JP2004153241A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 発光層(または活性層)へのp型ドーパントの拡散を抑制して高輝度を実現でき、また、成長装置のメンテナンス頻度を少なくできる半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ノンドープ型、弱いp型またはn型の第1の半導体基板(図1には示さない)上に単層または複数層の半導体からなる発光層4を積層する。その発光層4上に単層または複数層からなるn型の半導体層5−7を積層する。n型の半導体層7の表面に発光層4の発光波長に対して透明な第2の半導体基板8を形成する。その後第1の半導体基板を除去する。第1の半導体基板の除去によって露出した面に発光層の発光波長に対して透明な透光性電極層9を形成する。
【選択図】図1
【解決手段】 ノンドープ型、弱いp型またはn型の第1の半導体基板(図1には示さない)上に単層または複数層の半導体からなる発光層4を積層する。その発光層4上に単層または複数層からなるn型の半導体層5−7を積層する。n型の半導体層7の表面に発光層4の発光波長に対して透明な第2の半導体基板8を形成する。その後第1の半導体基板を除去する。第1の半導体基板の除去によって露出した面に発光層の発光波長に対して透明な透光性電極層9を形成する。
【選択図】図1
Description
この発明は半導体発光素子及びその製造方法に関する。
近年、半導体発光素子の中で光通信や発光ダイオード情報表示パネル等に発光ダイオード(LED)が広く用いられている。これらの発光ダイオードは高輝度であることが重要であるが、発光ダイオードの輝度、言い換えれば外部量子効率は、内部量子効率と光取り出し効率によってきまる。このうち光取り出し効率は素子構造に大きく影響される。
発光ダイオードでは発光波長に対して透明な基板を用いることが光取り出し効率を向上させることを目的として行われている。発光波長に対して不透明な基板を用いた場合には上面への出射光しか取り出せないのに対し、発光波長に対して透明な基板を用いた場合には上面だけでなく4つの側面からも光を取り出すことができるからである。また、下面における反射光も上面および側面から出射させることが可能となる。この方法はInGaAsP系の半導体材料を用いた赤外発光ダイオード、AlGaAs系の半導体材料を用いた赤色、赤外発光ダイオード、GaAsP系の半導体材料を用いた黄色発光ダイオード、GaP系の半導体材料を用いた緑色発光ダイオード等に適用されている。
AlGaInP系の発光ダイオードであって発光波長に対して透明な基板を備えたものを作製する製造方法としては、図10(a)に示すように、発光波長に対して不透明なn型GaAs基板110上に、n型半導体層112、発光層114、p型半導体層116をエピタキシャル成長した後、この上に発光波長に対して透明なp型GaP基板120を接触させて熱処理を施すことによってp型半導体層116と直接接合し、しかる後、図10(b)に示すように、上記n型GaAs基板110を除去するという方法が知られている(例えば、特許文献1(特許第3230638号明細書)参照。)。
また、別の製造方法として、図11(a)に示すように、発光波長に対して不透明なn型GaAs基板210上に、n型半導体層212、発光層214、p型半導体層216および厚さ50μm〜100μm程度のp型GaP電流拡散層218をエピタキシャル成長し、続いて図11(b)に示すように、上記n型GaAs基板210を除去した後、図11(c)に示すように、その除去によって露出した面にp型GaP基板220を接触させて熱処理を施すことによってn型半導体層212と直接接合するという方法が知られている(例えば、特許文献2(特開平6−302857号公報)参照。)。なお、p型GaP電流拡散層218の厚さは50μm以下であるとウエハを取り扱う時に割れやすく、100μm以上であると成長時間が長くなり発光ダイオードのコストが高くなる。よって、成長時間とGaAs基板を除去した後のウエハの機械的強度との兼ね合いから、50μm〜100μm程度に設定されている。
さらに、別の製造方法として、図12(a)に示すように、発光波長に対して不透明なn型GaAs基板310上に、p型GaAsバッファ層311、p型AlGaAs電流拡散層312、p型クラッド層313、活性層314、n型クラッド層、n型中間層316、n型GaP層317をエピタキシャル成長し、続いて図12(b)に示すように、その上にn型GaP基板318を形成し、しかる後、上記n型GaAs基板310を除去するという方法が知られている(例えば、特許文献3(特開2000−196139号公報)参照。)。
しかし、上述の方法では、発光層(または活性層)の近傍のp型基板120,220やp型電流拡散層218,312中に含まれたZn、Mg等のp型ドーパントの総量が多いため、結晶成長または直接接合時の熱履歴によりp型ドーパントが発光層(または活性層)に拡散して、内部量子効率が低下し、素子の輝度が低下するという問題がある。特に、GaAs基板に格子整合し、かつ小さい抵抗率を実現可能なAlGaInP系発光ダイオードでは、発光波長に対して透明な唯一の公知材料であるAlxGa1-xAs(0.5≦x≦1)が用いられるが、このAlxGa1-xAs(0.5≦x≦1)内においてZn、Mg等の拡散係数が大きいため、問題が深刻になる。
また、上記p型電流拡散層218,312は、他の層が数μm以下の厚さに成長されるのに対して、既述のように通常は数10μm以上の厚さに成長されるため、成長装置のメンテナンス頻度が多くなり、生産性が低下するという問題がある。メンテナンス作業時は有毒ガスが発生するため、安全性の観点からも、メンテナンス頻度は少ない方が好ましい。
特許第3230638号明細書
特開平6−302857号公報
特開2000−196139号公報
そこで、この発明の課題は、発光層(または活性層)へのp型ドーパントの拡散を抑制して高輝度を実現でき、また、成長装置のメンテナンス頻度を少なくできる半導体発光素子及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、この発明の半導体発光素子の製造方法は、
ノンドープ型、弱いp型またはn型の第1の半導体基板上に単層または複数層の半導体からなる発光層を積層する工程と、
