JP6921179B2 - 超格子を用いたｉｉｉ−ｐ発光デバイス - Google Patents

Description

発光ダイオード（ＬＥＤ）は、低電力消費、小さいサイズ、および高信頼性を必要とする多くのアプリケーションにおいて光源として広く受け入れられている。可視スペクトルの黄−緑色から赤色領域の光を放射するエネルギ効率の良いダイオードは、しばしば、ＡｌＧａＩｎＰ合金により形成された活性層（active layer）を含んでいる。可視スペクトルのＵＶから青から緑色への領域の光を放射するエネルギ効率の良いダイオードは、多くの場合、ＩＩＩ族窒化物合金により形成された活性層を含んでいる。

図１は、従来技術のＡｌＧａIｎＰデバイスの断面図であり、より詳細には米国特許第６０５７５６３号において記載されている。図１のデバイスは、以下を含んでいる。第１の導電型ＧａＡｓ基板１０、ＡｌＡｓ／ＧａＡｓから成り、基板１０上に形成されたブラッグ反射層１１、ブラッグ反射層１１上で成長した第１の導電型ＡｌＧａＩｎＰ閉じ込め層（confinement layer）１２、ＡｌＧａＩｎＰ閉じ込め層１２上で成長した導電性ＡｌＧａＩｎＰ活性層１３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層１３上で成長した第２の導電型ＡｌＧａＩｎＰ閉じ込め層１４、ＡｌＧａＩｎＰ閉じ込め層１４上で成長した複数の導電性ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ超格子層（superlattice layers）１５、導電性ＡｌＧａＩｎＰ超格子層１５上で成長した第２の導電型のオーム接触層（ohmic contact layer）１６、オーム接触層１６上に形成されたフロント接点１７、基板１０の裏面上に形成されたバック接点１８、である。

米国特許第６０５７５６３号は、「本発明に従った光透過ウィンドウを有するＬＥＤは、ＬＥＤチップ全体を通じて電流が均一に流れることを可能にすること、および、ウィンドウ層の透明度を増大させることによって、明るく、かつ、均一な輝度を提供することができること」を教示している。

関連出願に対する相互参照
本出願は、２０１６年７月２８日に出願された米国仮特許出願第６２／３６７９３５号、２０１７年７月２６日に出願された米国特許出願第１５／６６０６０２号、および２０１７年９月２９日に出願された欧州特許出願第１６１９１４１４．８号について優先権を主張するものである。米国仮特許出願第６２／３６７９３５号、米国特許出願第１５／６６０６０２号、および欧州特許出願第１６１９１４１４．８号は、ここにおいて包含されている。

一つの態様において、発光デバイスが提供される。本デバイスは、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたＩＩＩ−Ｐ発光層を有し、ｎ型領域は超格子を含んでいる、半導体構造体、および、ＩＩＩ−Ｐ発光層とは反対側の超格子の表面上で、かつ、表面と接触している金属ｎ接点、を含む。超格子は、複数のスタックされた層のペアを含み、各層のペアは、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰの第１層、ここで０＜ｘ＜１、および、Ａｌ_YＧａ_１−YＩｎＰの第２層、ここで０＜ｙ＜１、を含んでおり、第１層は、第２層よりも小さいアルミニウム組成を有している。

別の態様において、発光デバイスが提供される。本デバイスは、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたＩＩＩ−Ｐ発光層を有し、ｎ型領域は超格子を含んでいる、半導体構造体、ＩＩＩ−Ｐ発光層とは反対側の超格子の表面上で、かつ、表面と接触している電流拡散層、および、電流拡散層上で、かつ、電流拡散層と接触しているｎ接点、を含む。超格子は、複数のスタックされた層のペアを含み、各層のペアは、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰの第１層、ここで０＜ｘ＜１、および、Ａｌ_YＧａ_１−YＩｎＰの第２層、ここで０＜ｙ＜１、を含んでおり、第１層は、第２層よりも小さいアルミニウム組成を有している。

さらに別の態様において、方法が提供される。本方法は、成長基板上でｎ型超格子を成長させるステップであり、超格子は複数のスタックされた層のペアを含み、各層のペアはＡｌＧａＩｎＰの第１層およびＡｌＧａＩｎＰの第２層を含み、第１層は第２層よりも小さいアルミニウム組成を有している、ステップと、ｐ型領域上に第１金属接点を形成するステップと、ｎ型超格子上で直接的に発光領域を成長させるステップと、発光領域上でｐ型領域を成長させるステップと、超格子の表面を露出させるために成長基板を除去するステップと、超格子の露出された表面上に直接的に第２金属接点を形成するステップ、を含んでいる。

