JP2012142361A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】p型クラッド層と、(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦0.6,0.4≦y≦0.6)からなる3層以上の活性層及び該活性層よりAl含有率xが高い2層以上の障壁層が交互に積層された多重活性層部と、n型クラッド層とを有する化合物半導体基板を用いて製造された発光素子であって、障壁層は、n型クラッド層に近い側の障壁層に比べ、p型クラッド層に近い側の障壁層の方がバンドギャップが小さく、かつ、化合物半導体基板は、多重活性層部とn型クラッド層の間に、又は、n型クラッド層中に、超格子障壁層を有するものである発光素子。
【選択図】図1
Description
AlGaInP系発光素子では、AlGaAs若しくはGaPが窓層として用いられる。AlGaAs層は水分に対して劣化するという特性上の問題があり、一般的にはGaPが用いられている。しかしながら、厚いGaP層を設けるためには、AlGaInP発光層部に直接GaP基板を接合するか、GaPの厚膜を結晶成長させなければならない。GaP基板を直接接合する方法では、例えば特許文献2に示されているように、GaP基板との接合界面で障壁層が生じる問題があり、これを回避するために、長時間かつ高温の熱処理が必要となる。
内部量子効率を高める方法として、例えば特許文献3などに示されているように多重量子井戸(MQW)構造を用いる方法がある。MQW構造をとることにより、量子井戸への閉じ込め効果によって発光効率を高めることができる。しかしながら、MQWの各層の厚さは数〜十数nmと半導体内の電子のド・ブロイ波長程度であるため、バルク活性層と比べると大幅に各層の厚さは薄い。このため、前述したように活性層への不純物拡散の影響が大きくなる。MQWにおける活性層の層数を増やせば解決できる可能性もあるが、大幅に増やす必要があり、活性層の自己吸収で内部量子効率は低下する。
AlGaInP系以外の別の材料系でも別組成の層を挟むことでMg拡散抑制の効果が示され、例えば特許文献4などにその効果を見ることができる。
活性層よりワイドバンドギャップの材料を挿入することによって直列抵抗成分が増大する前述と同様の効果は、例えば特許文献5に示されている。
しかし、このような小電流条件下ではバイアス差異が大きくないため、活性層に注入された第一導電型のキャリアが、第二導電型でドーピングされている層へ到達するオーバーフロー現象より、第一導電型の活性層からクラッド層へキャリアが戻る現象が問題となる。この現象の発生によって、活性層にキャリアが十分に滞在できなくなるため、輝度低下の問題を発生していた。
しかし、小電流条件下では、n型キャリアがp導電型の層にあふれるほど大きな電圧を印加しておらず、活性層のキャリアの電流密度も高くない。従って、上記した小電流条件で用いられる素子構造のオーバーフローの課題の解決にはならない。
また、特許文献8において、n型クラッド層側に超格子障壁層を設けているが、活性層は単純なMQW構造であり、長寿命な素子とはなりがたい。
以上より、本発明によれば、長寿命で、低抵抗且つ高発光効率の発光素子となる。
このような超格子障壁層であれば、キャリアのオーバーフローが効果的に抑制される発光素子となる。
このような超格子障壁層であれば、障壁を大きくとることができ、キャリアのオーバーフローを確実に抑制できる発光素子となる。
本発明の超格子障壁層としては、このように多重活性層部に隣接して形成することができる。
図1(a)に示すように、本発明の発光素子10は、例えば、化合物半導体基板100と、その表面上に形成された電極11からなるものである。発光素子10は、下記で説明する化合物半導体基板100のp型表面とn型表面に電極11を形成し、ダイス形状にダイシングして得られる。
そして、障壁層は、n型クラッド層104に近い側の障壁層106Bに比べ、p型クラッド層107に近い側の障壁層106Cの方がバンドギャップが小さく、かつ、化合物半導体基板100は多重活性層部106とn型クラッド層104の間に超格子障壁層105を有するものである。
また、単に超格子障壁層105を設けるのみでは、特に低温時等にVFが上昇する。このため、多重活性層部106の障壁層106B,106Cについて、障壁層106Cは障壁層106Bよりも低バンドギャップの材料で構成する。このような不均一障壁層とすることで、p型キャリアの障壁層でのホッピング確率を増加させて、p/nジャンクション付近でのp型キャリアの滞在確率を増加させることができる。このため、活性層中にn型、p型両者のキャリアを均一に分布させることができ、VFを効果的に低下させることができる。
