JP2006013463A - Iii族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板101上にn型層104,105、発光層106およびp型層107,108を有し、当該発光層が井戸層106bおよび障壁層106あが交互に積層された多重量子構造からなり、当該発光層がn型層とp型層で挟まれるように配置され、当該障壁層が層内全体に亙って不純物を含有し、かつ、厚み方向における中央部の該不純物の濃度が井戸層に接する部分よりも高濃度であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
【選択図】 図2
Description
(1)基板上にn型層、発光層およびp型層を有し、当該発光層が井戸層および障壁層が交互に積層された多重量子構造からなり、当該発光層がn型層とp型層で挟まれるように配置され、当該障壁層が層内全体に亙って不純物を含有し、かつ、厚み方向における中央部の不純物の濃度が井戸層に接する部分よりも高濃度であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
(3)障壁層の厚さが5〜50nmであることを特徴とする上記1または2項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
(6)高ドーピング領域の厚さが2.5〜45nmであることを特徴とする上記2〜5項のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
(13)上記1〜12項のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体を使用したランプ。
(14)上記1〜12項のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体を使用した照明装置。
(15)上記1〜12項のいずれか一項に記載したIII族窒化物半導体を使用した表示装置。
図1に本実施例で作製したLED10の平面構造を模式的に示す。また、図2に図1の破線A−Bに沿ったLED10の断面構造を模式的に示す。
本実施例では、障壁層を構成するIII族窒化物半導体としてAl0.01Ga0.99Nを用いた以外は、実施例1と同様にIII族窒化物半導体LEDを作製した。得られたLEDを実施例1と同様に評価したところ、順方向電圧は実施例1よりも低い3.0Vであり、発光強度は実施例1よりも高い8.2mWであった。
本実施例では、各障壁層の高ドーピング領域の不純物濃度をn型層からp型層に向かって、6.0×1018cm-3、6.5×1018cm-3、7.0×1018cm-3、7.5×1018cm-3、8.0×1018cm-3及び8.5×1018cm-3とした以外は、実施例1と同様にIII族窒化物半導体LEDを作製した。得られたLEDを実施例1と同様に評価したところ、順方向電圧は実施例1よりも低い3.1Vであり、発光強度は実施例1よりも高い8.0mWであった。
本実施例では、低ドーピング領域の不純物にGeを用いた以外は、実施例2と同様にIII族窒化物半導体LEDを作製した。得られたLEDを実施例1と同様に評価したところ、順方向電圧は実施例2と同じ3.0Vであり、発光強度は実施例2よりも高い8.6mWであった。
本比較例では、低ドーピング領域をアンドープとした以外は、実施例1と同様にIII族窒化物半導体LEDを作製した。得られたLEDを実施例1と同様に評価したところ、発光強度は実施例1と同じ7.6mWであったが、順方向電圧は3.5Vと実施例1よりかなり高かった。
本比較例では、低ドーピング領域を設けずに、障壁層全体を高ドーピング領域と同じ不純物濃度である7×1018cm-3とした以外は、実施例1と同様にIII族窒化物半導体LEDを作製した。得られたLEDを実施例1と同様に評価したところ、順方向電圧は3.0Vであったが、発光強度は6.0mWと非常に低かった。
101 基板
104 nコンタクト層
105 nクラッド層
106 発光層
106a 障壁層
106b 井戸層
107 pクラッド層
108 pコンタクト層
109 n型オーミック電極
110 p型オーミック電極
Claims (15)
- 基板上にn型層、発光層およびp型層を有し、当該発光層が井戸層および障壁層が交互に積層された多重量子構造からなり、当該発光層がn型層とp型層で挟まれるように配置され、当該障壁層が層内全体に亙って不純物を含有し、かつ、厚み方向における中央部の該不純物の濃度が井戸層に接する部分よりも高濃度であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
- 基板上にn型層、発光層およびp型層を有し、当該発光層が井戸層および障壁層が交互に積層された多重量子構造からなり、当該発光層がn型層とp型層で挟まれるように配置され、当該障壁層が層内全体に亙って不純物を含有し、かつ、厚み方向における中央部の該不純物の濃度が井戸層に接する部分よりも高い高ドーピング領域と、井戸層に接し、不純物の濃度の低い低ドーピング領域を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
- 障壁層の厚さが5〜50nmであることを特徴とする請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 高ドーピング領域の不純物濃度が1×1018cm-3以上1×1019cm-3以下であることを特徴とする請求項2または3に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 低ドーピング領域の不純物濃度が1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満であることを特徴とする請求項2〜4のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 高ドーピング領域の厚さが2.5〜45nmであることを特徴とする請求項2〜5のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 低ドーピング領域の厚さが少なくとも2.5nmであることを特徴とする請求項2〜6のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 各障壁層の高ドーピング領域の不純物濃度がn型層からp型層に向かって順次増加または減少していることを特徴とする請求項2〜7のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 各障壁層が禁止帯幅の異なる複数の層からなることを特徴とする請求項2〜8のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 高ドーピング領域の禁止帯幅が低ドーピング領域の禁止帯幅よりも大きいことを特徴とする請求項9に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 高ドーピング領域の不純物が珪素であり、低ドーピング領域の不純物がゲルマニウムであることを特徴とする請求項2〜10のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 発光層の多重量子構造の周期数が3〜6であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体発光素子を使用したランプ。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体発光素子を使用した照明装置。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体発光素子を使用した表示装置。
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