JP2014529195A - 凹凸パターンを有する基板、これを具備する発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
c−面サファイア基板上にシリコン酸化膜を形成した後、シリコン酸化膜上にフォトレジストパターンを形成した。フォトレジストパターンは、図5に示したような類似円形状の単位パターンアレイである。フォトレジストパターンをマスクとしてシリコン酸化膜をフッ酸でエッチングして、酸化シリコンパターンを形成した。その後、フォトレジストパターンを除去し、酸化シリコンパターンをマスクとして、基板を硫酸とリン酸を3:1の体積比で混合した混合溶液でエッチングした。その後、酸化シリコンパターンを除去して上部面が平面である凸部と底面が平面である凹部を有する凹凸パターンを形成した。
酸化シリコンパターンをマスクとして基板をドライエッチングしたこと以外は、凹凸パターンの製造例1と類似の方法を使用して基板の上部面に凹凸パターンを形成した。
凹凸パターンの製造例1の結果物である基板を、硫酸とリン酸を3:1の体積比で混合した混合溶液で2次エッチングした。
製造例2による凹凸パターン上に10nmのニッケル層を形成した後、熱処理して凹凸パターン上にニッケルクラスタを形成した。ニッケルクラスタをマスクとして凹凸パターンをプラズマエッチングした後、ニッケルクラスタを除去した。
凹凸パターンの製造例1によって形成された凹凸パターンを有する基板上に、ドープされていないGaN層をMOCVD法を使用して形成した。ドープされていないGaN層上にn型GaN層を形成した後、n型GaN層上にInGaN/GaNの多重量子井戸構造の活性層を形成した。その後、活性層状にp型GaN層を形成した後、n型GaN層を露出させるメサエッチング領域を形成した。その後、p型GaN層上にITO層を形成して、メサエッチング領域内に露出されたn型GaN層とITO層上にn型電極とp型電極を各々形成した。
凹凸パターンの製造例2による基板を使用したこと以外は、発光ダイオードの製造例1と類似の方法を使用して発光ダイオードを製造した。
凹凸パターンの製造例3による基板を使用したこと以外は、発光ダイオードの製造例1と類似の方法を使用して発光ダイオードを製造した。
10a:凹凸パターン
10av:凸部
10ac:凹部
V:上部頂点
P:表面ピット
13a:エッチングマスクパターン
21:バッファ層
23:第1の導電型半導体層
25:活性層
27:第2の導電型半導体層
34:金属クラスタ
R:メサエッチング領域
40:分離絶縁膜
44:電流拡散導電膜
46:配線
Claims (25)
- 基板と、
前記基板の上部面に配置され、結晶面である側面を有する凸部とこれによって定義された凹部とを具備する凹凸パターンと、
前記基板上に順に配置された第1の導電型半導体層、活性層及び第2の導電型半導体層を具備する単位発光素子と、を含むことを特徴とする発光ダイオード。 - 前記凹凸パターンの凸部は、結晶面である複数個の側面と、前記側面の中の少なくとも一部が集まって形成された一つの上部頂点と、を具備することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記側面は、第1の結晶面である下部側面と、第2の結晶面である上部側面と、を具備し、
前記上部頂点は、前記第2の結晶面が集まって形成されたことを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオード。 - 前記第2の結晶面が基板表面と成す傾斜角は、前記第1の結晶面が基板表面と成す傾斜角に比べて小さいことを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード。
- 前記凸部は、ストライプまたはアイランドの形態を有することを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオード。
- 前記凸部がアイランド形態を有する場合に、前記凸部の底面は、類似三角形状であって、各線分が外部に突き出された曲線であることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。
- 前記凹凸パターンの凸部は、結晶面である側面と平坦な上部面を有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記基板の一部領域内に配置された凹凸パターンは、その表面にピットを具備することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記発光ダイオードは、少なくとも一つの分離溝により分離された複数個の単位発光素子を具備し、
前記表面内にピットを有する凹凸パターンは、前記分離溝内に配置されることを特徴とする請求項8に記載の発光ダイオード。 - 前記分離溝内に配置された分離絶縁膜と、
前記分離絶縁膜上に位置して隣接する一対の前記単位発光素子を電気的に接続する配線と、をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオード。 - 前記単位発光素子は、その上部面に前記第1の導電型半導体層を露出させるメサエッチング領域をさらに含み、
前記表面にピットを有する凹凸パターンは、前記メサエッチング領域に対応する領域に配置されることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の発光ダイオード。 - 基板の上部面に凸部とこれにより定義された凹部を具備する凹凸パターンが配置され、前記凸部は、結晶面である側面を有することを特徴とする発光ダイオードのための基板。
- 基板上にエッチングマスクパターンを形成し、
前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記基板をウェットエッチングして前記基板の表面に凸部とこれにより定義された凹部を具備する凹凸パターンを形成し、
前記凹凸パターンが形成された基板上に、第1の導電型半導体層、活性層及び第2の導電型半導体層を具備する積層体を形成することを含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 前記凹凸パターンを形成することは、前記基板をウェットエッチングする前または後に、前記エッチングマスクパターンをマスクとして前記基板をドライエッチングすることをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記ウェットエッチングは、1次ウェットエッチングであり、前記凸部は、結晶面である複数個の側面と上部面を具備し、
前記基板を1次ウェットエッチングした後、前記エッチングマスクパターンを除去して前記凸部の上部面を露出させ、
前記凸部の上部面が露出された基板を2次ウェットエッチングして、前記凸部が前記側面の中の少なくとも一部が集まって形成した一つの上部頂点を有するように変化させることと、をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記ウェットエッチング過程では、エッチング液を前記エッチングマスクパターンの下部に浸透させることによって、前記凸部が結晶面である複数個の側面と前記側面の中の少なくとも一部が集まって形成した一つの上部頂点を有するように形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記エッチングマスクパターンの幅は、0.2〜1μmであることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記凸部は、第1の結晶面である下部側面、第2の結晶面である上部側面及び前記第2の結晶面が集まって形成した前記上部頂点を有することを特徴とする請求項15または請求項16に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第1の結晶面は、基板面に対して第1の傾斜角を有し、前記第2の結晶面は、前記第1の傾斜角より小さい第2の傾斜角を有することを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記基板の上部面の一部領域内に配置された凹凸パターンの表面にピットを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記ピットを形成することは、
前記凹凸パターン上に金属膜を形成し、
前記金属膜を熱処理して金属クラスタを形成し、
前記金属クラスタをマスクとして前記凹凸パターンの表面をエッチングすることを含むことを特徴とする請求項20に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記凹凸パターンの表面をエッチングする前に、前記基板の上部面の他の領域内に配置された凹凸パターン上にフォトレジストパターンを形成することをさらに含み、
前記凹凸パターンの表面をエッチングすることは、前記金属クラスタと前記フォトレジストパターンをマスクとして実行することを特徴とする請求項21に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記積層体の一部領域を前記基板が露出されるまでエッチングして複数個の単位発光素子を分離して前記凹凸パターンを露出させる分離溝を形成することをさらに含み、
前記凹凸パターンの表面にピットを形成することは、前記分離溝内に露出された凹凸パターンの表面にピットを形成することであることを特徴とする請求項20に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記ピットを形成することは、
前記分離溝内に露出された凹凸パターン及び単位発光素子上に金属膜を形成し、
前記金属膜を熱処理して金属クラスタを形成し、
前記単位発光素子上にフォトレジストパターンを形成し、
前記金属クラスタ及び前記フォトレジストパターンをマスクとして前記凹凸パターンの表面をエッチングすることを含むことを特徴とする請求項23に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記積層体の一部領域を前記第1の半導体層が露出されるまでエッチングしてメサエッチング領域を形成することをさらに含み、
前記表面内にピットを有する凹凸パターンは、前記メサエッチング領域に対応する領域に配置されることを特徴とする請求項20に記載の発光ダイオードの製造方法。
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