JP2006032837A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】サイリスタ特性を示さない半導体発光素子を得る。
【解決手段】GaP基板100上に第1の接着層101を介して接着される第1のトラップ緩和層102と、第1のトラップ緩和層102上に積層形成された第1のクラッド層103と、第1のクラッド層103上に積層形成された発光層104と、発光層104上に積層形成された第2のクラッド層105と、第2のクラッド層105上に積層形成された第2のトラップ緩和層106と、第2のトラップ緩和層106に第2の接着層107を介して接着され、発光層104の表面側に設けられるGaP窓層108と、電極109,110とを備えている。
【選択図】図1
【解決手段】GaP基板100上に第1の接着層101を介して接着される第1のトラップ緩和層102と、第1のトラップ緩和層102上に積層形成された第1のクラッド層103と、第1のクラッド層103上に積層形成された発光層104と、発光層104上に積層形成された第2のクラッド層105と、第2のクラッド層105上に積層形成された第2のトラップ緩和層106と、第2のトラップ緩和層106に第2の接着層107を介して接着され、発光層104の表面側に設けられるGaP窓層108と、電極109,110とを備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光素子に関し、特にGaP基板を用いる半導体発光素子に関するものである。
近年、InGaAlP系LED等の高輝度半導体発光素子は、従来の汎用LED等と比べて10倍以上の明るさを持っていることから、携帯電話や車載用の照光用光源としてその需要が急拡大している。可視光領域に対し透明な材料を基板に使用することが行われ、一般的な透明材料としてはGaP基板がある。
従来、GaP基板を用いた半導体発光素子としては、透明なn型GaP基板に接着形成したn型InAlPクラッド層と、このクラッド層上に形成した多重量子井戸(MQW:Multi‐Quantum−Well)活性層と、ここで、多重量子井戸は、光と電子の相互作用を増大するためのもので、複数層の量子井戸と量子井戸を分離する障壁層からなり、動作電流の低減や温度特性の向上が図られる。このMQW活性層の上に形成したp型InAlPクラッド層と、このクラッド層上に形成したp型GaP窓層から成り、n型GaP基板にn型電極、p型GaP窓層にp型電極をそれぞれ形成し、電圧を印加することでMQW活性層が発光し透明材料となるGaP基板及び窓層から光を取り出すものが知られている(例えば、非特許文献1参照。)。そこでは、InGaAlP系材料で最大の発光効率73.7lm/W(@615nm)を実現している。
GaP基板を用いた構造では、GaP/InAlPヘテロ接合においてp電極から注入された正孔がトラップされる現象が発生し、サイリスタ特性を示す問題があった。
Applied Physics Letters Vol74,No.15,p.p.-2230-2232
Applied Physics Letters Vol74,No.15,p.p.-2230-2232
本発明の目的は、サイリスタ特性を改善する半導体発光素子を提供することにある。
本願発明の一態様によれば、GaP基板と、この基板上に第1の接着層を介して接着される第1のトラップ緩和層と、この第1のトラップ緩和層上に形成された第1のクラッド層と、この第1のクラッド層上に形成された発光層と、この発光層上に形成された第2のクラッド層と、この第2のクラッド層上に形成された第2のトラップ緩和層と、この第2のトラップ緩和層に第2の接着層を介して接着され、前記発光層の表面側に設けられるGaP窓層と、電極とを備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。
また、本願発明の別の一態様によれば、第1の接着層はn型InxGa1-xP (0≦x≦1)系半導体材料からなり、第1のトラップ緩和層はn型InGaAlP系半導体材料からなり、第1のクラッド層はn型InAlP系半導体材料からなり、発光層はp型InGaAlP系半導体材料からなり、第2のクラッド層はp型InAlP系半導体材料からなり、第2のトラップ緩和層はp型InGaAlP系半導体材料からなり、第2の接着層はp型Iny Ga1-yP (0≦y≦1)系半導体材料からなることを特徴とする半導体発光素子が提供される。
本発明によれば、サイリスタ特性を改善した半導体発光素子が提供される。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1に示すものは、本実施形態にかかるInGaAlP系化合物半導体発光素子の略示断面図で、成長用基板等の発光素子作製過程で除去されるものは、図示されていない。同図に示す半導体発光素子は、GaP基板100と、この基板100上に第1の接着層101を介して接着される第1のトラップ緩和層102と、この第1のトラップ緩和層102上に積層形成された第1のクラッド層103と、この第1のクラッド層103上に積層形成された発光層104と、この発光層104上に積層形成された第2のクラッド層105と、この第2のクラッド層105上に積層形成された第2のトラップ緩和層106と、この第2のトラップ緩和層106に第2の接着層107を介して接着され、前記発光層104の表面側に設けられるGaP窓層108と、電極109,110とを備えている。
ここで、第1の接着層101は、例えばn型InxGa1-xP (0≦x≦1)系半導体材料から成っている。また、第1のトラップ緩和層102は、例えばn型InGaAlP系半導体材料から成っている。第1のクラッド層103は、例えばn型InAlP系半導体材料から成っている。さらに、発光層104は、例えばp型InGaAlP系半導体材料から成っている。この発光層104は、GaとAlの組成の異なる多数の膜から形成することができる。
第2のクラッド層105は、例えばp型InAlP系半導体材料から成っている。また、第2のトラップ緩和層106は、例えばp型InGaAlP系半導体材料から成っている。ここで、第1のトラップ緩和層102と第2のトラップ緩和層106は、例えばIn組成比とAl組成比を略直線的に変化させ、格子定数を徐々に変化させ積層形成したものでもよい。第2の接着層107は、例えばp型InyGa1-yP (0≦y≦1) 系半導体材料からなる。
n型のGaP基板100にはAuGeからなるn型電極109が形成され、p型のGaP窓層108にはAuZnからなるp型電極110が形成され、各々の電極に電圧を印加することで、発光層104で発光が実現できる。
n型InxGa1-xP (0≦x≦1) 系半導体材料からなる第1の接着層101とp型InyGa1-yP (0≦y≦1) 系半導体材料からなる第2の接着層107は、n型GaP基板100及びp型GaP窓層108との接着及び成長において接着剤として機能するものである。これは、InxGa1-xP (0≦x≦1) 層の蒸発温度が低いことによる。
さらにInxGa1-xP (0≦x≦1) 系半導体材料からなる接着層101,InyGa1-yP (0≦y≦1) 系半導体材料からなる接着層107とInAlP系半導体材料からなるクラッド層103,105との密着性が改善され、従来、GaP基板とAlGaP系半導体材料との接着時に形成された酸化膜が形成されることなく接着される。
このように、本実施形態の半導体発光素子はGaP層とInAlP層の間にInxGa1-xP (0≦x≦1) 接着層とInAlGaPトラップ緩和層を設けることで、ヘテロ界面でのキャリアトラップが低減され、サイリスタ特性がなく、動作電圧の低い発光素子を実現できる。
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
GaP基板上にn-GaPエピ層と高濃度Si層が形成されている。次いで、高濃度Si層及びn-InGaP層からなる第1接着層が形成されている。さらに、n-InGaAlPからなるトラップ層、n-InAlPからなる第1クラッド層、p−InGaAlPからなる発光層、p-InAlPからなる第2クラッド層、p−InGaAlPからなる第2トラップ層、p−InGaP層と高濃度Zn層からなる第2接着層およびp−GaPからなる窓層が次々に形成されている。
かかる実施形態にあっては、n-GaPエピ層上の高濃度Si層とn-InGaP層上に形成された高濃度Si層は、接着時の接着界面で形成される空乏領域を低減する効果を有している為、サイリスタ特性の改善ならびに動作電圧の低減が実現できる。同様にp−InGaP層上の高濃度Zn層もp-GaP窓層との界面に形成される空乏領域の低減を図り、特性の改善に効果が有る。
上記した高濃度Si層ならびに高濃度Zn層は、InGaP層を成長後、例えばn型ドーパントガスならびにp型ドーパントガスとV族ガスを数分流すことにより形成できる。
次に、上述した半導体発光素子の製造方法について概略を説明する。
成長用基板として結晶欠陥の少ない安定な結晶基板であるn-GaAs基板を用意し、有機金属気相成長法(MOCVD)により、例えば、成長温度750℃で積層構造を成長させていく。n -GaAs基板上に、例えばSiをドーピングしたSi−GaAsバッファ層をエピタキシャル成長し、堆積させる。
次に、上記Si−GaAsバッファ層上に、例えばi−InGaPストップ層やi−GaAsカバー層を、順次エピタキシャル成長し、堆積させる。ストップ層は、エッチング工程におけるエッチング停止層の働きをさせるもので、カバー層は、エッチング工程における保護層の働きをさせるものである。
尚、後述する熱処理中に、クラッド層(後述する)が露出しないようにするため、さらに、i−InGaPストップ層II、i−GaAsストップ層III順次エピタキシャル成長し、堆積させてもよい。これは、InGaAlP系材料を高温で加熱すると蒸気圧が高いP(リン)が蒸発し、いわゆるリン抜けを起こす可能性があるため、これを防止するのが目的である。
このように、発光層やクラッド層などの発光に直接関与するエピタキシャル成長層は、熱処理中に露出させないことが望ましい。
続いて、Si−InGaAlPによるトラップ緩和層102、Si−InAlPによるクラッド層103をエピタキシャル成長し、堆積させる。
続いて、上記クラッド層103の上に、例えばInGaAlPからなる障壁層とInGaAlPからなる井戸層を交互に積層した多重量子井戸(MQW:Multi‐Quantum−Well)発光層104を成長させる。障壁層の厚さは、例えば膜厚50Åとし、井戸層の厚さは、例えば80Åとし、これらを80組積層すると好適である。多重量子井戸は、光と電子の相互作用を増大するためのもので、複数層の量子井戸と量子井戸を分離する障壁層からなり、動作電流の低減や温度特性の向上が図られる。
尚、発光層104の組成は、発光波長に応じて決定される。すなわち、InGaAlP中のGaとAlとのバランスを変えることにより、赤色、橙色、黄色、黄緑色、緑色の光が得られる。
次いで、発光層104の上に、例えばZn−InAlPからなるクラッド層105をエピタキシャル成長させる。このように、クラッド層103、105と発光層104とによってダブルヘテロ構造を構成させている。発光層104の屈折率はクラッド層103、105の屈折率に比べて高くなっているので、発光した光は発光層104内に閉じ込められることになる。
次いで、クラッド層106の上に、Zn−InGaAlPトラップ緩和層106をエピタキシャル成長させる。
上記のようにエピタキシャル成長を重ねた積層体を、そのままPH3雰囲気中に保持し、上述した成長温度に+30℃加算して成長温度を780℃まで昇温させる。次いで、トラップ緩和層106の表面を極薄く、例えば10Åエッチングし、エピ基板Iが作製される。
一方、Zn−GaP基板に成長温度750℃にて、Zn−GaP層を成長させる。この基板をエピ基板IIとする。
その後、直接接着の前処理として、エピ基板IIを界面活性剤で洗浄し、希弗酸に浸漬して表面の自然酸化膜を除去し、水洗をした後にスピナで乾燥させる。また、エピ基板Iはトラップ緩和層106をエピ基板IIと同様にして酸化膜除去のため希弗酸処理を行い、水洗とスピナ乾燥を行う。これらの前処理は、すべてクリーンルーム内の清浄な雰囲気下で行う必要がある。
次に、前処理を終えたエピ基板Iをエピタキシャル成長層が上方になるように載置し、その上にエピ基板IIを、鏡面が下向きになるように載置し、例えば200℃以上雰囲気下で密着させ、これを、接着基板IIIとする。エピ基板IIは透明であるため密着状態を目視にて観察できる。
次いで、接着基板IIIから、成長用基板であるGaAs基板と、Si−GaAsバッファ層、及びi−InGaPストップ層Iをウエットエッチングで除去する。例えば、GaAs基板100とSi−GaAsバッファ層の除去は、被接着体をアンモニアと過酸化水素水と水の混合液に浸漬し、選択的にエッチング処理でき、i−InGaPストップ層Iの除去は、塩酸と過酸化水素水と水の混合液でエッチング処理できる。
直接接着の最終工程として、エッチング処理後の接着基板IIIを石英ボートに立てて並べ、拡散炉内に入れてエピタキシャル成長温度より低い例えば600℃の温度で熱処理を行う。処理時間は1時間で、水素を10%含むアルゴン雰囲気下が好適である。
接着の最終工程後、i-GaAsカバー層、i−InGaPストップ層II及びi-GaAsストップ層IIIをエッチング処理で除去する。
続いて、フォトリソグラフィ−技術により、n側電極109としてAuGeを、p側電極110として、AuZnを形成する。
その後、フォトリソグラフィ−技術及びリフトオフ技術により光取り出しを考慮した電極パタ−ンをp電極、n側電極にそれぞれ形成する。
本発明は上記した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で、種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものであることはいうまでもない。
100:n型GaP基板、 101:n型InxGa1-xP (0≦x≦1) 接着層、 102:n型InAlGaPトラップ緩和層、 103:n型InAlPクラッド層、 104:p型InAlGaP発光層、 105:p型InAlPクラッド層、 106:p型InGaAlPトラップ緩和層、 107:p型InyGa1-yP (0≦y≦1) 接着層、 108:p型GaP窓層、 109:n型電極、 110:p型電極。
Claims (5)
- GaP基板と、この基板上に第1の接着層を介して接着される第1のトラップ緩和層と、この第1のトラップ緩和層上に形成された第1のクラッド層と、この第1のクラッド層上に形成された発光層と、この発光層上に形成された第2のクラッド層と、この第2のクラッド層上に形成された第2のトラップ緩和層と、この第2のトラップ緩和層に第2の接着層を介して接着され、前記発光層の表面側に設けられるGaP窓層と、電極とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。
- 前記第1の接着層はn型Inx Ga1-xP (0≦x≦1) 系半導体材料からなり、前記第1のトラップ緩和層はn型InGaAlP系半導体材料からなり、前記第1のクラッド層はn型InAlP系半導体材料からなり、前記発光層はp型InGaAlP系半導体材料からなり、前記第2のクラッド層はp型InAlP系半導体材料からなり、前記第2のトラップ緩和層はp型InGaAlP系半導体材料からなり、前記第2の接着層はp型InyGa1-yP (0≦y≦1) 系半導体材料からなることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記p型InGaAlP系半導体材料からなる発光層が、GaとAlの組成の異なる多数の膜から形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。
- 前記GaP基板側に形成される電極は、n型AuGe系半導体材料からなり、前記GaP窓層側に形成される電極は、p型AuZn系半導体材料からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記第1のトラップ緩和層と前記第2のトラップ緩和層は、In組成比とAl組成比を略直線的に変化させ、格子定数を徐々に変化させ積層形成されていることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20110030595A (ko) * | 2008-06-16 | 2011-03-23 | 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 | 그레이드 영역을 포함하는 반도체 발광 장치 |
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