JP7185088B1 - ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴット - Google Patents
ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴット Download PDFInfo
- Publication number
- JP7185088B1 JP7185088B1 JP2022090458A JP2022090458A JP7185088B1 JP 7185088 B1 JP7185088 B1 JP 7185088B1 JP 2022090458 A JP2022090458 A JP 2022090458A JP 2022090458 A JP2022090458 A JP 2022090458A JP 7185088 B1 JP7185088 B1 JP 7185088B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- sic substrate
- region
- ingot
- substrate according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 107
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 151
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 149
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/025—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Abstract
【課題】レーザー加工時に加工しやすい、ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴットを提供することを目的とする。【解決手段】本実施形態にかかるＳｉＣ基板は、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値と最小値との差が０．２５ｃｍ－１である第１領域が占める割合が、全面積の７０％以上である。【選択図】図１
Description
本発明は、ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴットに関する。
炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界が１桁大きく、バンドギャップが３倍大きい。また、炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて熱伝導率が３倍程度高い等の特性を有する。そのため炭化珪素（ＳｉＣ）は、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。このため、近年、上記のような半導体デバイスにＳｉＣエピタキシャルウェハが用いられるようになっている。
ＳｉＣエピタキシャルウェハは、ＳｉＣ基板の表面にＳｉＣエピタキシャル層を積層することで得られる。以下、ＳｉＣエピタキシャル層を積層前の基板をＳｉＣ基板と称し、ＳｉＣエピタキシャル層を積層後の基板をＳｉＣエピタキシャルウェハと称する。ＳｉＣ基板は、ＳｉＣインゴットから切り出される。
特許文献１には、結晶成長中の結晶欠陥を避けるために、周辺領域と内側領域との間の平均吸収係数の差を１０ｃｍ－１以下としたＳｉＣ基板が開示されている。
近年、ＳｉＣ単結晶をレーザーで加工することが行われている。例えば、レーザーでＳｉＣ単結晶にクラックを入れることで、ＳｉＣ単結晶を分割できる。例えば、ＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を切り出す際、ＳｉＣ基板からさらに薄い基板を切り出す際、ＳｉＣ基板をチップ化する際に、レーザー加工が用いられている。レーザー加工は、ワイヤーソーを用いた加工より切削損失が少ないという利点を有するが、切断面の粗さが粗くなる場合や予期せぬ割れが生じる場合がある。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、レーザー加工時に加工しやすい、ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴットを提供することを目的とする。
本発明者らは、レーザー光に対する吸収係数の面内バラツキの小さいＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴットを作製し、これを用いることで加工成功率が高まることを見出した。本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
（１）第１の態様にかかるＳｉＣ基板は、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値と最小値との差が０．２５ｃｍ－１である第１領域が占める割合が、全面積の７０％以上である。
（２）上記態様にかかるＳｉＣ基板は、前記第１領域が占める割合が、全面積の８０％以上でもよい。
（３）上記態様にかかるＳｉＣ基板は、前記第１領域が占める割合が、全面積の９０％以上でもよい。
（４）上記態様にかかるＳｉＣ基板は、前記第１領域が占める割合が、全面積の９５％以上でもよい。
（５）上記態様にかかるＳｉＣ基板は、直径が１４９ｍｍ以上でもよい。
（６）上記態様にかかるＳｉＣ基板は、直径が１９９ｍｍ以上でもよい。
（７）上記態様にかかるＳｉＣ基板は、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値が３．００ｃｍ－１以下でもよい。
（８）上記態様にかかるＳｉＣ基板は、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値が２．７５ｃｍ－１以下でもよい。
（９）第２の態様にかかるＳｉＣインゴットは、ＳｉＣ基板を切り出し、その切断面を評価した際に、１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値と最小値との差が０．２５ｃｍ－１である第１領域が占める割合が、前記切断面の全面積の７０％以上である。
上記態様にかかるＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴットは、レーザー加工時に加工しやすい。
以下、本実施形態にかかるＳｉＣ基板等について、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、本実施形態の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材質、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
図１は、本実施形態に係るＳｉＣ基板１０の平面図である。ＳｉＣ基板１０は、例えば、ｎ型ＳｉＣからなる。ＳｉＣ基板１０のポリタイプは、特に問わず、２Ｈ、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈのいずれでもよい。ＳｉＣ基板１０は、例えば、４Ｈ－ＳｉＣである。
ＳｉＣ基板１０の平面視形状は略円形である。ＳｉＣ基板１０は、結晶軸の方向を把握するためのオリエンテーションフラットＯＦもしくはノッチを有してもよい。ＳｉＣ基板１０の直径は、例えば、１４９ｍｍ以上であり、好ましくは１９９ｍｍ以上である。ＳｉＣ基板１０の直径が大きいほど、レーザー加工で安定な切断が難しいため、本実施形態の構成を満たすＳｉＣ基板１０は、直径が大きいほど有用性が高い。
本実施形態に係るＳｉＣ基板１０は、第１領域１を有する。第１領域１は、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値と最小値との差が０．２５ｃｍ－１である。図１では、第１領域１をＳｉＣ基板１０と中心を同じとする円形で図示したが、この例に限られない。例えば、第１領域１の中心とＳｉＣ基板１０の中心とずれていてもよいし、第１領域１の形状は不定形でもよい。以下、吸収係数αは、３００Ｋの温度条件における値である。
吸収係数αは、ＳｉＣ基板１０の波長１０６４ｎｍの光に対する吸収率ＡとＳｉＣ基板１０の厚さＬから求められる。ＳｉＣ基板１０の波長１０６４ｎｍの光に対する吸収率Ａは、反射率Ｔ、透過率ＲからＡ＝１－Ｔ－Ｒで求められる。反射率Ｔは、ＳｉＣ基板１０への入射光の強度Ｉ０とＳｉＣ基板１０からの反射光の強度Ｉ１とを用いて、Ｔ＝Ｉ１／Ｉ０で求められる。透過率Ｒは、ＳｉＣ基板１０への入射光の強度Ｉ０とＳｉＣ基板１０を透過する透過光の強度Ｉ２とを用いて、Ｒ＝Ｉ２／Ｉ０で求められる。また吸収率Ａは、Ａ＝ｅｘｐ（－α・Ｌ）で表すことができるため、吸収率ＡとＳｉＣ基板１０の厚さＬから吸収係数αを求めることができる。
ＳｉＣ基板１０の面内の各点で吸収係数αを求めることで、吸収係数αの面内分布を得ることができる。例えば、吸収係数αの面内分布を測定する際に、各測定点のスポット径を１ｍｍとし、隣接する測定点の間隔を１０ｍｍとする。測定点数がＸ、吸収係数がα0±０．１２５ｃｍ－１に収まる測定点数がＹのとき、ＳｉＣ基板１０の全面積に対する第１領域１が占める割合Ｚは、Ｚ＝Ｙ／Ｘ×１００（％）により求めることができる。α0は例えば、全測定点の吸収係数の平均値とすることができるが、Ｚを最大化するように自由に選択することができる。
ＳｉＣ基板１０の全面積に対する第１領域１が占める割合は、例えば、７０％以上である。またＳｉＣ基板１０の全面積に対する第１領域１が占める割合は、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることがさらに好ましい。
ＳｉＣ基板１０の全面積に対する第１領域１の占める割合が高いほど、レーザー加工で切断した切断面の表面粗さが粗くなることや、レーザー加工での切断時にＳｉＣ基板１０に予期せぬ割れが生じることを抑制できる。これは、レーザー光の吸収係数の面内バラツキが小さいことで、レーザー加工が安定化するためである。レーザー加工で多く用いられるＹＡＧ（イットリウム、アルミニウム、ガーネット）レーザーのレーザー光の波長は１０６４ｎｍである。
図２は、ＳｉＣ基板１０の吸収係数とＳｉＣ基板１０にクラックを入れるのに必要なレーザーの出力の関係を示すグラフである。図２に示すように、ＳｉＣ基板１０の吸収係数が高くなるほど、クラックを入れるために必要なレーザーの出力が高くなる。図２に示すように、吸収係数の差が０．２５ｃｍ－１の範囲内であれば、一定のレーザー出力で、ＳｉＣ基板１０にクラックを入れることができる。レーザーの出力が切断中に変動しないことで、切断面の表面粗さが粗くなることや予期せぬ割れが生じることを抑制できる。
ＳｉＣ基板１０における波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値は、例えば、３．００ｃｍ－１以下であり、２．７５ｃｍ－１以下であることが好ましい。吸収係数は、ＳｉＣ基板１０に含まれる不純物濃度が高いほど、高くなる。上述のように、ＳｉＣ基板１０の吸収係数が高くなるほど、クラックを入れるために必要なレーザーの出力が高くなるため、吸収係数の最大値が小さいＳｉＣ基板１０は少ないエネルギーで加工できる。
ここで、ＳｉＣ基板１０の切断は、例えば、ＳｉＣ基板１０のチップ化、ＳｉＣ基板１０からさらに薄い基板を切り出す場合等がある。
次いで、本実施形態に係るＳｉＣ基板１０の製造方法の一例について説明する。ＳｉＣ基板１０は、ＳｉＣインゴットをスライスして得られる。ＳｉＣインゴットは、例えば、昇華法によって得られる。ＳｉＣインゴットの成長条件を制御することで、本実施形態に係るＳｉＣ基板１０を作製できる。
図３は、ＳｉＣインゴットの製造装置３０の一例である昇華法を説明するための模式図である。図３において台座３２の表面と直交する方向をｚ方向、ｚ方向と直交する一方向をｘ方向、ｚ方向及びｘ方向と直交する方向をｙ方向とする。
昇華法は、黒鉛製の坩堝３１内に配置した台座３２にＳｉＣ単結晶からなる種結晶３３を配置し、坩堝３１を加熱することで坩堝３１内の原料粉末３４から昇華した昇華ガスを種結晶３３に供給し、種結晶３３をより大きなＳｉＣインゴット３５へ成長させる方法である。種結晶３３は、例えば、［１１－２０］方向に対して４度のオフセット角を有するＳｉＣ単結晶であり、Ｃ面を成長面として台座３２に設置される。
坩堝３１の周囲には、例えば、断熱材を配置してもよい。坩堝３１は、例えば、二重石英管の内部に配置される。二重石英管の内部は、アルゴンガスやドーパントガス（窒素ガス）が供給され、真空ポンプで排気することで圧力が制御されている。二重石英管の外側にはコイル３６が配置され、コイル３６に高周波電流を流すことで、坩堝３１が加熱される。
坩堝３１内には、台座３２から坩堝３１の内側壁に向かって拡径するテーパー部材３７を配置してもよい。テーパー部材３７を用いることで、結晶成長する単結晶の径を拡大することができる。拡径しながら結晶成長を行うことで、ファセットと呼ばれる高窒素濃度領域を、ＳｉＣインゴット３５からＳｉＣ基板１０を取得する際の有効領域外に配置することができる。
吸収係数の面内バラツキの小さいＳｉＣ基板１０は、ＳｉＣインゴット３５の作製、ＳｉＣ基板１０の切り出し、ＳｉＣ基板１０の測定、測定結果のフィードバックという処理を複数回繰り返し、ＳｉＣインゴット３５の成長条件を変更することで作製できる。変更する成長条件は、例えば、ＳｉＣインゴット３５を作製する際の温度分布及び原料粉末３４に含まれる不純物濃度分布である。
ＳｉＣインゴット３５を作製する際は、ＳｉＣインゴット３５のｘｙ方向の外周部の温度を内側より高くし、原料粉末３４のｘｙ方向の外周側の不純物の濃度を内側より高くする。
ＳｉＣインゴット３５に含まれる不純物には、ｎ型のドーパントとして意図的に導入された窒素と、炉内部材や原料粉末３４から意図せずに結晶中に取り込まれる不純物がある。意図せずに結晶中に含まれる不純物は、例えば、ボロン、アルミニウム、チタン、バナジウム等である。
ＳｉＣインゴット３５への不純物の導入経路は、例えば、第１経路、第２経路、第３経路がある。第１経路は、ドーパントガスが坩堝３１の側壁を通過してＳｉＣインゴット３５に導入される経路である。第２経路は、坩堝３１内の部材からのデガスに含まれる不純物がＳｉＣインゴット３５に導入される経路である。第３経路は、原料粉末３４に含まれる不純物がＳｉＣインゴット３５に導入される経路である。
第１経路及び第２経路において、不純物はｘｙ方向の外側からＳｉＣインゴット３５に導入される。そのため、製造条件を制御しなければ、ＳｉＣインゴット３５の外周部は、内側より不純物濃度が高くなりやすい。ＳｉＣインゴット３５の外周部の温度を高くすることで、第１経路又は第２経路で外周部に導入される不純物を減らすことができる。
一方で、第３経路において、不純物はｚ方向の下方からＳｉＣインゴット３５に導入される。第１経路又は第２経路から外周部に導入される不純物を減らすために、ＳｉＣインゴット３５の外周部の温度を内側より高くすると、第３経路から外周部に導入される不純物の量も内側より少なくなり、第３経路からＳｉＣインゴット３５に導入される不純物がｘｙ面内でばらつく。そこで、原料粉末３４のｘｙ方向の外周側の不純物の濃度を内側より高くすることで、ＳｉＣインゴット３５の外周部の温度を内側より高くした場合でも、ＳｉＣインゴット３５に導入される不純物のｘｙ方向の面内バラツキを小さくできる。
坩堝３１の側壁を通過するドーパントガス量、坩堝３１内の部材からのデガス量は、坩堝３１毎に異なり一定ではない。そのため、製造装置毎に適切な温度条件及び不純物濃度条件は異なる。ＳｉＣインゴット３５のｘｙ方向の温度分布、原料粉末の不純物濃度分布は、複数回のフィードバックを繰り返すことで最適化される。
フィードバックする際に測定するのは、ＳｉＣ基板１０の吸収係数の面内分布である。吸収係数の面内分布は、上述の手順に従って測定する。ＳｉＣ基板１０において、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値と最小値との差が０．２５ｃｍ－１である領域の面積が全面積の７０％未満の場合は、製造条件を変更する。
このように、複数回のＳｉＣインゴット３５の結晶成長を繰り返し、それぞれの結果をフィードバックすることで、ＳｉＣインゴット３５の結晶成長条件を確定する。そして、確定した成長条件でＳｉＣインゴット３５を作製し、このＳｉＣインゴット３５を切断することで、本実施形態に係るＳｉＣ基板１０を作製できる。
本実施形態に係るＳｉＣ基板１０は、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値と最小値との差が０．２５ｃｍ－１である領域の面積が全面積の７０％以上である。そのため、一定のレーザー出力でＳｉＣ基板１０をレーザー加工することができる。レーザーの出力が切断中に変動しないことで、切断面の表面粗さが粗くなることや予期せぬ割れが生じることを抑制できる。
ここまでＳｉＣ基板１０をレーザー加工する場合を例示したが、ＳｉＣインゴット３５をレーザー加工する場合も同様である。例えば、ＳｉＣインゴット３５からＳｉＣ基板１０を切り出す場合が、ＳｉＣインゴット３５をレーザー加工する場合に該当する。ＳｉＣインゴット３５の状態は、ＳｉＣインゴット３５からＳｉＣ基板１０を切り出して評価することで求められる。ＳｉＣインゴット３５の状態は、切り出されたＳｉＣ基板１０の切断面を評価することで求められる。どこを切断面とするかは、取得したい基板の種類によるが、例えば（０００１）平面から［１１－２０］方向に対して４°傾けた面である。狙いのＳｉＣ基板の厚さは例えば４００μｍ等である。
