JP2014086458A - 酸化ガリウム系基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】所望の面方位の基板表面を有する酸化ガリウム系基板を安定に製造することができる酸化ガリウム系基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る酸化ガリウム系基板の製造方法は、基板表面の結晶方位が(a0c)面(a,cは0以外の整数)である酸化ガリウム系基板の製造方法であって、酸化ガリウム系の単結晶基板を作製し、前記単結晶基板の表面に対して[c0−a]方向の第1のオフ角が任意の角度となるように前記表面を研削し、前記表面に対して[010]方向の第2のオフ角が任意の角度となるように前記表面を再研削する。
【選択図】図3
【解決手段】本発明の一実施形態に係る酸化ガリウム系基板の製造方法は、基板表面の結晶方位が(a0c)面(a,cは0以外の整数)である酸化ガリウム系基板の製造方法であって、酸化ガリウム系の単結晶基板を作製し、前記単結晶基板の表面に対して[c0−a]方向の第1のオフ角が任意の角度となるように前記表面を研削し、前記表面に対して[010]方向の第2のオフ角が任意の角度となるように前記表面を再研削する。
【選択図】図3
Description
本発明は、所望の面方位の基板表面を有する酸化ガリウム(Ga2O3)系基板を安定に製造することができる酸化ガリウム系基板の製造方法に関する。
近年、酸化ガリウム系基板と、その上に積層された窒化ガリウム(GaN)系材料のエピタキシャル層とを有する発光素子の開発が進められている(例えば下記特許文献1参照)。Ga2O3は導電性を有するため、電流密度が低く、素子寿命が長いLED(Light Emitting Diode)を構成できるとともに、可視領域から紫外領域の光を透過するため、III−V族系化合物半導体の発光領域の全波長領域での利用が可能であるという利点を有する。
発光素子の作製に用いられる酸化ガリウム系基板は、典型的には、酸化ガリウム系のバルク単結晶を育成する工程と、表面が所定の面方位となるように上記バルク単結晶を加工する工程とを経て製造される。基板の表面は、エピタキシャル成長層の下地を形成するため、所望の発光特性を有する発光素子を製造するに際しては、基板表面を所定の面方位に高精度に加工する必要がある。
しかしながら酸化ガリウム系基板はへき開性が強く、典型的には、(100)面と(001)面にへき開面を有する。特に(100)面の方がへき開性が強い。したがって酸化ガリウム単結晶を基板化する際、表面の加工中に割れや欠けが発生してしまい、所望の面方位の基板表面を有する酸化ガリウム系基板を安定に製造することができないという問題がある。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、所望の面方位の基板表面を有する酸化ガリウム系基板を安定に製造することができる酸化ガリウム系基板の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る酸化ガリウム系基板の製造方法は、基板表面の結晶方位が(a0c)面(a,cは0以外の整数)である酸化ガリウム系基板の製造方法であって、酸化ガリウム系の単結晶基板を作製することを含む。
上記単結晶基板の表面に対して[c0−a]方向の第1のオフ角が任意の角度となるように、上記表面が研削される。
上記表面に対して[010]方向の第2のオフ角が任意の角度となるように、上記表面が再研削される。
上記単結晶基板の表面に対して[c0−a]方向の第1のオフ角が任意の角度となるように、上記表面が研削される。
上記表面に対して[010]方向の第2のオフ角が任意の角度となるように、上記表面が再研削される。
本発明の他の形態に係る酸化ガリウム基板の製造方法は、基板表面の結晶方位が(ab0)面(a,bは0以外の整数)である酸化ガリウム系基板の製造方法であって、酸化ガリウム系の単結晶基板を作製することを含む。
上記単結晶基板の表面に対して[b−a0]方向の第1のオフ角が任意の角度となるように、上記表面が研削される。
上記表面に対して[001]方向の第2のオフ角が任意の角度となるように、上記表面が再研削される。
上記単結晶基板の表面に対して[b−a0]方向の第1のオフ角が任意の角度となるように、上記表面が研削される。
上記表面に対して[001]方向の第2のオフ角が任意の角度となるように、上記表面が再研削される。
本発明の一実施形態に係る酸化ガリウム系基板の製造方法は、基板表面の結晶方位が(a0c)面(a,cは0以外の整数)である酸化ガリウム系基板の製造方法であって、酸化ガリウム系の単結晶基板を作製することを含む。
酸化ガリウムは、ガリウム(Ga)と酸素(O)との化学量論比が2:3の化合物半導体である。酸化ガリウムには、α、β、γ、δ、εの構造の異なる5つの形態が存在し、典型的には、最も安定な構造である単斜晶系のβ−Ga2O3が用いられる。酸化ガリウム系単結晶には、酸化ガリウム単結晶のほか、導電率等を制御するための不純物元素がドープされた酸化ガリウム単結晶が含まれる。
単結晶の育成方法は特に限定されず、例えば、CZ(Czochralski)法、EFG(Edge-defined Film-fed Growth)法等が採用される。結晶の成長方向、引き上げ方向等は特に限定されない。EFG法によれば、ダイの上端部の形状で規定された単結晶が育成されるので、結晶成長界面での温度勾配を極めて小さくできる。さらに、酸化ガリウムの融液がスリットを通して供給されるので、酸化ガリウム融液中の成分の蒸発ならびに酸化ガリウム融液の組成変動を極めて小さくでき、高品質の単結晶を作製することができる。単結晶の成長面、引き上げ方向は任意に設定可能である。ここでは、所望とする基板表面の結晶方位が(a0c)面である場合を例に挙げて説明する。
上記単結晶基板の表面は、結晶面の方位を制御するべき基板の表面あるいは主面を意味し、典型的には、エピタキシャル成長層の下地面となる基板の表面が該当する。上記所定の表面は、必ずしも所望の面方位を有するとは限られず、当該所望の面方位に対してオフ角を有した面方位で形成される場合がある。あるいは、所定の面方位を有するバルク単結晶の表面が異なる面方位となるように当該表面を加工したい場合がある。
このような場合に、まず、上記単結晶基板の表面に対して[c0−a]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、上記表面が研削される(第1の研削工程)。続いて上記表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、上記表面が再研削される(第2の研削工程)。所望とする基板表面の結晶方位が例えば(101)面のとき(a=c=1)、上記[c0−a]方向は、[10−1]方向に相当する。
基板表面の加工を上述の順序で行うことにより所定の面方位を有する基板を安定に製造することができる。すなわち、上記第1の研削工程と第2の研削工程とを相互に逆の順序で実施した場合、結晶のへき開面に作用するストレスが原因で加工中に基板が割れる頻度が高かったが、本発明に係る製造方法によれば、上記へき開面に作用するストレスが緩和されることで基板の割れが抑制され、所望とする面方位への基板のオフ研削を安定して行うことが可能となる。
