JP2001298170A - サファイア基板及びこれを用いたデバイス用基板 - Google Patents
サファイア基板及びこれを用いたデバイス用基板Info
- Publication number
- JP2001298170A JP2001298170A JP2000112722A JP2000112722A JP2001298170A JP 2001298170 A JP2001298170 A JP 2001298170A JP 2000112722 A JP2000112722 A JP 2000112722A JP 2000112722 A JP2000112722 A JP 2000112722A JP 2001298170 A JP2001298170 A JP 2001298170A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thickness
- sapphire
- sapphire substrate
- semiconductor film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】サファイア基板を用いた薄肉で放熱性に優れた
デバイス用基板を提供する。 【解決手段】０．０２〜０．１５ｍｍの板厚を有するサ
ファイア基板１上に半導体膜２を被覆してデバイス用基
板を構成する。
デバイス用基板を提供する。 【解決手段】０．０２〜０．１５ｍｍの板厚を有するサ
ファイア基板１上に半導体膜２を被覆してデバイス用基
板を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄肉のサファイア
基板と、このサファイア基板上に半導体膜を設けた薄肉
で放熱性に優れたデバイス用基板に関するものであり、
例えば、トランジスタ素子、ＩＣやＬＳＩメモリ素子、
ＬＥＤ素子、ＬＤ素子に好適なものである。
基板と、このサファイア基板上に半導体膜を設けた薄肉
で放熱性に優れたデバイス用基板に関するものであり、
例えば、トランジスタ素子、ＩＣやＬＳＩメモリ素子、
ＬＥＤ素子、ＬＤ素子に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、トランジスタ素子、ＩＣやＬＳＩ
メモリ素子、ＬＥＤ素子、ＬＤ素子等を形成するにあた
り、誘電体や半導体から成る基板上に半導体膜を形成し
たデバイス用基板が用いられており、例えば、ＳｉＯ2
等の酸化膜を有するシリコン基板上に半導体膜としての
Ｓｉ膜を形成したＳＯＩ基板（Si On Insulator）やサ
ファイア基板上に半導体膜としてのＳｉ膜を形成したＳ
ＯＳ基板（Sapphire OnSi）が知られている。
メモリ素子、ＬＥＤ素子、ＬＤ素子等を形成するにあた
り、誘電体や半導体から成る基板上に半導体膜を形成し
たデバイス用基板が用いられており、例えば、ＳｉＯ2
等の酸化膜を有するシリコン基板上に半導体膜としての
Ｓｉ膜を形成したＳＯＩ基板（Si On Insulator）やサ
ファイア基板上に半導体膜としてのＳｉ膜を形成したＳ
ＯＳ基板（Sapphire OnSi）が知られている。
【０００３】ＳＯＩ基板は、直径が４〜１２インチで、
板厚が０．6〜０．７ｍｍのものが使用されており、ま
た、ＳＯＳ基板は、直径が２インチ〜６インチで、板厚
が０．４〜０．７ｍｍのものが使用され、特に直径が４
インチでは、板厚が０．５３５ｍｍのものが専ら用いら
れていた。
板厚が０．6〜０．７ｍｍのものが使用されており、ま
た、ＳＯＳ基板は、直径が２インチ〜６インチで、板厚
が０．４〜０．７ｍｍのものが使用され、特に直径が４
インチでは、板厚が０．５３５ｍｍのものが専ら用いら
れていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、近年、素子
の小型化とともに、ＳＯＩ基板やＳＯＳ基板上に形成す
るトランジスタ等からの発熱量の増大により、放熱性に
優れたデバイス用基板が要求されているが、ＳＯＩ基板
を用いたものでは、ベースとなるシリコン基板上にＳｉ
Ｏ2等の酸化膜が必要であり、絶縁を保つためにはある
程度の厚みを持った酸化膜を形成する必要があることか
ら、デバイス用基板の厚みを薄くすることができず、そ
の結果、素子を小型化することができないといった課題
があった。
の小型化とともに、ＳＯＩ基板やＳＯＳ基板上に形成す
るトランジスタ等からの発熱量の増大により、放熱性に
優れたデバイス用基板が要求されているが、ＳＯＩ基板
を用いたものでは、ベースとなるシリコン基板上にＳｉ
Ｏ2等の酸化膜が必要であり、絶縁を保つためにはある
程度の厚みを持った酸化膜を形成する必要があることか
ら、デバイス用基板の厚みを薄くすることができず、そ
の結果、素子を小型化することができないといった課題
があった。
【０００５】また、放熱性を高めるためには、基板の板
厚を薄くすれば良いのであるが、ベースのシリコンは、
モース硬度が７程度と小さく脆いため、取り扱い上板厚
を０．５ｍｍ未満とすることができず、放熱性を高める
ことができなかった。
厚を薄くすれば良いのであるが、ベースのシリコンは、
モース硬度が７程度と小さく脆いため、取り扱い上板厚
を０．５ｍｍ未満とすることができず、放熱性を高める
ことができなかった。
【０００６】一方、ＳＯＳ基板を用いたものにおいて
は、ベースとなるサファイア基板が絶縁材料であるた
め、ＳＯＩ基板のように別に絶縁膜を形成する必要がな
く、薄肉化することができるものの、ベースであるサフ
ァイアの熱伝導率（２００℃における熱伝導率：２８Ｗ
／ｍ・Ｋ）は、シリコン基板の熱伝導率（２００℃にお
ける熱伝導率：９２Ｗ／ｍ・Ｋ）と比較してかなり小さ
いため、板厚が０．４〜０．７ｍｍのサファイア基板か
らなるＳＯＳ基板では放熱性が悪く、また、熱伝導率が
悪すぎるため、これまで板厚を薄くすることが検討され
ていなかった。
は、ベースとなるサファイア基板が絶縁材料であるた
め、ＳＯＩ基板のように別に絶縁膜を形成する必要がな
く、薄肉化することができるものの、ベースであるサフ
ァイアの熱伝導率（２００℃における熱伝導率：２８Ｗ
／ｍ・Ｋ）は、シリコン基板の熱伝導率（２００℃にお
ける熱伝導率：９２Ｗ／ｍ・Ｋ）と比較してかなり小さ
いため、板厚が０．４〜０．７ｍｍのサファイア基板か
らなるＳＯＳ基板では放熱性が悪く、また、熱伝導率が
悪すぎるため、これまで板厚を薄くすることが検討され
ていなかった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、基板の板厚が０．０２〜０．１５ｍｍである
サファイア基板を形成したことを特徴とし、また、本発
明は、上記サファイア基板上に半導体膜を形成してデバ
イス用基板を形成したことを特徴とする。
題に鑑み、基板の板厚が０．０２〜０．１５ｍｍである
サファイア基板を形成したことを特徴とし、また、本発
明は、上記サファイア基板上に半導体膜を形成してデバ
イス用基板を形成したことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【０００９】図１は本発明のサファイア基板を用いたデ
バイス用基板を示す断面図であり、サファイア基板１上
にＳｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ等の半導体膜を形成
したもので、上記サファイア基板の板厚を０．０２〜
０．１５ｍｍとしたことを特徴とする。
バイス用基板を示す断面図であり、サファイア基板１上
にＳｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ等の半導体膜を形成
したもので、上記サファイア基板の板厚を０．０２〜
０．１５ｍｍとしたことを特徴とする。
【００１０】即ち、本件発明者は、これまで検討されて
いなかったサファイア基板の限界板厚と、板厚を薄くし
た時の放熱特性についてそれぞれ鋭意研究を重ねたとこ
ろ、板厚を０．０２ｍｍにまで研磨しても破損すること
がなく、これまでの板厚（０．４ｍｍ）の１／２０にま
で薄肉化できるとともに、サファイアの熱伝導率（２０
０℃における熱伝導率：２８Ｗ／ｍ・Ｋ）はシリコンの
熱伝導率（２００℃における熱伝導率：９２Ｗ／ｍ・
Ｋ）よりもかなり低いものの、サファイア基板の板厚を
０．１５ｍｍ以下とすることにより、０．５ｍｍの板厚
を有するシリコン基板と同等又はそれ以上の放熱性が得
られることを見出し、本発明に至った。
いなかったサファイア基板の限界板厚と、板厚を薄くし
た時の放熱特性についてそれぞれ鋭意研究を重ねたとこ
ろ、板厚を０．０２ｍｍにまで研磨しても破損すること
がなく、これまでの板厚（０．４ｍｍ）の１／２０にま
で薄肉化できるとともに、サファイアの熱伝導率（２０
０℃における熱伝導率：２８Ｗ／ｍ・Ｋ）はシリコンの
熱伝導率（２００℃における熱伝導率：９２Ｗ／ｍ・
Ｋ）よりもかなり低いものの、サファイア基板の板厚を
０．１５ｍｍ以下とすることにより、０．５ｍｍの板厚
を有するシリコン基板と同等又はそれ以上の放熱性が得
られることを見出し、本発明に至った。
【００１１】その為、この薄肉のサファイア基板上に半
導体膜を形成してデバイス用基板を構成することによ
り、デバイス用基板全体の板厚を薄くでき、トランジス
タ素子、ＩＣやＬＳＩメモリ素子、ＬＥＤ素子、ＬＤ素
子等を製作する場合、素子全体を小型、薄肉化すること
ができるとともに、基板の放熱性を高めることができる
ため、各素子の性能を大幅に向上させることができる。
導体膜を形成してデバイス用基板を構成することによ
り、デバイス用基板全体の板厚を薄くでき、トランジス
タ素子、ＩＣやＬＳＩメモリ素子、ＬＥＤ素子、ＬＤ素
