JPH05152677A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH05152677A JPH05152677A JP3339665A JP33966591A JPH05152677A JP H05152677 A JPH05152677 A JP H05152677A JP 3339665 A JP3339665 A JP 3339665A JP 33966591 A JP33966591 A JP 33966591A JP H05152677 A JPH05152677 A JP H05152677A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微分利得が大きく、非線形利得パラメータの
小さい高速変調可能な半導体レーザを提供する。 【構成】 活性層１５をなす多重量子井戸の障壁層１５
１にｐ型不純物をドープし、井戸層１５３との間に不純
物をドープしない厚さ２ｎｍから４ｎｍのスペーサ層１
５２が挿入されている。スペーサ層１５２の厚さを上記
の範囲に設定すると電子の波動関数はスペーサ層１５２
をこえて障壁層１５１までしみ出すが正孔の波動関数は
井戸層１５３に局在して障壁層１５１にしみ出さない。
そこで、電子だけが散乱されてバンド内緩和時間が短く
なる。正孔のバンド内緩和時間は変化しないから、微分
利得の値は大きいままで非線形利得パラメータだけが小
さくなり最大変調周波数が増大する。
小さい高速変調可能な半導体レーザを提供する。 【構成】 活性層１５をなす多重量子井戸の障壁層１５
１にｐ型不純物をドープし、井戸層１５３との間に不純
物をドープしない厚さ２ｎｍから４ｎｍのスペーサ層１
５２が挿入されている。スペーサ層１５２の厚さを上記
の範囲に設定すると電子の波動関数はスペーサ層１５２
をこえて障壁層１５１までしみ出すが正孔の波動関数は
井戸層１５３に局在して障壁層１５１にしみ出さない。
そこで、電子だけが散乱されてバンド内緩和時間が短く
なる。正孔のバンド内緩和時間は変化しないから、微分
利得の値は大きいままで非線形利得パラメータだけが小
さくなり最大変調周波数が増大する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信等で用いられる超
高速変調可能な半導体レーザ装置に関する。
高速変調可能な半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大容量光通信に対する需要が高ま
っている。このため光源となる半導体レーザに対しても
数十Ｇｂ／ｓ以上の変調速度が要求されるようになって
いる。半導体レーザの応答速度を上げる方法として、従
来高い微分利得をもつ量子井戸構造や歪量子井戸構造を
活性層に用いることが提案され、実際魚見らによってア
プライドフィジュックスレターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌第４５巻８１８頁
（１９８４年）にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸構造
を用いた半導体レーザにおいて１０ＧＨｚ以上の緩和振
動周波数が報告されている。更に、活性層となる多重量
子井戸に選択ｐドープ構造を用いて井戸層にあらかじめ
正孔を蓄積しておくことで微分利得を向上できることが
アプライドフィジュックスレターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌第５１巻７８頁
（１９８７年）において報告されている。
っている。このため光源となる半導体レーザに対しても
数十Ｇｂ／ｓ以上の変調速度が要求されるようになって
いる。半導体レーザの応答速度を上げる方法として、従
来高い微分利得をもつ量子井戸構造や歪量子井戸構造を
活性層に用いることが提案され、実際魚見らによってア
プライドフィジュックスレターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌第４５巻８１８頁
（１９８４年）にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸構造
を用いた半導体レーザにおいて１０ＧＨｚ以上の緩和振
動周波数が報告されている。更に、活性層となる多重量
子井戸に選択ｐドープ構造を用いて井戸層にあらかじめ
正孔を蓄積しておくことで微分利得を向上できることが
アプライドフィジュックスレターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌第５１巻７８頁
（１９８７年）において報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザの応答速
度は非線形利得によっても制限される。応答速度を上げ
るためには非線形利得を小さくしなければならない。バ