その発光層上に単層または複数層からなるn型の半導体層を積層する工程と、
上記n型の半導体層の表面に上記発光層の発光波長に対して透明な第2の半導体基板を形成する工程と、
その後上記第1の半導体基板を除去する工程と、
上記第1の半導体基板の除去によって露出した面に上記発光層の発光波長に対して透明な透光性電極層を形成する工程を有することを特徴とする。
ノンドープ型、弱いp型またはn型の第1の半導体基板上に単層または複数層の半導体からなる発光層を積層する工程と、
その発光層上に単層または複数層からなるn型の半導体層を積層する工程と、
上記n型の半導体層の表面に上記発光層の発光波長に対して透明な第2の半導体基板を形成する工程と、
その後上記第1の半導体基板を除去する工程と、
上記第1の半導体基板の除去によって露出した面に上記発光層の発光波長に対して透明な透光性電極層を形成する工程を有することを特徴とする。
なお、第1の半導体基板の「弱いp型」とは、発光層(または活性層)へのp型ドーパントの拡散を実質的に無視できる程度のp型を意味する。
この発明の半導体発光素子の製造方法によれば、発光層の上下に、それぞれこの発光層の発光波長に対して透明な透光性電極層、第2の半導体基板を備えた半導体発光素子が作製される。したがって、素子の上面および側面から外部へ光を取り出すことができ、発光波長に対して不透明な基板を用いた場合に比して光取り出し効率が高まる。また、発光層の近傍にp型基板やp型電流拡散層を設けないので、高温処理時のp型ドーパントの発光層への拡散が抑制される。しかも、第1の半導体基板の除去によって露出した面に透光性電極層を形成しているので、動作時に、通電電流がこの透光性電極層によって拡散されて、発光層へ均一に電流が注入される。したがって、内部量子効率が高まる。これらの結果、半導体発光素子の特性が向上して、高輝度が実現される。また、この発明の半導体発光素子の製造方法では、電流拡散層を設けないので、エピタキシャル成長させる層厚を低減できる。したがって、成長装置のメンテナンス頻度を少なくでき、生産性を高めるとともに安全性を向上させることができる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記発光層を積層する工程の前に、上記第1の半導体基板上に、この第1の半導体基板上とは組成が異なる単層または複数層からなるp型の半導体層を形成する工程を有することを特徴とする。
詳しくは、この一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、
ノンドープ型、弱いp型またはn型の第1の半導体基板上に、この第1の半導体基板上とは組成が異なる単層または複数層からなるp型の半導体層を形成する工程と、
そのp型の半導体層上に単層または複数層の半導体からなる発光層を積層する工程と、
その発光層上に単層または複数層からなるn型の半導体層を積層する工程と、
上記n型の半導体層の表面に上記発光層の発光波長に対して透明な第2の半導体基板を形成する工程と、
その後上記第1の半導体基板を除去する工程と、
上記第1の半導体基板の除去によって露出した面に上記発光層の発光波長に対して透明な透光性電極層を形成する工程を有することを特徴とする。
ノンドープ型、弱いp型またはn型の第1の半導体基板上に、この第1の半導体基板上とは組成が異なる単層または複数層からなるp型の半導体層を形成する工程と、
そのp型の半導体層上に単層または複数層の半導体からなる発光層を積層する工程と、
その発光層上に単層または複数層からなるn型の半導体層を積層する工程と、
上記n型の半導体層の表面に上記発光層の発光波長に対して透明な第2の半導体基板を形成する工程と、
その後上記第1の半導体基板を除去する工程と、
上記第1の半導体基板の除去によって露出した面に上記発光層の発光波長に対して透明な透光性電極層を形成する工程を有することを特徴とする。
この一実施形態の半導体発光素子の製造方法によれば、発光層の上下に、それぞれこの発光層の発光波長に対して透明な透光性電極層、第2の半導体基板を備えた半導体発光素子が作製される。したがって、素子の上面および側面から外部へ光を取り出すことができ、発光波長に対して不透明な基板を用いた場合に比して光取り出し効率が高まる。また、発光層の近傍にp型基板を設けないので、高温処理時のp型ドーパントの発光層への拡散が抑制される。しかも、第1の半導体基板の除去によって露出した面に透光性電極層を形成しているので、動作時に、通電電流がこの透光性電極層によって拡散されて、発光層へ均一に電流が注入される。したがって、内部量子効率が高まる。さらに、透光性電極を形成する面が第1の半導体基板の除去によって露出した面、つまり単層または複数層からなるp型の半導体層の面であるから、上記発光層上に直接透光性電極を形成する場合に比して電極/半導体界面での電圧降下を小さくすることができる。これらの結果、半導体発光素子の特性が向上して、高輝度が実現される。また、この発明の半導体発光素子の製造方法では、電流拡散層を設けないので、エピタキシャル成長させる層厚を低減できる。したがって、成長装置のメンテナンス頻度を少なくでき、生産性を高めるとともに安全性を向上させることができる。
上記第1の半導体基板はGaAs基板であるのが望ましい。第1の半導体基板がGaAs基板であれば、GaAs基板に格子整合する材料系の半導体層を備えた高輝度の半導体発光素子を作製することが可能になる。
また、上記発光層は(AlyGa1-y)zIn1-zP(ただし、0≦y≦1、0≦z≦1である。)からなるのが望ましい。上記発光層が(AlyGa1-y)zIn1-zPからなれば、発光波長550nmから670nmの高輝度の半導体発光素子を作製することが可能になる。
また、上記第2の半導体基板はGaP基板であるのが望ましい。GaPは550nmよりも長い波長の光に対して透明であるから、上記第2の半導体基板がGaP基板であれば、光取り出し効率を高めることができる。