子等を製作する場合、素子全体を小型、薄肉化すること
ができるとともに、基板の放熱性を高めることができる
ため、各素子の性能を大幅に向上させることができる。
【００１２】また、サファイアは、融点が約２０５０度
と耐熱性に優れることから、高温での成膜が可能であ
り、良質の単結晶半導体膜を形成することができる。
と耐熱性に優れることから、高温での成膜が可能であ
り、良質の単結晶半導体膜を形成することができる。
【００１３】ところで、サファイアは、アルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）の単結晶体で、図２に示すように六方晶系をした
もので、その中心軸がＣ軸、これに垂直な面がＣ面（０
００１）である。また、Ｃ軸から放射状にのびるＡ軸
（ａ１，ａ２，ａ３）とそれに垂直な面がＡ面（１１−
２０）であり、Ｃ軸と一定の角度（約３２．３８３°）
を有して存在する面がＲ面で、これに垂直な軸がＲ軸で
ある。また、六方晶の側面がＭ面であり、これに垂直な
軸がＭ軸である。尚、これらの軸及び面については，Ｘ
線回折により分析が可能である。
2Ｏ3）の単結晶体で、図２に示すように六方晶系をした
もので、その中心軸がＣ軸、これに垂直な面がＣ面（０
００１）である。また、Ｃ軸から放射状にのびるＡ軸
（ａ１，ａ２，ａ３）とそれに垂直な面がＡ面（１１−
２０）であり、Ｃ軸と一定の角度（約３２．３８３°）
を有して存在する面がＲ面で、これに垂直な軸がＲ軸で
ある。また、六方晶の側面がＭ面であり、これに垂直な
軸がＭ軸である。尚、これらの軸及び面については，Ｘ
線回折により分析が可能である。
【００１４】そして、半導体膜２を形成する表面として
は、Ａ面，Ｒ面、Ｃ面、Ｍ面のいずれの面であっても構
わない。
は、Ａ面，Ｒ面、Ｃ面、Ｍ面のいずれの面であっても構
わない。
【００１５】また、半導体膜２を形成する表面の面状態
としては、半導体膜２の成膜精度を高める観点から算術
平均線粗さ（Ｒａ）で１０オングストローム以下、好ま
しくは１〜５オングストロームとすることが好ましい。
としては、半導体膜２の成膜精度を高める観点から算術
平均線粗さ（Ｒａ）で１０オングストローム以下、好ま
しくは１〜５オングストロームとすることが好ましい。
【００１６】この薄肉のサファイア基板１を製造するに
は、ＥＦＧ法（Edge-defined Film-fed Growth法）を用
いることができる。即ち、高純度のアルミナを不活性雰
囲気中で溶融し、このアルミナ融液と接するように内部
にスリットを備えたリボン状のサファイア単結晶育成用
のモリブデンダイを位置させ、アルミナ融液を毛細管作
用によりモリブデンダイ上端部までアルミナ融液を誘導
し、そこで種結晶(シード)と接触させ、次いでシードを
上方に引き上げることで、熱伝導率が４１〜４２Ｗ／ｍ
・Ｋ、ヤング率が４×１０5ＭＰａ以上を有するサファ
イアの育成を行うことができる。このサファイアを引上
育成するに当たっては、シードの主面を育成したい面方
位とし、この成長軸を引き上げ軸としてセットし、引き
上げれば良い。
は、ＥＦＧ法（Edge-defined Film-fed Growth法）を用
いることができる。即ち、高純度のアルミナを不活性雰
囲気中で溶融し、このアルミナ融液と接するように内部
にスリットを備えたリボン状のサファイア単結晶育成用
のモリブデンダイを位置させ、アルミナ融液を毛細管作
用によりモリブデンダイ上端部までアルミナ融液を誘導
し、そこで種結晶(シード)と接触させ、次いでシードを
上方に引き上げることで、熱伝導率が４１〜４２Ｗ／ｍ
・Ｋ、ヤング率が４×１０5ＭＰａ以上を有するサファ
イアの育成を行うことができる。このサファイアを引上
育成するに当たっては、シードの主面を育成したい面方
位とし、この成長軸を引き上げ軸としてセットし、引き
上げれば良い。
【００１７】このように引き上げることにより、主面の
面方位を容易に狙った面方位、軸方位として精度良く育
成できる。
面方位を容易に狙った面方位、軸方位として精度良く育
成できる。
【００１８】なお、サファイアの育成法は、ＥＦＧ法に
限らず、チョクラルスキー法等他の方法によっても良い
が、特に角形状の結晶を得たい場合には、円柱状の結晶
形状では効率が悪いため、板状の結晶を精度良く得られ
るＥＦＧ法が好適である。
限らず、チョクラルスキー法等他の方法によっても良い
が、特に角形状の結晶を得たい場合には、円柱状の結晶
形状では効率が悪いため、板状の結晶を精度良く得られ
るＥＦＧ法が好適である。
【００１９】次に、得られたサファイアを、ダイヤモン
ドホイール等により所定の形状に研削加工を施した後、
ダイヤモンド砥粒を用いてラッピング加工を行い、次い
で、粒径５０ｎｍ以下のＳｉＯ2の球状コロイド粒子
（コロイダルシリカ）を分散させた液を研磨液として供
給しながら、４０度以上の温度でサファイアと研磨布を
相対的に摺動させて精密研磨（ＣＭＰ）することによ
り、板厚が０．０２〜０．１５ｍｍと薄肉のサファイア
基板を得ることができる。このようにして研磨を行うこ
とにより、新たに歪を生じさせずに研削加工やラッピン
グ加工で生じた破壊層を除去することができ、透過性に
優れ、基板として用いる場合でも良好な平滑な面が得ら
れる。
ドホイール等により所定の形状に研削加工を施した後、
ダイヤモンド砥粒を用いてラッピング加工を行い、次い
で、粒径５０ｎｍ以下のＳｉＯ2の球状コロイド粒子
（コロイダルシリカ）を分散させた液を研磨液として供
給しながら、４０度以上の温度でサファイアと研磨布を
相対的に摺動させて精密研磨（ＣＭＰ）することによ
り、板厚が０．０２〜０．１５ｍｍと薄肉のサファイア
基板を得ることができる。このようにして研磨を行うこ
とにより、新たに歪を生じさせずに研削加工やラッピン
グ加工で生じた破壊層を除去することができ、透過性に
優れ、基板として用いる場合でも良好な平滑な面が得ら
れる。
【００２０】次に、得られたサファイア基板１の膜形成
面にエピタキシャル成長法により単結晶体膜２を成長さ
せることにより、薄肉のサファイア基板１上に半導体膜
２を形成して成るデバイス用基板を得ることができる。
面にエピタキシャル成長法により単結晶体膜２を成長さ
せることにより、薄肉のサファイア基板１上に半導体膜
２を形成して成るデバイス用基板を得ることができる。
【００２１】なお、本発明は本実施形態だけに限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変更
や改良できることは言うまでもない。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変更
や改良できることは言うまでもない。
【００２２】
【実施例】ここで、板厚を異ならせたヤング率が４．７
×１０5ＭＰａのサファイア基板を用意し、板厚と放熱
特性との関係について調べる実験を行った。
×１０5ＭＰａのサファイア基板を用意し、板厚と放熱
特性との関係について調べる実験を行った。
【００２３】本実験にあたっては、サファイア基板の外
形状を５ｍｍ角の正方形とし、表裏に熱電対を貼りつけ
た後、一方の表面を２００℃及び４００℃に加熱し、表
裏の温度差から熱伝導性を測定し、基準試料として用意
した板厚が０．５ｍｍのシリコン基板の熱伝導性との比
率から放熱性を評価した。
形状を５ｍｍ角の正方形とし、表裏に熱電対を貼りつけ
た後、一方の表面を２００℃及び４００℃に加熱し、表
裏の温度差から熱伝導性を測定し、基準試料として用意
した板厚が０．５ｍｍのシリコン基板の熱伝導性との比
率から放熱性を評価した。
【００２４】結果は図３に示すように、板厚が０．１５
ｍｍ以下となると、基準試料との比率が１を超え、板厚
が０．１２ｍｍでは、基準試料との比率が１．２倍、板
厚が０．０９ｍｍでは、基準試料との比率が１．６倍、
板厚が０．０５ｍｍでは、基準試料との比率が２．９
倍、板厚が０．０２ｍｍでは、基準試料との比率が７．
３倍と大幅に向上することが判る。
ｍｍ以下となると、基準試料との比率が１を超え、板厚
が０．１２ｍｍでは、基準試料との比率が１．２倍、板
厚が０．０９ｍｍでは、基準試料との比率が１．６倍、
板厚が０．０５ｍｍでは、基準試料との比率が２．９
倍、板厚が０．０２ｍｍでは、基準試料との比率が７．
３倍と大幅に向上することが判る。
【００２５】このように、サファイア基板の板厚を０．
１５ｍｍ以下とすれば、基準試料である板厚０．５ｍｍ
のシリコン基板と同等又はそれ以上の放熱特性が得られ
ることが判る。ただし、平面研削加工にて板厚を削った
場合、サファイア基板の板厚が０．０２ｍｍ未満となる
と破損した。
１５ｍｍ以下とすれば、基準試料である板厚０．５ｍｍ
のシリコン基板と同等又はそれ以上の放熱特性が得られ
ることが判る。ただし、平面研削加工にて板厚を削った
場合、サファイア基板の板厚が０．０２ｍｍ未満となる
と破損した。
【００２６】この結果、サファイア基板の板厚は０．０
２〜０．１５ｍｍとすることにより、放熱性に優れると
ともに、取り扱い時に破損のない基板とできることが判
る。
２〜０．１５ｍｍとすることにより、放熱性に優れると
ともに、取り扱い時に破損のない基板とできることが判
る。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、サファ
イア基板の板厚を０．０２〜０．１５ｍｍとしたことか
ら、薄肉でかつ板厚が０．５ｍｍのシリコン基板と同等
又はそれ以上の放熱性を得ることができる。また、この
サファイア基板上に半導体膜を形成してデバイス用基板
を形成したことから、この基板を用いて、トランジスタ
素子、ＩＣやＬＳＩメモリ素子、ＬＥＤ素子、ＬＤ素子
等を形成すれば、素子を小型、薄肉化することができる
とともに、放熱性に優れることから各素子の性能を大幅
