JP5283114B2 - パターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
パターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
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Description
前記基板のパターンは、凸部の垂直断面の形状が多角形であり、前記第1凸部と前記第2凸部は、大きさの異なる底面を有し、前記第2凸部は、前記第1凸部より大きい底面を有することが好ましい。
前記基板のパターンは、凸部の垂直断面の形状が半球形及び多角形が混合されたものであることが好ましい。
前記基板と、前記第1導電型窒化物半導体層の間に、少なくとも一つ以上のバッファ層がさらに含まれることが好ましい。
前記基板が、サファイア基板であることが好ましい。
前記凸部の大きさが、0.1μm〜10μmであることが好ましい。
前記基板のパターン形成段階は、前記第1凸部及び前記第2凸部の垂直断面の形状が半球形状に形成されることが好ましい。
前記基板のパターン形成段階は、前記第1凸部及び前記第2凸部の垂直断面の形状が多角形状に形成され、前記第1凸部と前記第2凸部は、大きさの異なる底面を有し、前記第2凸部が前記第1凸部より大きい底面を有するように形成されることが好ましい。
前記基板のパターン形成段階は、前記第2凸部周辺領域における窒化物半導体の成長速度のほうが前記第1凸部の周辺領域における窒化物半導体の成長速度より早いことが好ましい。
前記多角形は、梯形、四角形又は三角形で形成されることが好ましい。
前記基板のパターン形成段階は、前記凸部の大きさが0.1μm〜10μmで形成されることが好ましい。
前記基板が、サファイア基板であることが好ましい。
92 バッファ層
93 n型窒化物半導体層
94 活性層
95 p型窒化物半導体層
Claims (17)
- 基板、第1導電型窒化物半導体層、活性層及び第2導電型窒化物半導体層を具備した発光素子において、
前記基板には、一表面上に複数の凸部を有するパターンが形成され、
前記パターンの複数の凸部は、隣接した凸部から第1離隔距離を有するいずれか一つの第1凸部と、隣接した凸部から前記第1離隔距離より狭い第2離隔距離を有するいずれか一つの第2凸部とを含み、
前記第1導電型窒化物半導体層は、前記第2凸部に対応する位置に凸部を有するように形成され、
前記活性層は、前記第1導電型窒化物半導体層の凸部に対応するように局部的に3次元の幾何学的な屈曲が形成され、
前記第2凸部は、前記第1凸部より大きい底面を有することを特徴とするパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子。 - 前記基板のパターンは、凸部の垂直断面の形状が半球形状であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子。
- 前記基板のパターンは、凸部の垂直断面の形状が多角形であり、
前記第1凸部と前記第2凸部は、大きさの異なる底面を有し、前記第2凸部は、前記第1凸部より大きい底面を有することを特徴とする請求項1に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子。 - 前記基板のパターンは、凸部の垂直断面の形状が半球形及び多角形が混合されたものであることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子。
- 前記多角形は、梯形、四角形、又は三角形であることを特徴とする請求項3に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子。
- 前記基板と、前記第1導電型窒化物半導体層の間に、少なくとも一つ以上のバッファ層がさらに含まれることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子。
- 前記基板が、サファイア基板であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子。
- 前記凸部の大きさが、0.1μm〜10μmであることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子。
- 基板、第1導電型窒化物半導体層、活性層及び第2導電型窒化物半導体層を具備した発光素子の製造方法において、
前記基板の一表面上に複数の凸部を有するパターンを形成する段階と、
前記パターンが形成された基板上に第1導電型窒化物半導体層を成長させる段階と、
前記第1導電型窒化物半導体層上に活性層及び第2導電型窒化物半導体層を順に成長させる段階とを含み、
前記基板のパターン形成段階は、前記複数の凸部のうちいずれか一つの第1凸部とその隣接した凸部間に第1離隔距離を有するように形成され、前記複数の凸部のうちいずれか一つの第2凸部とその隣接した凸部間に前記第1離隔距離より狭い第2離隔距離を有するように形成し、
前記第1導電型窒化物を成長させる段階において、前記第2離隔距離を定義する前記第2凸部の周辺が前記第1離隔距離を定義する第1凸部の周辺より速い速度で成長することにより、前記第1導電型窒化物半導体層は前記第2凸部に対応する位置に凸部を有するように形成され、
前記活性層は、前記第1導電型窒化物半導体層の凸部に対応するように局部的に3次元の幾何学的な屈曲が形成され、
前記基板のパターン形成段階において、前記第2凸部は、前記第1凸部より大きい底面を有するように形成されることを特徴とするパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記第1導電型窒化物半導体層を成長させる段階の前に、
前記基板上には、少なくとも一つ以上のバッファ層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記基板のパターン形成段階は、前記第1凸部及び前記第2凸部の垂直断面の形状が半球形状に形成されることを特徴とする請求項9に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板のパターン形成段階は、前記第1凸部及び前記第2凸部の垂直断面の形状が多角形状に形成され、
前記第1凸部と前記第2凸部は、大きさの異なる底面を有し、前記第2凸部が前記第1凸部より大きい底面を有するように形成されることを特徴とする請求項9に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記基板のパターン形成段階は、前記第2凸部周辺領域における窒化物半導体の成長速度のほうが前記第1凸部の周辺領域における窒化物半導体の成長速度より早いことを特徴とする請求項12に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板のパターン形成段階は、前記第1凸部及び前記第2凸部の垂直断面の形状が半球形面及び多角形が混合されたパターンで形成されることを特徴とする請求項9に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記多角形は、梯形、四角形又は三角形で形成されることを特徴とする請求項12に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板のパターン形成段階は、前記凸部の大きさが0.1μm〜10μmで形成されることを特徴とする請求項9に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板が、サファイア基板であることを特徴とする請求項9に記載のパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子の製造方法。
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