ＳｉＣインゴット３５をレーザー加工する場合は、ＳｉＣ基板を切り出し、その切断面を評価した際に、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値と最小値との差が０．２５ｃｍ－１である第１領域が占める割合が、切断面の全面積の７０％以上であることが好ましい。切断面における第１領域が占める割合は、全面積の８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましく、９５％以上であることが特に好ましい。切断箇所が上記の条件を満たすと、レーザー加工時に切断面の表面粗さが粗くなることや予期せぬ割れが生じることを抑制できる。
また切断面において、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値は、例えば、３．００ｃｍ－１以下であり、２．７５ｃｍ－１以下であることが好ましい。
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
「実施例１」
ＳｉＣインゴットの作製、ＳｉＣ基板の切り出し、ＳｉＣ基板の測定、測定結果のフィードバックという処理を複数回繰り返し、ＳｉＣインゴットの成長条件を決定した。当該成長条件で作製したＳｉＣインゴットを切断し、ＳｉＣ基板を作製した。
ＳｉＣインゴットの作製、ＳｉＣ基板の切り出し、ＳｉＣ基板の測定、測定結果のフィードバックという処理を複数回繰り返し、ＳｉＣインゴットの成長条件を決定した。当該成長条件で作製したＳｉＣインゴットを切断し、ＳｉＣ基板を作製した。
作製したＳｉＣ基板は、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値と最小値との差が０．２５ｃｍ－１である第１領域が占める割合が全面積の７２％であった。このＳｉＣ基板に対してレーザーを照射した。レーザーは、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーを用いた。
実施例１のＳｉＣ基板に対してレーザー照射を行うことで、割れや欠けが生じることなく、ＳｉＣ基板にクラックを入れることができた。そして、ＳｉＣ基板１０を厚み方向に２分割することができた。
１…第１領域、１０…ＳｉＣ基板、３０…製造装置、３１…坩堝、３２…台座、３３…種結晶、３４…原料粉末、３５…ＳｉＣインゴット、３６…コイル、３７…テーパー部材
Claims (13)
- 波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値と最小値との差が０．２５ｃｍ－１ の範囲内である第１領域が占める割合が、全面積の７０％以上である、ＳｉＣ基板。
- 前記第１領域が占める割合が、全面積の８０％以上である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
- 前記第１領域が占める割合が、全面積の９０％以上である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
- 前記第１領域が占める割合が、全面積の９５％以上である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
- 直径が１４９ｍｍ以上である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
- 直径が１９９ｍｍ以上である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
- 波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値が３．００ｃｍ－１以下である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
- 波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値が２．７５ｃｍ－１以下である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。
- ファセットと呼ばれる高窒素濃度領域以外の部分を含み、
導電型を決定するドーパントと、不純物として取り込まれるドーパントと、を含み、
前記導電型を決定するドーパントは、窒素である、請求項１に記載のＳｉＣ基板。 - 前記全面積に対する前記第１領域が占める割合は、測定点のスポット径を１ｍｍとし、測定間隔１０ｍｍとして、一方向に測定を行った際に、吸収係数が全測定点の吸収係数の平均値±０．１２５ｃｍ －１ に収まる測定点の数を、全測定点の数で割って、１００をかけることで求められる、請求項９に記載のＳｉＣ基板。
- ＳｉＣ基板を切り出し、その切断面を評価した際に、波長が１０６４ｎｍの光に対する吸収係数の最大値と最小値との差が０．２５ｃｍ－１ の範囲内である第１領域が占める割合が、前記切断面の全面積の７０％以上である、ＳｉＣインゴット。
- ファセットと呼ばれる高窒素濃度領域以外の部分を含み、
導電型を決定するドーパントと、不純物として取り込まれるドーパントと、を含み、
前記導電型を決定するドーパントは、窒素である、請求項１１に記載のＳｉＣインゴット。 - 前記全面積に対する前記第１領域が占める割合は、測定点のスポット径を１ｍｍとし、測定間隔１０ｍｍとして、一方向に測定を行った際に、吸収係数が全測定点の吸収係数の平均値±０．１２５ｃｍ －１ に収まる測定点の数を、全測定点の数で割って、１００をかけることで求められる、請求項１２に記載のＳｉＣインゴット。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022090458A JP7185088B1 (ja) | 2022-06-02 | 2022-06-02 | ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴット |
| JP2022186495A JP7214034B1 (ja) | 2022-06-02 | 2022-11-22 | ＳｉＣデバイスの製造方法 |
| US18/175,134 US20230391626A1 (en) | 2022-06-02 | 2023-02-27 | SiC SUBSTRATE AND SiC INGOT |
| CN202310170155.9A CN117174575A (zh) | 2022-06-02 | 2023-02-27 | SiC基板和SiC晶锭 |
| EP23175538.0A EP4286566A1 (en) | 2022-06-02 | 2023-05-26 | Sic substrate and sic ingot |
| KR1020230069221A KR102615691B1 (ko) | 2022-06-02 | 2023-05-30 | SiC 기판 및 SiC 잉곳 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022090458A JP7185088B1 (ja) | 2022-06-02 | 2022-06-02 | ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴット |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022186495A Division JP7214034B1 (ja) | 2022-06-02 | 2022-11-22 | ＳｉＣデバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP7185088B1 true JP7185088B1 (ja) | 2022-12-06 |
| JP2023177666A JP2023177666A (ja) | 2023-12-14 |
Family
ID=84327871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022090458A Active JP7185088B1 (ja) | 2022-06-02 | 2022-06-02 | ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴット |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230391626A1 (ja) |
| EP (1) | EP4286566A1 (ja) |
| JP (1) | JP7185088B1 (ja) |
| KR (1) | KR102615691B1 (ja) |
| CN (1) | CN117174575A (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001226199A (ja) | 2000-02-18 | 2001-08-21 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 |
| JP2007320790A (ja) | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板 |
| JP2010150133A (ja) | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sicrystal Ag | 均一ドーピングされたＳｉＣバルク単結晶の製造方法および均一ドーピングされたＳｉＣ基板 |
| JP2010254521A (ja) | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶基板の製造方法、及び炭化珪素単結晶基板 |
| JP2010254520A (ja) | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法 |
| JP2013100217A (ja) | 2011-10-17 | 2013-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板、ならびにこれらの製造方法 |
| JP2013211500A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 炭化珪素基板への成膜方法 |
| JP2020511391A (ja) | 2017-03-29 | 2020-04-16 | サイクリスタル ゲーエムベーハー | 炭化ケイ素基板、およびＳｉＣ単結晶ブールを成長させる方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6245568B2 (ja) * | 2012-06-01 | 2017-12-13 | 株式会社レーザーシステム | レーザー加工方法 |
| JP7447392B2 (ja) * | 2018-09-10 | 2024-03-12 | 株式会社レゾナック | ＳｉＣ基板の評価方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 |
| JP2022090458A (ja) | 2020-12-07 | 2022-06-17 | 凸版印刷株式会社 | インクジェット印刷用チタン紙及び化粧板 |
-
2022
- 2022-06-02 JP JP2022090458A patent/JP7185088B1/ja active Active
-
2023
- 2023-02-27 US US18/175,134 patent/US20230391626A1/en active Pending
- 2023-02-27 CN CN202310170155.9A patent/CN117174575A/zh active Pending
- 2023-05-26 EP EP23175538.0A patent/EP4286566A1/en active Pending
- 2023-05-30 KR KR1020230069221A patent/KR102615691B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001226199A (ja) | 2000-02-18 | 2001-08-21 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 |
