JP2005064492A - 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiO2を主成分とする保護膜をマスクとして、熱リン酸等でウェットエッチングすることにより、エッチピットを有する凹凸を備えた単結晶サファイア基板を作製する。
【選択図】図2
Description
1a:主面
1b:エッチピット
1c:溝
2:AlGaN低温バッファ層
3:n型GaNコンタクト層
4:n型AlGaNクラッド層
5:GaN系半導体発光層(MQW構造)
6:p型AlGaNクラッド層
7:p型GaNコンタクト層
8:上部電極
9:下部電極
10:外部に取り出された光
11:サファイア基板
12:SiO2層
13:フォトレジスト
14:石英モールド
15:紫外線
16:リアクティブイオン
17:ストライプ状のSiO2層
Claims (26)
- 主面上に複数の凹凸を有し、該凹凸の少なくとも底面または側面に複数のエッチピットを有することを特徴とする単結晶サファイア基板。
- 前記凹凸がストライプ状の溝であることを特徴とする請求項1記載の単結晶サファイア基板。
- 前記ストライプ状の溝の側面と主面とのなす角度が10°以上、90°未満であることを特徴とする請求項2記載の単結晶サファイア基板。
- 前記凹凸が三角形、四角形、五角形、六角形などの多角形のパターンであり、少なくとも側面あるいは底面を有することを特徴とする請求項1記載の単結晶サファイア基板。
- 前記多角形のパターンの側面と主面のなす角度が10°以上、90°未満であることを特徴とする請求項4記載の単結晶サファイア基板。
- 請求項1〜5の何れかに記載の単結晶サファイア基板であって、前記ストライプ状の溝または多角形状のパターンの繰り返し周期が、当該基板上に形成するGaN系半導体発光素子の発光波長の1/20以上かつ20倍以下であることを特徴とする単結晶サファイア基板。
- 前記エッチピットの一辺の長さが300μm以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の単結晶サファイア基板。
- 前記エッチピットの一辺の長さが30μm以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の単結晶サファイア基板。
- 前記エッチピットが角錐状であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の単結晶サファイア基板。
- 前記エッチピットの密度が103個/cm2以上、1010個/cm2以下であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の単結晶サファイア基板。
- 前記エッチピットが角錐状であり、主面に垂直な方向から見た底辺の少なくとも一辺が、サファイアのA軸に平行またはA軸に垂直、もしくはM軸に平行またはM軸に垂直であることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の単結晶サファイア基板。
- 前記主面は、サファイアのC面±2°以内、A面±2°以内、R面±2°以内、M面±2°以内またはM面から30°±2°以内のいずれかを満たすことを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の単結晶サファイア基板。
- 前記エッチピットを、熱リン酸または熱リン酸と熱硫酸の混酸または熱溶融水酸化カリウムを用いたウェットエッチングにより形成することを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の単結晶サファイア基板の製造方法。
- 前記主面上にSiO2を主成分とする保護膜を密着して積層し、該保護膜の一部をストライプ状、多角形状等の所定のパターン形状に除去し、熱リン酸または熱リン酸と熱硫酸の混酸または熱溶融水酸化カリウムを用いて主面をウェットエッチングすることによって、所定パターンの凹凸とエッチピットを形成することを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の単結晶サファイア基板の製造方法。
- 前記主面上に密着して積層したSiO2を主成分とする保護膜をストライプ状または多角形状等の所定のパターン形状に除去する方法として、インプリント法によるリソグラフィー法を用いたことを特徴とする請求項14に記載の単結晶サファイア基板の製造方法。
- 前記インプリント法は、熱サイクル・ナノインプリント・リソグラフィ法または光ナノインプリント・リソグラフィ法または室温ナノインプリント・リソグラフィ法の何れかであることを特徴とする請求項15に記載の単結晶サファイア基板の製造方法。
- 前記SiO2を主成分とする保護膜をECRスパッター法によって形成したことを特徴とする請求項14〜16のいずれかに記載の単結晶サファイア基板の製造方法。
- 前記単結晶サファイア基板をEFG法で作製することを特徴とする請求項13〜17のいずれかに記載の結晶サファイア基板の製造方法。
- 請求項1〜12の何れかに記載の単結晶サファイア基板を用いてGaN系半導体層を形成して成る半導体発光素子であって、前記ストライプ状の溝または多角形状のパターンの繰り返し周期が当該半導体発光素子の発光波長の1/20以上かつ20倍以下であることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の単結晶サファイア基板の凹凸を有する主面上に、単結晶サファイア基板とは異なる屈折率を有する半導体材料からなる第二の結晶層が成長しており、その中に発光層を含む半導体結晶層が積層された素子構造を有することを特徴とする半導体発光素子。
- 前記第二の結晶層がAlXGaYNを含むGaN系のバッファ層と、その上のGaN系の半導体結晶層からなることを特徴とする請求項20記載の半導体発光素子。
- 前記第二の結晶層がAlXGaYNを含むAlN系のバッファ層と、その上のGaN系の半導体結晶層からなることを特徴とする請求項20記載の半導体発光素子。
- 前記単結晶サファイア基板の凹凸を有する主面から、第二の結晶層が実質的にファセット構造を形成しながら成長したことを特徴とする請求項19〜22のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記発光層から発せられる光の波長における、単結晶サファイア基板の屈折率と第二の結晶層の屈折率との差が0.05以上であることを特徴とする請求項19〜23のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記単結晶サファイア基板の凹凸を有する主面上に、第一のGaN系半導体結晶が上記凹凸を覆って凹凸をなすように成長し、該凹凸の少なくとも一部を覆って、第一のGaN系半導体結晶とは異なる屈折率を有する第二のGaN系半導体結晶が成長し、さらに第三のGaN系半導体結晶が前記凹凸を平坦化するまで成長し、その上に発光層を含む半導体結晶層が積層された素子構造を有することを特徴とする請求項19〜20のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記単結晶サファイア基板の凹凸を有する主面上に、第一のGaN系半導体結晶が上記凹凸を覆って凹凸をなすように成長し、該凹凸の少なくとも凸部を膜状に覆って第二のGaN系半導体結晶が成長し、さらにこれを覆って第三のGaN系半導体結晶が前記凹凸を平坦化するまで成長し、その上に発光層を含む半導体結晶層が積層された素子構造を有し、前記第二のGaN系半導体結晶が多層膜構造を有することを特徴とする請求項19〜20のいずれかに記載の半導体発光素子。
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