JPH0324771A - 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法 - Google Patents

化合物半導体装置及びその表面処理加工方法

Info

Publication number
JPH0324771A
JPH0324771A JP1159330A JP15933089A JPH0324771A JP H0324771 A JPH0324771 A JP H0324771A JP 1159330 A JP1159330 A JP 1159330A JP 15933089 A JP15933089 A JP 15933089A JP H0324771 A JPH0324771 A JP H0324771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ruggedness
compound semiconductor
sinx film
led
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1159330A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2953468B2 (ja
Inventor
Masahiro Noguchi
雅弘 野口
Toshihiko Ibuka
井深　敏彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Kasei Polytec Co
Mitsubishi Kasei Corp
Original Assignee
Mitsubishi Kasei Corp
Mitsubishi Monsanto Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=15691464&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH0324771(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Mitsubishi Kasei Corp, Mitsubishi Monsanto Chemical Co filed Critical Mitsubishi Kasei Corp
Priority to JP15933089A priority Critical patent/JP2953468B2/ja
Priority to US07/546,813 priority patent/US5040044A/en
Priority to KR1019900009103A priority patent/KR0179952B1/ko
Priority to DE69008931T priority patent/DE69008931T2/de
Priority to EP90306788A priority patent/EP0404565B1/en
Publication of JPH0324771A publication Critical patent/JPH0324771A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2953468B2 publication Critical patent/JP2953468B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/318—Inorganic layers composed of nitrides
    • H01L21/3185—Inorganic layers composed of nitrides of siliconnitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は■一■族化合物半導体装置及びその表面処理加
工方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、ＩＩ［−Ｖ族化合物半導体、例えばＡｌＧａＡｓ
半導体からなる高輝度発光用ＬＥＤとしてホモ接合構造
ＬＥＤに比べて、キャリアの注入効率が高く、高出力゛
、高応答速度が得られるシングルへテロ接合構造ＬＥＤ
、あるいはダブルへテロ接合構造ＬＥＤが用いられてい
る。
これらへテロ接合構造ＬＥＤに特徴的なことは、光取り
出し側にＡｊ！Ａｓ混晶比Ｘの大きいＡｌ．Ｇａｌ−ｗ
ΔＳが用いられている点である。例えば、赤色発光高輝
度ＬＥＤ用基板のエビタキシャル或長の例を示すと、ｐ
型ＧａＡｓ基板［：（１００）面〕上にｐクラッド層と
して液相或長法等によりＺｎドープＡ　１　ｏ．　，ｓ
Ｇ　ａ　０．　２５Ａ　ｓ層を２００μｍ（ｐ型）形成
した後、ｐアクティブ層としてＺｎドーブＡ　Ｉｌ０．
　３ＳＧ　ａ　ｏ．　ａｓＡ　ｓ層を２〜３μｍ（ｐ型
）形成し、次いでｎクラッド層としてＴｅドーブＡ　１
　０．　７ＳＧ　ａ　０．　２ＳＡ　ｓ層を５（ｌｕｍ
程度形成している。モしてＧａＡｓ基板選択性エッチャ
ントを用いて光吸収性ＧａＡｓ基板を除去して高輝度Ｌ
ＥＤチップを得ており、チップの表面の混晶比は０．７
５と高い。このようにＡｆＡｓ混晶比の大きなＡＬＧａ
＋−ｍＡＳ層は極めて酸化されやすく、そのため、発光
特性の劣化を招き、素子寿命を著しく短くしてしまう原
因となっており、樹脂封止した素子においても同様であ
った。
この対策としてＳｉＮｘ膜を形成する方法が提案されて
いる。
また、表面における全反射を防止して外部量子効率を上
げるため表面に凹凸を設けることも提案されている。
〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、従来のものにおいては、表面に凹凸を設
けるか、ＳｉＮｘ膜を形成するかのどちらかしか行われ
ておらず、表面に凹凸を設けただけでは耐湿性に問題が
あるとともに、表面の酸化により素子寿命の点で問題が
あり、また単に保護膜としてＳｉＮｘ膜を設けただけで
は付着強度が弱く、剥がれ易いという問題があった。
本発明は上記課題を解決するためのもので、外部量子効
率を向上させるとともに、素子寿命を伸ばすことができ
る化合物半導体装置及びその表面処理加工方法を提供す
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は■−■族化合物半導体の表面に凹凸を形成し、
さらに凹凸表面上にＳｉＮｘ膜を形戊することを特徴と
するものである。
第１図は本発明によるヘテロ接合高輝度発光ＬＥＤの構
造の一例を示す図で、１は裏電極、２はＰクラッド層、
３はｐアクティブ層、４はｎクラッド層、５は表電極、
６は凹凸、７はＳｉＮｘ膜である。
第１図に例として示すＡｌＧａＡｓ半導体からなる発光
ダイオードは、ｐアクティブ層３をクラッド層２、４で
サンドイッチし、その表と裏面にそれぞれ電極１、５を
形成する。これは、例えば電極を蒸着後、熱処理して半
導体との界面を合金化することにより行う。次に、電極
を除く発光ダイオードの全面に、サンドブラストや微粉
末を吹きつける等の物理的方法、またはエッチング等の
化学的方法で凹凸６を形成する。こうして、凹凸をつけ
た後、その表面上に減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、
スパッタリング法等によりＳｉＮｘ膜を保護膜として形
成する。
こうして作製した発光ダイオードについて、実際に駆動
して得られる輝度のヒストグラムを求めたところ、第２
図のような結果が得られ、同様に凹凸のみ設けたもの、
或いはＳｉＮｘ膜のみ形戊したものについて測定したと
ころ第３図に示す結果が得られた。なお、図において横
軸は輝度（任意単位）、縦軸は個数（ただし、比較し易
いように最大値で規格化〉である。
本発明においては平均輝度１９２９が得られたのに対し
て、従来のものは１３７３であり、本発明により輝度を
向上させることができる。
次に、ＳｉＮｘ膜のみ形戊したＬＥＤ、表面に凹凸のみ
設けたＬＥＤ、本発明によるＬＥＤについてライフ試験
を行った結果を第１表に示す。
表中、テス｝Ａはステップ１　（温度８５℃、相対湿度
９５％の環境下で、駆動電流直流２０ｍＡで１２時間駆
動）、ステップ２（温度−２０℃、相対湿度１００％の
環境下で、駆動電流直流２０ｍＡで１２時間駆動）につ
いて、ステップ１＋ステップ２を３回繰り返したもので
あり、テストＢはテスト八を行った後、さらにステップ
３　（温度８５℃、相対湿度９５％の環境下で、駆動電
流直流２０ｍＡで４時間駆動）、ステップ４（温度−２
０℃、相対湿度１００％の環境下で、駆動電流直流２０
ｍＡで４時間駆動）について、ステップ３＋ステップ４
を３０回繰り返したものであり、表中の数値は輝度残存
＝１！（最初に測定した時の値に対する比率）を示して
いる。
第１表から分かるように、本発明によるものは輝度残存
率が大きく、寿命が大幅に延びることが分かる。
なお、凹凸の大きさは光を散乱し、かつＳｉＮＸ膜の付
着強度が保てればよく、特に限定なないが、好ましくは
凹凸の谷から谷、または山から山の距離は０．１μｍ以
上である。
〔作用〕
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体表面に凹凸を形成
して全反射を防止するとともに、凹凸表面上にＳｉＮｘ
膜を形成したものであり、表面凹凸により外部量子効率
を向上させることができ、さらに凹凸の上にＳｉＮｘ膜
を設けたのでその付着強度が増大し、その結果ＳｉＮｘ
膜が剥がれることがなくなり、耐湿性が向上し、酸化を
防止してＬＥＤの寿命を延ばすことができる。
〔実施例〕
以下、実施例を説明する。
電極を蒸着後、熱処理して合金電極を形戊したＡＩＧａ
Ａｓ−ＬＥＤウエハを過酸化水素水：アンモニア−１：
１に混合した液に１分間つけた後、３０秒間水洗し、さ
らに３％ＨＣｌ水溶液に５分間つけてエッチングし、１
５分間の水洗をおこないメチルアルコールにつけて中和
し乾燥させた。
このようにして凹凸を形成したウエハ面上にＰＣＶＤ法
によりＳｉＮｘ膜を約３０００人製膜した。
凹凸処理により外部量子効率は約４０％向上し、ＳｉＮ
ｘ膜の形成で３０００時間のライフテストにも輝度の劣
化が見られず良好であった。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、■−Ｖ族化合物半導体表
面を凹凸処理することによって光の取り出し効率を上げ
、その凹凸表面上にＳｉＮｘｌｌＦを形戊することで膜
自体の付着強度が高められる。
これによってＳ　ｉＮｘ膜の剥がれがなくなり、耐湿性
が格段に向上し、ＡｆＧａＡｓの酸化によるＬＥＤチッ
プの劣化が逓減されて寿命特性を向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の高輝度発光ＬＥＤの構造の一例を示す
図、第２図は本発明のＬＥＤについての輝度ヒストグラ
ムを示す図、第３図は従来のＬＥＤについての輝度ヒス
トグラムを示す図である。 ｌ・・・裏電極、２・・・Ｐクラッド層、３・・・Ｐア
クティブ層、４・・・Ｎクラッド層、５・・・表電極、
６・・・凹凸、７・・・ＳｉＮｘ膜。 第１図 出　　願　　人　三菱モンサント化成株式会社（外１名
）

