JPH07122812A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH07122812A JPH07122812A JP26768493A JP26768493A JPH07122812A JP H07122812 A JPH07122812 A JP H07122812A JP 26768493 A JP26768493 A JP 26768493A JP 26768493 A JP26768493 A JP 26768493A JP H07122812 A JPH07122812 A JP H07122812A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
- H01S5/309—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer doping of barrier layers that confine charge carriers in the laser structure, e.g. the barriers in a quantum well structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3407—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers characterised by special barrier layers
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多重量子井戸レーザの変調ドープ構造に関
し, バリア層の不純物ドープ領域から井戸層へのキャリ
ア注入効率を高め, しきい値電流の低減を図る。 【構成】 多重量子井戸(MQW) レーザの変調ドープ構造
において，バリア層の不純物ドープ領域と井戸層との間
にノンドープのスペーサ層を有し，該バリア層のｎ型
（ｐ型）不純物ドープ領域と該スペーサ層との界面にお
ける伝導帯端（価電子帯端）のポテンシャルが, 該スペ
ーサ層と該井戸層の界面における伝導帯端のポテンシャ
ルに等しいか，もしくは大きく（小さく）なるように該
スペーサ層の組成，厚さ及び該バリア層の不純物ドープ
領域のドーピング濃度，厚さが決められている。
し, バリア層の不純物ドープ領域から井戸層へのキャリ
ア注入効率を高め, しきい値電流の低減を図る。 【構成】 多重量子井戸(MQW) レーザの変調ドープ構造
において，バリア層の不純物ドープ領域と井戸層との間
にノンドープのスペーサ層を有し，該バリア層のｎ型
（ｐ型）不純物ドープ領域と該スペーサ層との界面にお
ける伝導帯端（価電子帯端）のポテンシャルが, 該スペ
ーサ層と該井戸層の界面における伝導帯端のポテンシャ
ルに等しいか，もしくは大きく（小さく）なるように該
スペーサ層の組成，厚さ及び該バリア層の不純物ドープ
領域のドーピング濃度，厚さが決められている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザに係り, 特
に, 多重量子井戸(MQW) レーザの特定の領域のみにドー
プした変調ドープ構造に関する。
に, 多重量子井戸(MQW) レーザの特定の領域のみにドー
プした変調ドープ構造に関する。
【０００２】変調ドーピングによりレーザ特性の向上を
図るためには, ドーピング領域であるバリア層から, 効
率よくノンドーピング領域である井戸層にキャリアを注
入する必要がある。
図るためには, ドーピング領域であるバリア層から, 効
率よくノンドーピング領域である井戸層にキャリアを注
入する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】半導体多重量子井戸レーザで，バリア層
のみ不純物をドープする変調ドープ構造は，レーザのし
きい値電流密度の低減, 変調動作の高速化のために非常
に有効である。
のみ不純物をドープする変調ドープ構造は，レーザのし
きい値電流密度の低減, 変調動作の高速化のために非常
に有効である。
【０００４】図５(A),(B) は従来例による InGaAsP/InG
aAs 多重量子井戸レーザの変調ドープ構造の説明図であ
る。図５(A) に示される多重量子井戸において， EC は
伝導帯端, EV は価電子帯端, 1は多重量子井戸のバリ
ア層でInGaAsP 層, 1Dはバリア層中央部の不純物ドープ
領域, 1Nはバリア層内両側のノンドープのスペーサ層,
2は井戸層でInGaAs層である。
aAs 多重量子井戸レーザの変調ドープ構造の説明図であ
る。図５(A) に示される多重量子井戸において， EC は
伝導帯端, EV は価電子帯端, 1は多重量子井戸のバリ
ア層でInGaAsP 層, 1Dはバリア層中央部の不純物ドープ
領域, 1Nはバリア層内両側のノンドープのスペーサ層,
2は井戸層でInGaAs層である。
【０００５】バリア層 1の中央部にZn, Cd, Be等のｐ型
不純物を, またはSi等のｎ型不純物のドーピングによる
不純物ドープ領域1Dを設け，バリア層 1の両端には井戸
層への不純物拡散を抑えるためにノンドープのスペーサ
層1Nを設けた構造を持つ。
不純物を, またはSi等のｎ型不純物のドーピングによる
不純物ドープ領域1Dを設け，バリア層 1の両端には井戸
層への不純物拡散を抑えるためにノンドープのスペーサ
層1Nを設けた構造を持つ。
【０００６】不純物ドープ領域1Dで生じたキャリアは,
スペーサ層1Nを介して井戸層 2に注入され, 電流が注入
されていない状態である熱平衡状態でも井戸層内に多数
のキャリアが存在する。そのため，少ない電流注入量で
レーザ発振が可能となり, しきい値電流が低減されてレ
ーザ特性が改善される。
スペーサ層1Nを介して井戸層 2に注入され, 電流が注入
されていない状態である熱平衡状態でも井戸層内に多数
のキャリアが存在する。そのため，少ない電流注入量で
レーザ発振が可能となり, しきい値電流が低減されてレ
ーザ特性が改善される。
【０００７】特開平 2-154472 号公報には, バリア層の
不純物ドープ領域にZnをドープしたInGaAsP/InP 系MQW
レーザ (発振波長1.55μｍ) でしきい値電流密度50A/cm
2 の低しきい値動作を実現した例が示されている。
不純物ドープ領域にZnをドープしたInGaAsP/InP 系MQW
レーザ (発振波長1.55μｍ) でしきい値電流密度50A/cm
2 の低しきい値動作を実現した例が示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図５(B) は，従来の変
調ドープ構造でInGaAsP/InGaAs多重量子井戸のバリア層
中央部にSi等のｎ型不純物をドープした場合の伝導帯バ
ンド構造図である。バリア層と井戸層との不純物濃度勾
配によって, 電子がスペーサ層を介して井戸層に注入さ
れる。このため，バリア層の中央部に正電荷が生じて,
井戸層の電子との間に電流注入を妨げる向きの電界が生
じる。すなわち，スペーサ層の部分にポテンシャル障壁
が生じて電流の注入を妨げる。熱平衡状態においては，
不純物濃度勾配による電子の流れとポテンシャル障壁の
高さが釣り合った状態で電子の注入は終わる。したがっ
て, バリア層にドーピングされた不純物のうちの一部分
しかイオン化せず，井戸層へのキャリア注入量は制限さ
れる。
調ドープ構造でInGaAsP/InGaAs多重量子井戸のバリア層
中央部にSi等のｎ型不純物をドープした場合の伝導帯バ
ンド構造図である。バリア層と井戸層との不純物濃度勾
配によって, 電子がスペーサ層を介して井戸層に注入さ
れる。このため，バリア層の中央部に正電荷が生じて,
井戸層の電子との間に電流注入を妨げる向きの電界が生
じる。すなわち，スペーサ層の部分にポテンシャル障壁
が生じて電流の注入を妨げる。熱平衡状態においては，
不純物濃度勾配による電子の流れとポテンシャル障壁の
高さが釣り合った状態で電子の注入は終わる。したがっ
て, バリア層にドーピングされた不純物のうちの一部分
しかイオン化せず，井戸層へのキャリア注入量は制限さ
れる。
【０００９】本発明は多重量子井戸レーザの変調ドープ
構造において，バリア層の不純物ドープ領域から井戸層
へのキャリア注入効率を高め, しきい値電流の低減を図
ることを目的とする。
構造において，バリア層の不純物ドープ領域から井戸層