そして、第四層部にn型クラッド層104として、例えばn型AlGaInP層((AlxGa1−x)yIn1−yP(0.6≦x≦1、0.45≦y≦0.55)、厚さ0.5〜1.5μm、ドーピング濃度1×1017/cm3〜1×1018/cm3)を設けることができる。
さらに、第八層部としてp型AlGaInP層108((AlxGa1−x)yIn1−yP(0.5≦x≦1、0.45≦y≦0.55)、厚さ0.1〜1.5μm、ドーピング濃度5×1016/cm3〜3×1018/cm3)、第九層部としてp型InGaP緩衝層109(GayIn1−yP(0.45≦y<1)、厚さ0.001〜0.5μm、ドーピング濃度3×1017/cm3〜3×1019/cm3)、第十層部としてp型GaP窓層110(厚さ30〜150μm、ドーピング濃度5×1017/cm3〜5×1018/cm3)を設けることができる。
そして、本発明では、例えば、障壁層106Bの組成はAl0.85GaInPで、障壁層106Cの組成はAl0.60GaInPとすることで、図3に示すように、n型クラッド層104に近い側の障壁層106Bに比べ、p型クラッド層107に近い側の障壁層106Cの方がバンドギャップが小さいものとすることができる。
例えばn型GaP基板101やp型GaP窓層110を形成する際に、層102〜層109を成長させる以上の温度と時間が必要である。多重活性層部106の各層の厚さが15nm以上であれば、上記のようなn型GaP基板101やp型GaP窓層110形成時の大きな熱エネルギーにさらされた場合でも、p型ドーパンドが活性層に拡散し、光寿命特性が悪化することを抑制できる。また、厚さが150nm以下であれば、活性層106A自体の光吸収を低減でき、光出力の低下を防止できる。
膜厚を15nm以下に設定するのは超格子作成によってミニバンドを形成させるためである。ドブロイ波長15nm以下の膜厚で形成された交互積層構造の超格子障壁層105は、ミニバンドを形成するため、構成材の最低バンドギャップより大きなバンドギャップを有する。従って、15nm以下の膜厚とすることによって、構成材料以上のバンドギャップの設計が可能となる。
ミニバンド形成の考え方から鑑みると、n型クラッド層104より小さなバンドギャップの材料で層105Bを形成することも可能である。しかし、n導電型側の障壁を高めることを考慮すると、層105Bのバンドギャップはn型クラッド層104より大きなバンドギャップの材料で構成されることがより望ましい。
このような層105Aのバンドギャップであれば、光の吸収層とはなりにくい。このような光吸収は、特に膜厚が厚い場合に顕著に発生するため、バンドギャップの小さい層105Aの膜厚が、活性層106Aと同程度の膜厚であるならば、その影響は許容されうるが、設計上望ましくない。従って、層105Aは、活性層106Aより大きなバンドギャップとなる組成、特にn型クラッド層104以上のバンドギャップとなる組成を有する事が望ましい。
この点から、例えば、n型クラッド層104がAl0.85GaInPで構成されている場合、層105BはAlInPが好適であり、層105AはAl0.85GaInPで構成することが好適である。
上記ドーピング濃度であれば、キャリアトラップ要因となり出力を低下させる活性層近傍のイオン化した不純物を十分に低減でき、さらに、超格子障壁層105でキャリアがトラップされることも抑制できる。
そして、図6(b)に示す化合物半導体基板200のp型クラッド層208、n型クラッド層204を含む各層201−204,208−211は、第1の実施形態の化合物半導体基板100の各層101−104,107−110と同様のものとすることができる。
従って、n型クラッド層204に近い側の障壁層207Bに比べ、p型クラッド層208に近い側の障壁層207Cの方がバンドギャップが小さい構造とし、図8に示すようなバンドラインナップとする。これによりVFを小さくすることができる。
第2の実施形態においても、n型クラッド層204、206中に設けられる超格子障壁層205により、オーバーフローを抑制することができる。
また、n型クラッド層206が0.5μm以下の厚さの薄膜である場合には、イオン化不純物の影響を確実に無くすために、超格子障壁層205のドーピング濃度をn型クラッド層204のドーピング濃度より少なくしたり、超格子障壁層205のn型クラッド層204界面からn型クラッド層206界面にかけて傾斜もしくは階段状にドーピング濃度を変化させることもできる。
先ず、成長用単結晶基板としてn型のGaAs基板を準備し、そのGaAs基板上に、MOCVD法により、n型InGaP緩衝層等、n型クラッド層、超格子障壁層、多重活性層部、p型クラッド層等の各層を気相成長させる。そして、HVPE法により、Znをドープし、最表層のp型GaP窓層を気相成長させた後、GaAs基板を除去する。これによりn型InGaP緩衝層を露出させる。
