JP2006100518A - 基板表面処理方法及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 - Google Patents
基板表面処理方法及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 半導体発光素子の基板表面に発光された光を散乱可能な凹凸を簡易に形成できる方法を提供する。
【解決手段】 エッチングとデポジションが同時に生じるように基板の表面をエッチング処理し、該基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 エッチングとデポジションが同時に生じるように基板の表面をエッチング処理し、該基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は基板表面処理方法及び当該基板表面処理方法により表面処理された基板を用いたIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法に関する。
III族窒化物系化合物半導体発光素子の基板表面へ凹凸を形成して当該表面を粗面とし、当該表面で光を散乱させ、もって光の取り出し効率の向上を図ることがなされている。
基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成するにはパターンニングしてエッチングを行うこととなる(特許文献1等参照)。そのためには、レジスト等によるマスクを形成するためのフォトリソグラフィ工程が必要である。
本発明に関連する文献として、特許文献1−3及び非特許文献1を参照されたい。
基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成するにはパターンニングしてエッチングを行うこととなる(特許文献1等参照)。そのためには、レジスト等によるマスクを形成するためのフォトリソグラフィ工程が必要である。
本発明に関連する文献として、特許文献1−3及び非特許文献1を参照されたい。
フォトリソグラフィ工程を実施してマスクを形成し、当該マスクを利用してエッチング工程を実施することにより確かに所望の凹凸を基板表面に形成することができる。しかしながら、かかる方法によれば基板表面を凹凸化処理するのに多段階の工程を必要とするので、手間がかかりひいては半導体発光素子の製造コストを引き上げる。
そこで、本発明者らは、基板表面に凹凸を形成する簡易な方法を得るべく鋭意検討を重ねてきた。
そこで、本発明者らは、基板表面に凹凸を形成する簡易な方法を得るべく鋭意検討を重ねてきた。
本発明は上記の課題を解決すべくなされたものである。即ち、
エッチングとデポジションが同時に生じるように基板の表面をエッチング処理し、該基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成する、ことを特徴とする半導体発光素子用の基板表面処理方法。
エッチングとデポジションが同時に生じるように基板の表面をエッチング処理し、該基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成する、ことを特徴とする半導体発光素子用の基板表面処理方法。
この発明の基板処理方法によれば、単にエッチング処理をすることにより基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成することができるので、基板表面の処理に要する工数が可及的に削減される。即ち、従来必要とされていたフォトリソグラフィ工程が不要となる。よって、基板処理に手間がかからなくなり、その製造コストを削減できる。
以下、この発明を構成する各要素について詳細に説明する。
(基板)
基板にはサファイア、SiC(炭化シリコン)及びGaN(窒化ガリウム)等の六方晶材料、Si(シリコン)やGaP(リン化ガリウム)、GaAs(砒化ガリウム)などの立方晶材料を用いることが出来る。
凹凸面は基板の一面若しくは両面に形成することができる。基板において凹凸を形成した表面へ半導体層を成長させることが好ましい。凹凸を形成した面を裏面としてそこには半導体層を成長させず、凹凸の無い基板面へ半導体層を成長させてもよい。
(基板)
基板にはサファイア、SiC(炭化シリコン)及びGaN(窒化ガリウム)等の六方晶材料、Si(シリコン)やGaP(リン化ガリウム)、GaAs(砒化ガリウム)などの立方晶材料を用いることが出来る。
凹凸面は基板の一面若しくは両面に形成することができる。基板において凹凸を形成した表面へ半導体層を成長させることが好ましい。凹凸を形成した面を裏面としてそこには半導体層を成長させず、凹凸の無い基板面へ半導体層を成長させてもよい。
(エッチング工程)
この発明ではドライエッチングの条件を最適化することにより、何らマスクを用いることなく、基板表面へ微小な凹凸を形成する。これは、分解されたエッチングガス若しくは基板材料との反応物が基板表面へデポジットし、その結果、均一なエッチングが阻害されて基板表面が凹凸状になると考えられる。
基板表面へのデポジットを誘発するため、エッチングチャンバー内でのエッチングガス分子の濃度を高めるとともにエッチング条件を調整する必要がある。
エッチングガス分子の濃度を高めるにはエッチングチャンバーの圧力を高めに設定すればよい。または、エッチングガスの流量を増加させてもよい。
エッチングガスは任意に選択可能であるが、デポジットを生じさせる見地から炭化物を用いることが好ましい。また、基板材料と安定して結合する見地からフッ素系を用いることが好ましい。