また、上記透光性電極層は酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、または酸化マグネシウムの少なくとも1つからなるのが望ましい。上記透光性電極層が酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、または酸化マグネシウムの少なくとも1つからなれば、可視光に対して90%以上の透過率を得ることができる。したがって、さらに高輝度を実現できる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法では、上記第2の半導体基板を直接接合によって形成することを特徴とする。
この一実施形態の半導体発光素子の製造方法では、上記第2の半導体基板を直接接合によって形成するので、第2の半導体基板の厚さを、機械的強度の観点から十分なレベルに容易に設定できる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法では、上記第2の半導体基板をエピタキシャル成長によって形成することを特徴とする。
この一実施形態の半導体発光素子の製造方法では、上記第2の半導体基板をエピタキシャル成長によって形成するので、上記第2の半導体基板の厚さを目標の厚さに容易に成長させることができ、上記第2の半導体基板をわざわざ研磨等する必要はない。したがって、直接接合によって第2の半導体基板を設ける場合に比して、製造工程を簡略化することができる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記p型の半導体層は、1×1018cm-3以上1×1019cm-3以下のキャリア濃度を有し、上記発光層の発光波長に対して透明なAlxGa1-xAs層(ただし、0.5≦x≦0.7である。)を含むことを特徴とする。
この一実施形態の半導体発光素子の製造方法によれば、上記p型の半導体層が1×1018cm-3以上のキャリア濃度を有するので、素子の動作時に、上記透光性電極層と上記p型の半導体層との界面での電圧降下を小さくすることができ、したがって素子の動作電圧を低減できる。なお、上記p型の半導体層は、上記発光層の発光波長に対して透明なAlxGa1-xAs層(ただし、0.5≦x≦0.7である。)であるから、光取り出し効率を低下させることはない。また、上記p型の半導体層のキャリア濃度は1×1019cm-3以下というように上限が設定されている。したがって、このp型の半導体層の厚さを所定値以下に制限すれば、p型ドーパントの総量が制限されて、高温処理時のp型ドーパントの発光層への拡散が抑制される。したがって、内部量子効率の低下を抑制できる。これらの結果、半導体発光素子の輝度の低下を抑制できる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記p型の半導体層は、1×1018cm-3以上1×1019cm-3以下のキャリア濃度を有し、上記発光層の発光波長に対して透明な(AlyGa1-y)zIn1-zP層(ただし、0≦y≦1、0≦z≦1である。)を含むことを特徴とする。
この一実施形態の半導体発光素子の製造方法によれば、上記p型の半導体層が1×1018cm-3以上のキャリア濃度を有するので、素子の動作時に、上記透光性電極層と上記p型の半導体層との界面での電圧降下を小さくすることができ、したがって素子の動作電圧を低減できる。なお、上記p型の半導体層は、上記発光層の発光波長に対して透明な(AlyGa1-y)zIn1-zP層(ただし、0≦y≦1、0≦z≦1である。)であるから、光取り出し効率を低下させることはない。また、上記p型の半導体層のキャリア濃度は1×1019cm-3以下というように上限が設定されている。したがって、このp型の半導体層の厚さを所定値以下に制限すれば、p型ドーパントの総量が制限されて、高温処理時のp型ドーパントの発光層への拡散が抑制される。したがって、内部量子効率の低下を抑制できる。これらの結果、半導体発光素子の輝度の低下を抑制できる。さらに、上記p型の半導体層の材料としてAlxGa1-xAs(ただし、0.5≦x≦0.7である。)を使用する場合に比して、Al組成比xを小さくすることが可能である。そのようにAl組成比xを小さくした場合、表面が酸化されにくくなり、上記透光性電極層と上記p型の半導体層との界面での電圧降下を小さくすることができ、素子の歩留まりを高めることができる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記p型の半導体層の厚さが3μm以下であることを特徴とする。
この一実施形態の半導体発光素子の製造方法では、上記p型の半導体層内のZn、Mg等のp型ドーパントの総量が制限されるため、高温処理時のp型ドーパントの発光層への拡散が抑制される。したがって、内部量子効率の低下を抑制でき、半導体発光素子の輝度の低下を抑制できる。
また、本発明の半導体発光素子は、
GaP基板の一方の面上に単層または複数層からなる発光層と透光性電極層とがこの順に積層され、上記GaP基板および透光性電極層は上記発光層の発光波長に対して透明になっており、
上記単層または複数層からなる発光層は直接接合によりGaP基板上に形成され、
上記GaP基板の他方の面に第1の電極が設けられる一方、
上記透光性電極層と接続されるように第2の電極が設けられていることを特徴とする。
GaP基板の一方の面上に単層または複数層からなる発光層と透光性電極層とがこの順に積層され、上記GaP基板および透光性電極層は上記発光層の発光波長に対して透明になっており、
上記単層または複数層からなる発光層は直接接合によりGaP基板上に形成され、
上記GaP基板の他方の面に第1の電極が設けられる一方、
上記透光性電極層と接続されるように第2の電極が設けられていることを特徴とする。
本発明の半導体発光素子では、発光層の上下に、それぞれ発光層の発光波長に対して透明な透光性電極層、GaP基板を備えているので、素子の上面および側面から光を取り出すことができ、発光波長に対して不透明な基板を用いた場合に比して光取り出し効率が高まる。また、動作時に、第1の電極と第2の電極との間に通電されたとき、通電電流がこの透光性電極層によって拡散されて、発光層へ均一に電流が注入される。これらの結果、半導体発光素子の特性が向上して、高輝度が実現される。この発明の半導体発光素子では、透光性電極層が電流を拡散させるので、発光層の近傍に従来例におけるようなp型ドーパントを含む数10μm厚の電流拡散層を設ける必要が無く、発光層へのp型ドーパントの拡散が抑制される。また、電流拡散層を設けないので、エピタキシャル成長させる層厚を低減できる。したがって、成長装置のメンテナンス頻度を少なくでき、生産性を高めるとともに安全性を向上させることができる。
また、一実施形態の半導体発光素子は、GaP基板と単層または複数層からなる発光層の間にGaP層があり、このGaP層はGaP基板と接していることを特徴とする。
この一実施形態の半導体発光素子は、GaP基板と単層または複数層からなる発光層の間にGaP層があり、このGaP層はGaP基板に接しているので、GaP層/GaP基板の間でのヘテロ接合によるVF(順電圧)上昇が生じない。
上記発光層は(AlyGa1-y)zIn1-zP層(ただし、0≦y≦1、0≦z≦1である。)であるのが望ましい。上記発光層が(AlyGa1-y)zIn1-zP層であれば、550nmから670nmの発光波長が得られる。
上記透光性電極層は酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、または酸化マグネシウムの少なくとも1つからなるのが望ましい。上記透光性電極層が酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、または酸化マグネシウムの少なくとも1つからなれば、可視光に対して90%以上の透過率を得ることができる。したがって、さらに高輝度を実現できる。
上記透光性電極層は酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、または酸化マグネシウムの少なくとも1つからなるのが望ましい。上記透光性電極層が酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、または酸化マグネシウムの少なくとも1つからなれば、可視光に対して90%以上の透過率を得ることができる。したがって、さらに高輝度を実現できる。
このように、この発明の半導体発光素子及びその製造方法によれば、発光層(または活性層)へのp型ドーパントの拡散を抑制して高輝度を実現でき、また、成長装置のメンテナンス頻度を少なくできる。
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1(a)は第1実施形態の半導体発光素子の側面図であり、図1(b)は上記半導体発光素子の上面図であり、図1(c)は上記半導体発光素子の底面図である。
図1(a)は第1実施形態の半導体発光素子の側面図であり、図1(b)は上記半導体発光素子の上面図であり、図1(c)は上記半導体発光素子の底面図である。
図1(a)に示すように、この半導体発光素子は、n型のGaP基板8の一方の面(図1における上面)の上に、下から順に、n型のGaPキャップ層(厚さ1μm)7、n型の(Al0.2Ga0.8)0.77In0.23P中間層(厚さ0.15μm)6、n型の(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層(厚さ1μm)5、発光層としてのp型の量子井戸活性層4、p型の(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層(厚さ1μm)3、酸化亜鉛からなる透光性電極層9を備えている。さらに、GaP基板8の他方の面(図1における底面)に第1の電極としてAuSiからなるn型電極11が設けられる一方、透光性電極層9の表面(図1における上面)に第2の電極としてAuからなるボンディングパッド10が設けられている。
図1(c)に示すように、n型電極11は、それぞれ直径30μmの比較的小さい円形にパターン加工され、底面に行列状に複数(この例では3行3列の計9個)配置されている。一方、図1(b)に示すように、ボンディングパッド10は、直径120μmの比較的大きい円形にパターン加工され、上面の中央に1個配置されている。
量子井戸活性層4は、詳細には図示しないが、(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pからなるバリア層と、GaInPからなる井戸層とを交互に複数積層して構成されている。発光層としての量子井戸活性層4が(AlyGa1-y)zIn1-zP(ただし、0≦y≦1、0≦z≦1である。)からなれば、550nmから670nmの発光波長が得られる。
この半導体発光素子は次のようにして作製される。
i) まず、図2に示すように、第1の半導体基板としてのn型GaAs基板1の一方の面(図2における上面)の上に、p型のGaAsバッファ層(厚さ1μm)2、p型の(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層(厚さ1μm)3、p型の量子井戸活性層4、n型の(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層(厚さ1μm)5、n型の(Al0.2Ga0.8)0.77In0.23P中間層(厚さ0.15μm)6、n型のGaPキャップ層(厚さ2μm)7を、MOCVD(有機金属気相成長)法により順次成長させて積層する。なお、成長方法としては、MOCVD法の他にMBE(分子線エピタキシ)法、MOMBE(有機金属分子線エピタキシ)法等の色々な方法が利用可能である。
上記p型の(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層3を成長させるとき、このクラッド層3のうちGaAsバッファ層2に接する厚さ0.1μm分のキャリア濃度は2×1018cm-3に設定し、量子井戸活性層4に接する厚さ0.9μm分のキャリア濃度は5×1017cm-3に設定する。
また、p型ドーパントにはZn、n型ドーパントにはSiを使用する。
ii) 次に、この状態の基板(ウエハ)の表面をポリッシュにより鏡面加工した後、硫酸:過酸化水素系のエッチング液で少しエッチングする処理を行う。また、第2の半導体基板としての表面が鏡面であるn型のGaP基板8を用意し、このGaP基板8の表面を同じように硫酸:過酸化水素系のエッチング液で少しエッチングする処理を行う。そして、2枚の基板(ウエハ)を十分に純水洗浄、乾燥した後、図3に示すように、ウエハどうしを加圧状態で密着させ、800℃で1時間水素雰囲気中で熱処理する。こうすることにより、GaAs基板1上のn型GaPキャップ層7の表面(図3における上面)とn型GaP基板8の一方の面とが、つまりn型のGaPどうしが直接接合される。
このような直接接合を行えば、n型GaP基板8の厚さを、機械的強度の観点から十分なレベルに容易に設定できる。
iii) 次に、図4に示すように、アンモニア:過酸化水素系のエッチング液を用いて、n型のGaAs基板1及びp型のGaAsバッファ層2をエッチングして除去する。その後、n型GaP基板8の他方の面(図4における底面)を研磨して目標の厚さにする。
iv) 次に、図1(a)に示すように、p型の(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層3の表面上に酸化亜鉛からなる透光性電極層9を形成し、更にその上にAuからなるボンディングパッド10を形成する。最後に、n型のGaP基板8の底面にAuSiからなる9個の円形状のn型電極11を形成する。
このようにして作製された半導体発光素子について、ボンディングパッド10とn型電極11との間の通電電流が20mAという条件下で外部量子効率を評価したところ、外部量子効率が11%であった。これに対して、厚さ5μmのp型のAlGaAs電流拡散層を備えた従来構造の半導体発光素子では、同じ条件下で、外部量子効率が7.8%程度であった。この結果から、本実施形態の半導体発光素子では、外部量子効率が従来に比して約1.5倍に向上したことが分かる。
このように素子特性が改善された理由は、n型のGaAs基板1およびn型のGaP基板8を使用して、p型の基板を使用しなかったこと、また、本実施形態の半導体発光素子はZnドープのp型のAlGaAs電流拡散層を備えていないことによる。つまり、高温となるエピタキシャル成長中、直接接合中に、p型ドーパントであるZnが発光層4へ拡散して内部量子効率を低下させるのを最小限に抑えたからである。また、透光性電極層9のお蔭で通電電流が拡散されて、発光層へ均一に電流が注入されるので、内部量子効率が高まる。
さらに、本実施形態の半導体発光素子は、発光層4の上下に、それぞれこの発光層4の発光波長に対して透明な透光性電極層9、GaP基板8を備えているので、素子の上面および側面から外部へ光を取り出すことができ、発光波長に対して不透明な基板を用いた場合に比して光取り出し効率が高まる。また、GaPキャップ層7がGaP基板8に接しているので、GaP層/GaP基板の間でのヘテロ接合によるVF(順電圧)上昇が生じない。
これらの結果、半導体発光素子の特性が向上して、高輝度が実現される。
また、本実施形態の半導体発光素子では、通電電流20mAでの動作電圧は2.3Vであった。この動作電圧は、透光性電極層9とp型の(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層3との間に、キャリア濃度が5×1018cm-3で厚さ0.2μmのp型Al.0.5Ga0.5As層(p型コンタクト層)を設けることにより、半導体発光素子の輝度を維持したまま、2.1Vまで低減することができる。
この理由は、上記p型コンタクト層が1×1018cm-3以上のキャリア濃度を有すれば、素子の動作時に、上記透光性電極層と上記p型コンタクト層との界面での電圧降下を小さくすることができるからである。
上記p型コンタクト層は、上記発光層の発光波長に対して透明なAlxGa1-xAs層(ただし、0.5≦x≦0.7である。)であるから、光取り出し効率を低下させることはない。
また、上記p型コンタクト層のキャリア濃度を1×1019cm-3以下、より好ましくは5×1018cm-3以下に設定するとともに、このp型の半導体層の厚さを所定値以下に制限すれば、p型ドーパントの総量が制限されて、高温処理時のp型ドーパントの発光層への拡散が抑制される。したがって、内部量子効率の低下を抑制できる。これらの結果、半導体発光素子の外部量子効率(輝度)の低下を抑制できる。
具体的には、図5に示すように、上記p型コンタクト層の厚さを3μm以下に設定すれば、半導体発光素子の外部量子効率(輝度)の低下を10%以下に抑制できる。
なお、上記p型コンタクト層を設けるには、最初のMOCVD法による成長の際にp型のGaAsバッファ層2とp型の(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層3との間に上記p型コンタクト層を形成しておけば良い。
本実施形態では、p型の電流拡散層を設けないので、p型の5μmのAlGaAs電流拡散層を備えた従来構造の半導体発光素子に比べ、エピタキシャル成長させる層厚を約1/2に低減できる。したがって、成長装置のメンテナンス頻度を1/2に少なくでき、生産性を高めるとともに安全性を向上させることができる。
(第2実施形態)
図6(a)は第2実施形態の半導体発光素子の側面図であり、図6(b)は上記半導体発光素子の上面図であり、図6(c)は上記半導体発光素子の底面図である。
図6(a)は第2実施形態の半導体発光素子の側面図であり、図6(b)は上記半導体発光素子の上面図であり、図6(c)は上記半導体発光素子の底面図である。
図6(a)に示すように、この半導体発光素子は、n型のGaP基板29の一方の面(図6における上面)の上に、下から順に、n型のGaPキャップ層(厚さ1μm)28、n型の(Al0.2Ga0.8)0.77In0.23P中間層(厚さ0.15μm)27、n型のAl0.5In0.5Pクラッド層(厚さ1μm)26、発光層としてのp型の量子井戸活性層25、p型のAl0.5In0.5Pクラッド層(厚さ1μm)24、p型の(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pコンタクト層(厚さ0.2μm)23、酸化亜鉛からなる透光性電極層30を備えている。さらに、GaP基板29の他方の面(図6における底面)に第1の電極としてAuSiからなるn型電極32が設けられる一方、透光性電極層30の表面(図6における上面)に第2の電極としてAuからなるボンディングパッド31が設けられている。
図6(c)に示すように、n型電極32は、それぞれ直径30μmの比較的小さい円形にパターン加工され、底面に行列状に複数(この例では3行3列の計9個)配置されている。一方、図6(b)に示すように、ボンディングパッド31は、直径120μmの比較的大きい円形にパターン加工され、上面の中央に1個配置されている。