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）III−Ｖ族化合物半導体であって、表面に凹凸が
    形成されるとともに、凹凸表面上にＳｉＮ＿ｘ膜が形成
    されていることを特徴とする化合物半導体装置。
  2. （２）III−Ｖ族化合物半導体は混晶比が０＜ＡｌＡｓ
    ＜１であるＡｌＧａＡｓ半導体である請求項１記載の化
    合物半導体装置。
  3. （３）III−Ｖ族化合物半導体の表面処理加工方法であ
    って、物理的または化学的方法により表面に凹凸を形成
    後、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、またはスパッタ
    リング法により凹凸表面上にＳｉＮ＿ｘ膜を形成したこ
    とを特徴とする表面処理加工方法。
  4. （４）III−Ｖ族化合物半導体は混晶比が０＜ＡｌＡｓ
    ＜１であるＡｌＧａＡｓ半導体である請求項３記載の表
    面処理加工方法。
JP15933089A 1989-06-21 1989-06-21 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法 Expired - Fee Related JP2953468B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15933089A JP2953468B2 (ja) 1989-06-21 1989-06-21 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法
US07/546,813 US5040044A (en) 1989-06-21 1990-06-20 Compound semiconductor device and method for surface treatment
KR1019900009103A KR0179952B1 (ko) 1989-06-21 1990-06-20 화합물반도체장치 및 그 표면처리 가공방법
DE69008931T DE69008931T2 (de) 1989-06-21 1990-06-21 Verbindungshalbleitervorrichtung und Methode zu deren Oberflächenbehandlung.
EP90306788A EP0404565B1 (en) 1989-06-21 1990-06-21 Compound semiconductor device and method of surface treatment of such a device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15933089A JP2953468B2 (ja) 1989-06-21 1989-06-21 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0324771A true JPH0324771A (ja) 1991-02-01
JP2953468B2 JP2953468B2 (ja) 1999-09-27

Family

ID=15691464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15933089A Expired - Fee Related JP2953468B2 (ja) 1989-06-21 1989-06-21 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5040044A (ja)
EP (1) EP0404565B1 (ja)
JP (1) JP2953468B2 (ja)
KR (1) KR0179952B1 (ja)
DE (1) DE69008931T2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04273174A (ja) * 1991-02-28 1992-09-29 Sharp Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JPH1187771A (ja) * 1997-09-11 1999-03-30 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
JPH1197742A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
JP2003532298A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光半導体素子
JP2005526403A (ja) * 2002-05-14 2005-09-02 クリー　インコーポレイテッド 標準パッケージで使用される信頼性が高い強固なｉｉｉ族発光ダイオード
US6956241B2 (en) 2002-04-05 2005-10-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting element with improved light extraction efficiency
JP2007073986A (ja) * 2000-10-17 2007-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh ＧａＮベースの半導体デバイスを製造する方法
JP2010045288A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2010182973A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Sony Corp 半導体素子
JP2011014938A (ja) * 2000-04-26 2011-01-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh 発光半導体素子並びに発光性半導体素子の製造方法
JP2011029667A (ja) * 1996-03-22 2011-02-10 Philips Lumileds Lightng Co Llc 発光素子

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0430041B1 (en) * 1989-11-22 1996-02-07 Daido Tokushuko Kabushiki Kaisha Light-emitting diode having light reflecting layer
JPH04264781A (ja) * 1991-02-20 1992-09-21 Eastman Kodak Japan Kk 発光ダイオードアレイ
JP2791525B2 (ja) * 1992-04-16 1998-08-27 三菱電機株式会社 反射防止膜の選定方法およびその方法により選定された反射防止膜
DE4218806A1 (de) * 1992-06-06 1993-12-09 Telefunken Microelectron Mesa-Lumineszenz-Halbleiterelement
DE4305296C3 (de) * 1993-02-20 1999-07-15 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen einer strahlungsemittierenden Diode
TW230822B (ja) * 1993-03-02 1994-09-21 Sumitomo Electric Industries
US5639674A (en) * 1994-03-14 1997-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing therefor
US5631190A (en) * 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
DE19509262C2 (de) * 1995-03-15 2001-11-29 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Kunststoffumhüllung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19536438A1 (de) * 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Halbleiterbauelement und Herstellverfahren
DE19537545A1 (de) * 1995-10-09 1997-04-10 Telefunken Microelectron Verfahren zur Herstellung einer Lumineszenzdiode
DE19537544A1 (de) * 1995-10-09 1997-04-10 Telefunken Microelectron Lumineszenzdiode mit verbesserter Lichtausbeute
DE19632627A1 (de) * 1996-08-13 1998-02-19 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Licht aussendenden und/oder empfangenden Halbleiterkörpers
KR100651145B1 (ko) 1997-08-29 2006-11-28 크리 인코포레이티드 표준 응용에서 고신뢰성을 위한 강한 3족 질화물 발광다이오드
US6013540A (en) * 1998-05-01 2000-01-11 Lucent Technologies, Inc. Laser diode with substrate-side protection
US7253445B2 (en) 1998-07-28 2007-08-07 Paul Heremans High-efficiency radiating device
US6504180B1 (en) 1998-07-28 2003-01-07 Imec Vzw And Vrije Universiteit Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom
EP2315277A3 (en) 1998-07-28 2018-01-10 Philips Lighting Holding B.V. Devices for emitting radiation with a high efficiency
JP2001057426A (ja) * 1999-06-10 2001-02-27 Fuji Electric Co Ltd 高耐圧半導体装置およびその製造方法
US6277665B1 (en) 2000-01-10 2001-08-21 United Epitaxy Company, Ltd. Fabrication process of semiconductor light-emitting device with enhanced external quantum efficiency
JP2001303020A (ja) * 2000-04-24 2001-10-31 Sunstar Inc 透明液状組成物
DE10020464A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
JP2003533030A (ja) 2000-04-26 2003-11-05 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ＧａＮをベースとする発光ダイオードチップおよび発光ダイオード構造素子の製造法
TWI292227B (en) * 2000-05-26 2008-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan
WO2001095402A2 (en) * 2000-06-08 2001-12-13 Showa Denko K.K. Semiconductor light-emitting device
TW472400B (en) 2000-06-23 2002-01-11 United Epitaxy Co Ltd Method for roughing semiconductor device surface to increase the external quantum efficiency
AU2001283424A1 (en) * 2000-08-17 2002-02-25 Power Signal Technologies, Inc. Glass-to-metal hermetically led array in a sealed solid state light
US7015516B2 (en) * 2000-11-16 2006-03-21 Gelcore Llc Led packages having improved light extraction
TW564584B (en) 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
US7148520B2 (en) * 2001-10-26 2006-12-12 Lg Electronics Inc. Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
KR20030052060A (ko) * 2001-12-20 2003-06-26 엘지전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조방법
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
US8294172B2 (en) 2002-04-09 2012-10-23 Lg Electronics Inc. Method of fabricating vertical devices using a metal support film
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
US7071494B2 (en) * 2002-12-11 2006-07-04 Lumileds Lighting U.S. Llc Light emitting device with enhanced optical scattering
EP2475006B1 (en) 2003-07-16 2015-09-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same
TW200505042A (en) * 2003-07-17 2005-02-01 South Epitaxy Corp LED device
JP2005116615A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Dowa Mining Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
DE102004029412A1 (de) * 2004-02-27 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips
WO2005091389A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-29 Showa Denko K.K. Compound semiconductor light-emitting device and production method thereof
US8035113B2 (en) * 2004-04-15 2011-10-11 The Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
ATE527571T1 (de) * 2004-04-15 2011-10-15 Univ Boston Optische bauelemente mit texturierten halbleiterschichten
DE102005013894B4 (de) * 2004-06-30 2010-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung erzeugender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101154744B1 (ko) * 2005-08-01 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법
DE102005055293A1 (de) 2005-08-05 2007-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips und Dünnfilm-Halbleiterchip
US8101961B2 (en) 2006-01-25 2012-01-24 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with growth substrates
DE102007004303A1 (de) * 2006-08-04 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterbauelement und Bauelement-Verbund
KR100820546B1 (ko) * 2006-09-07 2008-04-07 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102007004304A1 (de) * 2007-01-29 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Leuchtdioden-Chips
US9484499B2 (en) 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
KR100872717B1 (ko) 2007-06-22 2008-12-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR20090070980A (ko) * 2007-12-27 2009-07-01 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US8592800B2 (en) * 2008-03-07 2013-11-26 Trustees Of Boston University Optical devices featuring nonpolar textured semiconductor layers
CN101630706B (zh) * 2008-07-16 2011-02-16 玉晶光电股份有限公司 正向出光型发光二极管结构
TW201005997A (en) * 2008-07-24 2010-02-01 Advanced Optoelectronic Tech Rough structure of optoeletronics device and fabrication thereof
KR101023480B1 (ko) * 2008-12-16 2011-03-21 광전자 주식회사 오염 방지막이 형성된 엘이디 칩 및 그 제조 방법
EP2810306B1 (en) * 2012-02-02 2021-03-10 Lumileds LLC Producing light emitting devices at variable flux levels

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5238397A (en) * 1975-09-19 1977-03-24 Ceskoslovenska Akademie Ved Apparatus for breeding* conserving and transporting of creatures
JPS6220383A (ja) * 1985-07-18 1987-01-28 Nec Corp 化合物半導体装置
JPS6327072A (ja) * 1986-07-18 1988-02-04 Fujitsu Ltd 端面発光型ダイオ−ドおよびその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4916513A (en) * 1965-09-28 1990-04-10 Li Chou H Dielectrically isolated integrated circuit structure
DE3310373A1 (de) 1983-03-22 1984-10-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von lichtemittierenden dioden

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5238397A (en) * 1975-09-19 1977-03-24 Ceskoslovenska Akademie Ved Apparatus for breeding* conserving and transporting of creatures
JPS6220383A (ja) * 1985-07-18 1987-01-28 Nec Corp 化合物半導体装置
JPS6327072A (ja) * 1986-07-18 1988-02-04 Fujitsu Ltd 端面発光型ダイオ−ドおよびその製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04273174A (ja) * 1991-02-28 1992-09-29 Sharp Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2011029667A (ja) * 1996-03-22 2011-02-10 Philips Lumileds Lightng Co Llc 発光素子
JPH1187771A (ja) * 1997-09-11 1999-03-30 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
JPH1197742A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
JP2003532298A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光半導体素子
JP2011014938A (ja) * 2000-04-26 2011-01-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh 発光半導体素子並びに発光性半導体素子の製造方法
JP2007073986A (ja) * 2000-10-17 2007-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh ＧａＮベースの半導体デバイスを製造する方法
US6956241B2 (en) 2002-04-05 2005-10-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting element with improved light extraction efficiency
JP2005526403A (ja) * 2002-05-14 2005-09-02 クリー　インコーポレイテッド 標準パッケージで使用される信頼性が高い強固なｉｉｉ族発光ダイオード
JP2010045288A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2010182973A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Sony Corp 半導体素子

Also Published As

Publication number Publication date
EP0404565B1 (en) 1994-05-18
DE69008931T2 (de) 1994-12-08
DE69008931D1 (de) 1994-06-23
KR910002020A (ko) 1991-01-31
JP2953468B2 (ja) 1999-09-27
EP0404565A1 (en) 1990-12-27
KR0179952B1 (ko) 1999-03-20
US5040044A (en) 1991-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0324771A (ja) 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法
JP3531722B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法
KR100895452B1 (ko) 반도체 발광소자용 양전극
JP2003218383A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
CN105914269A (zh) 一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法
CN1185720C (zh) 一种镀有金属反射镜膜基板的发光二极管及其制造方法
JP2004153241A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
CN104617195A (zh) 一种近红外发光二极管及其生产方法
JPH09116190A (ja) 改善された光収量を有する発光ダイオード
WO2009147822A1 (ja) 発光素子
TWI693725B (zh) 發光元件及發光元件的製造方法
JP2817590B2 (ja) 発光素子の製造方法
JP2006080426A (ja) 発光ダイオード
JPH10233382A (ja) 半導体の表面清浄方法
JPH09116191A (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP2008251605A (ja) 発光素子の製造方法
JP2812408B2 (ja) ＧａＰ発光素子チップの表面処理方法
JP3507716B2 (ja) 半導体発光素子の製造方法
CN114744089A (zh) 一种uvc led芯片及其制备方法
JP3427732B2 (ja) 窒化物半導体素子の製造方法
CN108987537A (zh) 一种led晶片多金异常的处理方法
JP3460019B2 (ja) 金属コーティング反射永久基板を有する発光ダイオードおよび金属コーティング反射永久基板を有する発光ダイオードの製造方法
JP2874948B2 (ja) 半導体発光素子の製造方法
JPS59175776A (ja) 半導体発光素子の高出力化処理方法
JPH01226181A (ja) 化合物半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees