および、半導体発光素子 |
CN105845789A (zh) * | 2016-04-11 | 2016-08-10 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种提高背光源亮度的衬底制作方法 |
JP2022075717A (ja) * | 2019-01-11 | 2022-05-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7260828B2 (ja) | 2019-01-11 | 2023-04-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5206923B2 (ja) | 2013-06-12 |
KR20070110688A (ko) | 2007-11-20 |
US20070262330A1 (en) | 2007-11-15 |
KR100780233B1 (ko) | 2007-11-27 |
EP1858090B1 (en) | 2017-07-12 |
US8013354B2 (en) | 2011-09-06 |
EP1858090A3 (en) | 2009-09-02 |
EP1858090A2 (en) | 2007-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5206923B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5666164B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP5283114B2 (ja) | パターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP4964899B2 (ja) | パターニングされた発光ダイオード用基板及びそれを採用する発光ダイオード | |
KR100882240B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 | |
US8501582B2 (en) | Semiconductor structure having low thermal stress and method for manufacturing thereof | |
JP2008047861A (ja) | 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 | |
JP2007294972A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP2006339627A (ja) | 垂直構造窒化物系半導体発光ダイオード | |
US20110001147A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP2007214576A (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
CN101796661A (zh) | 半导体发光器件及其制造方法 | |
KR20070093653A (ko) | 발광 다이오드의 제조방법 | |
US8314436B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP2010141331A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR101721846B1 (ko) | 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법 및 그에 의해 제조된 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이 | |
CN103811614A (zh) | 具有异质材料结构的发光元件及其制造方法 | |
KR100794121B1 (ko) | 발광 다이오드 | |
KR20080085519A (ko) | 발광 소자용 기판 및 그 제조방법 | |
KR20130046402A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
TWI786276B (zh) | 發光元件之製造方法 | |
US20150171279A1 (en) | Epitaxial substrate, method thereof, and light emitting diode | |
KR101216500B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20110114812A (ko) | 지향특성 조절이 가능한 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
KR101136064B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100331 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101112 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110512 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120724 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120813 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130205 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5206923 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |