JP4641812B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体積層物およびその製造方法 - Google Patents
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例えば、特開平10−79501号公報および特開平11−354839号公報等には、量子ドット構造の活性層を含む発光素子が開示され、量子ドット構造はアンチサーファクタント効果によって形成されている。しかし、ここで提案された量子ドット構造では、電流を流す面積に対して発光体(ドット)が覆う面積が小さすぎるため、一つ一つの発光体の発光効率が向上したとしても、全体としては流した電流に対しての発光出力は低下するという問題点がある。なお、これらの公報ではドットが覆う面積は規定されていないが、明細書中に記載されたドットのサイズと密度の好適値から計算すると、ドットで覆われる面積よりも隙間の面積の方がはるかに大きい。
例えば特開2001−68733号公報は、Inを含む量子箱構造を開示し、一旦形成した量子井戸構造を、水素中でアニールすることにより井戸層の昇華を引き起こし、量子箱構造としている。各発光体のサイズは0.5nm≦高さ≦50nm、0.5nm≦幅≦200nmが好ましいとされ、実施例では高さ6nmx幅40nmで作製している。発光体の密度は規定されていないが、掲載された図面からは、発光体で覆われる面積は隙間の面積と同等か隙間の方が大きい。
ここに示された構造は、井戸層の両側に膜厚の変化を生じている。このことは、井戸層の凹凸を埋め込んだ障壁層の平坦性が悪いことを意味しており、このような構造では、駆動電圧の低下と共に、発光強度の低下を招く。
(1)基板上にn型層、活性層およびp型層が、活性層をn型層とp型層が挟むように配置され、活性層が厚膜部および薄膜部からなる窒化ガリウム系化合物半導体積層物において、活性層の下面(基板側)は平坦であり、上面の凹凸により厚膜部および薄膜部が構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物。
この厚膜部と薄膜部の膜厚の差は10〜30Å程度が好ましい。薄膜部の膜厚としては15Å以下が好ましい。
図3は本実施例で作製した半導体発光素子用の窒化ガリウム系化合物半導体積層物である。図3に示すとおり、c面を有するサファイア基板上に、格子不整合結晶のエピタキシャル成長方法によってAlNからなるSP層を積層し、その上に基板側から順に、厚さ2μmのアンドープGaN下地層、1×1019cm-3の電子濃度を持つ厚さ2μmの高Siドープn−GaNコンタクト層、1×1018cm-3の電子濃度を持つ厚さ125Åのn−In0.1Ga0.9Nクラッド層、6層の厚さ160ÅのGaN障壁層と5層の厚さ25ÅのアンドープのIn0.2Ga0.8Nおよび0から5Åの膜厚を持つGaN層で構成される井戸層(活性層)とからなる多重量子井戸構造の発光層、厚さ100ÅのMgドープのp−Al0.07Ga0.93Nクラッド層、8×1017cm-3の正孔濃度を持つ厚さ0.1μmのMgドープp−GaNコンタクト層を順に積層した構造である。
更に、このアンドープGaN下地層上に高Siドープのn型GaN層を成長した。アンドープGaN下地層の成長後、1分間に渡ってTMGaの炉内への供給を停止した。その間、SiH4の流通量を調節した。流通させる量は事前に検討してあり、高SiドープGaN層の電子濃度が1×1019cm-3となるように調整した。アンモニアはそのままの流量で炉内へ供給し続けた。また、1分間の停止の間に、サセプタの温度を1040℃から1060℃へ変化させた。
作製した窒化ガリウム系化合物半導体積層物のp−GaNコンタクト層の表面上に、公知のフォトリソグラフィーによって、コンタクト層側から順にPt、RhおよびAuを積層した構造を持つ反射性の正極を作製した。
観察された厚膜部は、厚み25Å、幅が500Åなどであった。また同様に、観察された薄膜部は50Å程度の幅であり、その部分の膜厚が10Å以下などであった。場所によっては、井戸層が全くなくなっている部分もあった。
本比較例では、実施例1と発光層を除いて同じ構造の窒化ガリウム系化合物半導体積層物を作製した。発光層は、膜厚の均一な井戸層(活性層)と障壁層を積層した構造である点だけが実施例1と異なる。
c面を有するサファイア基板上に、格子不整合結晶のエピタキシャル成長方法によってAlNからなるSP層を積層し、その上に基板側から順に、厚さ8μmのアンドープGaN下地層、高Geドープと低Geドープ層を交互に100回積層した厚さ4μmの平均して5×1018cm-3の電子濃度を持つn−GaNコンタクト層、1×1018cm-3の電子濃度を持つ厚さ180Åのn−In0.1Ga0.9Nクラッド層、6層の厚さ160ÅのGaN障壁層と5層の厚さ25ÅのノンドープのIn0.2Ga0.8Nおよび0から5Åの膜厚を持つGaN層で構成される井戸層(活性層)とからなる実施例1と同一構造の発光層、厚さ100ÅのMgドープのp型Al0.07Ga0.93Nクラッド層、8×1017cm-3の正孔濃度を持つ厚さ0.1μmのMgドープp−Al0.02Ga0.98Nコンタクト層を順に積層した窒化ガリウム系化合物半導体積層物を作製した。
本比較例では、比較例1で作製した窒化ガリウム系化合物半導体積層物を用いて、実施例2と同じ電極構造を有する発光ダイオードを作製した。
2 障壁層
3 nクラッド層
4 pクラッド層
Claims (1)
- InGaNからなる活性層とGaNからなる障壁層とを交互に複数層積層させた多重量子井戸構造の発光層を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、活性層の成長終了後同じ基板温度T1で活性層表面にGaNからなる薄層を形成し、その後基板温度をT2に昇温させることによって活性層の一部を分解または昇華させ、上面が凹凸の厚膜部と薄膜部とが並んだ活性層を形成し、さらに基板温度T2でGaNを積層することにより障壁層を形成する際に、T1が650〜900℃の範囲であり、T2が700〜1000℃の範囲である窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
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