量子井戸活性層25は、詳細には図示しないが、(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるバリア層と、(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5Pからなる井戸層とを交互に複数積層して構成されている。発光層としての量子井戸活性層25が(AlyGa1-y)zIn1-zP(ただし、0≦y≦1、0≦z≦1である。)からなれば、550nmから670nmの発光波長が得られる。
この半導体発光素子は次のようにして作製される。
i) まず、図7に示すように、第1の半導体基板としてのn型GaAs基板21の一方の面(図7における上面)の上に、p型のGaAsバッファ層(厚さ1μm)22、p型の(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pコンタクト層(厚さ0.2μm)23、p型のAl0.5In0.5Pクラッド層(厚さ1μm)24、p型の量子井戸活性層25、n型のAl0.5In0.5Pクラッド層(厚さ1μm)26、n型の(Al0.2Ga0.8)0.77In0.23P中間層(厚さ0.15μm)27、n型のGaPキャップ層(厚さ1μm)28を、MOCVD(有機金属気相成長)法により順次成長させて積層する。
ii) 続いてその上に、図8に示すように、第2の半導体基板としてのn型のGaP層(これを「GaP基板」と呼ぶ。)29を、VPE法により、機械的強度の観点から十分なレベルの目標の厚さ、この例では約100μmの厚さまでエピタキシャル成長させる。
iii) 次に、図9に示すように、アンモニア:過酸化水素系のエッチング液を用いて、n型のGaAs基板21及びp型のGaAsバッファ層22をエッチングして除去する。
なお、n型GaP基板29をVPE法により目標の厚さに成長させているので、n型GaP基板29の厚さを調整するためにこの段階で研磨等を行う必要はない。したがって、直接接合によってGaP基板29を形成する場合に比して、製造工程を簡略化することができる。
iv) 次に、図6(a)に示すように、p型の(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pコンタクト層23の表面上に酸化亜鉛からなる透光性電極層30を形成し、更にその上にAuからなるボンディングパッド31を形成する。最後に、n型のGaP基板29の底面にAuSiからなる9個の円形状のn型電極32を形成する。
このようにして作製された半導体発光素子について、ボンディングパッド31とn型電極32との間の通電電流が20mAという条件下で外部量子効率を評価したところ、外部量子効率が4.2%であった。これに対して、厚さ5μmのp型のAlGaAs電流拡散層を備えた従来構造の半導体発光素子では、同じ条件下で、外部量子効率が3.0%程度であった。この結果から、本実施形態の半導体発光素子では、外部量子効率が従来に比して約1.4倍に向上したことが分かる。
本実施形態では、コンタクト層としてp型の(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P層を使用したが、発光波長に対して、十分吸収が小さければGa0.5In0.5PのようなさらにAl混晶比の小さな組成の層をコンタクト層として使用してもよい。Al混晶比が小さい方が、表面が酸化されにくくなり、更に高いドーピング濃度が可能になる。そのようにした場合、上記透光性電極層と上記p型の半導体層との界面での電圧降下を小さくすることができ、素子の歩留まりを高めることができる。また、第1実施形態と同様に、GaPキャップ層28がGaP基板29に接しているので、GaP層/GaP基板の間でのヘテロ接合によるVF(順電圧)上昇が生じない。
上述の各実施形態では、第1の半導体基板として、Siドープのn型GaAs基板を使用したが、これに限られるものではない。ノンドープ型あるいは発光層への拡散が実質的に無視できるような弱いp型のGaAs基板であっても、同様の効果が得られる。熱履歴にも依存するが、発光層への拡散が実質的に無視できるような「弱いp型のGaAs基板」であるためには、GaAs基板中のp型キャリア濃度が例えば1×1018cm-3以下、好ましくは5×1017cm-3以下、より好ましくは1×1017cm-3以下であれば良い。上述の各実施形態で述べたような熱履歴の場合、GaAs基板中のp型キャリア濃度が5×1017cm-3程度以下であれば、発光層への拡散は十分に小さいと考えられる。第1の半導体基板がGaAs基板であれば、GaAs基板に格子整合する材料系の半導体層を備えた高輝度の半導体発光素子を作製することが可能になる。
上記透光性電極層の材料は酸化亜鉛に限られず、酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫、または酸化マグネシウムからなっていても良い。透光性電極層が酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、または酸化マグネシウムの少なくとも1つからなれば、可視光に対して90%以上の透過率を得ることができる。したがって、さらに高輝度を実現できる。
1,21 n型GaAs基板
2,22 p型GaAsバッファ層
23 p型コンタクト層
3,24 クラッド層
4,25 量子井戸活性層
5,26 クラッド層
6,27 n型中間層
7,28 n型GaPキャップ層
8,29 n型GaP基板
9,30 透光性電極層
10,31 p型電極
11,32 n型電極
2,22 p型GaAsバッファ層
23 p型コンタクト層
3,24 クラッド層
4,25 量子井戸活性層
5,26 クラッド層
6,27 n型中間層
7,28 n型GaPキャップ層
8,29 n型GaP基板
9,30 透光性電極層
10,31 p型電極
11,32 n型電極
Claims (9)
- ノンドープ型、弱いp型またはn型の第1の半導体基板上に単層または複数層の半導体からなる発光層を積層する工程と、
その発光層上に単層または複数層からなるn型の半導体層を積層する工程と、
上記n型の半導体層の表面に上記発光層の発光波長に対して透明な第2の半導体基板を形成する工程と、
その後上記第1の半導体基板を除去する工程と、