へのキャリア注入効率を高め, しきい値電流の低減を図
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，多重
量子井戸(MQW) レーザの変調ドープ構造において，バリ
ア層の不純物ドープ領域と井戸層との間にノンドープの
スペーサ層を有し，熱平衡状態でｎ型不純物をドーピン
グした場合の該バリア層の不純物ドープ領域の該スペー
サ層との界面における伝導帯端のポテンシャルが, 該ス
ペーサ層の該井戸層との界面における伝導帯端のポテン
シャルに等しいか，もしくは大きくなるように，あるい
は，ｐ型不純物をドーピングした場合の該バリア層の不
純物ドープ領域の該スペーサ層との界面における価電子
帯端のポテンシャルが, スペーサ層の井戸層との界面に
おける価電子帯帯端のポテンシャルに等しいか，もしく
は小さくなるように，該スペーサ層の組成，厚さ及び該
バリア層の不純物ドープ領域のドーピング濃度，厚さが
決められている半導体レーザにより達成される。
量子井戸(MQW) レーザの変調ドープ構造において，バリ
ア層の不純物ドープ領域と井戸層との間にノンドープの
スペーサ層を有し，熱平衡状態でｎ型不純物をドーピン
グした場合の該バリア層の不純物ドープ領域の該スペー
サ層との界面における伝導帯端のポテンシャルが, 該ス
ペーサ層の該井戸層との界面における伝導帯端のポテン
シャルに等しいか，もしくは大きくなるように，あるい
は，ｐ型不純物をドーピングした場合の該バリア層の不
純物ドープ領域の該スペーサ層との界面における価電子
帯端のポテンシャルが, スペーサ層の井戸層との界面に
おける価電子帯帯端のポテンシャルに等しいか，もしく
は小さくなるように，該スペーサ層の組成，厚さ及び該
バリア層の不純物ドープ領域のドーピング濃度，厚さが
決められている半導体レーザにより達成される。
【００１１】
【作用】図１(A),(B) は本発明の原理説明図(1) であ
る。図１(A) に示されるInGaAsP/InGaAs多重量子井戸に
おいて， EC は伝導帯端,1は多重量子井戸のバリア層で
InGaAsP 層, 1Dはバリア層中央部の不純物ドープ領域,
1Nはバリア層内両側のノンドープのスペーサ層, 2は井
戸層でInGaAs層である。
る。図１(A) に示されるInGaAsP/InGaAs多重量子井戸に
おいて， EC は伝導帯端,1は多重量子井戸のバリア層で
InGaAsP 層, 1Dはバリア層中央部の不純物ドープ領域,
1Nはバリア層内両側のノンドープのスペーサ層, 2は井
戸層でInGaAs層である。
【００１２】バリア層 1の中央部にSi等のｎ型不純物を
ドーピングして不純物ドープ領域1Dを設け，バリア層 1
の両端には井戸層への不純物拡散を抑えるためにノンド
ープのスペーサ層1Nを設けた構造を持つ。
ドーピングして不純物ドープ領域1Dを設け，バリア層 1
の両端には井戸層への不純物拡散を抑えるためにノンド
ープのスペーサ層1Nを設けた構造を持つ。
【００１３】ここで，スペーサ層1Nのバンドギャップは
次のようにして決める。図１(B) は熱平衡状態の伝導帯
バンド構造図を示し，図において，バリア層中央からの
距離をx とし, バリア層の不純物ドープ領域とスペーサ
層との界面 x＝x0における伝導帯端のポテンシャル VC
(x0)が, スペーサ層と井戸層の界面 x＝x1における伝導
帯端のポテンシャル VC (x1)に等しいか，もしくは大き
くなるなるように決める。
次のようにして決める。図１(B) は熱平衡状態の伝導帯
バンド構造図を示し，図において，バリア層中央からの
距離をx とし, バリア層の不純物ドープ領域とスペーサ
層との界面 x＝x0における伝導帯端のポテンシャル VC
(x0)が, スペーサ層と井戸層の界面 x＝x1における伝導
帯端のポテンシャル VC (x1)に等しいか，もしくは大き
くなるなるように決める。
【００１４】このために，不純物ドープ領域とスペーサ
層の伝導帯端ポテンシャル・レベルの差Δ VC を次式に
より決めればよい。 Δ VC ＝ε-1 ND × x0 (x1 −x0) ここで，εはバリア層の誘電率, ND はドーピング濃度
である。
層の伝導帯端ポテンシャル・レベルの差Δ VC を次式に