ここで、上記第1および第2のオフ角は、例えば研削装置の加工精度に応じて設定される。オフ角の大きさとしては、上記表面に対する、対象とする軸方向の任意の角度で定義することができる。上記所定のオフ角は、第1の研削工程と第2の研削工程各々について同一であってもよいし、異なっていてもよい。
上記第1のオフ角および第2のオフ角の測定には、典型的には、X線回折法が用いられる。これにより簡便かつ容易に所定表面の結晶方位を測定することができる。
上記製造方法によれば、所望の面方位の基板表面を有する酸化ガリウム系基板を安定に製造することができる。特に酸化ガリウム単結晶はへき開性が強く、(100)面と(001)面をへき開面として有する。特に(100)面の方がへき開性が強い。このような単結晶基板であっても、加工中における基板の割れや欠けを抑制することができる。
上記基板の研削処理は、上記各軸まわりへの姿勢調整をすべて終了した後、一回の処理で一括的に行うことも可能であるが、上述のように各軸まわりへの姿勢調整毎に行うことで、加工中における基板の割れをより抑制することができる。
本発明の他の実施形態に係る酸化ガリウム基板の製造方法は、基板表面の結晶方位が(ab0)面(a,bは0以外の整数)である酸化ガリウム系基板の製造方法であって、酸化ガリウム系の単結晶基板を作製することを含む。
上記単結晶基板の表面に対して[b−a0]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、上記表面が研削される。
続いて、上記所定の表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、上記表面が再研削される。
上記単結晶基板の表面に対して[b−a0]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、上記表面が研削される。
続いて、上記所定の表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、上記表面が再研削される。
所望とする基板表面の結晶方位が例えば(210)面のとき(a=2、b=1)、上記第2のオフ角は、上記所定の表面に対する(210)面の[1−20]方向に平行な軸まわりのオフ角をいう。上記製造方法においても、基板の割れや欠けを抑制しつつ、所望の面方位の基板表面を有する酸化ガリウム系基板を安定に製造することができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。本実施形態ではEFG法により育成した酸化ガリウム系単結晶基板の一表面を所望とする面方位に加工する例について説明する。
<第1の実施形態>
図1は、β−Ga2O3結晶の基本構成を示す立体図である。
図1は、β−Ga2O3結晶の基本構成を示す立体図である。
β−Ga2O3結晶1は、a軸、b軸およびc軸を有する単斜晶で構成される。ここで、b軸とc軸とのなす角(α)は90°、a軸とc軸とのなす角(β)は103.8°、a軸とb軸とのなす角(γ)は90°である。また、a軸の格子定数(a0)は12.3Å、b軸の格子定数(b0)は3.0Å、c軸の格子定数(c0)は5.8Åである。β−Ga2O3結晶1は、(100)面と(001)面にへき開面を有する。
β−Ga2O3結晶1の結晶面および方向は、一般的にミラー指数(hkl)、[uvw]でそれぞれ表される。ここで、h,k,l,u,v,wはそれぞれ整数である。指数が負の値であるときは、一般的には当該指数に上線が施されるが(例えば図4参照)、本明細書においては当該指数の前に符号「−」を付記するものとする。
図2は、本実施形態において用いられる単結晶製造装置を示す概略断面図である。
単結晶製造装置10は、石英管11の内側にβ−Ga2O3融液12を受容するルツボ13と、ルツボ13内に立設されてスリット14Aを有するダイ14と、スリット14Aの開口14Bを除くルツボ13の上面を閉塞する蓋15とを有する。
また単結晶製造装置10は、ルツボ13を支持する支持台16と、ルツボ13の周囲を包囲する断熱材17と、石英管11および断熱材17を介してルツボ13を誘導加熱する高周波コイル18とを有する。単結晶製造装置10はさらに、β−Ga2O3種結晶(以下、種結晶という。)20を保持する種結晶保持具21と、種結晶保持具21を昇降可能に支持するシャフト22と、石英管11および断熱材17を支持する基部23と、基部23に取り付けられた脚部24とを有する。
ルツボ13は、β−Ga2O3融液12を受容し得る耐熱性を有した金属材料で形成されており、本実施形態ではイリジウム(Ir)で構成されている。ルツボ13は、内部に収容された粒状のβ−Ga2O3を溶解させて得られたβ−Ga2O3融液12を受容する。β−Ga2O3融液の温度は、例えば、1725℃程度とされる。
ダイ14は、中間部にβ−Ga2O3融液12を毛細管現象により上昇させる0.5mmの間隙を備えたスリット14Aを有する。スリット14Aは、紙面奥方向に幅を有し、ダイ14の上部には、毛細管現象で上昇したβ−Ga2O3融液12に接触するように、種結晶20が位置決めされる。
蓋15は、ルツボ13から高温のβ−Ga2O3融液12が蒸発することを防止し、さらにスリット14Aの上面以外の部分にβ−Ga2O3融液12の蒸気が付着することを抑制する。断熱材17は、高周波コイル18への通電に基づいて誘導加熱されたルツボ13の急激な温度変化を抑制する保温性を有し、ルツボ13の周囲に所定の間隔を有して設けられている。種結晶20は、β−Ga2O3融液12に接触する面つまり結晶成長面が、本実施形態では(010)面となるように種結晶保持具21に保持されており、β−Ga2O3融液12との接触に基づいて平板状のβ−Ga2O3単結晶25を成長させる。なお、結晶成長面は(010)面に限られず、例えば(001)面から(010)面にかけての面であってもよい。
図3は、本実施形態に係る酸化ガリウム系基板の製造方法を説明する工程図である。本実施形態は、酸化ガリウムの結晶育成工程(ステップ101)と、アニール工程(ステップ102)と、オフ研削工程(ステップ103)と、切断工程(ステップ104)と、(表面・裏面研磨工程(ステップ105)と、洗浄・評価工程(ステップ106)とを有する。
結晶育成工程は、上述した構成の単結晶製造装置10を用いて作製される。当該装置を用いたβ−Ga2O3単結晶基板の育成方法の詳細については省略するが、種結晶20をシャフト22の軸方向に所定速度で引き上げながら、厚みが例えば2mm〜3mmのβ−Ga2O3単結晶25を成長させる。アニール工程は、育成したGa2O3単結晶基板の内部歪の除去等を目的として実施される。
オフ研削工程は、エピタキシャル成長層の下地面を構成する基板表面を所望の結晶面に調整するための処理である。後述するようにオフ研削工程は、基板表面に対する所望の結晶面に平行な相互に直交する2軸方向のオフ角が所定角度範囲内となるように基板表面を研削する工程を意味する。
