JP3874779B2 - Geドープn型III族窒化物半導体層状物及びその製造方法、ならびにそれを用いたIII族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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(1)基板上に積層されたGe原子高濃度層およびGe原子低濃度層からなり、該高濃度層上に該低濃度層が積層されていることを特徴とするGeドープn型III族窒化物半導体層状物。
図2は、本実施例で作製したGeドープn型III族窒化物半導体層を含む積層構造体の断面構造を模式的に示した図である。
Geドープn型GaN層4の形成を、(CH3)4Geを9秒間流通、その後9秒間流通停止のサイクルを200回繰り返して厚さ2.0μmの層としたこと以外は、実施例1と同様にして積層構造体を作製した。
Geドープn型GaN層4の形成を、(CH3)4Geを常に同一流量で流通させながら厚さ2.0μmの層としたこと以外は、実施例1と同様にして積層構造体を作製した。なお、(CH3)4Geの流量は、Geドープn型GaN層4のホール測定によるキャリア濃度が実施例1と同じ7×1018cm-3になるように調製した。
実施例1で作製した積層構造体の上にさらにIII族窒化物半導体層を積層させ、III族窒化物半導体発光素子を作製した。図3は、本実施例で作製したIII族窒化物半導体発光素子の断面構造を模式的に示した図である。
実施例2で作製される積層構造体を用いる以外は、実施例3と同様にしてIII族窒化物半導体発光素子を作製した。実施例3と同様に順方向電圧および発光強度を測定したところ、3.5Vおよび4.8mWであった。また、青色帯発光の中心波長は455nmであった。
比較例1で作製される積層構造体を用いる以外は、実施例3と同様にしてIII族窒化物半導体発光素子を作製した。実施例3と同様に順方向電圧および発光強度を測定したところ、順方向電圧は実施例3および4と同じ3.5Vであったが、発光強度は0.4mWと低い強度の発光しか得られなかった。
本比較例では、実施例3において、Geドープn型GaN層4を形成する代わりに、Siを均一に7×1018cm-3ドープした厚さ2μmのn型GaN層を形成する以外は、実施例3と同様にIII族窒化物半導体発光素子を作製した。実施例3と同様に順方向電圧および発光強度を測定したところ、順方向電圧は実施例3および4と同じ3.5Vであったが、発光強度は4mWと実施例3よりも20%低い発光強度であった。
本実施例では、Geドープn型GaN層4のホール測定によるキャリア濃度が3×1017cm-3になるように、テトラメチルゲルマニウム((CH3)4Ge)の供給量を変更した以外は、実施例1と同様に積層構造体を作製した。
2 AlN高温緩衝層
3 アンドープGaN下地層
4 Geドープn型GaN層
4a Ge原子高濃度層
4b Ge原子低濃度層
5 アンドープAlGaNクラッド層
6 多重量子井戸構造発光層
6a 障壁層
6b 井戸層
7 p型AlGaNクラッド層
8 p型GaNコンタクト層
9 n型オーミック電極
10 p型オーミック電極
Claims (10)
- ゲルマニウム(Ge)源として有機ゲルマニウム化合物を利用し、有機金属化学的気相堆積法により基板上にGeドープn型III族窒化物半導体層状物を製造する方法であって、Ge原子濃度が5×10 17 〜5×10 19 cm -3 になるように、表面にピットを有するGe原子高濃度層を形成する工程と、該Ge原子高濃度層表面に接してGe原子濃度が該Ge原子高濃度層よりも低いGe原子低濃度層を形成する工程とを含み、該Ge原子高濃度層および該Ge原子低濃度層を交互に周期的に形成し、その繰り返し周期数が10〜1000であるGeドープn型III族窒化物半導体層状物の製造方法。
- ピットが1×105個/cm2〜1×1010個/cm2の範囲で形成されている請求項1に記載の製造方法。
- Ge原子低濃度層の表面(基板と反対側の面)の平坦性(Ra)が10Å以下である請求項1または2に記載の製造方法。
- Ge原子高濃度層およびGe原子低濃度層の厚さがそれぞれ0.5〜500nmである請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。
- Ge原子低濃度層の厚さがGe原子高濃度層の厚さと等しいか、またはGe原子高濃度層の厚さよりも厚い請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法。
- 層状物全体の厚さが0.1〜10μmである請求項1〜5のいずれか一項に記載の製造方法。
- Ge原子低濃度層のGe原子濃度が2×1019cm-3以下である請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法。
- Ge原子低濃度層がGe原子を故意にドーピングされていない請求項7に記載の製造方法。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の製造方法によって製造されたGeドープn型III族窒化物半導体層状物。
- 基板上にIII族窒化物半導体からなる発光層を有するIII族窒化物半導体発光素子に於いて、基板と発光層との間に、請求項9に記載のGeドープn型III族窒化物半導体層状物を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
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