図１は、従来技術のＡｌＧａＩｎＰ ＬＥＤデバイスを示している。 図２は、基板上で成長したＡｌＧａＩｎＰデバイス構造体の断面図である 図３は、接点を形成し、そして、成長基板を除去した後の図２に係るＡｌＧａＩｎＰデバイス構造体の断面図である。 図４は、図３のデバイスといった、薄膜ＡｌＩｎＧａＰデバイスの上面図である。

ＩＩＩ−ＰまたはＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰ合金系は、約５８０ｎｍ（琥珀色）から７７０ｎｍ（遠赤色）までの波長範囲においてピーク波長を有している光を発する発光ダイオード（ＬＥＤ）およびレーザを作成するために重要である。この波長範囲は、合金の成長の最中にアルミニウムガリウム比を調整することによって達成される。発光層におけるアルミニウム組成（ｘ）の増加は、より短い波長を提供する。ＬＥＤの一つの例は、吸収性ＧａＡｓ基板（absorbing GaAs substrate）上にエピタキシャル成長したｐ−ｉ−ｎ接合（junction）を有している。第１層は、ＧａＡｓ基板上でエピタキシャル成長した、ｎ型下部閉じ込め層（n-type lower confining layer、ＬＣＬ）である。所望の波長を提供するために適切なアルミニウムガリウム比を有するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰの活性ｉ層が、次いで、ｎ型ＬＣＬ上でエピタキシャル成長する。Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰのｐ型上部閉じ込め層（p-type upper confinement layer、ＵＣＬ）が、次いで、活性層上でエピタキシャル成長する。ｐ−ｉ−ｎ接合は、単一の発光層を有し、かつ、ダブルへテロ構造（double heterostructure）である。単一の発光層に対する代替として、ＩＩＩ−Ｐ ＬＥＤは、ｎ型領域とｐ型領域との間に挟まれた多重量子井戸（multiple quantum well）発光領域（活性領域としても参照されるもの）を有し得る。多重量子井戸発光領域は、バリア層によって分離された、複数の、量子井戸発光層を含んでいる。面発光ＬＥＤにおいては、フロント金属電極がＬＥＤの発光面上に形成され、かつ、バック金属電極が後部に形成されている。

所与の活性層デザインについて、効率的なＬＥＤ動作は、金属電極からＬＥＤチップの対応するｎ型層およびｐ型層への効率的な電流注入に依存している。理想的には、電流が、活性領域から放射される光をブロックまたは反射することなく、ＬＥＤの活性領域全体にわたりできる限り均一に分配されている。理想的な電流分布は、金属電極の下または近くに電流が密集するのを避けるために、ｎ型層およびｐ型層ができる限り低いシート抵抗を有することを必要とする。理想的な電流分布は、また、吸収および／または反射を回避するために、ｎ型層およびｐ型層が活性領域の放射波長よりも大きいバンドギャップ（bandgaps）を有することを必要とする。Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰにおけるアルミニウム組成を減少させることは、シート抵抗を減少させるが、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰのバンドギャップも、また、減少させ、活性層からの放射の吸収を増加し得る。この吸収は、短波長の発光ＬＥＤにおいて厳しく（severe）なる。

本発明のいくつかの実施形態において、ＡｌＧａIｎＰデバイスは、多重層の超格子半導体構造体（multiple-layered superlattice semiconductor）を含み、ＬＥＤのｎ型接点における電流集中を防止するように、シート抵抗を低減することができ、一方で、ＬＥＤの活性層によって放射された光の著しい吸収を防止するように、十分に高いバンドギャップを維持している。いくつかの実施形態においては、超格子が、活性領域のｎ型側面において形成され、かつ、ｎ型層を含み得る。

コンテクストに応じて、ここにおいて使用されるように、「ＡｌＧａIｎＰ」または「ＡｌＩｎＧａＰ」は、特には、アルミニウム、インジウム、ガリウム、およびリンの四元合金を参照し得るものであり、あるいは、一般に、アルミニウム、インジウム、ガリウム、およびリンの任意の二元、三元、または四元合金を参照し得る。「ＩＩＩ族窒化物（”III-nitride”）」は、任意のＩＩＩ族原子（アルミニウム、インジウム、およびガリウム、といったもの）と窒素との二元、三元、または四元合金を参照し得る。例えば、「ＡｌＧａIｎＰ」は、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｒIｎ_{（１−ｒ）}Ｐを含んでよく、ここで、０＜ｘ＜１、０＜ｒ＜１である。コンテクストに応じて、ここにおいて使用されるように、「接点（”contact”）」は、特には、金属電極を参照し得るものであり、または、一般的には、半導体コンタクト層、金属電極、および、半導体コンタクト層と金属電極との間に配置された任意の構造体の組み合わせを参照し得る。

図２は、いくつかの実施形態に従って、成長基板４８の上で成長した半導体デバイス構造体の断面図である。成長基板４８は、しばしば、ＧａＡｓであるが、任意の適切な成長基板が使用されてよい。

エッチ停止層（etch stop layer）（図示なし）は、基板４８上で成長し得る。エッチ停止層は、後で基板４８を除去するために使用されるエッチ（etch）を停止するために使用され得る任意の材料であってよい。エッチ停止層は、例えば、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ、またはＡｌＧａIｎＰであってよい。エッチ停止の材料は、成長基板（典型的にはＧａＡｓ）に対して格子整合（lattice-matched）することができるが、必ずしもそうである必要はない。成長基板に対して格子整合していないエッチング停止層は、緩和（relaxation）を回避するために十分に薄くてよく、かつ／あるいは、歪み補償（strain compensated）されてよい。エッチ停止層の厚さは、ＧａＡｓ基板を除去するために使用されるエッチング溶液の選択性に依存しており、エッチの選択性がより低いほど、エッチ停止層はより厚くなる。ＡｌＧａＡｓエッチ停止層は、例えば、２０００Å（オングストローム）と５０００Åとの間であってもよいが、以下に説明されるように、エッチ停止層がデバイスの発光面をテクスチャリングするために使用される場合には、より厚いエッチ停止層が使用され得る。Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓエッチ停止層の組成ｘは、例えば、０．５０と０．９５との間であってよい。

デバイス層、ｎ型領域とｐ型領域との間に挟まれた発光領域または活性領域において少なくとも１つの発光層を含むもの、は、エッチ停止層の上で成長する。

いくつかの実施形態において、ｎ型領域５０は多重層の超格子半導体構造体を含んでいる。超格子は、低いシート抵抗および調整可能なバンドギャップを提供し得る。いくつかの実施形態において、超格子は、より低いアルミニウム含有量（aluminum content）のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰと、より高いアルミニウム含有量のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰとの交替層のスタックを含んでいる（ここで、０＜ｘ＜１である）。超格子におけるより低いアルミニウム含有量の層は、より良好な電流拡散のためのより低いシート抵抗の経路を提供することができる。超格子は、超格子における層の厚さおよびアルミニウム含有量を適切に選択することによって、所望のバンドギャップを獲得するようにデザインされ得る。いくつかの実施形態において、超格子におけるより低いアルミニウム含有量の層は、より高いアルミニウム含有量の層によって囲まれて、量子井戸として作用することができ、それは量子バリア（quantum barriers）として作用し得る。十分に薄い量子バリアは、量子井戸のエネルギ状態を共鳴させ、そして、超格子のバンドギャップを規定する、電子および正孔のためのミニバンド（minibands）を生成させ得る。超格子のミニバンドは、より低いアルミニウム含有量の層とより高いアルミニウム含有量の層との間にあるバンドギャップを提供するように調整され得る。

ＬＥＤのピーク発光波長に応じて、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰ ＬＣＬのＡｌ組成は、いくつかの実施形態において少なくともｘ＝０．３（３０％Ａｌ）以下であり、そして、いくつかの実施形態においてはｘ＝０．６５（６５％Ａｌ）であってよい。３０％のＡｌを有するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰ ＬＣＬは、約２．０８ｅＶのバンドギャップおよび約５９６ｎｍの吸収端（absorption edge）を有している。他方で、６５％のＡｌを有するＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰ ＬＣＬは、約２．２３ｅＶのバンドギャップおよび約５５３ｎｍの吸収端を有している。いくつかの実施形態においては、６６０ｎｍより大きいピーク発光波長を有するＬＥＤについては、３０の％Ａｌ ＬＣＬが適していることがある。６６０ｎｍ未満のピーク発光波長を有するＬＥＤについては、いくつかの実施形態において約５９０ｎｍのピーク発光波長について最大６５％に達するまで、ＬＣＬにおけるＡｌ組成が増加され得る。所与の超格子構造体について、超格子における低いアルミニウム含有量のＡｌＧａＩｎＰ層および超格子中におけるより高いアルミニウム含有量のＡｌＧａＩｎＰ層のＡｌ濃度は、いくつかの実施形態において３０％から６５％までの範囲であってよい。所与のＬＥＤ色をターゲットとした超格子層のバンドギャップ（または吸収端）は、Ａｌ濃度だけでなく、個々の層の厚さにも依存している。一つの実施形態において、超格子は、厚さ１００ÅのＡｌ_０．３５Ｇａ_０．６５ＩｎＰ ＬＣＬ層と交替している厚さ１００ÅのＡｌ_０．４５Ｇａ_０．５５ＩｎＰ ＬＣＬ層を含んでおり、約２．１４の有効バンドギャップおよび約５７８ｎｍの吸収端を提供する。このバンドギャップおよび吸収端は、４０％のＡｌを有するバルク（すなわち、均一な組成の単一層の）ＡｌＩｎＧａＰ層に対して非常によく一致している。より高いバンドギャップ（または、より低い吸収端）を達成するためには、より低いＡｌ含有量層の厚さが低減され、かつ／あるいは、いずれか又は両方の層におけるＡｌ組成が増加されてよい。

超格子におけるより高い、および、より低いアルミニウム組成層は、いくつかの実施形態においては少なくとも１×１０^１７／ｃｍ^３、いくつかの実施形態においては１×１０^１９／ｃｍ^３未満、いくつかの実施形態においては少なくとも１×１０^１８／ｃｍ^３、そして、いくつかの実施形態では１．５×１０^１８／ｃｍ^３未満のドーパント濃度（dopant concentration）を有し得る。より高いアルミニウム組成層と、より低アルミニウム組成層とは別々にドープされてよい。いくつかの実施形態において、超格子層は、超格子を横切り変化しているドーピングプロファイルを伴う勾配（gradient）においてドープされよい。例えば、ｎ型ドーパント、Ｓｉ、およびＴｅを含む、任意の適切なドーパントが使用されてよい。ドーピング（doping）は、組成の変調（modulation）と合わせて調節することができる。例えば、より高いバンドギャップ層はより多くドープされてよく、そして、より低いバンドギャップ層はより少なくドープされてよい。代替的に、より高いバンドギャップ層がより少なくドープされてよく、そして、より低いバンドギャップ層がより多くドープされてよい。ｎ型領域５０は、不均一なドーピング濃度を含んでよい。１×１０^１８ｃｍ^−３でドープされた１つまたはそれ以上の厚い領域、および、例えば、１×１０^１９ｃｍ^−３まで、より多くドープされた１つまたはそれ以上の薄い領域、といったものである。これらの多くドープされた領域は、Ｔｅ、Ｓｉ、Ｓ、または他の適切なドーパントを用いてドープされてよい。そして、エピタキシャル成長によるか、ドーパント拡散によるか、または、その両方によるかいずれかで、高いドーピング濃度を達成することができる。

超格子における個々の層は、いくつかの実施形態において少なくとも５ｎｍ、いくつかの実施形態において１００ｎｍ未満の厚さ、および、いくつかの実施形態において２０ｎｍ未満の厚さであってよい。超格子全体の全厚さは、いくつかの実施形態において少なくとも１μｍの厚さ、いくつかの実施形態において８μｍ未満の厚さ、いくつかの実施形態において少なくとも２μｍの厚さ、および、いくつかの実施形態において５μｍ未満の厚さであってよい。超格子は、いくつかの実施形態においては少なくとも１００ペアのより低いおよびより高いＡｌ組成層、いくつかの実施形態においては１６００ペア未満、および、いくつかの実施形態においては４００ペア未満を含んでよい。

いくつかの実施形態において、ｎ型領域５０は、別個のＡｌＧａＩｎＰ ｎコンタクト層を含み、その上に金属ｎ接点が形成され得る。いくつかの実施形態においては、金属ｎ接点が超格子における第１または他の層ペアの上に形成されてよい。別個のｎコンタクト層は、超格子に対するよりむしろ、接点形成に対して最適化されたドーピング及び／又は組成を伴う層であってよい。

いくつかの実施形態において、超格子は全体として成長基板、しばしばＧａＡｓに対して格子整合している。いくつかの実施形態において、超格子層の個々の層は歪んでいることがある（すなわち、成長基板に対して格子整合していない）。いくつかの実施形態において、超格子層の個々の層は成長基板に対して格子整合され得る。

