JP2012114277A - Iii族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイア基板10表面に、x軸方向(サファイアc軸方向)に平行な第1の溝100aが所定の間隔で周期的に配列された第1のストライプ形状100を形成する。次に、第1のストライプ形状100の凹凸に沿ってサファイア基板10表面の全面に、絶縁膜17を形成する。次に、x軸方向に直交するy軸方向に平行で底面が平坦な第2の溝101aが所定の間隔で周期的に配列された第2のストライプ形状101を形成する。このサファイア基板10を用いて、第2の溝101aの側面101aaから、MOCVD法によってGaN結晶を成長させて、サファイア基板10上にm面GaNからなる基底層18を形成し、基底層18上にLED素子構造を形成して発光素子を製造する。
【選択図】図3
Description
11:n型層
12:発光層
13:p型層
14:n電極
15:透明電極
16:p電極
17:絶縁膜
18:基底層
100:第1のストライプ形状
101:第2のストライプ形状
100a:第1の溝
101a:第2の溝
Claims (4)
- サファイア基板表面にストライプ形状を形成し、前記ストライプ形状による凹凸側面からIII 族窒化物半導体を結晶成長させることにより、前記サファイア基板上に非極性面または半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体からなる積層構造を形成するIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法において、
前記サファイア基板の表面に、前記サファイア基板の主面に平行な方向である第1方向に平行にストライプ状に配列された複数の第1の溝によって構成された前記ストライプ形状を形成する第1工程と、
前記サファイア基板表面の前記第1のストライプ形状に沿って全面に絶縁膜を形成する第2工程と、
前記絶縁膜上に、前記第1方向に角度を成す第2方向をストライプ方向とするストライプ状にレジストマスクを形成する第3工程と、
前記レジストマスクに覆われていない領域の前記絶縁膜をドライエッチングし、続いてそれにより露出した前記サファイア基板を、そのエッチング底面が平坦となるまでドライエッチングして、第2のストライプ形状を形成する第4工程と、
前記レジストマスクを除去し、前記第4工程により露出した前記サファイア基板の主面に垂直な露出面から、MOCVD法によってIII 族窒化物半導体を露出面に垂直な方向に結晶成長させ、主面を非極性面または半極性面とするIII 族窒化物半導体からなる半導体層を形成する第5工程と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記第1方向と前記第2方向は直交することを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記非極性面は、m面、a面、または(11−24)面、前記半極性面は、(11−22)面、(20−21)面、(10−11)面、(10−12)面であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記サファイア基板はa面を主面とし、前記第1方向は、前記サファイア基板のc軸方向である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
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