に向上させることができる。
イア基板の板厚を０．０２〜０．１５ｍｍとしたことか
ら、薄肉でかつ板厚が０．５ｍｍのシリコン基板と同等
又はそれ以上の放熱性を得ることができる。また、この
サファイア基板上に半導体膜を形成してデバイス用基板
を形成したことから、この基板を用いて、トランジスタ
素子、ＩＣやＬＳＩメモリ素子、ＬＥＤ素子、ＬＤ素子
等を形成すれば、素子を小型、薄肉化することができる
とともに、放熱性に優れることから各素子の性能を大幅
に向上させることができる。
【図１】本発明のサファイア基板を用いたデバイス用基
板を示す断面図である。
板を示す断面図である。
【図２】サファイアの結晶構造を示す図である。
【図３】サファイア基板の板厚と放熱特性との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
１：サファイア基板 ２：半導体膜
Claims (2)
- 【請求項１】基板の板厚を０．０２〜０．１５ｍｍとし
て成るサファイア基板。 - 【請求項２】請求項１に記載のサファイア基板上に半導
体膜を形成して成るデバイス用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000112722A JP2001298170A (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | サファイア基板及びこれを用いたデバイス用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000112722A JP2001298170A (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | サファイア基板及びこれを用いたデバイス用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001298170A true JP2001298170A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18624835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000112722A Pending JP2001298170A (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | サファイア基板及びこれを用いたデバイス用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001298170A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005064492A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-03-10 | Kyocera Corp | 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 |
| US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
| US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
| US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
| US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
-
2000
- 2000-04-13 JP JP2000112722A patent/JP2001298170A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005064492A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-03-10 | Kyocera Corp | 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 |
| US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
| US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
| US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