より決めればよい。 Δ VC ＝ε-1 ND × x0 (x1 −x0) ここで，εはバリア層の誘電率, ND はドーピング濃度
である。
【００１５】従来例の図５(B) では，不純物ドープ領域
のアクセプタはポテンシャル障壁により井戸層への注入
が妨げられていたが，図１(B) ではすべてイオン化して
井戸層に電子が注入される。
のアクセプタはポテンシャル障壁により井戸層への注入
が妨げられていたが，図１(B) ではすべてイオン化して
井戸層に電子が注入される。
【００１６】伝導帯端ポテンシャル・レベルの差Δ VC
をさらに大きくして， Δ VC ＞ε-1 ND × x0 (x1 −x0) としても，もちろん同じ効果が得られる。
をさらに大きくして， Δ VC ＞ε-1 ND × x0 (x1 −x0) としても，もちろん同じ効果が得られる。
【００１７】図２(A),(B) は本発明の原理説明図(2) で
ある。図２(A) に示されるInGaAsP/InGaAs多重量子井戸
において， EV は価電子帯端, 1は多重量子井戸のバリ
ア層でInGaAsP 層, 1Dはバリア層中央部の不純物ドープ
領域, 1Nはバリア層内両側のノンドープのスペーサ層,
2は井戸層でInGaAs層である。
ある。図２(A) に示されるInGaAsP/InGaAs多重量子井戸
において， EV は価電子帯端, 1は多重量子井戸のバリ
ア層でInGaAsP 層, 1Dはバリア層中央部の不純物ドープ
領域, 1Nはバリア層内両側のノンドープのスペーサ層,
2は井戸層でInGaAs層である。
【００１８】バリア層 1の中央部にZn, Cd, Be等のｐ型
不純物をドーピングして不純物ドープ領域1Dを設け，バ
リア層 1の両端には井戸層への不純物拡散を抑えるため
にノンドープのスペーサ層1Nを設けた構造を持つ。
不純物をドーピングして不純物ドープ領域1Dを設け，バ
リア層 1の両端には井戸層への不純物拡散を抑えるため
にノンドープのスペーサ層1Nを設けた構造を持つ。
【００１９】ここで，スペーサ層1Nのバンドギャップは
次のようにして決める。図２(B) は熱平衡状態での価電
子帯バンド構造図を示し，図において，バリア層中央か
らの距離をx とし, バリア層の不純物ドープ領域とスペ
ーサ層との界面x＝x0における伝導帯端のポテンシャル
VV (x0)が, スペーサ層と井戸層の界面x＝x1における価
電子帯端のポテンシャル VV (x1)に等しいか，もしくは
小さくなるように決める。
次のようにして決める。図２(B) は熱平衡状態での価電
子帯バンド構造図を示し，図において，バリア層中央か
らの距離をx とし, バリア層の不純物ドープ領域とスペ
ーサ層との界面x＝x0における伝導帯端のポテンシャル
VV (x0)が, スペーサ層と井戸層の界面x＝x1における価
電子帯端のポテンシャル VV (x1)に等しいか，もしくは
小さくなるように決める。
【００２０】このために，不純物ドープ領域とスペーサ
層の価電子帯端ポテンシャル・レベルの差Δ VV を次式
により決めればよい。 Δ VV ≧ε-1 ND × x0 (x1 −x0)
層の価電子帯端ポテンシャル・レベルの差Δ VV を次式
により決めればよい。 Δ VV ≧ε-1 ND × x0 (x1 −x0)
【００２１】
【実施例】図３(A),(B) は本発明の実施例１，２の説明
図である。 実施例１：図３(A) は本発明の実施例１の説明図であ
る。図に示される InGaAsP/InGaAs多重量子井戸におい
て， EC は伝導帯端, 1は多重量子井戸のバリア層, 1D
はバリア層中央部の不純物ドープ領域で厚さ厚さ80Åの
InGaAsP 層 (組成は波長表示で 1.1μｍ), 1N はバリア
層内両側のスペーサ層で厚さ10ÅのノンドープInGaAsP
層 (組成は波長表示で1.37μｍ), 2 は井戸層で厚さ20
ÅのIn0.53Ga0.47As層である。ただし，バンド・オフセ
ットΔ VC ：Δ VV ＝ 2：3 とし，不純物ドープ領域と
スペーサ層の伝導帯端のバンドギャップは0.09 eV であ
る。
図である。 実施例１：図３(A) は本発明の実施例１の説明図であ
る。図に示される InGaAsP/InGaAs多重量子井戸におい
て， EC は伝導帯端, 1は多重量子井戸のバリア層, 1D
はバリア層中央部の不純物ドープ領域で厚さ厚さ80Åの
InGaAsP 層 (組成は波長表示で 1.1μｍ), 1N はバリア
層内両側のスペーサ層で厚さ10ÅのノンドープInGaAsP
層 (組成は波長表示で1.37μｍ), 2 は井戸層で厚さ20
ÅのIn0.53Ga0.47As層である。ただし，バンド・オフセ
ットΔ VC ：Δ VV ＝ 2：3 とし，不純物ドープ領域と
スペーサ層の伝導帯端のバンドギャップは0.09 eV であ
る。
【００２２】バリア層 1の中央部にｎ型不純物としてSi
を ND ＝ 5×1018cm-3ドーピングして不純物ドープ領域
1Dを設け，バリア層 1の両端には井戸層への不純物拡散
を抑えるためにノンドープのスペーサ層1Nを設けた構造
を持つ。
を ND ＝ 5×1018cm-3ドーピングして不純物ドープ領域
1Dを設け，バリア層 1の両端には井戸層への不純物拡散
を抑えるためにノンドープのスペーサ層1Nを設けた構造
を持つ。
【００２３】実施例２：図３(B) は本発明の実施例２の
説明図である。図において， EV は価電子帯端, 1は多
重量子井戸のバリア層, 1Dはバリア層中央部の不純物ド
ープ領域で厚さ厚さ80ÅのInGaAsP 層 (組成は波長表示
で 1.1μｍ), 1N はバリア層内両側のスペーサ層で厚さ
10ÅのノンドープInGaAsP 層 (組成は波長表示で1.37μ
ｍ), 2は井戸層で厚さ20ÅのIn0.53Ga0.47As層であ
る。不純物ドープ領域とスペーサ層の伝導帯端のバンド
ギャップは0.09 eV である。
説明図である。図において， EV は価電子帯端, 1は多
重量子井戸のバリア層, 1Dはバリア層中央部の不純物ド
ープ領域で厚さ厚さ80ÅのInGaAsP 層 (組成は波長表示
で 1.1μｍ), 1N はバリア層内両側のスペーサ層で厚さ
10ÅのノンドープInGaAsP 層 (組成は波長表示で1.37μ
ｍ), 2は井戸層で厚さ20ÅのIn0.53Ga0.47As層であ
る。不純物ドープ領域とスペーサ層の伝導帯端のバンド
ギャップは0.09 eV である。
【００２４】バリア層 1の中央部にｐ型不純物としてZn
を ND ＝ 5×1018cm-3ドーピングして不純物ドープ領域
1Dを設け，バリア層 1の両端には井戸層への不純物拡散
を抑えるためにノンドープのスペーサ層1Nを設けた構造
を持つ。
を ND ＝ 5×1018cm-3ドーピングして不純物ドープ領域
1Dを設け，バリア層 1の両端には井戸層への不純物拡散
を抑えるためにノンドープのスペーサ層1Nを設けた構造
を持つ。
【００２５】実施例３：図４(A),(B) は本発明の実施例
３の説明図である。図４(A) に示されるInGaAsP/InGaAs
多重量子井戸において， EC は伝導帯端,1は多重量子井
戸のバリア層, 1Dはバリア層中央部の不純物ドープ領域
で厚さ80ÅのInGaAsP 層 (組成は波長表示で 1.1μｍ),
1N はバリア層内両側のスペーサ層で厚さ10Åのノンド
ープInGaAsP 層 (組成は波長表示で1.37μｍ), 2 は井
戸層で厚さ20ÅのIn0.53Ga0.47As層である。
３の説明図である。図４(A) に示されるInGaAsP/InGaAs
多重量子井戸において， EC は伝導帯端,1は多重量子井
戸のバリア層, 1Dはバリア層中央部の不純物ドープ領域
で厚さ80ÅのInGaAsP 層 (組成は波長表示で 1.1μｍ),
1N はバリア層内両側のスペーサ層で厚さ10Åのノンド
ープInGaAsP 層 (組成は波長表示で1.37μｍ), 2 は井
戸層で厚さ20ÅのIn0.53Ga0.47As層である。
【００２６】図１(B) のバンド構造図では，スペーサ層
部分に凹部があるため，電子はここに溜まりやすい。こ
れに対して，この実施例では図４(B) に示されるように
スペーサ層の VC をスペーサ層の端に向かって漸減させ
ることにより前記の凹部はなくなり，井戸層への電子の
注入効率が上がる。このために，ノンドープInGaAsP層
を波長表示で 1.1μｍから1.37μｍにスペーサ層の端に
向かって漸増させる。
部分に凹部があるため，電子はここに溜まりやすい。こ
れに対して，この実施例では図４(B) に示されるように
スペーサ層の VC をスペーサ層の端に向かって漸減させ
ることにより前記の凹部はなくなり，井戸層への電子の
注入効率が上がる。このために，ノンドープInGaAsP層
を波長表示で 1.1μｍから1.37μｍにスペーサ層の端に
向かって漸増させる。
【００２７】以上の実施例において，スペーサ層の組成
波長をさらに長波長にして, スペーサ層のバンドギャッ
プを小さくしてもよい。また, 実施例ではInGaAsP/InGa
As系多重量子井戸半導体レーザについて述べたが, AlGa
As/AlGaAsP系等のIII-V 族半導体レーザや, II-VI 系半
導体レーザの変調ドープ構造についても本発明は適用可
能である。
波長をさらに長波長にして, スペーサ層のバンドギャッ
プを小さくしてもよい。また, 実施例ではInGaAsP/InGa
As系多重量子井戸半導体レーザについて述べたが, AlGa
As/AlGaAsP系等のIII-V 族半導体レーザや, II-VI 系半
導体レーザの変調ドープ構造についても本発明は適用可
能である。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば，多重量子井戸レーザの
変調ドープ構造において，バリア層の不純物ドープ領域
から井戸層へのキャリア注入効率が上がり，しきい値電
流の低減が図れる。また，しきい値電流の低減に伴い，
変調動作特性も向上する。
変調ドープ構造において，バリア層の不純物ドープ領域
から井戸層へのキャリア注入効率が上がり，しきい値電
流の低減が図れる。また，しきい値電流の低減に伴い，
変調動作特性も向上する。
【図１】 本発明の原理説明図(1)
【図２】 本発明の原理説明図(2)
【図３】 本発明の実施例１，２の説明図
【図４】 本発明の実施例３の説明図
【図５】 従来例による多重量子井戸レーザの変調ドー
プ構造の説明図
プ構造の説明図
1 多重量子井戸のバリア層でInGaAsP 層 1D バリア層中央部の不純物ドープ領域 1N バリア層内両側のノンドープのスペーサ層 2 井戸層でInGaAs層 EC 伝導帯端 EV 価電子帯端
Claims (1)
- 【請求項１】 多重量子井戸(MQW) レーザの変調ドープ
構造において，バリア層の不純物ドープ領域と井戸層と
の間にノンドープのスペーサ層を有し， 熱平衡状態でｎ型不純物をドーピングした場合の該バリ
ア層の不純物ドープ領域の該スペーサ層との界面におけ
る伝導帯端のポテンシャルが, 該スペーサ層の該井戸層
との界面における伝導帯端のポテンシャルに等しいか，
もしくは大きくなるように， あるいは，ｐ型不純物をドーピングした場合の該バリア
層の不純物ドープ領域の該スペーサ層との界面における
価電子帯端のポテンシャルが, スペーサ層の井戸層との
界面における価電子帯帯端のポテンシャルに等しいか，
もしくは小さくなるように， 該スペーサ層の組成，厚さ及び該バリア層の不純物ドー
プ領域のドーピング濃度，厚さが決められていることを
特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26768493A JPH07122812A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26768493A JPH07122812A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122812A true JPH07122812A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17448100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26768493A Withdrawn JPH07122812A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122812A (ja) |
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