上記MOCVD法やHVPE法によって気相成長させる際には一般的な条件を用いればよい。
(実施例1,2)
実施例1として、図1に示す本発明の第1の実施形態の発光素子10を作製した。また、実施例2として、図6に示す本発明の第2の実施形態の発光素子20を作製した。
実施例1,2ともに、多重活性層部106,207の障壁層106B、207Bの組成はAl0.85GaInPで、障壁層106C、207Cの組成はAl0.60GaInPとした。これにより、n型クラッド層に近い側の障壁層に比べ、p型クラッド層に近い側の障壁層の方がバンドギャップを小さくした。
このような発光素子の特性評価を行った。表1に、20mAの電流を流すのに要した電圧(VF)と、光出力(PO)を示す。
実施例1と同様に、ただし、超格子障壁層105は設けずに発光素子を作製した。
このような発光素子の特性評価を行った結果を表1に示す。
なお、実施例1,2では超格子障壁層の各層の膜厚を15nmとしたが、これより薄くすることで、サブバンドの形成準位をより高エネルギー側に変化させる事ができ、障壁を大きく取る事が出来る。サブバンド設計は低バンドギャップ層と高バンドギャップ層の膜厚で適宜設計可能なため、本質的に両者の膜厚が同一である必要がないことは言うまでもない。
実施例3として、図1に示す本発明の第1の実施形態の発光素子10を作製した。また、実施例4として、図6に示す本発明の第2の実施形態の発光素子20を作製した。
実施例3,4ともに、多重活性層部106,207の障壁層106B、207Bの組成はAl0.85GaInPで、障壁層106C、207Cの組成はAl0.60GaInPとした。これにより、n型クラッド層に近い側の障壁層に比べ、p型クラッド層に近い側の障壁層の方がバンドギャップを小さくした。
このような発光素子の特性評価を行った結果を表2に示す。参考として比較例の結果も示す。
実施例5として、図1に示す本発明の第1の実施形態の発光素子10を作製した。また、実施例6として、図6に示す本発明の第2の実施形態の発光素子20を作製した。
実施例5,6ともに、多重活性層部106,207の障壁層106B、207Bの組成はAl0.85GaInPで、障壁層106C、207Cの組成はAl0.60GaInPとした。これにより、n型クラッド層に近い側の障壁層に比べ、p型クラッド層に近い側の障壁層の方がバンドギャップを小さくした。
このような発光素子の特性評価を行った結果を表3に示す。参考として比較例の結果も示す。
101、201…n型GaP基板、 102、202…n型InGaP緩衝層、
103、203…n型AlGaInP層、
104、204、206…n型クラッド層、 105、205…超格子障壁層、
105A、105B、205A、205B…超格子障壁層の積層された層、
106、207…多重活性層部、 106A、207A…活性層、
106B,106C、207B、207C…障壁層、
107、208…p型クラッド層、 108、209…p型AlGaInP層、
109、210…p型InGaP緩衝層、 110、211…p型GaP窓層。
Claims (4)
- 少なくとも、p型クラッド層と、(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦0.6,0.4≦y≦0.6)からなる3層以上の活性層及び該活性層よりAl含有率xが高い2層以上の障壁層が交互に積層された多重活性層部と、n型クラッド層とを有する化合物半導体基板を用いて製造された発光素子であって、
前記障壁層は、前記n型クラッド層に近い側の障壁層に比べ、前記p型クラッド層に近い側の障壁層の方がバンドギャップが小さく、かつ、前記化合物半導体基板は、前記多重活性層部と前記n型クラッド層の間に、又は、前記n型クラッド層中に、超格子障壁層を有するものであることを特徴とする発光素子。 - 前記超格子障壁層は、(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)及び/又はAlzGa1−zAs(0≦z≦1)からなり、バンドギャップが異なる層同士が交互に積層されたものであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記超格子障壁層は、バンドギャップが異なり、厚さが15nm以下の層同士が交互に積層されたものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光素子。
- 前記超格子障壁層は、前記多重活性層部に隣接して形成されたものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の発光素子。
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