研削装置としては、典型的には、平面研削機が用いられる。砥石(研削具)が回転する機構が採用されてもよいし、基板が回転する機構が採用されてもよいし、砥石および基板の双方が相互に逆方向に回転する機構が採用されてもよい。
切断工程は、所定の基板サイズに個片化するための工程である。研磨工程、洗浄・評価工程は、基板の仕上げ工程に相当し、作製すべきデバイスの種類に応じて各処理条件が設定される。デバイスの種類としては、典型的には、LED等の発光素子が該当するが、これ以外にも、パワートランジスタやパワーダイオード等の各種パワーデバイスが含まれる。
[オフ研削工程]
続いて、オフ研削工程の詳細について説明する。上述のようにオフ研削工程は、エピタキシャル成長面である基板表面が所望の結晶方位を有する結晶面となるように加工する工程である。
続いて、オフ研削工程の詳細について説明する。上述のようにオフ研削工程は、エピタキシャル成長面である基板表面が所望の結晶方位を有する結晶面となるように加工する工程である。
オフ研削工程では、所望とする結晶面が研削装置の工具面(研削面)と平行となるように基板の姿勢を固定した後、基板表面を上記工具面に対向させ、基板の表面を研削する。典型的には、所望とする結晶面に平行であり、かつ相互に直交する2軸方向のまわりに基板を各々回動させることで、上記結晶面と工具面とが平行となるように基板の姿勢を調整する。
[1−1.(101)面へのオフ研削]
以下、(101)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。
以下、(101)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。
図4は、育成工程において作製されたβ−Ga2O3単結晶基板(以下単に基板という。)Sを示す概略断面図である。基板Sの表面Saは、Ga2O3結晶1の結晶面(101)の[010]、[10−1]の各方向に対し、オフ角のずれがある。そこで本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面Saが結晶面(101)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
(第1の研削工程)
まず、基板表面に対して[10−1]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面Saが研削される。本実施形態では基板表面Saに対する[10−1]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面Saが研削される。
まず、基板表面に対して[10−1]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面Saが研削される。本実施形態では基板表面Saに対する[10−1]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面Saが研削される。
第1のオフ角の調整と基板表面の研削処理には、図5に模式的に示す専用の治具200が用いられる。図5は、治具200の概略平面図である。
治具200は、基板Sを支持する支持台201と、支持台201を中央部で支持し回動軸205のまわりに回動可能な調整テーブル202と、調整テーブル202を回動軸205のまわりに回動可能に支持する架台203とを有する。治具200はさらに、調整テーブル202に取り付けられ架台203に対して調整テーブル202を回動軸205のまわりに回動させる調整ネジ204a,204bと、架台203に取り付けられ回動軸205の両端を支持する支持ブロック206とを有する。支持ブロック206は、回動軸205を水平に支持する。
基板Sは、表面Saを上方に向けた姿勢で、支持台201の上に固定される。回動軸205に沿う基板Sの軸方向は任意に設定可能である。続いて治具200を図示しないX線回折装置に装填し、基板Sの表面にX線を照射してその回折パターンを測定し、基板表面Saに対する[10−1]方向のオフ角(第1のオフ角)を測定する。その後、X線回折装置から治具200が取り出され、上記第1のオフ角が0°となるように、基板Sを回動軸205のまわりに回動させる。このようにして、[10−1]方向が水平となる状態に基板Sの姿勢が調整される。
なお上述の例では、第1のオフ角が0°となるように基板Sの姿勢が調整されたが、第1のオフ角は0°に限られない。要するに、目的とする面方位が得られる適宜のオフ角が設定可能である(以下の実施形態についても同様)。
図6は、基板Sの研削工程を説明する側面図である。治具200は、研削装置に装着され、研削具301を支持するヘッド部300の直下に配置される。ヘッド部300は研削具301を水平面内で回転させ、基板Sに接触する位置まで移動し、基板Sの表面Saを研削(あるいは研磨)する。
(第2の研削工程)
続いて、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面Saが研削される。本実施形態では基板表面Saに対する[010]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面Saが再研削される。
続いて、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面Saが研削される。本実施形態では基板表面Saに対する[010]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面Saが再研削される。
第2のオフ角の調整と基板表面の再研削工程においても、治具200が用いられる。第2の研削工程において、基板Sは、表面Saを上方に向け、かつ、基板Sの[10−1]方向を回動軸205の軸上に整列させた姿勢で、支持台201の上に固定される。続いて治具200を図示しないX線回折装置に装填し、基板Sの表面にX線を照射してその回折パターンを測定し、基板表面Saに対する[010]方向のオフ角(第2のオフ角)を測定する。その後、X線回折装置から治具200が取り出され、上記第2のオフ角が0°となるように、基板Sを[10−1]軸まわりに回動させる。このようにして、[10−1]方向と直交する[010]方向が水平となる状態に基板Sの姿勢が調整される。
その後、研削装置を用いて基板表面Saが再研削される。これにより、所望とする結晶面(101)を有する基板表面Saが得られることになる。
なお上述の例では、第2のオフ角が0°となるように基板Sの姿勢が調整されたが、第2のオフ角は0°に限られない。要するに、目的とする面方位が得られる適宜のオフ角が設定可能である(以下の実施形態についても同様)。
本実施形態においては、上述の順序でオフ研削工程を実施することにより、所望の面方位(101)の基板表面を有するGa2O3系基板を安定に製造することができる。特にGa2O3単結晶はへき開性が強く、(100)面と(001)面をへき開面として有する。このような単結晶基板であっても、加工中における基板の割れや欠けを抑制することができる。
