JP7185089B1 - SiC基板及びSiCインゴット - Google Patents
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Abstract
Description
SiCインゴットの作製、SiC基板の切り出し、SiC基板の測定、測定結果のフィードバックという処理を複数回繰り返した。そして、複数の第1測定点のうちの隣接する任意の2つの測定点において、波長が1064nmの光に対する吸収係数の差が0.25cm-1以下となるSiCインゴットの成長条件を決定した。当該成長条件で作製したSiCインゴットを切断し、実施例1のSiC基板を作製した。
製造条件のフィードバックを行わず、SiCインゴットの製造条件の条件だしを行わなかった点が実施例1と異なる。特に精密な制御を行わずに、SiCインゴットを作製し、作製したインゴットを切断して、比較例1のSiC基板を作製した。
Claims (12)
- 中心及び前記中心から[11-20]方向又は[-1-120]方向に10mmずつ離れた複数の測定点を含む複数の第1測定点のうちの隣接する任意の2つの測定点において、波長が1064nmの光に対する吸収係数の差が0.25cm-1以下である、SiC基板。
- 前記複数の第1測定点のそれぞれから[1-100]方向又は[-1100]方向に10mmずつ離れた複数の第2測定点をさらに有し、
前記複数の第1測定点及び前記複数の第2測定点のうち任意の隣接する2つの測定点において、波長が1064nmの光に対する吸収係数の差が0.25cm-1以下である、請求項1に記載のSiC基板。 - 10mm離れた任意の2つの測定点において、波長が1064nmの光に対する吸収係数の差が0.25cm-1以下である、請求項1に記載のSiC基板。
- 直径が149mm以上である、請求項1に記載のSiC基板。
- 直径が199mm以上である、請求項1に記載のSiC基板。
- 波長が1064nmの光に対する吸収係数の最大値が3.00cm-1以下である、請求項1に記載のSiC基板。
- 波長が1064nmの光に対する吸収係数の最大値が2.75cm-1以下である、請求項1に記載のSiC基板。
- ファセットと呼ばれる高窒素濃度領域以外の部分を含む、請求項1に記載のSiC基板。
- 導電型を決定する意図的に添加されたドーパントが、窒素である、請求項8に記載のSiC基板。
- SiC基板を切り出し、その切断面を評価した際に、中心及び前記中心から[11-20]方向又は[-1-120]方向に10mmずつ離れた複数の測定点を含む複数の第1測定点のうちの任意の隣接する2つの測定点において、波長が1064nmの光に対する吸収係数の差が0.25cm-1以下である、SiCインゴット。
- ファセットと呼ばれる高窒素濃度領域以外の部分を含む、請求項10に記載のSiCインゴット。
- 導電型を決定する意図的に添加されたドーパントが、窒素である、請求項10に記載のSiCインゴット。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001226199A (ja) | 2000-02-18 | 2001-08-21 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 |
JP2007320790A (ja) | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板 |
JP2010150133A (ja) | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sicrystal Ag | 均一ドーピングされたSiCバルク単結晶の製造方法および均一ドーピングされたSiC基板 |
JP2010254520A (ja) | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法 |
JP2010254521A (ja) | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶基板の製造方法、及び炭化珪素単結晶基板 |
JP2013100217A (ja) | 2011-10-17 | 2013-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板、ならびにこれらの製造方法 |
JP2013211500A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 炭化珪素基板への成膜方法 |
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Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
CN106894090B (zh) * | 2017-03-17 | 2019-09-24 | 山东大学 | 一种高质量低电阻率的p型SiC单晶制备方法 |
CN109722711A (zh) * | 2017-10-27 | 2019-05-07 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种调控掺杂浓度的SiC生长方法及装置 |
CN108037439B (zh) * | 2017-12-18 | 2020-06-02 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种碳化硅晶体导电类型的无损判定方法 |
WO2021210394A1 (ja) * | 2020-04-14 | 2021-10-21 | 学校法人関西学院 | 炭化ケイ素基板の製造方法、炭化ケイ素基板、及び、レーザー加工により炭化ケイ素基板に導入された歪層を除去する方法 |
JP7259829B2 (ja) * | 2020-11-12 | 2023-04-18 | 株式会社レゾナック | SiCエピタキシャルウェハ |
CN112430845B (zh) * | 2020-11-26 | 2022-07-08 | 山东天岳先进科技股份有限公司 | 一种碳化硅单晶及其生产方法和应用 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001226199A (ja) | 2000-02-18 | 2001-08-21 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 |
JP2007320790A (ja) | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板 |
JP2010150133A (ja) | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sicrystal Ag | 均一ドーピングされたSiCバルク単結晶の製造方法および均一ドーピングされたSiC基板 |
JP2010254520A (ja) | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法 |
JP2010254521A (ja) | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶基板の製造方法、及び炭化珪素単結晶基板 |
JP2013100217A (ja) | 2011-10-17 | 2013-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板、ならびにこれらの製造方法 |
JP2013211500A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 炭化珪素基板への成膜方法 |
JP2020511391A (ja) | 2017-03-29 | 2020-04-16 | サイクリスタル ゲーエムベーハー | 炭化ケイ素基板、およびSiC単結晶ブールを成長させる方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
P.J.Wellmann et al.,Optical quantitative determination of doping levels and their distribution in SiC,Material Science and Engineering,NL,ELSEVIER,2002年,B91-92,P. 75-78 |
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---|---|
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