ンド内緩和時間が短くすると非線形利得が小さくなるが
同時に微分利得も減少する為、高速化に有利には働かな
い。
度は非線形利得によっても制限される。応答速度を上げ
るためには非線形利得を小さくしなければならない。バ
ンド内緩和時間が短くすると非線形利得が小さくなるが
同時に微分利得も減少する為、高速化に有利には働かな
い。
【０００４】本発明は、微分利得が大きく非線形利得が
小さな量子井戸を活性層とする高速変調可能な半導体レ
ーザ装置を提供することを目的とする。
小さな量子井戸を活性層とする高速変調可能な半導体レ
ーザ装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めの本発明の第１の半導体レーザ装置は、ｐ型不純物を
１０18ｃｍ-3以上含む障壁層、厚さが２ｎｍから４ｎｍ
の間で不純物をドープしていないスペーサ層及び不純物
をドープしていない井戸層からなる多重量子井戸を活性
層とし、前記井戸層が前記スペーサ層で挟まれ、更にそ
の井戸層を該スペーサ層で挟んでなる半導体積層構造が
前記障壁層で挟まれていることを特徴とする。
めの本発明の第１の半導体レーザ装置は、ｐ型不純物を
１０18ｃｍ-3以上含む障壁層、厚さが２ｎｍから４ｎｍ
の間で不純物をドープしていないスペーサ層及び不純物
をドープしていない井戸層からなる多重量子井戸を活性
層とし、前記井戸層が前記スペーサ層で挟まれ、更にそ
の井戸層を該スペーサ層で挟んでなる半導体積層構造が
前記障壁層で挟まれていることを特徴とする。
【０００６】本発明の第２の半導体レーザ装置は、不純
物をドープしていない第１の障壁層、禁制帯幅が第１の
障壁層より小さくｐ型不純物を１０18ｃｍ-3以上含む第
２の障壁層、第２の障壁層と禁制帯幅が等しく厚さが２
ｎｍから４ｎｍの間の不純物をドープしていないスペー
サ層、および不純物をドープしていない井戸層からなる
多重量子井戸を活性層とし、前記井戸層が前記スペーサ
層で挟まれ、その井戸層を該スペーサ層で挟んでなる半
導体積層構造Ａが前記第２の障壁層で挟まれ、その半導
体積層構造Ａを該第２の障壁層で挟んでなる半導体積層
構造Ｂを前記第１の障壁層で挟んでいることを特徴とす
る。
物をドープしていない第１の障壁層、禁制帯幅が第１の
障壁層より小さくｐ型不純物を１０18ｃｍ-3以上含む第
２の障壁層、第２の障壁層と禁制帯幅が等しく厚さが２
ｎｍから４ｎｍの間の不純物をドープしていないスペー
サ層、および不純物をドープしていない井戸層からなる
多重量子井戸を活性層とし、前記井戸層が前記スペーサ
層で挟まれ、その井戸層を該スペーサ層で挟んでなる半
導体積層構造Ａが前記第２の障壁層で挟まれ、その半導
体積層構造Ａを該第２の障壁層で挟んでなる半導体積層
構造Ｂを前記第１の障壁層で挟んでいることを特徴とす
る。
【０００７】
【作用】半導体レーザの利得ｇは次のように表せる。
【数１】 ここでｆｃ，ｆｒは各々電子、正孔の分布や、Ｓは光電
場、ｋは電子・正孔の波数である。同様に微分利得ｄｇ
／ｄＮは
場、ｋは電子・正孔の波数である。同様に微分利得ｄｇ
／ｄＮは
【数２】 となる。ただし、Ｎはキャリア密度である。ここでＬ
（ωーωk ）は線形状関数で電子と正孔のバンド内緩和
時間τc とτh によって近似的に次のように書ける。
（ωーωk ）は線形状関数で電子と正孔のバンド内緩和
時間τc とτh によって近似的に次のように書ける。
【数３】 また、非線形利得パラメータεも近似的に
【数４】
【０００８】微分利得は線形状関数の裾の広がりの小さ
いほど、つまりバンド内緩和時間の相加平均γ’＝１／
τc ＋１／τh が小さいほど大きくなる。一方、非線形
利得パラメータはバンド内緩和時間の積τc τh が小さ
いほど小さい。半導体においては正孔のバンド内緩和時
間が電子のバンド内緩和時間に比べ短いためγ’はほぼ
τh で決まる。このことから、正孔のバンド内緩和時間
を変えずに電子のバンド内緩和時間だけを小さくできれ
ば微分利得に影響を与えることなく非線形利得パラメー
タを減少させることができる。
いほど、つまりバンド内緩和時間の相加平均γ’＝１／
τc ＋１／τh が小さいほど大きくなる。一方、非線形
利得パラメータはバンド内緩和時間の積τc τh が小さ
いほど小さい。半導体においては正孔のバンド内緩和時
間が電子のバンド内緩和時間に比べ短いためγ’はほぼ
τh で決まる。このことから、正孔のバンド内緩和時間
を変えずに電子のバンド内緩和時間だけを小さくできれ
ば微分利得に影響を与えることなく非線形利得パラメー
タを減少させることができる。
【０００９】本発明では次のような方法で電子のバンド
内緩和時間だけを減少させている。障壁層にｐ型不純物
をドープすると不純物はイオン化する。キャリアは井戸
層に閉じ込められているが、キャリアの波動関数は障壁
層までしみ出しているためイオン化した不純物によって
散乱される。従来の選択ドープ構造ではこの散乱を防ぐ
ため、不純物をドープした層と井戸層との間に１０ｎｍ
以上の厚さを持つ不純物をドープしないスペーサ層を挿
入する。本発明ではスペーサ層の厚さを２ｎｍから４ｎ
ｍの間とすることを特徴とする。このように薄いスペー
サ層に対しては図２のように電子は有効質量が小さいた
め波動関数がスペーサ層を越えて不純物をドープした層
にまで十分広がる。一方、正孔は有効質量が大きいため
波動関数はほとんど井戸層内に局在しスペーサ層を越え
て広がることはない。このため、電子は不純物で散乱さ
れるが正孔はほとんど散乱されない。このようにしてス
ペーサ層の厚さを２ｎｍから４ｎｍの間とすることによ
り正孔のバンド内緩和時間を変えずに電子のバンド内緩
和時間だけを小さくできる。スペーサ層がこれより薄く
なると正孔も障壁層にしみ出して散乱を受けるため微分
利得が低下する。
内緩和時間だけを減少させている。障壁層にｐ型不純物
をドープすると不純物はイオン化する。キャリアは井戸
層に閉じ込められているが、キャリアの波動関数は障壁
層までしみ出しているためイオン化した不純物によって
散乱される。従来の選択ドープ構造ではこの散乱を防ぐ
ため、不純物をドープした層と井戸層との間に１０ｎｍ
以上の厚さを持つ不純物をドープしないスペーサ層を挿
入する。本発明ではスペーサ層の厚さを２ｎｍから４ｎ
ｍの間とすることを特徴とする。このように薄いスペー
サ層に対しては図２のように電子は有効質量が小さいた
め波動関数がスペーサ層を越えて不純物をドープした層
にまで十分広がる。一方、正孔は有効質量が大きいため
波動関数はほとんど井戸層内に局在しスペーサ層を越え
て広がることはない。このため、電子は不純物で散乱さ
れるが正孔はほとんど散乱されない。このようにしてス
ペーサ層の厚さを２ｎｍから４ｎｍの間とすることによ
り正孔のバンド内緩和時間を変えずに電子のバンド内緩
和時間だけを小さくできる。スペーサ層がこれより薄く
なると正孔も障壁層にしみ出して散乱を受けるため微分
利得が低下する。
【００１０】電子の波動関数が大きく広がりすぎると正
孔の波動関数とのかさなりが小さくなって利得が低下す
る。本発明の第２の半導体レーザ装置ではこれを防ぐた
めに電子の波動関数の広がりを制御するポテンシャル構
造を導入する。図４のように禁制帯幅が第１の障壁層よ
り小さい第２の障壁層にｐ型不純物をドープすることに
より電子は第２の障壁層の中にほぼ完全に閉じ込められ
る。このため、電子と正孔の波動関数のかさなりを低下
させることなく電子だけが第２の障壁層の不純物によっ
て散乱され、高い微分利得と小さな非線形利得を両立さ
せることができる。
孔の波動関数とのかさなりが小さくなって利得が低下す
る。本発明の第２の半導体レーザ装置ではこれを防ぐた
めに電子の波動関数の広がりを制御するポテンシャル構
造を導入する。図４のように禁制帯幅が第１の障壁層よ
り小さい第２の障壁層にｐ型不純物をドープすることに
より電子は第２の障壁層の中にほぼ完全に閉じ込められ
る。このため、電子と正孔の波動関数のかさなりを低下
させることなく電子だけが第２の障壁層の不純物によっ
て散乱され、高い微分利得と小さな非線形利得を両立さ
せることができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す構造図で
ある。ｎ型ＩｎＰの基板１１上に厚さ１００ｎｍのｎ型
ＩｎＰのバッファ層１２、厚さ１．５μｍのｎ型ＩｎＰ
のｎ−クラッド層１３、厚さ２００ｎｍのノンドープで
バンドギャップ波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｓＰから
なる下ガイド層１４を順次積層する。さらに、厚さ７ｎ
ｍのＢｅを１ｘ１０18ｃｍ-3ドープしたバンドギャップ
波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなる障壁層１５
１、ノンドープで厚さ３ｎｍのバンドギャップ波長１．
３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなるスペーサ層１５２、ノ
ンドープで厚さ７ｎｍのＩｎＧａＡｓからなる井戸層１
５３、およびノンドープで厚さ３ｎｍのバンドギャツプ
波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなるスペーサ層１
５２を交互に５層積層した多重量子井戸構造からなる活
性層１５、厚さ２００ｎｍのノンドープでバンドギャッ
プ波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｓＰからなる上ガイド
層１６、厚さ１．５μｍのｐ型ＩｎＰのｐ−クラッド層
１７、厚さ１μｍのｐ+ 型ＩｎＧａＡｓからなるコンタ
クト層１８を順次積層する。結晶成長はガスソースＭＢ
Ｅ法で行う。共振器軸方向に幅２μｍのレーザストライ
プを残して半導体層を除去しポリイミドで充填する。さ
らにｐ側電極２０を形成し基板１１を厚さ１００μｍ迄
研磨した後ｎ側電極２１を形成する。
ある。ｎ型ＩｎＰの基板１１上に厚さ１００ｎｍのｎ型
ＩｎＰのバッファ層１２、厚さ１．５μｍのｎ型ＩｎＰ
のｎ−クラッド層１３、厚さ２００ｎｍのノンドープで
バンドギャップ波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｓＰから
なる下ガイド層１４を順次積層する。さらに、厚さ７ｎ
ｍのＢｅを１ｘ１０18ｃｍ-3ドープしたバンドギャップ
波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなる障壁層１５
１、ノンドープで厚さ３ｎｍのバンドギャップ波長１．
３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなるスペーサ層１５２、ノ
ンドープで厚さ７ｎｍのＩｎＧａＡｓからなる井戸層１
５３、およびノンドープで厚さ３ｎｍのバンドギャツプ
波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなるスペーサ層１
５２を交互に５層積層した多重量子井戸構造からなる活
性層１５、厚さ２００ｎｍのノンドープでバンドギャッ
プ波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｓＰからなる上ガイド
層１６、厚さ１．５μｍのｐ型ＩｎＰのｐ−クラッド層
１７、厚さ１μｍのｐ+ 型ＩｎＧａＡｓからなるコンタ
クト層１８を順次積層する。結晶成長はガスソースＭＢ
Ｅ法で行う。共振器軸方向に幅２μｍのレーザストライ
プを残して半導体層を除去しポリイミドで充填する。さ
らにｐ側電極２０を形成し基板１１を厚さ１００μｍ迄
研磨した後ｎ側電極２１を形成する。
【００１２】図２は本実施例の活性層１５のポテンシャ
ル構造を示す説明図である。電子だけが障壁層１５１の
不純物で散乱される。このため正孔のバンド内緩和時間
は６０ｆｓと変わらず電子のバンド内緩和時間だけが１
４０ｆｓから１００ｆｓに小さくなる。これにより非線
形利得パラメータは４ｘ１０-23ｍ3から２．６ｘ１０
-23ｍ3に減少する。このときの微分利得の減少は１０％
程度であるから本実施例では従来の選択ｐドープ活性層
を用いた半導体レーザに比べ最大変調周波数が３６％増
大する。
ル構造を示す説明図である。電子だけが障壁層１５１の
不純物で散乱される。このため正孔のバンド内緩和時間
は６０ｆｓと変わらず電子のバンド内緩和時間だけが１
４０ｆｓから１００ｆｓに小さくなる。これにより非線
形利得パラメータは４ｘ１０-23ｍ3から２．６ｘ１０
-23ｍ3に減少する。このときの微分利得の減少は１０％
程度であるから本実施例では従来の選択ｐドープ活性層
を用いた半導体レーザに比べ最大変調周波数が３６％増
大する。
【００１３】図３は本発明の第２の実施例を示す構造図
である。ｎ型ＩｎＰの基板１１上に厚さ１００ｎｍのｎ
型ＩｎＰのバッファ層１２、厚さ１．５μｍのｎ型Ｉｎ
Ｐのｎ−クラッド層１３、厚さ２００ｎｍのノンドープ
でバンドギャップ波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｓＰか
らなる下ガイド層１４を順次積層する。さらに、ノンド
ープで厚さ５ｎｍのバンドギャップ波長１．２４μｍの
ＩｎＧａＡｓＰからなる第１の障壁層２５１、厚さ４ｎ
ｍの２ｘ１０18ｃｍ-3Ｂｅをドープしたバンドギャップ
波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなる第２の障壁層
２５２、ノンドープで厚さ３ｎｍのバンドギャップ波長
１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなるスペーサ層２５
３、ノンドープで厚さ７ｎｍのＩｎＧａＡｓからなる井
戸層２５４、ノンドープで厚さ３ｎｍのバンドギャップ
波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなるスペーサ層２
５３、および厚さ４ｎｍの２ｘ１０18ｃｍ-3Ｂｅをドー
プしたバンドギャップ波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰ
からなる第２の障壁層２５２を交互に５層積層した多重
量子井戸構造からなる活性層２５、厚さ２００ｎｍのノ
ンドープでバンドギャップ波長１．１５μｍのＩｎＧａ
ＡｓＰからなる上ガイド層１６、厚さ１．５μｍのｐ型
ＩｎＰのｐ−クラッド層１７、厚さ１μｍのｐ+ 型Ｉｎ
ＧａＡｓからなるコンタクト層１８を順次積層する。結
晶成長はガスソースＭＢＥ法で行う。共振器軸方向に幅
２μｍのレーザストライプを残して半導体層を除去しポ
リイミドで充填する。さらにｐ側電極２０を形成し基板
１１を厚さ１００μｍ迄研磨した後ｎ側電極２１を形成
する。
である。ｎ型ＩｎＰの基板１１上に厚さ１００ｎｍのｎ
型ＩｎＰのバッファ層１２、厚さ１．５μｍのｎ型Ｉｎ
Ｐのｎ−クラッド層１３、厚さ２００ｎｍのノンドープ
でバンドギャップ波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｓＰか
らなる下ガイド層１４を順次積層する。さらに、ノンド
ープで厚さ５ｎｍのバンドギャップ波長１．２４μｍの
ＩｎＧａＡｓＰからなる第１の障壁層２５１、厚さ４ｎ
ｍの２ｘ１０18ｃｍ-3Ｂｅをドープしたバンドギャップ
波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなる第２の障壁層
２５２、ノンドープで厚さ３ｎｍのバンドギャップ波長
１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなるスペーサ層２５
３、ノンドープで厚さ７ｎｍのＩｎＧａＡｓからなる井
戸層２５４、ノンドープで厚さ３ｎｍのバンドギャップ
波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなるスペーサ層２
５３、および厚さ４ｎｍの２ｘ１０18ｃｍ-3Ｂｅをドー
プしたバンドギャップ波長１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰ
からなる第２の障壁層２５２を交互に５層積層した多重
量子井戸構造からなる活性層２５、厚さ２００ｎｍのノ
ンドープでバンドギャップ波長１．１５μｍのＩｎＧａ
ＡｓＰからなる上ガイド層１６、厚さ１．５μｍのｐ型
ＩｎＰのｐ−クラッド層１７、厚さ１μｍのｐ+ 型Ｉｎ
ＧａＡｓからなるコンタクト層１８を順次積層する。結
晶成長はガスソースＭＢＥ法で行う。共振器軸方向に幅
２μｍのレーザストライプを残して半導体層を除去しポ
リイミドで充填する。さらにｐ側電極２０を形成し基板
１１を厚さ１００μｍ迄研磨した後ｎ側電極２１を形成
する。
【００１４】図４は本実施例の活性層２５のポテンシャ
ル構造を示す説明図である。電子だけが第２の障壁層２
５２の不純物で散乱される。このため正孔のバンド内緩
和時間は６０ｆｓと変わらず電子のバンド内緩和時間だ
けが１４０ｆｓから１００ｆｓに小さくなる。これによ
り非線形利得パラメータは４ｘ１０-23ｍ3から２．６ｘ
１０-23ｍ3に減少する。本実施例では電子の閉じ込めが
改善されるため微分利得が増加し電子のバンド内緩和時
間の減少による微分利得の低下を相殺する。このため本
実施例では従来の選択ｐドープ活性層を用いた半導体レ
ーザに比べ最大変調周波数が４０％増大する。
ル構造を示す説明図である。電子だけが第２の障壁層２
５２の不純物で散乱される。このため正孔のバンド内緩
和時間は６０ｆｓと変わらず電子のバンド内緩和時間だ
けが１４０ｆｓから１００ｆｓに小さくなる。これによ
り非線形利得パラメータは４ｘ１０-23ｍ3から２．６ｘ
１０-23ｍ3に減少する。本実施例では電子の閉じ込めが
改善されるため微分利得が増加し電子のバンド内緩和時
間の減少による微分利得の低下を相殺する。このため本
実施例では従来の選択ｐドープ活性層を用いた半導体レ
ーザに比べ最大変調周波数が４０％増大する。
【００１５】
【発明の効果】以上、詳述したように本発明の効果を要
約すると、微分利得が大きく非線形利得が小さな量子井
戸を活性層とする高速変調可能な半導体レーザ装置が得
られることである。
約すると、微分利得が大きく非線形利得が小さな量子井
戸を活性層とする高速変調可能な半導体レーザ装置が得
られることである。
【図１】本発明の第１の実施例を示す構造図。
【図２】第１の実施例の活性層１５のポテンシャル構造
を示す説明図。
を示す説明図。
【図３】第２の実施例を示す構造図。
【図４】第２の実施例の活性層２５のポテンシャル構造
を示す説明図。
を示す説明図。
１１ 基板 １２ バッファ層 １３ ｎ−クラッド層 １４ 下ガイド層 １５ 活性層 １６ 上ガイド層 １７ ｐ−クラッド層 １８ コンタクト層 ２０ ｐ側電極 ２１ ｎ側電極 ２５ 活性層 １５１ 障壁層 １５２ スペーサ層 １５３ 井戸層 ２５１ 第１の障壁層 ２５２ 第２の障壁層 ２５３ スペーサ層 ２５４ 井戸層
Claims (2)
- 【請求項１】 ｐ型不純物を１０18ｃｍ-3以上含む障壁
層、厚さが２ｎｍから４ｎｍの間で不純物をドープして
いないスペーサ層及び不純物をドープしていない井戸層
からなる多重量子井戸を活性層とし、前記井戸層が前記
スペーサ層で挟まれ、更にその井戸層を該スペーサ層で
挟んでなる半導体積層構造が前記障壁層で挟まれている
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 不純物をドープしていない第１の障壁
層、禁制帯幅が第１の障壁層より小さくｐ型不純物を１
０18ｃｍ-3以上含む第２の障壁層、第２の障壁層と禁制
帯幅が等しく厚さが２ｎｍから４ｎｍの間の不純物をド
ープしていないスペーサ層、および不純物をドープして
いない井戸層からなる多重量子井戸を活性層とし、前記
井戸層が前記スペーサ層で挟まれ、その井戸層を該スペ
ーサ層で挟んでなる半導体積層構造Ａが前記第２の障壁
層で挟まれ、その半導体積層構造Ａを該第２の障壁層で
挟んでなる半導体積層構造Ｂを前記第１の障壁層で挟ん
でいることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3339665A JPH05152677A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体レーザ装置 |
| US07/982,966 US5351254A (en) | 1991-11-28 | 1992-11-30 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3339665A JPH05152677A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152677A true JPH05152677A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18329650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3339665A Pending JPH05152677A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5351254A (ja) |
| JP (1) | JPH05152677A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013463A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2748838B2 (ja) * | 1993-12-27 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | 量子井戸半導体レーザ装置 |
| JP3692269B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2005-09-07 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2003332694A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| US20090218563A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | Bruce Alvin Gurney | Novel fabrication of semiconductor quantum well heterostructure devices |
| DE102016109022B4 (de) * | 2016-05-17 | 2021-02-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Laserdiodenchip |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5008717A (en) * | 1989-03-03 | 1991-04-16 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor device including cascaded modulation-doped quantum well heterostructures |
| US5023198A (en) * | 1990-02-28 | 1991-06-11 | At&T Bell Laboratories | Method for fabricating self-stabilized semiconductor gratings |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP3339665A patent/JPH05152677A/ja active Pending
-
1992
- 1992-11-30 US US07/982,966 patent/US5351254A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013463A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5351254A (en) | 1994-09-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010109 |