| US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US10324496B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-06-18 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US10386889B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-08-20 | Apple Inc. | Cover glass for an electronic device |
| US9461357B2 (en) | 2014-02-12 | 2016-10-04 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US9692113B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-06-27 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11124892B2 (en) | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth | |
| TWI364777B (en) | Multilayered semiconductor wafer and process for manufacturing the same | |
| JP3015261B2 (ja) | 表面特性を改善するサファイア単結晶基板の熱処理方法 | |
| JP2004530306A (ja) | 高表面品質ＧａＮウェーハおよびその製造方法 | |
| JP2004530306A5 (ja) | ||
| KR20070114218A (ko) | 전자 장치를 위한 다이아몬드 기반의 기판 및 그 제조방법과, ＧａＮ 재료의 생성 방법 | |
| KR20120013270A (ko) | 질화물 결정 기판, 에피택셜층 부착 질화물 결정 기판 및 반도체 장치 | |
| CN104364905B (zh) | 半导体用复合基板的操作基板 | |
| EP2924150B1 (en) | ß-GA2O3-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE | |
| JP5694413B2 (ja) | 平滑なウェハの製造方法 | |
| JP2001298170A (ja) | サファイア基板及びこれを用いたデバイス用基板 | |
| US20050070048A1 (en) | Devices and methods employing high thermal conductivity heat dissipation substrates | |
| JP2008211040A (ja) | 単結晶サファイア基板とその製造方法及びそれらを用いた半導体発光素子 | |
| TWI246173B (en) | Diamond compound substrate and its manufacturing method | |
| JP2014086458A (ja) | 酸化ガリウム系基板の製造方法 | |
| JP2008105883A (ja) | 酸化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 | |
| JP3549228B2 (ja) | 高配向性ダイヤモンド放熱基板 | |
| JPH0832038A (ja) | 貼り合わせｓｏｉ基板の製造方法および貼り合わせｓｏｉ基板 | |
| US20070269604A1 (en) | Method for manufacturing smooth diamond heat sinks | |
| KR20100007560A (ko) | 반도체 소자, 실리콘 단결정 웨이퍼, 및 실리콘 단결정잉곳 | |
| Scharff et al. | Growth of monocrystalline silicon islands on insulating substrates | |
| WO2022079939A1 (ja) | Ｉｉｉ族元素窒化物半導体基板 | |
| CN1715461A (zh) | A1GalnN单晶晶片 | |
| JP2002167296A (ja) | 成膜用基板 | |
| JP2000247790A (ja) | 半導体素子用基板及び半導体素子並びに窒素化合物半導体単結晶基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060320 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060519 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060829 |