| JP2007320790A (ja) | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板 |
| JP2010150133A (ja) | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sicrystal Ag | 均一ドーピングされたＳｉＣバルク単結晶の製造方法および均一ドーピングされたＳｉＣ基板 |
| JP2010254521A (ja) | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶基板の製造方法、及び炭化珪素単結晶基板 |
| JP2010254520A (ja) | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法 |
| JP2013100217A (ja) | 2011-10-17 | 2013-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板、ならびにこれらの製造方法 |
| JP2013211500A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 炭化珪素基板への成膜方法 |
| JP2020511391A (ja) | 2017-03-29 | 2020-04-16 | サイクリスタル ゲーエムベーハー | 炭化ケイ素基板、およびＳｉＣ単結晶ブールを成長させる方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| P.J.Wellmann et al.，Optical quantitative determination of doping levels and their distribution in SiC，Material Science and Engineering，NL，ELSEVIER，2002年，B91-92，P. 75-78 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117174575A (zh) | 2023-12-05 |
| KR20230167724A (ko) | 2023-12-11 |
| JP2023177666A (ja) | 2023-12-14 |
| US20230391626A1 (en) | 2023-12-07 |
| EP4286566A1 (en) | 2023-12-06 |
| KR102615691B1 (ko) | 2023-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4613314B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| TWI792126B (zh) | 大直徑碳化矽晶圓 | |
| TWI792160B (zh) | 碳化矽晶體材料的差排分佈 | |
| US20210047749A1 (en) | Diameter expansion of aluminum nitride crystals during growth by physical vapor transport | |
| JP7185088B1 (ja) | ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴット | |
| JP7214034B1 (ja) | ＳｉＣデバイスの製造方法 | |
| JP7185089B1 (ja) | ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴット | |
| JP7214032B1 (ja) | ＳｉＣデバイスの製造方法 | |
| TW202405264A (zh) | 碳化矽基板及碳化矽晶錠 | |
| JP7185087B1 (ja) | ＳｉＣ基板及びＳｉＣインゴット | |
| JP7214033B1 (ja) | ＳｉＣデバイスの製造方法 | |
| EP4137624A1 (en) | Aluminum nitride substrate manufacturing method, aluminum nitride substrate, and method of removing strain layer introduced into aluminum nitride substrate by laser processing | |
| US20220403552A1 (en) | Reduced optical absorption for silicon carbide crystalline materials |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220608 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220608 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220719 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220914 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221025 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221124 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7185088 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |