JP2005277218A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 発光層部を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層を均一かつ高強度に貼り合わされた発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１００は、発光層部２４を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層４０の第二主表面に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層９０の第一主表面が、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層１１を介して貼り合わされた貼り合わせ構造部を有してなる。
【選択図】 図１

Description

この発明は発光素子及びその製造方法に関する。

特開２００１−６８７３１号公報 特開２００２−２０３９８７号公報

（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ混晶（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１；以下、ＡｌＧａＩｎＰ混晶、あるいは単にＡｌＧａＩｎＰとも記載する）により発光層部が形成された発光素子は、薄いＡｌＧａＩｎＰ活性層を、それよりもバンドギャップの大きいｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とによりサンドイッチ状に挟んだダブルへテロ構造を採用することにより、高輝度の素子を実現できる。

ＡｌＧａＩｎＰ発光素子の場合、発光層部の成長基板としてＧａＡｓ基板が使用されるが、ＧａＡｓはＡｌＧａＩｎＰ発光層部の発光波長域において光吸収が大きい。そこで、特許文献１及び特許文献２には、一旦ＧａＡｓ基板を剥離し、ＧａＰ基板を新たに貼り合わせる方法が開示されている。特許文献１においては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の導電性酸化物層を介してＧａＰ基板を発光層部に貼り合わせている。また、特許文献２においては、発光層部の貼り合わせ面側にＩｎＧａＰからなる中間層を成長し、その中間層をＧａＰ基板に貼り合わせるようにしている。

しかし、導電性酸化物層を接着層として用いる特許文献１の構造では、接着力や接着の均一性に難がある。また、特許文献２の方法では、接着に使用する発光層部側のＩｎＧａＰ層とＧａＰ基板との格子定数差が大きく、結晶不一致に起因した貼り合わせムラ等が生じやすい問題がある。いずれも、素子チップにダイシングしたとき、貼り合わせムラに起因した素子の直列抵抗ひいては順方向電圧のばらつきを生じやすい欠点がある。

本発明の課題は、発光層部を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層を均一かつ高強度に貼り合わされた発光素子及びその製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段及び作用・効果

上記の課題を解決するために、本発明の発光素子は、
発光層部を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層の第二主表面に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層の第一主表面が、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層を介して貼り合わされた貼り合わせ構造部を有してなることを特徴とする。

また、本発明の発光素子の製造方法は、発光層部を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層の第二主表面と、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層の第一主表面とを、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層を介して貼り合わせることを特徴とする。

Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする金属は融点が低く、しかもＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体との親和性が非常に高いので、該金属を用いた貼り合わせ金属層を用いれば、発光層部を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層を均一かつ高強度に貼り合わることができ、貼り合わせ温度も低くて済むので、貼り合わせ工程の簡略化を図ることができる。この場合、第一被貼り合わせ層の第二主表面にＩｎ又はＧａのいずれかを主成分とする第一貼り合わせ金属層を形成し、第二被貼り合わせ層の第一主表面にＩｎ又はＧａのいずれかを主成分とする第二貼り合わせ金属層を形成し、それら第一貼り合わせ金属層と第二貼り合わせ金属層とを貼り合わせるようにすれば、低温での貼り合わせをより確実に行なうことができ、貼り合わせの強度や均一性をより高めることができる。

Ｉｎ又はＧａを主成分とする金属としては、具体的には、ＩｎあるいはＧａの単体金属を用いることができるが、融点調整用にＡｌを配合することもできるし、Ｉｎを主成分として定め、Ｇａを副成分として添加したＩｎＧａ合金を使用することもできる。なお、本発明において、主成分とは５０質量％以上を占める成分のことをいう。

第二被貼り合わせ層は、具体的には、発光層部からの発光光束に対し透光性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる透明導電性半導体基板にて構成することができる。発光層部を有する第一被貼り合わせ層に透明導電性半導体基板を、上記貼り合わせ金属層を用いて均一かつ高強度に貼り合わせることができ、かつ、透明導電性半導体基板はその側面も光取出面として利用できるので、発光素子の光取出し効率を高めることができる。なお、貼り合わせ金属層は、発光光束からの光取出しの妨げにならないよう、発光光束の波長よりは少なくとも薄く形成する必要があり、望ましくはその厚さを１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲で設定するのがよい。貼り合わせ金属層の厚さが１ｎｍ未満では貼り合わせの強度や均一性を確保することが困難となり、２０ｎｍを超えると光吸収を生じやすくなって発光素子の光取出し効率の低下につながる。

第一被貼り合わせ層は、全体をＧａＡｓと格子整合するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体にて構成でき、発光層部は、組成式（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）にて表される化合物のうち、ＧａＡｓ基板と格子整合する組成を有する化合物にて各々構成されたｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層がこの順序で積層されたダブルへテロ構造を有するものとして構成できる。この場合、透明導電性半導体基板はＧａＰ基板又はＧａＡｓＰ基板にて構成できる。

本発明において、「ＧａＡｓと格子整合する化合物半導体」とは、応力による格子変位を生じていないバルク結晶状態にて見込まれる、当該の化合物半導体の格子定数をａ１、同じくＧａＡｓの格子定数をａ０として、｛｜ａ１−ａ０｜／ａ０｝×１００（％）にて表される格子不整合率が、１％以内に収まっている化合物半導体のことをいう。また、「組成式（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）にて表される化合物のうち、ＧａＡｓと格子整合する化合物」のことを、「ＧａＡｓと格子整合するＡｌＧａＩｎＰ」などと記載する。また、活性層は、ＡｌＧａＩｎＰの単一層として構成してもよいし、互いに組成の異なるＡｌＧａＩｎＰからなる障壁層と井戸層とを交互に積層した量子井戸層として構成してもよい（量子井戸層全体を、一層の活性層とみなす）。

第二被貼り合わせ層たる透明導電性半導体基板は、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層部の上記ＧａＡｓ基板が除去された側の主表面に貼り合わせてもよいし、これと反対側の主表面に貼り合わせてもよい。光吸収性のＧａＡｓ基板が発光層部から除去され、他方、透明導電性半導体基板が発光層部に貼り合わされるので、素子の光取出し効率が大幅に高められ、また、透明導電性半導体基板が薄い発光層部を補強するので、製造時のハンドリング等も容易となる。また、透明導電性半導体基板は側面の面積も大きく、素子側面からの取出光束も増大できる利点がある。この効果は、透明導電性半導体基板の厚さが１０μｍ以上（望ましくは４０μｍ以上：上限値に制限はないが、例えば２００μｍ以下である）に確保されているときに特に顕著である。

透明導電性半導体基板は、例えばＧａＰ基板の場合、ＧａＡｓひいてはこれと格子整合する発光層部よりも数パーセント格子定数が小さい。このような透明導電性半導体基板を発光層部に直接貼り合わせようとすると（あるいは、特許文献２のように、発光層部に対し、これに格子整合するＩｎＧａＰなどの中間層を形成し、該中間層に貼り合わせる場合も同じ）、結晶不一致に起因した貼り合わせムラ等が生じやすく貼り合わせ強度も低くなりがちであり、素子の直列抵抗ひいては順方向電圧のばらつきを生じたり、素子チップにダイシングする際に発光層部から透明導電性半導体基板が剥がれたりする不具合を生じやすい。しかし、本発明では、第二被貼り合わせ層である透明導電性半導体基板を、発光層部を含む第一被貼り合わせ層に、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする柔らかい貼り合わせ金属層を介して貼り合わせるので、貼り合わされる層同士の格子定数不一致を吸収する吸収層として機能でき、貼り合わせムラを効果的に抑制することができる。

また、発光層部の貼り合わせ面側はｐ型もしくはｎ型のいずれかのクラッド層となるが、クラッド層は活性層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＡｌＧａＩｎＰで構成され、活性層へのキャリア閉じ込め効果を高めるためのバンド端不連続を形成する。そして、該クラッド層のバンドギャップエネルギーの拡張はＡｌの添加により実現されるので、クラッド層は相当量のＡｌを必ず含有したものとなる。Ａｌを含有したクラッド層は表面が酸化されやすいため、ＧａＰ基板を直接貼り合わせようとした場合は、Ａｌ酸化被膜による貼り合わせ強度の低下や貼り合わせムラが著しくなる。しかし、Ｉｎ又はＧａを主成分とする貼り合わせ金属層を介して貼り合わせを行なうことで、Ａｌ酸化被膜が形成されてもその影響を軽減でき、強固で均一な貼り合わせ状態を得ることができる。特に、発光層部側の貼り合わせ面が、該発光層部をエピタキシャル成長するための成長用基板（ＧａＡｓ基板）をエッチングにより除去した除去面とされている場合、該除去面にはエッチャントとの反応等によりＡｌ酸化被膜がより厚く形成される傾向にあるが、Ｉｎ又はＧａを主成分とする貼り合わせ金属層を介した貼り合わせにより、このような基板除去面に対しても透明導電性半導体基板を強固で均一に貼り合わせることができる。この効果は、貼り合わせ金属層がＩｎを主成分として形成される場合に特に著しい。

次に、本発明の発光素子は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層に第一発光層部が形成され、第二被貼り合わせ層はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により第一発光層部と発光波長の異なる第二発光層部を有するものとして形成することもできる。該構成によると、第一発光層部と第二発光層部との発光を混合して取り出すことができ、多彩な発光色を自由に作ることができるようになる。また、ＡｌＧａＩｎＰダブルへテロ構造の発光層部（活性層のバンドギャップエネルギーにより、赤色、橙色、黄色、黄緑あるいは緑色の発光が可能）と、ＩｎＡｌＧａＮダブルへテロ構造の発光層部（活性層のバンドギャップエネルギーにより、青緑色、青色あるいは紫色の発光が可能）など、同一基板上へのエピタキシャル成長が不可能な２種ないしそれ以上の発光層部も、貼り合わせにより単一の発光素子として容易に一体化できる利点がある。

なお、上記の構成では、１つの発光素子内に、第一発光層部を有する第一被貼り合わせ層と、第二発光層部を有する第二被貼り合わせ層との貼り合わせ構造が含まれていればよいのであって、さらに第三の発光層部を有する第三被貼り合わせ層が第二被貼り合わせ層に貼り合わされていてもよいし、発光層部を含む被貼り合わせ層がさらに多く貼り合わされたものとなっていてもよい。すなわち、各々発光波長の異なる発光層部を有したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる被貼り合わせ層が３以上、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層を介して互いに貼り合わされている構造となっていてもよいのである。これにより、発光色の混合の自由度が一層増し、より多彩な発光色の実現が可能となる。特に、赤色系の第一発光層部を有する赤色系被貼り合わせ層と、緑色系の第二発光層部を有する緑色系被貼り合わせ層と、青色系の第三の発光層部を有する青色系被貼り合わせ層とが貼り合わせ金属層を介して互いに貼り合わせた構造にすると、白色発光も容易に実現できる。

各々発光層部を有した上記のごとき被貼り合わせ層の貼り合わせ積層体の両主表面には、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層を介して、各発光層部からの発光光束に対し透光性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる透明導電性半導体基板をそれぞれ貼り合わせることができる。これにより、貼り合わせ積層体の積層方向、すなわち主表面からの光を、透明導電性半導体基板を介してより効率的に外部に取り出すことができる。ただし、該積層方向への発光光束は、複数介在する貼り合わせ金属層により多かれ少なかれ遮られるので、層側面からの光取出しを有効活用するほうが、素子全体としての光取出し効率と複数種類の発光光束の混合効果をより高めることができる。具体的には、貼り合わせ積層体と透明導電性半導体基板との貼り合わせ体の側面から、各発光層部からの発光光束を混合して取り出すようにすることが、該効果を高める上で有利である。

次に、本発明の発光素子においては、第二被貼り合わせ層を半導体又は金属からなる素子基板とし、第一被貼り合わせ層の第二主表面に反射面を形成する主金属層を形成し、該主金属層の第二主表面と素子基板の第一主表面とを貼り合わせ金属層にて貼り合わせることができる。この構成によると、主金属層による反射により、素子の光取出し効率を大幅に高めることができる。また、化合物半導体層と素子基板とを融点の低いＩｎ又はＧａを主成分とする貼り合わせ金属層を介して貼り合わせるため、貼り合わせ温度の低温化を図ることができ、ひいては素子基板あるいは貼り合わせ金属層から主金属層への成分拡散が生じにくく、反射面の品質を良好に保つことができる。本明細書において「主金属層」とは、第一被貼り合わせ層と貼り合わせ金属層との間に位置する金属層であって、反射面を形成するととともに、第一被貼り合わせ層と第一バリア層とを結合する役割を担う金属層のことをいう。従って、第一被貼り合わせ層の第二主表面に形成される後述の接合金属層は主金属層には属さないものとする。

第一被貼り合わせ層（化合物半導体層）の第二主表面には、該第一被貼り合わせ層と主金属層との接触抵抗を低減するための接合合金化層を形成することができ、該接合合金化層を覆うように主金属層を形成することができる。この場合、前述の第一貼り合わせ金属層と第二貼り合わせ金属層との貼り合わせ工程を、接合合金化層を形成するための合金化熱処理温度よりも低温にて行なうようにすれば、接合合金化層の成分が、主金属層が作る反射面内に拡散することが抑制され、反射率の低下を防止することができる。

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層（化合物半導体層）の場合、接合合金化層は、例えばＡｕ、ＡｇあるいはＡｌを主成分（５０質量％以上）とし、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｂｅ及びＺｎの１種又は２種以上を含有した金属を用いて形成することができる。ＡｕＧｅ、ＡｕＧｅＮｉ、ＡｕＳｎ、ＡｕＳｂはｎ型半導体層との接触抵抗低減効果に優れ、ＡｕＺｎ及びＡｕＢｅはｐ型半導体層との接触抵抗低減効果に優れる。具体的には、このような金属を第一被貼り合わせ層の第二主表面に蒸着等により形成し、３００℃以上４５０℃以下の温度で合金化熱処理を施す。合金化熱処理温度が３００℃未満では化合物半導体層と接合金属層との合金化が十分に進まず、接触抵抗増大につながる。他方、４５０℃より高温では合金化の効果は飽和し、むしろ、発光層部への合金成分拡散や発光層部内のドーパント濃度プロファイルの拡散劣化などを防止する観点からは、温度を不必要に高く設定することは得策でないので、合金化熱処理の温度の上限は４５０℃に設定するのがよい。

上記構成の効果は、主金属層がＡｕを主成分とするＡｕ系層とされてなり、素子基板がＳｉ基板である場合に特に効果が大きい。すなわち、Ｓｉ基板はドーピングにより発光素子基板として十分な導電性を容易に確保することができ、しかも安価である。しかし、ＳｉとＡｕとは比較的低温で共晶反応を起しやすく（Ａｕ−Ｓｉ二元系の共晶温度は３６３℃であるが、それ以外の合金成分が介在するとさらに共晶温度が低下することもありえる）、貼り合わせ熱処理時における基板側のＳｉのＡｕ系層側への拡散も進みやすい。その結果、主金属層中のＡｕ系層は素子基板をなすＳｉと共晶反応して主金属層の反射面が乱れ、反射率の低下を極めて招きやすい。しかしながら、Ａｕ系層とＳｉ基板との間にＩｎ又はＧａを主成分とする金属からなる貼り合わせ金属層が介在していれば、該貼り合わせ金属層が拡散のバリア層として機能するのでＡｕ系層へのＳｉの拡散が抑制され、主金属層の反射面の反射率低下を効果的に防止することができる。

以下、本発明の実施の形態を添付の図面を参照して説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の一実施形態である発光素子１００を示す概念図である。発光素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と、該発光層部２４の第二主表面側に貼り合わされた透明導電性半導体基板としてのＧａＰ基板（単結晶）９０と、発光層部２４の第一主表面側に形成され、発光層部２４からの発光光束のピーク波長に相当する光量子エネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる電流拡散層９１とを有する。

発光層部２４は、組成式（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）にて表される化合物のうち、ＧａＡｓと格子整合する組成を有する化合物にて各々構成されたｎ型クラッド層４、活性層５及びｐ型クラッド層６がこの順序で積層されたダブルへテロ構造を有する。具体的には、ノンドープ（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦０．５５，０．４５≦ｙ≦０．５５）混晶からなる活性層５を、ｐ型（Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただしｘ＜ｚ≦１）からなるｐ型クラッド層６とｎ型（Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただしｘ＜ｚ≦１）からなるｎ型クラッド層４とにより挟んだ構造を有する。図１の発光素子１００では、第一主表面側（図面上側）にｐ型クラッド層６が配置されており、第二主表面側（図面下側）にｎ型クラッド層４が配置されている。なお、ここでいう「ノンドープ」とは、「ドーパントの積極添加を行なわない」との意味であり、通常の製造工程上、不可避的に混入するドーパント成分の含有（例えば１×１０^１３〜１×１０^１６／ｃｍ^３程度を上限とする）をも排除するものではない。この発光層部２４はＭＯＶＰＥ法により成長されたものである。

ｎ型クラッド層４及びｐクラッド層６の厚さは、例えばそれぞれ０．８μｍ以上４μｍ以下（望ましくは０．８μｍ以上２μｍ以下）であり、活性層５の厚さは例えば０．４μｍ以上２μｍ以下（望ましくは０．４μｍ以上１μｍ以下）である。発光層部２４全体の厚さは、例えば２μｍ以上１０μｍ以下（望ましくは２μｍ以上５μｍ以下）である。さらに、電流拡散層９１の厚さは１０μｍ以上１００μｍ以下（望ましくは４０μｍ以上１００μｍ以下）である。

電流拡散層９１はＨＶＰＥ法により発光層部２４の第一主表面にエピタキシャル成長されたＧａＰ（ＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓでもよい）層であり、そのＣ及びＨ濃度は、ＭＯＶＰＥ法による発光層部２４（通常、１５×１０^１７／ｃｍ^３程度）よりも小さい。電流拡散層９１と発光層部２４との間には、ＧａＰ（ＧａＡｓＰ又はＡｌＧａＡｓでもよい）層からなる接続層５７が、発光層部２４に続く形でＭＯＶＰＥ法により形成されてなる。なお、電流拡散層９１がＧａＰ層ないしＧａＡｓＰ層として形成される場合、接続層５７は、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層部２４と電流拡散層９１との間で、格子定数差（ひいては混晶比）を漸次変化させるＡｌＧａＩｎＰ層としてもよい。

ＧａＰ基板９０は、薄い発光層部２４の支持基板の役割を果たすとともに、発光層部２４からの発光光束の取出層としても機能し、１０μｍ以上２００μｍ以下（望ましくは４０μｍ以上１００μｍ以下）の厚膜に形成されることで、層側面からの取出光束を増加させ、発光素子全体の輝度（積分球輝度）を高める役割を担う。また、発光層部２４からの発光光束のピーク波長に相当する光量子エネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有することで、該ＧａＰ基板９０での光吸収も抑制されている。本実施形態において、ＧａＰ基板９０はｎ型である。

発光層部２４、接続層５７及び電流拡散層９１は、発光層部を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層４０を構成する。また、透明導電性半導体基板であるＧａＰ基板９０は第二被貼り合わせ層を構成する。第一被貼り合わせ層４０の第二主表面とＧａＰ基板９０の第一主表面とは、Ｉｎ又はＧａを主成分とする金属、本実施形態ではＩｎからなる貼り合わせ金属層１１を介して貼り合わされている。貼り合わせ金属層１１は１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚さを有する。

電流拡散層９１は、発光層部２４の第一主表面側において主光取出面を形成する層として機能する。電流拡散層９１は、有効キャリア濃度（つまり、ｐ型ドーパント濃度）がクラッド層６よりも高く調整されていることが望ましく、厚さは、例えば０．５μｍ以上２００μｍ以下（望ましくは１μｍ以上１００μｍ以下）である。電流拡散層９１の第一主表面は、その一部領域を覆う形で光取出側電極９が形成され、その周囲に主光取出面ＥＡが形成されている。光取出側電極９はＡｕ薄膜により形成され、電極ワイヤ９ｗの一端が接合されている。また、電流拡散層９１と光取出側電極９との間には、両者の接触抵抗を減ずるための接合合金化層９ａが形成されている。接合合金化層９ａは、Ａｕ又はＡｇを主成分として（５０質量％以上）、これに、コンタクト先となる半導体の種別及び導電型に応じ、オーミックコンタクトを取るための合金成分を適量配合したコンタクト用金属を半導体表面上に膜形成した後、合金化熱処理（いわゆるシンター処理）を施すことにより形成されたものである。ｐ型層とのコンタクトを取るために、ここでは接合合金化層９ａを、ＡｕＢｅ合金を用いて形成している。

ＧａＰ基板９０の第二主表面側は、金属ステージ５２上にＡｇペースト等からなる金属ペースト層１７を介して接着され、該金属ペースト層１７が反射部を形成している。また、ＧａＰ基板９０の第二主表面には、光取出側電極９側と同様に接合合金化層２１が分散形成され、該接合合金化層２１が金属ペースト層１７より覆われている。これにより、発光層部２４は、金属ペースト層１７を介して金属ステージ５２に電気的に接続される。一方、光取出側電極９は、導体金具５１にＡｕワイヤ等で構成された通電用ワイヤ９ｗを介して電気的に接続される。発光層部２４には、金属ステージ５２及び導体金具５１に一体化された図示しない駆動端子部を介して発光駆動電圧が印加される。

本実施形態において接合合金化層２１は、ｎ型層とのコンタクトを取るためにＡｕＧｅＮｉ合金（例えばＧｅ：１５質量％、Ｎｉ：１０質量％、残部Ａｕ）を用いて形成されている。接合合金化層２１は反射率が比較的低いため、該領域での反射光束を増加させる効果と、接合合金化層２１との接触抵抗を低減する効果とのバランスを考慮し、ＧａＰ基板９０の第二主表面の全面積に対する接合合金化層２１の形成面積の比率を１％以上２５％以下に調整することが望ましい。なお、接合合金化層２１をＡｕ層、Ａｇ層あるいはＡｌ層などの高反射率の金属反射層３２で覆い、該金属反射層３２を、金属ペースト層１７を介して金属ステージ５２に接着してもよい。

以下、図１の発光素子１００の製造方法について説明する。
まず、図２の工程１に示すように、成長用基板としてＧａＡｓ単結晶基板１を用意し、その基板１の第一主表面に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２を例えば０．５μｍエピタキシャル成長し、さらにＡｌＩｎＰなどからなるエッチストップ層３をエピタキシャル成長する。次いで、発光層部２４として、ｎ型クラッド層４、活性層５、ｐ型クラッド層６及び接続層５７をエピタキシャル成長する。

上記各層のエピタキシャル成長は、公知のＭＯＶＰＥ法により行なわれる。Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ（インジウム）、Ｐ（リン）の各成分源となる原料ガスとしては以下のようなものを使用できる；
・Ａｌ源ガス；トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）など；
・Ｇａ源ガス；トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）など；
・Ｉｎ源ガス；トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリエチルインジウム（ＴＥＩｎ）など。
・Ｐ源ガス：トリメチルリン（ＴＭＰ）、トリエチルリン（ＴＥＰ）、ホスフィン（ＰＨ_３）など。

また、ドーパントガスとしては、以下のようなものを使用できる；
（ｐ型ドーパント）
・Ｍｇ源：ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ_２Ｍｇ）など。
・Ｚｎ源：ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）など。
（ｎ型ドーパント）
・Ｓｉ源：モノシランなどのシリコン水素化物など。

次に、工程２に進み、ＧａＰからなる電流拡散層９１を、発光層部２４（接続層５７）の第一主表面にＨＶＰＥ法により成長させる。ＨＶＰＥ法は、具体的には、容器内にてＩＩＩ族元素である金属Ｇａを所定の温度に加熱保持しながら、その金属Ｇａ上に塩化水素を導入することにより、下記（１）式の反応によりＧａＣｌを生成させ、キャリアガスであるＨ₂ガスとともに基板上に供給する。
Ｇａ（液体）＋ＨＣｌ（気体） → ＧａＣｌ（気体）＋１／２Ｈ_２‥‥（１）
成長温度は例えば６４０℃以上８６０℃以下に設定する。また、Ｖ族元素であるＰは、ＰＨ_３をキャリアガスであるＨ₂とともに基板上に供給する。さらに、ｐ型ドーパントであるＺｎは、ＤＭＺｎ（ジメチルＺｎ）の形で供給する。
ＧａＣｌ（気体）＋ＰＨ_３（気体）
→ＧａＰ（固体）＋ＨＣｌ（気体）＋Ｈ₂（気体）‥‥（２）

電流拡散層９１の成長が終了したら、図３の工程３に進み、ＧａＡｓ単結晶基板１をバッファ層２とともに、アンモニア／過酸化水素混合液などのエッチング液を用いて化学エッチングすることにより除去し、その後、エッチストップ層３を塩酸などのエッチング液を用いて除去することにより、発光層部２４（ｎ型クラッド層４）の第二主表面が露出した第一被貼り合わせ層４０をなすウェーハを得る。このウェーハの第二主表面に、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする金属からなる第一貼り合わせ金属層１１ａを厚さ１ｎｍ以上２０ｎｍ以下にて形成する。一方、別途用意したＧａＰ基板９０の第一主表面に同様の金属からなる第二貼り合わせ金属層１１ｂを厚さ１ｎｍ以上２０ｎｍ以下にて形成する（工程４）。本実施形態では両貼り合わせ金属層１１ａ，１１ｂをＩｎ金属の蒸着により形成している。

そして、図４の工程５に示すように、第一被貼り合わせ層４０に形成された第一貼り合わせ金属層１１ａを、ＧａＰ基板９０側に形成された第二貼り合わせ金属層１１ｂに重ね合わせて圧迫し、３００℃以上５００℃以下（本実施形態では４５０℃としている）にて貼り合わせ熱処理する。これにより、第一貼り合わせ金属層１１ａと第二貼り合わせ金属層１１ｂとが十分な強度にて貼り合わされ、一体の貼り合わせ金属層１１（図１）となる。また、本実施形態では、貼り合わせ金属層１１がＩｎを主体とする金属で構成されていることで、ＧａＡｓ単結晶基板１を除去した際に、発光層部２４側の貼り合わせ面（ｎ型クラッド層４の第二主表面）にＡｌ酸化物被膜が形成されていても、貼り合わせ金属層１１との間に強固で均一な貼り合わせ状態を形成できる。

以上の工程が終了すれば、スパッタリングや真空蒸着法により、電流拡散層９１の第一主表面及びＧａＰ基板９０の第二主表面に、接合合金化層形成用の金属層をそれぞれ形成し、さらに合金化の熱処理（いわゆるシンター処理）を行なうことにより、接合合金化層９ａ，２１とする。そして、接合合金化層９ａをそれぞれ覆うように光取出面側電極９を形成し、その後、個々の素子チップにダイシングにより分離する。接合用半導体層９２を上記のように形成して貼り合わせ処理を行なうことで、個々の素子チップの直列抵抗ひいては順方向電圧の上昇やばらつきが生じにくく、また、貼り合わせ強度も高いのでダイシングのＧａＰ基板９０が剥がれたりする不具合も生じにくく、高歩留まりにて発光素子を製造できる。

なお、以上説明した実施形態では、図２の工程２に示すごとく、発光層部２４の第一主表面側に電流拡散層９１を、ＨＶＰＥ法によりエピタキシャル成長する形で形成していたが、第二主表面側と同様の貼り合わせ金属層によりｐ型ＧａＰ基板を貼り合わせてもよい。

（実施の形態２）
図５の発光素子３００は、第二被貼り合わせ層が素子基板としてのＳｉ基板７であり、図１の発光素子１００と同様の発光層部２４を有したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層５０の第二主表面上に、主金属層としてのＡｕ系金属層１０が形成され、該Ａｕ系金属層１０の第二主表面とＳｉ基板７の第一主表面とが、Ｉｎ又はＧａを主成分とする貼り合わせ金属層１１を介して貼り合わされている。

発光層部２４の第一主表面上には、ＡｌＧａＡｓ（ＡｌＩｎＰあるいはＧａＩｎＰでもよい）からなる電流拡散層２０が形成され、発光層部２４とともに化合物半導体層５０を構成している。電流拡散層２０の第一主表面の中央には、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための光取出面側電極９（例えばＡｕ電極）が形成されている。該光取出面側電極９と電流拡散層２０との間には、光取出側接合合金化層としてのＡｕＢｅ接合合金化層９ａ（例えばＢｅ：２質量％）が配置されている。そして、電流拡散層２０の第一主表面における光取出面側電極９の周囲の領域が、発光層部２４からの光取出領域ＰＦを形成している。なお、光取出面側電極９の全体をＡｕＢｅ合金にて構成することも可能である。また、本実施形態では、ｐ型クラッド層６が光取出面側に位置する積層形態としているが、ｎ型クラッド層４が光取出面側に位置する積層形態としてもよい（この場合、電流拡散層２０はｎ型にする必要があり、また、接合合金化層９ａはＡｕＧｅＮｉ等で構成する）。

ｎ型クラッド層４及びｐクラッド層６の厚さは、例えばそれぞれ０．８μｍ以上４μｍ
以下（望ましくは０．８μｍ以上２μｍ以下）であり、活性層５の厚さは例えば０．４μｍ以上２μｍ以下（望ましくは０．４μｍ以上１μｍ以下）である。発光層部２４全体の厚さは、例えば２μｍ以上１０μｍ以下（望ましくは２μｍ以上５μｍ以下）である。さらに、電流拡散層２０の厚さは、例えば５μｍ以上２８μｍ以下（望ましくは８μｍ以上１５μｍ以下）である。従って、化合物半導体層５０の厚さは、例えば７μｍ以上３０μｍ以下（望ましくは５μｍ以上１５μｍ以下）である。他方、Ｓｉ基板７の裏面には、その全体を覆うように裏面電極（例えばＡｕ電極である）１５が形成されている。該裏面電極１５とＳｉ基板７との間には基板側接合合金化層として、ＡｕＳｂ接合合金化層１６が介挿されている。なお、ＡｕＳｂ接合合金化層１６に代えてＡｕＳｎ接合合金化層を基板側接合合金化層として用いてもよい。

Ｓｉ基板７は、Ｓｉ単結晶インゴットをスライス・研磨して製造されたものであり、その厚みは例えば１００μｍ以上５００μｍ以下である。そして、発光層部２４の第二主表面には、反射面を形成する主金属層としてのＡｕ系金属層１０が配置されている。Ａｕ系金属層１０は純ＡｕもしくはＡｕ含有率が９５質量％以上のＡｕ合金よりなる。発光層部２４とＡｕ系金属層１０との間には、貼り合わせ側接合合金化層としてＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１（例えばＧｅ：１５質量％、Ｎｉ：１０質量％）が形成されており、素子の直列抵抗低減に貢献している。ＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１は、第一貼り合わせ金属層１２ａの第一主表面上に分散形成されている。また、Ｓｉ基板７と貼り合わせ金属層１１との間には、基板側接合合金化層としてＡｕＳｂ接合合金化層３２（例えばＳｂ：５質量％）が介挿されている。なお、ＡｕＳｂ接合合金化層３２に代えてＡｕＳｎ接合合金化層を用いてもよい。

金属層をなすＡｕ系金属層１０は反射層も兼ねており、発光層部２４からの光は、光取出面側に直接放射される光に、Ａｕ系金属層１０による反射光が重畳される形で取り出される。Ａｕ系金属層１０の厚さは、反射効果を十分に確保するため、８０ｎｍ以上とすることが望ましい。また、厚さの上限には制限は特にないが、反射効果が飽和するため、コストとの兼ね合いにより適当に定める（例えば１μｍ以下）。なお、Ａｕ系金属層１０に代え、純ＡｇもしくはＡｇ含有率が９５質量％以上のＡｇ合金からなるＡｇ系金属層を用いてもよい。この場合、貼り合わせ側接合合金化層は、ＡｇＧｅＮｉなどのＡｇ系材料にて構成することもできる。

以下、上記発光素子１００の製造方法の具体例について説明する。
まず、図６の工程１に示すように、成長用基板をなすＧａＡｓ単結晶基板１の主表面に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２を例えば０．５μｍ、ＡｌＩｎＰなどからなるエッチストップ層３を例えば０．５μｍ、この順序にてエピタキシャル成長させる。その後、発光層部２４として、ｎ型クラッド層４（厚さ：例えば１μｍ）、ＡｌＧａＩｎＰ活性層（ノンドープ）５（厚さ：例えば０．６μｍ）、及びｐ型クラッド層６（厚さ：例えば１μｍ）を、この順序にエピタキシャル成長させる。発光層部２４の全厚は２．６μｍである。また、さらにｐ型ＡｌＧａＡｓよりなる電流拡散層２０を例えば５μｍエピタキシャル成長させる。これら各層のエピタキシャル成長は、前述のＭＯＶＰＥ法により行なうことができる。これによって、ＧａＡｓ単結晶基板１上に発光層部２４及び電流拡散層２０からなる化合物半導体層５０’が形成される。該化合物半導体層５０’の厚さは７．６μｍであり、ＧａＡｓ単結晶基板１を除去した場合、これを単独で無傷にハンドリングすることは事実上不可能である。なお、化合物半導体層５０’の第一主表面には、この段階でＡｕＢｅ接合金属層９ａ’（光取出面側接合合金化層）とこれを覆う光取出面側電極９をパターニング形成する。このあと引き続き光取出側合金化熱処理を行ってＡｕＢｅ接合金属層９ａ’を接合合金化層９ａとしてもよいが、本実施形態では該光取出側合金化熱処理を、後述の第一貼り合わせ金属層１２ａ側のＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１を形成する際の、貼り合わせ側合金化熱処理に兼用させている。

次に、工程２に示すように、化合物半導体層５０’の第一主表面に高分子材料結合層１１１を、光取出面側電極９を覆う形態で塗付形成し、工程３に示すように、高分子材料結合層１１１を加熱軟化させた状態で、別途用意した仮支持基板１１０を重ね合わせて密着させ、その後冷却して該高分子材料結合層１１１を硬化させることにより、化合物半導体層５０’と仮支持基板１１０とを高分子材料結合層１１１を介して貼り合わせた仮支持貼り合わせ体１２０を作成する（工程３）。この時点では、化合物半導体層５０’の第二主表面側には、成長用基板であるＧａＡｓ単結晶基板１が付随した状態となっている。

仮支持基板１１０の材質は、後述の合金化熱処理時においても剛性を保ち、かつ、ガス発生等が少ない材料で構成する。具体的には、Ｓｉ基板やセラミック板（例えばアルミナ板）、あるいは金属板等で構成することができる。その厚さは、例えば１００μｍ以上５００μｍ以下であるが、もっと厚くてもよい。他方、高分子材料結合層１１１としては、ホットメルト型接着剤やワックス類を用いることができる。

次に、図７の工程４に示すように、仮支持貼り合わせ体１２０に付随している成長用基板としてのＧａＡｓ単結晶基板１を除去する。該除去は実施の形態１と同様のエッチングにて行なうことができる。

このようにして、ＧａＡｓ単結晶基板１が除去されることで、前述の化合物半導体層５０’は第一被貼り合わせ層５０となり、高分子材料結合層１１１を介して仮支持基板１１０と貼り合わされ、仮支持貼り合わせ体１２０を形成する。従って、第一被貼り合わせ層５０がごく薄いにもかかわらず、ＧａＡｓ単結晶基板１のエッチング除去時に泡等の衝撃で破壊される不具合を生じにくく、かつ、ＧａＡｓ単結晶基板１の除去後も仮支持貼り合わせ体１２０の形で補強されているために、以降の工程に供する際のハンドリングを容易に行なうことが可能となる。

次に、工程５に示すように、上記仮支持貼り合わせ体１２０の状態で、ＧａＡｓ単結晶基板１の除去により露出した第一被貼り合わせ層５０の第二主表面にＡｕＧｅＮｉ接合金属層を分散形成し、さらに該ＡｕＧｅＮｉ接合金属層をＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１とするための貼り合わせ側合金化熱処理を行なう。このとき、光取出面側電極９に対するＡｕＢｅ接合金属層９ａ’の合金化も同時に行なうことができる（つまり、光取出側合金化熱処理にも兼用されている）。

ＡｕＧｅＮｉ接合金属層の成膜は、真空雰囲気にてスパッタリングあるいは真空蒸着等により行なわれる。また、合金化熱処理は、３００℃以上４５０℃以下の温度の不活性ガス雰囲気下で実施され、具体的には、大気圧と同程度のＮ_２等の不活性ガス雰囲気下で行なうことができる。なお、合金化熱処理中に高分子材料結合層１１１は軟化する。そこで、合金化熱処理中においては滑り防止のため、仮支持貼り合わせ体１２０を、第一被貼り合わせ層５０側を上側、仮支持基板１１０側を下側となるように（つまり、図４の工程５とは上下反対の状態）水平配置し、さらに、セラミック基板やＳｉ基板などの荷重付与体を載置することが望ましい。

次に、工程６に進み、仮支持貼り合わせ体１２０の状態で、第一被貼り合わせ層５０の第二主表面にＡｕ系金属層１０を蒸着により形成する。一方、Ｓｉ基板７を別途用意し、その両主表面にＡｕＳｂ接合金属層を形成して、さらに２５０℃以上３６０℃以下の温度域で合金化熱処理を行なうことにより、それぞれＡｕＳｂ接合合金化層３２，１６とする。そして、Ａｕ系金属層１０の第二主表面にＩｎ又はＧａのいずれかを主成分とする金属からなる第一貼り合わせ金属層１１ａを形成する。また、Ｓｉ基板７（ＡｕＳｂ接合合金化層３２）の第一主表面には同様の金属からなる第二貼り合わせ金属層１１ｂを形成する。本実施形態では両貼り合わせ金属層１１ａ，１１ｂをＩｎ金属の蒸着により形成している。

そして、図８の工程７に示すように、第一被貼り合わせ層５０側に形成された第一貼り合わせ金属層１１ａを、Ｓｉ基板７側に形成された第二貼り合わせ金属層１１ｂに重ね合わせて圧迫し、１５０℃以上４５０℃以下（但し、前述の合金化熱処理よりも低温とする：本実施形態では２００℃としている）にて貼り合わせ熱処理する。これにより、第一貼り合わせ金属層１１ａと第二貼り合わせ金属層１１ｂとが十分な強度にて貼り合わされ、一体の貼り合わせ金属層１１となる。また、化合物半導体層５０とＳｉ基板７とは、Ａｕ系金属層１０を介して貼り合わされ、貼り合わせ結合体１３０となる。

なお、第一貼り合わせ金属層１１ａと第二貼り合わせ金属層１１ｂとは、貼り合わせ強度が確保できる範囲でなるべく薄く形成することが望ましく、具体的にはそれぞれ０．０１μｍ以上１０μｍ以下（本実施形態では０．１μｍ）とするのがよい。

第一貼り合わせ金属層１１ａと第二貼り合わせ金属層１１ｂとを貼り合わせる段階においては、既に光取出側及び貼り合わせ側の各合金化熱処理が既に終わっており、貼り合わせ熱処理がそれよりも低温で実施されることにより、接合合金化層からの合金成分がＡｕ系金属層１０からなる反射面の面内に拡散することが効果的に抑制され、ひいてはより反射率の高い反射面を得ることができる。また、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする金属からなる貼り合わせ金属層１１は、Ｓｉ基板からＡｕ系金属層１０へのＳｉ成分の拡散による沸き上がりを防止するので、同様に反射率向上に寄与する。さらに、非特許文献１に開示されているように、従来は貼り合わせ熱処理を低温化するために、Ｓｉ基板側と化合物半導体層側との双方にＡｕ系層を形成し、それらＡｕ系層同士を貼り合わせるようにしていたが、高価なＡｕ系層を２層も形成しなければならず、コストアップを招いていた。しかし、本発明では主金属層をＡｕ系層で構成する場合においても、該Ａｕ系層は貼り合わせには関与しないから１層のみの形成でよく、経済的である。

貼り合わせ熱処理が完了したら仮支持基板分離工程を行なう。仮支持基板分離工程は、図８の工程８に示すように、高分子材料結合層１１１を加熱・軟化させ、仮支持基板１１０を分離・除去する。なお、この分離は、工程７の貼り合わせ熱処理の際に同時に行なうことも可能である。その後、工程９に示すように、化合物半導体層５０の第一主表面上に残存している高分子材料結合層１１１を、トルエンやメチルエチルケトン（ＭＥＫ）等の有機溶剤を用いて溶解・除去する。

以上においては、理解を容易にする便宜上、貼り合わせ結合体１３０を作る工程を素子単体の積層形態にて図示しつつ説明していたが、実際は、複数の素子チップがマトリックス状に配列した形で一括形成された貼り合わせウェーハが作成される。そして、この貼り合わせウェーハを通常の方法によりダイシングして素子チップとし、これを支持体に固着してリード線のワイヤボンディング等を行った後、樹脂封止をすることにより最終的な発光素子が得られる。

本発明の発光素子の第一例を積層構造にて示す模式図。 図１の発光素子の製造工程を示す説明図。 図２に続く説明図。 図３に続く説明図。 本発明の発光素子の第二例を積層構造にて示す模式図。 図５の発光素子の製造工程を示す説明図。 図６に続く説明図。 図７に続く説明図。

符号の説明

１ ＧａＡｓ単結晶基板
４ ｎ型クラッド層（第二導電型クラッド層）
５ 活性層
６ ｐ型クラッド層（第一導電型クラッド層）
９ 光取出面側電極
１１ 貼り合わせ金属層
２４，２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ 発光層部
２４Ｌ 貼り合わせ積層体
４０，５０ 第一被貼り合わせ層
９０，９０Ｐ，９０Ｎ ＧａＰ基板（透明導電性半導体基板、第二被貼り合わせ層）
１００，２００，３００ 発光素子

Claims (12)

1. 発光層部を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層の第二主表面に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層の第一主表面が、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層を介して貼り合わされた貼り合わせ構造部を有してなることを特徴とする発光素子。
2. 前記第二被貼り合わせ層が、前記発光層部からの発光光束に対し透光性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる透明導電性半導体基板にて構成されていることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
3. 前記第一被貼り合わせ層の全体がＧａＡｓと格子整合するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、前記発光層部は、組成式（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）にて表される化合物のうち、ＧａＡｓ基板と格子整合する組成を有する化合物にて各々構成されたｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層がこの順序で積層されたダブルへテロ構造を有するものであり、
   前記透明導電性半導体基板がＧａＰ基板又はＧａＡｓＰ基板にて構成されていることを特徴とする請求項２記載の発光素子。
4. ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる前記第一被貼り合わせ層に第一発光層部が形成され、前記第二被貼り合わせ層はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により前記第一発光層部と発光波長の異なる第二発光層部を有するものとして形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
5. 各々発光波長の異なる発光層部を有したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる被貼り合わせ層が３以上、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層を介して互いに貼り合わされてなることを特徴とする請求項４記載の発光素子。
6. 赤色系の第一発光層部を有する赤色系被貼り合わせ層と、緑色系の第二発光層部を有する緑色系被貼り合わせ層と、青色系の第三の発光層部を有する青色系被貼り合わせ層とが前記貼り合わせ金属層を介して互いに貼り合わされてなることを特徴とする請求項５記載の発光素子。
7. 各々発光層部を有した被貼り合わせ層の貼り合わせ積層体の両主表面に、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層を介して、各発光層部からの発光光束に対し透光性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる前記透明導電性半導体基板がそれぞれ貼り合わされてなることを特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれか１項に記載の発光素子。
8. 前記貼り合わせ積層体と前記透明導電性半導体基板との貼り合わせ体の側面から、前記各発光層部からの発光光束を混合して取り出すようにしたことを特徴とする請求項７記載の発光素子。
9. 第二被貼り合わせ層は半導体又は金属からなる素子基板であり、前記第一被貼り合わせ層の第二主表面には反射面を形成する主金属層が形成され、該主金属層の第二主表面と前記素子基板の第一主表面とが前記貼り合わせ金属層にて貼り合わされてなることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
10. 前記素子基板はＳｉ基板であり、前記金属層はＡｕを主成分とするＡｕ系金属層であることを特徴とする請求項９記載の発光素子。
11. 発光層部を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層の第二主表面と、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層の第一主表面とを、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層を介して貼り合わせることを特徴とする発光素子の製造方法。
12. 前記第一被貼り合わせ層の第二主表面にＩｎ又はＧａのいずれかを主成分とする第一貼り合わせ金属層を形成し、前記第二被貼り合わせ層の第一主表面にＩｎ又はＧａのいずれかを主成分とする第二貼り合わせ金属層を形成し、それら第一貼り合わせ金属層と第二貼り合わせ金属層とを貼り合わせることを特徴とする請求項１１記載の発光素子の製造方法。
    

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