上記第1の半導体基板の除去によって露出した面に上記発光層の発光波長に対して透明な透光性電極層を形成する工程を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記発光層を積層する工程の前に、上記第1の半導体基板上に、この第1の半導体基板上とは組成が異なる単層または複数層からなるp型の半導体層を形成する工程を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記第2の半導体基板を直接接合によって形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記第2の半導体基板をエピタキシャル成長によって形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記p型の半導体層は、1×1018cm-3以上1×1019cm-3以下のキャリア濃度を有し、上記発光層の発光波長に対して透明なAlxGa1-xAs層(ただし、0.5≦x≦0.7である。)を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記p型の半導体層は、1×1018cm-3以上1×1019cm-3以下のキャリア濃度を有し、上記発光層の発光波長に対して透明な(AlyGa1-y)zIn1-zP層(ただし、0≦y≦1、0≦z≦1である。)を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記p型の半導体層の厚さが3μm以下であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - GaP基板の一方の面上に単層または複数層からなる発光層と透光性電極層とがこの順に積層され、上記GaP基板および透光性電極層は上記発光層の発光波長に対して透明になっており、
上記単層または複数層からなる発光層は直接接合によりGaP基板上に形成され、
上記GaP基板の他方の面に第1の電極が設けられる一方、
上記透光性電極層と接続されるように第2の電極が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項8に記載の半導体発光素子において、GaP基板と単層または複数層からなる発光層の間にGaP層があり、このGaP層はGaP基板と接していることを特徴とする半導体発光素子。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011198807A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体基板および発光素子ならびに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法 |
WO2012120798A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | 信越半導体株式会社 | 化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7772609B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-08-10 | Ledengin, Inc. (Cayman) | LED package with structure and materials for high heat dissipation |
US9929326B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-03-27 | Ledengin, Inc. | LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser |
US8324641B2 (en) * | 2007-06-29 | 2012-12-04 | Ledengin, Inc. | Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device |
US7670872B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-03-02 | LED Engin, Inc. (Cayman) | Method of manufacturing ceramic LED packages |
US8134292B2 (en) * | 2004-10-29 | 2012-03-13 | Ledengin, Inc. | Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material |
US8816369B2 (en) * | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
US8075165B2 (en) | 2008-10-14 | 2011-12-13 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device |
US20100117106A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Ledengin, Inc. | Led with light-conversion layer |
US8507300B2 (en) * | 2008-12-24 | 2013-08-13 | Ledengin, Inc. | Light-emitting diode with light-conversion layer |
US8384097B2 (en) | 2009-04-08 | 2013-02-26 | Ledengin, Inc. | Package for multiple light emitting diodes |
US7985000B2 (en) * | 2009-04-08 | 2011-07-26 | Ledengin, Inc. | Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers |
US8598793B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-12-03 | Ledengin, Inc. | Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin |
US8303141B2 (en) * | 2009-12-17 | 2012-11-06 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens with integrated lamp cover |
US8858022B2 (en) | 2011-05-05 | 2014-10-14 | Ledengin, Inc. | Spot TIR lens system for small high-power emitter |
US9345095B2 (en) | 2010-04-08 | 2016-05-17 | Ledengin, Inc. | Tunable multi-LED emitter module |
US9080729B2 (en) | 2010-04-08 | 2015-07-14 | Ledengin, Inc. | Multiple-LED emitter for A-19 lamps |
US8513900B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-08-20 | Ledengin, Inc. | Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin |
US11032884B2 (en) | 2012-03-02 | 2021-06-08 | Ledengin, Inc. | Method for making tunable multi-led emitter module |
US9897284B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-02-20 | Ledengin, Inc. | LED-based MR16 replacement lamp |
US9234801B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-12 | Ledengin, Inc. | Manufacturing method for LED emitter with high color consistency |
US9406654B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-08-02 | Ledengin, Inc. | Package for high-power LED devices |
WO2016086180A1 (en) | 2014-11-26 | 2016-06-02 | Ledengin, Inc. | Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp |
US9530943B2 (en) | 2015-02-27 | 2016-12-27 | Ledengin, Inc. | LED emitter packages with high CRI |
US10219345B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-02-26 | Ledengin, Inc. | Tunable LED emitter with continuous spectrum |
US10575374B2 (en) | 2018-03-09 | 2020-02-25 | Ledengin, Inc. | Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5008718A (en) * | 1989-12-18 | 1991-04-16 | Fletcher Robert M | Light-emitting diode with an electrically conductive window |
JP3324102B2 (ja) * | 1993-11-22 | 2002-09-17 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
US5869849A (en) * | 1995-10-05 | 1999-02-09 | Industry Technology Research Institute | Light-emitting diodes with high illumination |
JP3698402B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2005-09-21 | シャープ株式会社 | 発光ダイオード |
TW497277B (en) * | 2000-03-10 | 2002-08-01 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
-
2003
- 2003-08-12 JP JP2003292127A patent/JP2004153241A/ja active Pending
- 2003-10-14 US US10/684,127 patent/US20040126918A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011198807A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体基板および発光素子ならびに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法 |
WO2012120798A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | 信越半導体株式会社 | 化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子 |
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