比較例として本発明者らは、上述した第1および第2の研削工程の順序を逆にしてオフ研削工程を実施したところ、最初の研削工程で基板の割れが発生しやすかった。すなわち水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[010]、2軸目の軸方向を[10−1]方向としたとき、基板の研削工程において割れが多く発生し、安定に基板を加工することができなかった。これは、Ga2O3のへき開面(100)と(001)面に研削時のストレスが強く作用するためである考えられる。
これに対して本実施形態のように、水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[10−1]方向としたとき、Ga2O3のへき開面(100)と(001)面に作用するストレスが緩和され、その結果、研削時の割れを抑制できたものと考えられる。特に1軸目として[10−1]方向を水平方向に調整した場合、安定したオフ研削工程を実施できるものと考えられる。
[1−2.(102)面へのオフ研削]
次に、(102)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。基板Sの表面Saは、Ga2O3結晶1の結晶面(102)の[010]、[20−1]の各軸方向に対し、オフ角のずれがある。そこで本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面Saが結晶面(102)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
次に、(102)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。基板Sの表面Saは、Ga2O3結晶1の結晶面(102)の[010]、[20−1]の各軸方向に対し、オフ角のずれがある。そこで本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面Saが結晶面(102)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[20−1]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。本実施形態では基板表面に対する[20−1]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面Saが再研削される。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[010]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面Saが再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[010]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面Saが再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
以上のようにして、所望の面方位(102)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することができる。
比較例として、本発明者らは、上述した第1および第2の研削工程の順序を逆にしてオフ研削工程を実施したところ、最初の研削工程で基板の割れが発生しやすかった。すなわち水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[010]方向、2軸目の軸方向を[20−1]方向としたとき、基板の研削工程において割れが多く発生し、安定に基板を加工することができなかった。
[1−3.(201)面へのオフ研削]
次に、(201)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。基板Sの表面Saは、Ga2O3結晶1の結晶面(201)の[010]、[10−2]の各軸方向に対し、オフ角のずれがある。そこで本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面Saが結晶面(201)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
次に、(201)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。基板Sの表面Saは、Ga2O3結晶1の結晶面(201)の[010]、[10−2]の各軸方向に対し、オフ角のずれがある。そこで本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面Saが結晶面(201)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[10−2]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。本実施形態では基板表面に対する[10−2]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面が研削される。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[010]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[010]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
以上のようにして、所望の面方位(201)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することができる。
比較例として、本発明者らは、上述した第1および第2の研削工程の順序を逆にしてオフ研削工程を実施したところ、最初の研削工程で基板の割れが発生しやすかった。すなわち水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[010]方向、2軸目の軸方向を[10−2]方向としたとき、基板の研削工程において割れが多く発生し、安定に基板を加工することができなかった。
[1−4.(−201)面へのオフ研削]
次に、(−201)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。基板Sの表面Saは、Ga2O3結晶1の結晶面(−201)の[010]、[102]の各軸方向に対し、オフ角のずれがある。そこで本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面Saが結晶面(−201)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
次に、(−201)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。基板Sの表面Saは、Ga2O3結晶1の結晶面(−201)の[010]、[102]の各軸方向に対し、オフ角のずれがある。そこで本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面Saが結晶面(−201)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[102]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。本実施形態では基板表面に対する[102]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面が研削される。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[010]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[010]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
以上のようにして、所望の面方位(−201)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することができる。
比較例として、本発明者らは、上述した第1および第2の研削工程の順序を逆にしてオフ研削工程を実施したところ、最初の研削工程で基板の割れが発生しやすかった。すなわち水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[010]方向、2軸目の軸方向を[102]方向としたとき、基板の研削工程において割れが多く発生し、安定に基板を加工することができなかった。
[1−5.(−101)面へのオフ研削]
次に、(−101)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。基板Sの表面Saは、Ga2O3結晶1の結晶面(−101)の[010]、[101]の各軸方向に対し、オフ角のずれがある。そこで本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面Saが結晶面(−101)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
次に、(−101)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。基板Sの表面Saは、Ga2O3結晶1の結晶面(−101)の[010]、[101]の各軸方向に対し、オフ角のずれがある。そこで本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面Saが結晶面(−101)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[101]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。本実施形態では基板表面に対する[101]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面が研削される。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[010]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[010]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
以上のようにして、所望の面方位(−101)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することができる。
比較例として、本発明者らは、上述した第1および第2の研削工程の順序を逆にしてオフ研削工程を実施したところ、最初の研削工程で基板の割れが発生しやすかった。すなわち水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[010]方向、2軸目の軸方向を[101]方向としたとき、基板の研削工程において割れが多く発生し、安定に基板を加工することができなかった。
[1−6.(−102)面へのオフ研削]
本例では、(−102)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。基板Sの表面Saは、Ga2O3結晶1の結晶面(−102)の[010]、[201]の各軸方向に対し、オフ角のずれがある。そこで本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面Saが結晶面(−102)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
本例では、(−102)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。基板Sの表面Saは、Ga2O3結晶1の結晶面(−102)の[010]、[201]の各軸方向に対し、オフ角のずれがある。そこで本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面Saが結晶面(−102)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[201]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。本実施形態では基板表面に対する[201]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面が研削される。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[010]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[010]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
以上のようにして、所望の面方位(−102)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することができる。
比較例として、本発明者らは、上述した第1および第2の研削工程の順序を逆にしてオフ研削工程を実施したところ、最初の研削工程で基板の割れが発生しやすかった。すなわち水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[010]方向、2軸目の軸方向を[201]方向としたとき、基板の研削工程において割れが多く発生し、安定に基板を加工することができなかった。
[1−7.総括]
以上のように、[010]方向に垂直な(a0c)面(a,cは0以外の整数)へのオフ研削に際しては、まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[c0−a]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。これにより所望の面方位(a0c)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することが可能となる。
以上のように、[010]方向に垂直な(a0c)面(a,cは0以外の整数)へのオフ研削に際しては、まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[c0−a]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[010]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。これにより所望の面方位(a0c)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することが可能となる。
<第2の実施形態>
図7は、c軸方向からみたGa2O3結晶1の概略平面図である。以下、本発明の第2の実施形態として、[001]方向に垂直な(ab0)面(a,bは0以外の整数)へのオフ研削する方法について説明する。
図7は、c軸方向からみたGa2O3結晶1の概略平面図である。以下、本発明の第2の実施形態として、[001]方向に垂直な(ab0)面(a,bは0以外の整数)へのオフ研削する方法について説明する。
[2−1.(210)面へのオフ研削]
以下、(210)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面が結晶面(210)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
以下、(210)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面が結晶面(210)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[1−20]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。本実施形態では基板表面に対する[1−20]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面が研削される。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[001]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[001]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
以上のようにして、所望の面方位(210)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することができる。
比較例として、本発明者らは、上述した第1および第2の研削工程の順序を逆にしてオフ研削工程を実施したところ、最初の研削工程で基板の割れが発生しやすかった。すなわち水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[001]方向、2軸目の軸方向を[1−20]方向としたとき、基板の研削工程において割れが多く発生し、安定に基板を加工することができなかった。
[2−2.(110)面へのオフ研削]
次に、(110)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面が結晶面(110)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
次に、(110)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面が結晶面(110)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[1−10]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。本実施形態では基板表面に対する[1−10]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面が研削される。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[001]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[001]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
以上のようにして、所望の面方位(110)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することができる。
比較例として、本発明者らは、上述した第1および第2の研削工程の順序を逆にしてオフ研削工程を実施したところ、最初の研削工程で基板の割れが発生しやすかった。すなわち水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[001]方向、2軸目の軸方向を[1−10]方向としたとき、基板の研削工程において割れが多く発生し、安定に基板を加工することができなかった。
[2−3.(120)面へのオフ研削]
次に、(120)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面が結晶面(120)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
次に、(120)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面が結晶面(120)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[2−10]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。本実施形態では基板表面に対する[2−10]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面が研削される。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[001]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[001]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
以上のようにして、所望の面方位(120)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することができる。
比較例として、本発明者らは、上述した第1および第2の研削工程の順序を逆にしてオフ研削工程を実施したところ、最初の研削工程で基板の割れが発生しやすかった。すなわち水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[001]方向、2軸目の軸方向を[2−10]方向としたとき、基板の研削工程において割れが多く発生し、安定に基板を加工することができなかった。
[2−4.(1−20)面へのオフ研削]
次に、(1−20)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面が結晶面(1−20)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
次に、(1−20)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面が結晶面(1−20)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[210]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。本実施形態では基板表面に対する[210]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面が研削される。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[001]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[001]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
以上のようにして、所望の面方位(1−20)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することができる。
比較例として、本発明者らは、上述した第1および第2の研削工程の順序を逆にしてオフ研削工程を実施したところ、最初の研削工程で基板の割れが発生しやすかった。すなわち水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[001]方向、2軸目の軸方向を[210]方向としたとき、基板の研削工程において割れが多く発生し、安定に基板を加工することができなかった。
[2−5.(1−10)面へのオフ研削]
次に、(1−10)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面が結晶面(1−10)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
次に、(1−10)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面が結晶面(1−10)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[110]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。本実施形態では基板表面に対する[110]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面が研削される。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[001]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[001]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
以上のようにして、所望の面方位(1−10)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することができる。
比較例として、本発明者らは、上述した第1および第2の研削工程の順序を逆にしてオフ研削工程を実施したところ、最初の研削工程で基板の割れが発生しやすかった。すなわち水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[001]方向、2軸目の軸方向を[110]方向としたとき、基板の研削工程において割れが多く発生し、安定に基板を加工することができなかった。
[2−6.(2−10)面へのオフ研削]
次に、(2−10)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面が結晶面(2−10)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
次に、(2−10)面が基板表面となるように単結晶基板をオフ研削する方法について説明する。本実施形態では、オフ研削工程として、基板表面が結晶面(2−10)と平行な面となるように、以下の2段階の研削処理によって基板が研削される。
まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[120]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。本実施形態では基板表面に対する[120]方向の第1のオフ角が0°となるように、基板表面が研削される。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[001]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。本実施形態では基板表面に対する[001]方向の第2のオフ角が0°となるように、基板表面が再研削される。
上記第1,第2のオフ角の調整および基板の研削工程に際しては、図5,6を参照して説明した治具200や研削装置を用いることができる。
以上のようにして、所望の面方位(2−10)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することができる。
比較例として、本発明者らは、上述した第1および第2の研削工程の順序を逆にしてオフ研削工程を実施したところ、最初の研削工程で基板の割れが発生しやすかった。すなわち水平方向に調整すべき1軸目の軸方向を[001]方向、2軸目の軸方向を[120]方向としたとき、基板の研削工程において割れが多く発生し、安定に基板を加工することができなかった。
[2−7.総括]
以上のように、[001]方向に垂直な(ab0)面(a,bは0以外の整数)へのオフ研削に際しては、まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[b−a0]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。これにより所望の面方位(ab0)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することが可能となる。
以上のように、[001]方向に垂直な(ab0)面(a,bは0以外の整数)へのオフ研削に際しては、まず、第1の研削工程として、基板表面に対して[b−a0]方向に平行な軸が第1のオフ角となるように、基板表面が研削される。続いて、第2の研削工程として、基板表面に対して[001]方向に平行な軸が第2のオフ角となるように、基板表面が再研削される。これにより所望の面方位(ab0)の基板表面を有するGa2O3系基板を割れや欠けの発生を抑えつつ安定に製造することが可能となる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
例えば以上の実施形態では、オフ研削工程において所定の軸方向に基板の表面を順次研削したが、各軸方向に沿った基板表面の加工毎に基板の裏面も加工してもよい。これにより基板の両面を平行に維持できるため、基板の加工プロセスを容易に行うことが可能となる。
また以上の第1の実施形態では、基板表面の所望とする結晶方位として(101)、(102)、(201)、(−201)、(−101)、(−102)の各結晶面を例に挙げて説明したが、これ以外にも、[010]方向に垂直な他の面方位についても適用可能である。同様に、以上の第2の実施形態では、基板表面の所望とする結晶方位として(210)、(110)、(120)、(1−20)、(1−10)、(2−10)の各結晶面を例に挙げて説明したが、これ以外にも、[001]方向に垂直な他の面方位についても適用可能である。
1…β−Ga2O3結晶
10…単結晶製造装置
200…治具
301…研削具
S…基板
10…単結晶製造装置
200…治具
301…研削具
S…基板
Claims (5)
- 基板表面の結晶方位が(a0c)面(a,cは0以外の整数)である酸化ガリウム系基板の製造方法であって、
酸化ガリウム系の単結晶基板を作製し、
前記単結晶基板の表面に対して[c0−a]方向の第1のオフ角が任意の角度となるように、前記表面を研削し、
前記表面に対して[010]方向の第2のオフ角が任意の角度となるように、前記表面を再研削する
酸化ガリウム系基板の製造方法。 - 請求項1に記載の酸化ガリウム系基板の製造方法であって、
前記第1のオフ角および前記第2のオフ角をX線回折法により測定する
酸化ガリウム系基板の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の酸化ガリウム系基板の製造方法であって、
前記単結晶基板は、(100)面と(001)面をへき開面として有する
酸化ガリウム系基板の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の酸化ガリウム系基板の製造方法であって、
前記単結晶基板の作製は、EFG法によって酸化ガリウム系のバルク単結晶を育成することを含む
酸化ガリウム系基板の製造方法。 - 基板表面の結晶方位が(ab0)面(a,bは0以外の整数)である酸化ガリウム系基板の製造方法であって、
酸化ガリウム系の単結晶基板を作製し、
前記単結晶基板の表面に対して[b−a0]方向の第1のオフ角が任意の角度となるように、前記表面を研削し、
前記表面に対して[001]方向の第2のオフ角が任意の角度となるように、前記表面を再研削する
酸化ガリウム系基板の製造方法。
Priority Applications (1)
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WO2016021681A1 (ja) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶基板 |
JP2016037418A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶基板 |
JP2019123665A (ja) * | 2019-03-28 | 2019-07-25 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶基板 |
JP7083139B1 (ja) | 2021-08-06 | 2022-06-10 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体基板、半導体ウエハ、及び半導体ウエハの製造方法 |
JP7158627B1 (ja) * | 2021-09-03 | 2022-10-21 | 三菱電機株式会社 | 結晶積層構造体、半導体装置、及び、結晶積層構造体の製造方法 |
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016002707A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 株式会社タムラ製作所 | 酸化ガリウム基板及びその製造方法 |
JP5816343B1 (ja) * | 2014-06-30 | 2015-11-18 | 株式会社タムラ製作所 | 酸化ガリウム基板及びその製造方法 |
CN110565173A (zh) * | 2014-08-07 | 2019-12-13 | 株式会社田村制作所 | Ga2O3系单晶基板 |
WO2016021681A1 (ja) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶基板 |
JP2016037418A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶基板 |
JP2016037417A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶基板 |
CN106574396A (zh) * | 2014-08-07 | 2017-04-19 | 株式会社田村制作所 | Ga2O3系单晶基板 |
JP2019123665A (ja) * | 2019-03-28 | 2019-07-25 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶基板 |
JP7083139B1 (ja) | 2021-08-06 | 2022-06-10 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体基板、半導体ウエハ、及び半導体ウエハの製造方法 |
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JP2023023898A (ja) * | 2021-08-06 | 2023-02-16 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体基板、半導体ウエハ、及び半導体ウエハの製造方法 |
JP7158627B1 (ja) * | 2021-09-03 | 2022-10-21 | 三菱電機株式会社 | 結晶積層構造体、半導体装置、及び、結晶積層構造体の製造方法 |
WO2023032140A1 (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-09 | 三菱電機株式会社 | 結晶積層構造体、半導体装置、及び、結晶積層構造体の製造方法 |
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