一つの例において、超格子は、量子井戸層として作用する、３５％のアルミニウムを有するＡｌＧａＩｎＰの薄層に対するバリア層として作用する、４５％のアルミニウムを有するＡｌＧａＩｎＰの薄層を含んでいる。３５％および４５％のアルミニウム層のうち正しい厚さを選択することによって、超格子の有効バンドギャップは、４０％のアルミニウムを有する均一組成のＡｌＧａＩｎＰに係る単一層のバンドギャップに調整することができる。

一つの例において、超格子は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰ、ここでｘ＞０、を含む第１層、および、Ａｌ_YＧａ_１−YＩｎＰ、ここでｙ＞０、を含む第２層を含んでいる。第１層は０．３≦ｘ≦０．４の組成を有してよく、そして、第２層は０．４≦ｙ≦０．５の組成を有してよい。一つの例において、超格子は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰ、ここでｘ＞０、を含む第１層、および、Ａｌ_YＧａ_１−YＩｎＰ、ここでｙ＞０、を含む第２層を含んでいる。第１層は０．２≦ｘ≦０．５の組成を有してよく、そして、第２層は０．３≦ｙ≦０．６５の組成を有してよい。

一つの例において、超格子は、厚さ１０ｎｍの（Ａｌ_０．３５Ｇａ_０．６５）_０．５１Iｎ_０．４９Ｐと、厚さ１０ｎｍの（Ａｌ_０．４５Ｇａ_０．５５）_０．５１Iｎ_０．４９Ｐ、との交替層を含んでいる。超格子は、ＧａＡｓ基板上で成長した、これらの層の２２５ペアを含んでいる。この超格子層は、２．１４まで（５７８ｎｍまでの吸収端）の有効バンドギャップを提供し、そして、いくつかの実施形態においては少なくとも６２０ｎｍ、および、いくつかの実施形態においては７００ｎｍ未満のピーク発光波長を有するＬＥＤにおいて使用され得る。

所与の超格子は、複数のピーク発光波長について使用することができる。発光波長の下限は、超格子によって設定される（超格子の吸収端によって決定される）。しかしながら、下限よりも長いピーク波長を有する任意の活性領域が、超格子を伴う使用のために適している。

以下の表は、超格子構造体のいくつかの例を示している。４つの超格子構造体が示されている。より低いＡｌ組成層およびより高いＡｌ組成層の厚さ、および、アルミニウム組成、並びに、有効バンドギャップが与えられている。「有効ＷＬカットオフ（”Effective WL cut-off”）」は、以下では超格子によって光が吸収される波長である。いくつかの実施形態において、活性領域は、カットオフ波長未満の光をほとんど又は全く放出しない。いくつかの実施形態において、活性領域は、カットオフ波長未満であり、そして、（例えば、層の導電率に対するその吸収端を最適化するために）超格子によって吸収され得る、いくらかの光を放射することができる。与えられた例は、単なる例示であり、そして、限定的であること意味するものではない。

発光または活性領域５２は、ｎ型領域５０の上で成長する。適切な発光領域の例は、単一の発光層、および、複数の厚い又は薄い発光井戸（light emitting well）がバリア層によって分離されている、多重井戸発光領域を含む。一つの例において、赤色光を放射するように構成されたデバイスの発光領域５２は、（Ａｌ_{０．６５．}Ｇａ_０．３５）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐバリアによって分離された（Ａｌ_０．０６Ｇａ_０．９４）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ発光層を含んでいる。発光層およびバリアは、それぞれ、例えば、２０Åと２００Åとの間の厚さを有し得る。発光領域の全体厚さは、例えば、５００Åと３μｍとの間であり得る。

ｐ型領域５４は、発光領域５２の上で成長する。ｐ型領域５４は、発光領域５２においてキャリア（carriers）を閉じ込めるように構成されている。一つの例において、ｐ型領域５４は、（Ａｌ_０．６５Ｇａ_０．３５）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐであり、かつ、電子を閉じ込めるための高いＡｌ組成の薄い層を含んでいる。ｐ型領域５４の厚さは、ミクロンのオーダーであってよく、例えば、０．５μｍと３μｍとの間である。発光領域の発光層がｐ型領域５４を通じてｐ接点（p-contact）に近接していることも、また、デバイスの熱インピーダンスを低減させ得る。

いくつかの実施形態において、ｐ型コンタクト層（図示なし）は、ｐ型領域５４上で成長し得る。ｐ型コンタクト層は、高ドープ（highly doped）であり、かつ、発光領域５２によって放射される光に対して透明であってよい。例えば、ｐ型コンタクト層は、いくつかの実施形態において少なくとも５×１０^１８ｃｍ^−３、および、いくつかの実施形態において少なくとも１×１０^１９ｃｍ^−３の正孔濃度（hole concentration）までドープされてよい。この場合に、ｐ型コンタクト層は、１００Åと１０００Åとの間の厚さを有し得る。ｐ型コンタクト層が高ドープされていない場合、次いで、例えば５×１０^１８ｃｍ^−３までの正孔濃度を用いて、厚さは１２μｍ程度まで増加させ得る。いくつかの実施形態において、ｐ型コンタクト層は高ドープのＧａＰである。例えば、有機金属化学気相成長法（metal organic chemical vapor deposition）によって成長させたＧａＰコンタクト層は、少なくとも８×１０^１８ｃｍ^−３正孔濃度まで活性化された、ＭｇまたはＺｎを用いてドープされてよい。ＧａＰ層は、低い成長温度および低い成長速度で成長し得る。例えば、約８５０℃である典型的なＧａＰ成長温度よりも概ね５０℃から２００℃低い成長温度であり、および、約５μｍ／時である典型的なＧａＰ成長速度の概ね１％から１０％の成長速度である。分子線エピタキシ（molecular beam epitaxy）によって成長させたＧａＰコンタクトは、少なくとも１×１０^１９ｃｍ^−３の濃度までＣを用いてドープされ得る。いくつかの実施形態においては、成長の最中にドーパントを組み込むことの代替として、ｐ型コンタクト層を成長させてよい。次いで、例えば、当技術分野において知られているように、拡散炉（diffusion furnace）内または成長反応器（growth reactor）内に高圧ドーパント源（high pressure dopant source）を提供することによって、ドーパントが、成長後に、蒸気源からｐ型コンタクト層へと拡散され得る。

図３は、デバイスの中へ形成された図２の半導体構造体を示している。成長後に、ｐ接点６０が（存在する場合には、ｐコンタクト層上に、もしくは、ｐ型領域５４上に）ｐ型領域５４と電気的に接触して形成される。いくつかの実施形態において、ｐ接点６０は、半導体の中へ拡散しているＺｎを伴う、ＡｕＺｎといった、金属ミラー（metal mirror）である。いくつかの実施形態において、ｐ接点６０は、半導体層上で間隔を介して置かれた多数の小さいコンタクトを含み、小さいコンタクトの上には誘電体層が形成され、そうして、半導体表面の大部分が誘電体でカバーされ、全内部反射（total internal reflection）の原理に基づいて放射光の大半についてミラーとして機能する。誘電体は、ＡｇまたはＡｕといった、優れたミラーであるが、半導体との良好なオーム接触を成さない、金属を用いてカバーされてよい。そうした構造体は、しばしば、複合またはハイブリッドミラーとして参照され、そして、当技術分野において知られている。いくつかの実施形態においては、上記の単一の誘電体層の代わりに、分布ブラッグ反射器（distributed Bragg reflector）が使用される。ｐ接点６０は、他の材料を含み得る。例えば、ＴｉＷのような保護材料（guard material）または任意の他の適切な材料を含むものである。保護層は、反射金属層を所定の位置に封止し、そして、環境および他の層に対するバリアとして機能し得る。

接着層（bonding layer）６６が、ｐ接点６０の上、及び／又は、以下に説明されるマウント６８の上に形成されてよい。接着層は、例えば、ＡｕまたはＴｉＡｕであってよく、そして、例えば、蒸着によって形成されてよい。さらなるプロセスを促進するために、デバイスは、サポートに対して一時的に取り付けられてよく、または、接着層６６を介して、マウント６８に対して永久的に接合されてよい。マウントは、半導体層の熱膨張係数（coefficient of thermal expansion、ＣＴＥ）に対して合理的に密接に一致するＣＴＥを有するように選択され得る。マウントは、例えば、ＧａＡｓ、Ｓｉ、モリブデンといった金属、または、任意の他の適切な材料であってよい。デバイスとマウントとの間には、例えば、熱圧着（thermocompression bonding）または他の適切な技術によって、結合が形成されている。

成長基板４８は、成長基板材料に適した技術によって除去される。例えば、ＧａＡｓ成長基板は、デバイス層の以前に成長基板上で成長したエッチ停止層の上で終了する、ウェットエッチによって除去され得る。半導体構造体は、任意的に薄くされてよい。成長基板を除去することは、超格子の表面といった、ｎ型領域５０の表面を露出させ得る。

成長基板を除去することによって露出されたｎ型領域５０表面は、光抽出（light extraction）を改善するために、例えば光電気化学エッチング（photoelectrochemical etching）によって粗面化されてよく、もしくは、フォトニック結晶または他の光散乱構造を形成するために、例えば、ナノインプリントリソグラフィによってパターニング（patterning）されてよい。他の実施形態において、光抽出機能（light-extracting feature）は、構造体の中に埋め込まれている。光抽出機能は、例えば、デバイスの上面に対して平行（すなわち、半導体層の成長方向に対して垂直な方向）における屈折率の変化であってよい。いくつかの実施形態においては、ｐ接点６０を形成する以前に、ｐ型領域またはｐ型コンタクト層の表面が粗面化またはパターニングされてよい。いくつかの実施形態においては、半導体構造体の成長の以前または最中に、低屈折率材料の層が、成長基板上または半導体層上にデポジットされ、かつ、低屈折率材料における開口部または低屈折率材料のポストを形成するようにパターニングされる。半導体材料は、次いで、パターニングされた低屈折率層上で成長され、半導体構造体の中に配置される屈折率の変動を形成する。

例えば、Ａｕ／Ｇｅ／Ａｕまたは任意の他の適切な１つまたは複数の接点金属（contact metal）といった、ｎ接点金属３４が超格子の上面３２上にデポジットされてよく、次いで、ｎ接点を形成するためにパターニングされてよい。例えば、フォトレジスト層がデポジットされ、かつ、パターニングされて、次いで、接点金属を用いてカバーされ、次いで、フォトレジストが除去されてよい。代替的に、接点金属が、ブランケットコーティング（blanket coating）され、次いで、フォトレジストを介してパターンが形成され、そして、いくらかの金属がエッチングされてよい。

図４は、デバイスの上面図であり、ｎ接点金属の配置の一つの例を示している。上述のように、ｎ接点３４は、例えば、金、ＡｕＧｅ、または任意の他の適切な金属であってよい。ｎ接点３４は、正方形を形成するアーム３５および正方形の角から延びる延長部３６を有し得るが、必ずしも必要ではない。ｎ接点は、任意の適切な形状を有し得る。ｎ接点アーム３５および延長部３６は、いくつかの実施形態において１から１００ミクロンの幅、いくつかの実施形態において１から３０ミクロンの幅、および、いくつかの実施形態において２０から５０ミクロンの幅であってよい。ｎ接点アーム３５および延長部３６は、一般に、光のブロックまたは吸収を最小限に抑えるためにできる限り狭く保たれるが、過度の電気的接触抵抗が生じないように十分に広い。接触抵抗は、転写長（transfer length）Ｌｔよりも小さい幅に対して増大し、下部にある半導体ｎ型層の金属対半導体抵抗（metal-to-semiconductor resistance）およびシート抵抗に依存している。ｎ接点セグメントの幅は、接点アームが両側から電流を注入するので、２倍Ｌｔであってよく、または、特定の材料パラメータに応じて、上記のデバイスについては１から３０ミクロンであってよい。

いくつかの実施形態において、ｎ接点３４は、高反射性（Ｒ＞０．８）に作成される。いくつかの実施形態においては、電流拡散層が、電流拡散を改善するために、ｎ型領域５０とｎ接点３４との間に配置されており、そして、潜在的にｎ接点の表面を最小化し、従って、光学損失を低減している。電流拡散層の材料は、低い光学損失および良好な電気的接触のために選択されている。電流拡散層のための適切な材料は、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide）、酸化亜鉛（Zinc Oxide）、または他の透明導電性酸化物を含む。

ｎ接点３４は、接合パッド３８に接続している。接合パッド３８は、ワイヤボンド、ワイヤブリッジ、または他の適切な外部電流源への電気接点を収容するために十分な大きさである。図４のデバイスにおいて、接合パッド３８は、デバイスの角に配置されているが、接合パッド３８は、例えば、デバイスの中央を含む、任意の適切な位置に配置されてよい。

ｎ接点３４を形成した後で、例えば、ｎ接点３４及び／又はｐ接点６０をアニールするために、構造体が加熱されてよい。

デバイスのウェハは、次いで、試験され、そして、個々のデバイスへとレーザで個片化（laser-singulated）され得る。個々のデバイスはパッケージ内に配置されてよく、そして、ワイヤボンドといった電気接点がデバイスの接合３８上に形成されてよく、ｎ接点をリード（lead）といったパッケージの一部に対して接続する。

動作時には、電流が、マウントを介して接点６０によってｐ型領域において注入される。電流は、デバイスの上面で、接合パッド３８によってｎ型領域において注入される。

図３および図４に示されるデバイスは、薄膜デバイスであり、最終的なデバイスから成長基板が除去されることを意味している。上記の薄膜デバイスにおいて、トップ接点（top contact）と、デバイスをマウントに接続する接着層の上面との間の全体厚さは、いくつかの実施形態において２０ミクロン以下であり、そして、いくつかの実施形態において１５ミクロン以下である。

本発明を詳細に説明してきたが、当業者であれば、本開示を考慮して、ここにおいて説明された発明概念の精神から逸脱することなく、本発明に対して変更が成され得ることを正しく理解するであろう。従って、本発明の範囲が、図示され、かつ、説明された特定の実施形態に限定されることは、意図されていない。

Claims (15)

1. デバイスであって、
   ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたＩＩＩ−Ｐ発光層を有する半導体構造体であり、該ｎ型領域は超格子を含んでいる、半導体構造体と、
   前記ＩＩＩ−Ｐ発光層とは反対側の前記超格子の表面上で、かつ、該表面と接触している金属ｎ接点と、を含み、
   前記超格子は、複数の層のペアを含み、各層のペアは、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＩｎＰの第１層、ここで０＜ｘ＜１、および、Ａｌ_YＧａ_１−YＩｎＰの第２層、ここで０＜ｙ＜１、を含んでおり、前記第１層は、前記第２層よりも小さいアルミニウム組成を有している、
   デバイス。
2. 前記デバイスは、さらに、
   前記ｐ型領域に配置された接点、を含む、
   請求項１に記載のデバイス。
3. ０．３≦ｘ≦０．４、かつ、０．４≦ｙ≦０．５、
   である、請求項１に記載のデバイス。
4. ０．２≦ｘ≦０．５、かつ、０．３≦ｙ≦０．６５、
   である、請求項１に記載のデバイス。
5. 前記第１層および前記第２層は、ｎ型ドーパントを用いてドープされる、
   請求項１に記載のデバイス。
6. 前記第１層および前記第２層のうち少なくとも１つは、前記半導体構造体がその上で成長する成長基板に関して歪んでいる、
   請求項１に記載のデバイス。
7. 前記超格子は、前記半導体構造体がその上で成長する成長基板に対して格子整合している、
   請求項１に記載のデバイス。
8. 方法であって、
   成長基板上でｎ型超格子を成長させるステップであり、
   該超格子は、複数の層のペアを含み、
   各層のペアは、Ａｌ _ｘ Ｇａ _１−ｘ ＩｎＰの第１層、および、Ａｌ _Y Ｇａ _１−Y ＩｎＰの第２層を含み、ここで、０＜ｘ＜１、かつ、０＜ｙ＜１であり、
   前記第１層は、前記第２層よりも小さいアルミニウム組成を有している、
   ステップと、
   ｐ型領域上に第１金属接点を形成するステップと、
   前記ｎ型超格子上で直接的に発光領域を成長させるステップと、
   前記発光領域上でｐ型領域を成長させるステップと、
   前記超格子の表面を露出させるために前記成長基板を除去するステップと、
   前記超格子の前記露出された表面上に直接的に第２金属接点を形成するステップと、
   を含む、方法。
9. ０．２≦ｘ≦０．５、かつ、０．３≦ｙ≦０．６５、
   である、請求項８に記載の方法。
10. 前記方法は、さらに、
    前記超格子を前記成長基板に対して格子整合させるステップ、
    を含む、請求項８に記載の方法。
11. 前記方法は、さらに、
    前記成長基板に関して歪んでいる、前記第１層および前記第２層のうち少なくとも１つを成長させるステップ、
    を含む、請求項８に記載の方法。
12. 前記方法は、さらに、
    前記超格子の前記露出された表面を粗面化またはパターニングするステップ、
    を含む、請求項８に記載の方法。
13. 前記超格子の前記露出された表面上に直接的に第２金属接点を形成するステップは、
    前記超格子の前記表面上に直接的に金属層を形成するステップと、
    形状作られた金属接点を形成するために前記金属層をパターニングするステップであり、前記形状は、平面図において１ミクロン以上、かつ、３０ミクロン未満の幅を有している、ステップと、
    を含む、請求項８に記載の方法。
14. 前記超格子の層は、前記超格子を横切り変化しているドーピングプロファイルを用いてドープされている、
    請求項１に記載のデバイス。
15. 前記第１層は、前記第２層よりも高ドープされている、
    請求項１に記載のデバイス。

Images