この発明ではドライエッチングの条件を最適化することにより、何らマスクを用いることなく、基板表面へ微小な凹凸を形成する。これは、分解されたエッチングガス若しくは基板材料との反応物が基板表面へデポジットし、その結果、均一なエッチングが阻害されて基板表面が凹凸状になると考えられる。
基板表面へのデポジットを誘発するため、エッチングチャンバー内でのエッチングガス分子の濃度を高めるとともにエッチング条件を調整する必要がある。
エッチングガス分子の濃度を高めるにはエッチングチャンバーの圧力を高めに設定すればよい。または、エッチングガスの流量を増加させてもよい。
エッチングガスは任意に選択可能であるが、デポジットを生じさせる見地から炭化物を用いることが好ましい。また、基板材料と安定して結合する見地からフッ素系を用いることが好ましい。
エッチング条件の設定如何によっては、デポジットが相対的に劣勢になり基板が平坦にエッチングされ、又はデポジットが相対的に優勢になって基板面が何らエッチングされずデポジットのみが起こる。
つまり、エッチング条件を制御することにより、エッチングとデポジットが同時に発生して基板表面が凹凸状となる。具体的なエッチング条件は基板材料、エッチングガス等に応じて適宜選択されるものとなる。エッチング条件を詳細に設定するため、実施例ではICP(Inductive Coupled Plasma:融合結合プラズマ)ドライエッチャーを用いている。ICPドライエッチャーは、プラズマ密度と基板に対するプラズマの引き込み電圧を独立して任意に設定可能である。これにより、0.3μm〜0.5μmの高さ範囲のコーン状の突起を1〜70/μm2の密度範囲で形成することができた。
プラズマ密度及び引き込み電圧、並びにエッチング時間を任意に調整することにより、上記範囲内において凹凸形状を変更可能である。
つまり、エッチング条件を制御することにより、エッチングとデポジットが同時に発生して基板表面が凹凸状となる。具体的なエッチング条件は基板材料、エッチングガス等に応じて適宜選択されるものとなる。エッチング条件を詳細に設定するため、実施例ではICP(Inductive Coupled Plasma:融合結合プラズマ)ドライエッチャーを用いている。ICPドライエッチャーは、プラズマ密度と基板に対するプラズマの引き込み電圧を独立して任意に設定可能である。これにより、0.3μm〜0.5μmの高さ範囲のコーン状の突起を1〜70/μm2の密度範囲で形成することができた。
プラズマ密度及び引き込み電圧、並びにエッチング時間を任意に調整することにより、上記範囲内において凹凸形状を変更可能である。
基板にはIII族窒化物系化合物半導体層を成長させることが好ましい。
III族窒化物系化合物半導体は一般式としてAlXGaYIn1−X−YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)で表され、AlN、GaN及びInNのいわゆる2元系、AlxGa1−xN、AlxIn1−xN及びGaxIn1−xN(以上において0<x<1)のいわゆる3元系を包含する。III族元素の一部をボロン(B)、タリウム(Tl)等で置換しても良く、また、窒素(N)の一部もリン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)等で置換できる。III族窒化物系化合物半導体層は任意のドーパントを含むものであっても良い。n型不純物として、Si、Ge、Se、Te、C等を用いることができる。p型不純物として、Mg、Zn、Be、Ca、Sr、Ba等を用いることができる。なお、p型不純物をドープした後にIII族窒化物系化合物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉による加熱にさらすことも可能である。III族窒化物系化合物半導体層の形成方法は特に限定されないが、有機金属気相成長法(MOCVD法)のほか、周知の分子線結晶成長法(MBE法)、ハライド気相成長法(HVPE法)、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等によっても形成することができる。
なお、発光素子の構成としては、MIS接合、PIN接合やpn接合を有したホモ構造、シングルヘテロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることができる。発光層として量子井戸構造(単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造)を採用することもできる。
基板上のその他の半導体層を成長させることもできる。
III族窒化物系化合物半導体は一般式としてAlXGaYIn1−X−YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)で表され、AlN、GaN及びInNのいわゆる2元系、AlxGa1−xN、AlxIn1−xN及びGaxIn1−xN(以上において0<x<1)のいわゆる3元系を包含する。III族元素の一部をボロン(B)、タリウム(Tl)等で置換しても良く、また、窒素(N)の一部もリン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)等で置換できる。III族窒化物系化合物半導体層は任意のドーパントを含むものであっても良い。n型不純物として、Si、Ge、Se、Te、C等を用いることができる。p型不純物として、Mg、Zn、Be、Ca、Sr、Ba等を用いることができる。なお、p型不純物をドープした後にIII族窒化物系化合物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉による加熱にさらすことも可能である。III族窒化物系化合物半導体層の形成方法は特に限定されないが、有機金属気相成長法(MOCVD法)のほか、周知の分子線結晶成長法(MBE法)、ハライド気相成長法(HVPE法)、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等によっても形成することができる。
なお、発光素子の構成としては、MIS接合、PIN接合やpn接合を有したホモ構造、シングルヘテロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることができる。発光層として量子井戸構造(単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造)を採用することもできる。
基板上のその他の半導体層を成長させることもできる。
サファイア基板を準備し、これをICPドライエッチャーのエッチングチャンバーへ装填して、そのa面をドライエッチングした。エッチングガスにはCHF3ガスを用いた。チャンバー内の圧力は1.5〜6.0Paとした。この圧力は、サファイア基板に対する通常のエッチング条件(サファイア基板を実質的に平坦にエッチングする圧力)よりも100〜500%高い。また、ICPの電力は150〜600W、Bias電圧は300〜500Wとした。エッチング時間は15〜40分である。その結果、図1(A)に模式的に示すように、サファイア基板の表面に凹凸が形成された。この凹凸は高さが0.3μm〜0.5μmのコーン状であり、1〜70/μm2の密度で存在する。このように細かい凹凸は、図1(B)で示す従来の方法では形成困難である。また、このように細かい凹凸を形成した基板を発光素子に用いることにより発光素子における光の取出し効率が向上する。これは、凹凸形成面がフォトニック結晶を構成可能であるためである。
図2にはICP電力を500W、Bias電力を400W、チャンバー内圧力を2.5Pa、エッチング時間を25分、エッチングガスをCHF3としたときのサファイア基板表面の斜視図を示す。また、図3には同じく平面図を示す。
図4には電力を300W、Bias電力を400W、チャンバー内圧力を4.0Pa、エッチング時間を25分、エッチングガスをCHF3としたときのサファイア基板表面の斜視図を示す。また、図5には同じく平面図を示す。
図2〜図5に示す結果から、サファイア基板の表面に細かい凹凸が均一に形成されていることがわかる。
図4には電力を300W、Bias電力を400W、チャンバー内圧力を4.0Pa、エッチング時間を25分、エッチングガスをCHF3としたときのサファイア基板表面の斜視図を示す。また、図5には同じく平面図を示す。
図2〜図5に示す結果から、サファイア基板の表面に細かい凹凸が均一に形成されていることがわかる。
図2及び図3に示すサファイア基板の凹凸形成面へ、図6に示す通り、定法に従いIII族窒化物系化合物半導体層を積層し、実施例の発光素子1を得た。
より具体的には、基板2の凹凸形成面Fへ図示しないバッファ層を介してn型GaNからなるnクラッド層3をMOCVD法により形成する。他の半導体層も同様にMOCVD法で形成した。この成長法においては、アンモニアガスとIII族元素のアルキル化合物ガス、例えばトリメチルガリウム(TMG)、トリメチルアルミニウム(TMA)やトリメチルインジウム(TMI)とを適当な温度に加熱された基板上に供給して熱分解反応させ、もって所望の結晶を基板の上に成長させる。
nクラッド層3は活性層4側の低電子濃度n-層と基板2側の高電子濃度n+層とからなる2層構造とすることができる。後者はn型コンタクト層と呼ばれる。
より具体的には、基板2の凹凸形成面Fへ図示しないバッファ層を介してn型GaNからなるnクラッド層3をMOCVD法により形成する。他の半導体層も同様にMOCVD法で形成した。この成長法においては、アンモニアガスとIII族元素のアルキル化合物ガス、例えばトリメチルガリウム(TMG)、トリメチルアルミニウム(TMA)やトリメチルインジウム(TMI)とを適当な温度に加熱された基板上に供給して熱分解反応させ、もって所望の結晶を基板の上に成長させる。
nクラッド層3は活性層4側の低電子濃度n-層と基板2側の高電子濃度n+層とからなる2層構造とすることができる。後者はn型コンタクト層と呼ばれる。
活性層4には多重量子井戸構造を採用した。活性層4は多重量子井戸構造のものに限定されない。発光素子の構成としてはシングルへテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどを用いることができる。また、単一量子井戸構造を採用することもできる。
活性層4の上にはp型GaNからなるpクラッド層5が形成される。活性層4とpクラッド層5との間にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバンドギャップの広いAlXGaYIn1−X−YN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)層を介在させることができる。これは活性層4中に注入された電子がpクラッド層5に拡散するのを防止するためである。
pクラッド層5を活性層4側の低ホール濃度p−層と電極側の高ホール濃度p+層とからなる2層構造とすることができる。後者はp型コンタクト層と呼ばれる。
活性層4の上にはp型GaNからなるpクラッド層5が形成される。活性層4とpクラッド層5との間にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバンドギャップの広いAlXGaYIn1−X−YN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)層を介在させることができる。これは活性層4中に注入された電子がpクラッド層5に拡散するのを防止するためである。
pクラッド層5を活性層4側の低ホール濃度p−層と電極側の高ホール濃度p+層とからなる2層構造とすることができる。後者はp型コンタクト層と呼ばれる。
透光性電極6は金を含む薄膜であり、pクラッド層5の実質的な全面を覆って積層される。p電極7も金を含む材料で構成されており、蒸着により透光性電極6の上に形成される。
n電極8はエッチングにより露出されたnクラッド層3の面へ蒸着により形成される。
n電極8はエッチングにより露出されたnクラッド層3の面へ蒸着により形成される。
このように構成されたIII族窒化物系化合物半導体発光素子1の特性を図7に示す。なお、この発光素子1の主たる波長は約530nm(緑色)であり、基板2を下側としたいわゆるフェースアップタイプである。図7の特性は樹脂封止をしていない状態で電流とその光度との関係を示している。
図7において比較例はサファイア基板の表面加工が省略されている。即ち、基板表面が実質的にフラットな状態である。
図7の結果からわかるように、基板表面へ凹凸を形成することにより、発光素子の光度、即ち光取出し効率が向上していることがわかる。これは、活性層4から基板側へ放出された光が凹凸形成面Fで散乱され、その光のより多くが発光素子1の外部へ放出されることとなるからである。
図7において比較例はサファイア基板の表面加工が省略されている。即ち、基板表面が実質的にフラットな状態である。
図7の結果からわかるように、基板表面へ凹凸を形成することにより、発光素子の光度、即ち光取出し効率が向上していることがわかる。これは、活性層4から基板側へ放出された光が凹凸形成面Fで散乱され、その光のより多くが発光素子1の外部へ放出されることとなるからである。
図8には他の実施例の発光素子11を示す。図6の例と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
図8の例では基板2の裏面側を凹凸形成面Fとし、半導体形成面は実質的にフラット面である。かかる基板においても凹凸形成面Fにおいて光が散乱され、光取出し効率が向上する。かかる基板構造を有する発光素子はいわゆるフリップチップ型とすることが好ましい。その場合、透光性電極は省略され、p型電極がpクラッド層の全面に形成される。
図8の例では基板2の裏面側を凹凸形成面Fとし、半導体形成面は実質的にフラット面である。かかる基板においても凹凸形成面Fにおいて光が散乱され、光取出し効率が向上する。かかる基板構造を有する発光素子はいわゆるフリップチップ型とすることが好ましい。その場合、透光性電極は省略され、p型電極がpクラッド層の全面に形成される。
図9には他の実施例の発光素子21を示す。図6の例と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
図9の例では基板2の両面が凹凸形成面Fとされている。これにより、活性層から基板側へ放出された光が確実に散乱されて外部へ取出される。
図9の例では基板2の両面が凹凸形成面Fとされている。これにより、活性層から基板側へ放出された光が確実に散乱されて外部へ取出される。
この発明は上記発明の実施の態様及び実施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
1、11、21 発光素子
2 サファイア基板
3 nクラッド層
4 活性層
5 pクラッド層
6 透光性電極
7 p型電極
8 n型電極
2 サファイア基板
3 nクラッド層
4 活性層
5 pクラッド層
6 透光性電極
7 p型電極
8 n型電極
Claims (3)
- エッチングとデポジションが同時に生じるように基板の表面をエッチング処理し、該基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成する、ことを特徴とする半導体発光素子用の基板表面処理方法。
- 前記基板をサファイア基板とし、エッチング方法としてICPドライエッチング法を採用し、前記サファイア基板を実質的に平坦にエッチングする条件に比べてエッチングの雰囲気圧力を高くする、ことを特徴とする請求項1に記載の基板表面処理方法。
- 請求項1又は2に記載の基板表面処理方法により処理された基板へIII族窒化物系化合物半導体層を成長させることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
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JP2004283902A JP2006100518A (ja) | 2004-09-29 | 2004-09-29 | 基板表面処理方法及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 |
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2004
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