JPS6220383A - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
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- JPS6220383A JPS6220383A JP60159365A JP15936585A JPS6220383A JP S6220383 A JPS6220383 A JP S6220383A JP 60159365 A JP60159365 A JP 60159365A JP 15936585 A JP15936585 A JP 15936585A JP S6220383 A JPS6220383 A JP S6220383A
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- Japan
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- oxide film
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- silicon oxide
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明ｔ４ Ｇ ａ １−Ｘ！’ｄ ｘＡｓ ’Ｉｆ用
いた化合物半導体発光素子及びその製造方法に関し、特
に耐湿性に優れ′ｆＦ、素子の構造及び製法に関する。
いた化合物半導体発光素子及びその製造方法に関し、特
に耐湿性に優れ′ｆＦ、素子の構造及び製法に関する。
現在、 ＧａＡ４Ａｓ會用いたＬＥＤはその高輝度（高
出力）、高速応答性を利用し、電話器、計測器−オーデ
ィオ製品等、民生用機器の表示ランプから、ホトカプラ
・プラスチックファイバーデータリング等、ＯＡ＠ＦＡ
機器の発光素子として広範囲に用いられている。この場
合、現状市販されているＧａＡｊＡｓ Ｌ Ｅ Ｄの菓
子構造としては大別すると二種類ある。
出力）、高速応答性を利用し、電話器、計測器−オーデ
ィオ製品等、民生用機器の表示ランプから、ホトカプラ
・プラスチックファイバーデータリング等、ＯＡ＠ＦＡ
機器の発光素子として広範囲に用いられている。この場
合、現状市販されているＧａＡｊＡｓ Ｌ Ｅ Ｄの菓
子構造としては大別すると二種類ある。
第３図にクングルヘテロ構造と呼ばれているもので構造
上簡単であるため比較的安価に生産できることＶＣ工り
、現在のＧａＡｓ基板 ＬＥＤ市場の大半を占める。
上簡単であるため比較的安価に生産できることＶＣ工り
、現在のＧａＡｓ基板 ＬＥＤ市場の大半を占める。
第３図で、１げＧａＡｓ基板、２はＰ型Ｇａ１Ａ４Ａｓ
層、３ＨＮ型ＧａＡｔＡｓ層、４おＬぴ７は電極である
。この構造で高輝度が得られる理由として、先取り出し
面の側ｉｃあるｎ型Ｇａ１−ｘＡ、ｊｘＡｓ層３のＡ４
Ａｓ混晶比Ｘが発光領域であるＰ型Ｇ ａ −ｙｌｄ
ｙＡｓＡｓＯ２れＬりも充分大きく（ｘ＞ｙ ）とっで
あるため１発光波長に対する先取り出し側での吸収が小
さいことと、Ｐ型ｆｉｉ２への電子の注入効率がホモ接
合に比して大巾に改善されることが挙げられる。従って
、このシングルへテロ構造ＧａＡ４Ａｓ Ｌ Ｅ Ｉ
）ｉｊ他に市販されているＧａＰ又［ＧａＡａＰ ＬＥ
Ｉ）に比し、発光出力において数倍以上向上している。
層、３ＨＮ型ＧａＡｔＡｓ層、４おＬぴ７は電極である
。この構造で高輝度が得られる理由として、先取り出し
面の側ｉｃあるｎ型Ｇａ１−ｘＡ、ｊｘＡｓ層３のＡ４
Ａｓ混晶比Ｘが発光領域であるＰ型Ｇ ａ −ｙｌｄ
ｙＡｓＡｓＯ２れＬりも充分大きく（ｘ＞ｙ ）とっで
あるため１発光波長に対する先取り出し側での吸収が小
さいことと、Ｐ型ｆｉｉ２への電子の注入効率がホモ接
合に比して大巾に改善されることが挙げられる。従って
、このシングルへテロ構造ＧａＡ４Ａｓ Ｌ Ｅ Ｉ
）ｉｊ他に市販されているＧａＰ又［ＧａＡａＰ ＬＥ
Ｉ）に比し、発光出力において数倍以上向上している。
しかしながら、特にデータリンク等の分野においてさら
に高出力化の要求が日増しに大となりそれに対し、第４
図に示されるようなダブルへテロ構造の素子が開発Φ市
販され始めている。第４図で、ｓｕＰ型ＧａＡｌＡｓ
厚膜基板、９ＵＰ型ＧａＡｌＡｓクラット層、ｌ Ｏｒ
ｒｉＧａＡＩＡｓ 活性層、ｌＩｒ５．Ｎ型ＧａＡ７Ａ
ｓ クラッド層、１２ｉＮ型ＧａＡ！Ａａキャップ層
、４お工び１３は電極である。この構造においては注入
室、子に対する閉じ込め効果と、裏面側Ｇ ａ Ａ １
基板除去にエリ反射元が利用できるこト婢のため、シン
グルへテロ構造に比し２〜３倍以上発光出力が同上し５
合わせて応答速度も改善されている。
に高出力化の要求が日増しに大となりそれに対し、第４
図に示されるようなダブルへテロ構造の素子が開発Φ市
販され始めている。第４図で、ｓｕＰ型ＧａＡｌＡｓ
厚膜基板、９ＵＰ型ＧａＡｌＡｓクラット層、ｌ Ｏｒ
ｒｉＧａＡＩＡｓ 活性層、ｌＩｒ５．Ｎ型ＧａＡ７Ａ
ｓ クラッド層、１２ｉＮ型ＧａＡ！Ａａキャップ層
、４お工び１３は電極である。この構造においては注入
室、子に対する閉じ込め効果と、裏面側Ｇ ａ Ａ １
基板除去にエリ反射元が利用できるこト婢のため、シン
グルへテロ構造に比し２〜３倍以上発光出力が同上し５
合わせて応答速度も改善されている。
極めて特徴的なことに、いずれの構造の場合も先取り出
し側ＨＡＩＡｓ混晶比Ｘが大きいＧａ１−ｘＡｌｘＡｓ
が用いられている点であり、このために後述する大き
な問題が存在していた。
し側ＨＡＩＡｓ混晶比Ｘが大きいＧａ１−ｘＡｌｘＡｓ
が用いられている点であり、このために後述する大き
な問題が存在していた。
即ち、既に述べたように先取り出し効率及び重子注入効
率の向上を目的として素子の元取り出し側に高ＡｌＡｓ
混晶比としている。例えはシングルへテロ横ｍにおける
ｎ型Ｇａｔ−ｘＡ／、Ａｓ層３は発光波長（入ｐ）が６
６０ｎｍに対しては通常Ｘ≧０６となっている場合が多
い。この工うな高ＡｌＡｓ混晶比のＧ ａ ＡＩＡ ｓ
に工く知られている工うに極めて酸化され易いが、こ
のことに樹脂にエリモールドされた製品においても同様
である。即ち、上述した通常のＧａＡｌＡｓ Ｌ Ｅ
Ｉ）素子をエポキシ系樹脂又汀シリコン系樹脂等に、
！：エリールドし、製品化した後、高温高湿の状態でＩ
ｌｌ万回ｖｃ通電する。温度８５％ｂ ｌｒ−２０ｍ
Ａ通電の条件下において第２図の曲線１００ｖｃ示され
るように５発元出力が１０００時間後において初期値の
５０％以下に劣化減衰する。この劣化率はモールド樹脂
の種類、モールド条件等にエリ多少影響されるが、高温
高湿での通電が通常の室温通電と比較して著しい発光Ｆ
ｉ）力劣化をもたらすことに明らかである。この劣化原
因σＧｌＩＡ７Ａ８ 表面に高温高湿通ｗ中ｖｒ、Ｇａ
Ａ４Ａｓ表面に付着した１発光波長に対して不透明なＡ
４又はＧａ ＯＣｐ比物であること、ま友この管化物の
厚さげ電極近傍において特に厚い（数１０００Ａ以上）
ことがＡＥ８分析にエリ明らかにさｎ、た。
率の向上を目的として素子の元取り出し側に高ＡｌＡｓ
混晶比としている。例えはシングルへテロ横ｍにおける
ｎ型Ｇａｔ−ｘＡ／、Ａｓ層３は発光波長（入ｐ）が６
６０ｎｍに対しては通常Ｘ≧０６となっている場合が多
い。この工うな高ＡｌＡｓ混晶比のＧ ａ ＡＩＡ ｓ
に工く知られている工うに極めて酸化され易いが、こ
のことに樹脂にエリモールドされた製品においても同様
である。即ち、上述した通常のＧａＡｌＡｓ Ｌ Ｅ
Ｉ）素子をエポキシ系樹脂又汀シリコン系樹脂等に、
！：エリールドし、製品化した後、高温高湿の状態でＩ
ｌｌ万回ｖｃ通電する。温度８５％ｂ ｌｒ−２０ｍ
Ａ通電の条件下において第２図の曲線１００ｖｃ示され
るように５発元出力が１０００時間後において初期値の
５０％以下に劣化減衰する。この劣化率はモールド樹脂
の種類、モールド条件等にエリ多少影響されるが、高温
高湿での通電が通常の室温通電と比較して著しい発光Ｆ
ｉ）力劣化をもたらすことに明らかである。この劣化原
因σＧｌＩＡ７Ａ８ 表面に高温高湿通ｗ中ｖｒ、Ｇａ
Ａ４Ａｓ表面に付着した１発光波長に対して不透明なＡ
４又はＧａ ＯＣｐ比物であること、ま友この管化物の
厚さげ電極近傍において特に厚い（数１０００Ａ以上）
ことがＡＥ８分析にエリ明らかにさｎ、た。
即ち、樹脂内に浸入し友水分がＧａＡｌＡｓ晶との界面
に到達して水分ｖｃｆＩｌ素が含まれる結晶表面を酸化
した結果であると考えらｊる。
に到達して水分ｖｃｆＩｌ素が含まれる結晶表面を酸化
した結果であると考えらｊる。
この対策とＬ７てＧａＡｊＡｓ 表面に絶縁膜全形成
することにエリ水分（酸素） ｆｆ、よる表面酸化の防
上が可能となる。アンモニア、過′酸化水素系の混合液
にエリＧａＡｌＡｓ 表面にＧａｇｅｓ又ＨＡｌｓＯｓ
系のネイティブオキサイド膜を形成する方法げ膜形成自
体は容易であるが、膜厚が不充分で特に化学的５機械的
に極めてもろいという欠点がある。
することにエリ水分（酸素） ｆｆ、よる表面酸化の防
上が可能となる。アンモニア、過′酸化水素系の混合液
にエリＧａＡｌＡｓ 表面にＧａｇｅｓ又ＨＡｌｓＯｓ
系のネイティブオキサイド膜を形成する方法げ膜形成自
体は容易であるが、膜厚が不充分で特に化学的５機械的
に極めてもろいという欠点がある。
従ってｉｔ’ｉＩＷ工程において適用する場合５例えば
後□工程においてウェハースをエツチング処理する工り
な時、又はピンセット尋にエリ／Ｓシトリングするよう
な時に極めて制約が多く、困難音生じる。
後□工程においてウェハースをエツチング処理する工り
な時、又はピンセット尋にエリ／Ｓシトリングするよう
な時に極めて制約が多く、困難音生じる。
従って可能であるならばエリ安定かつち密な膜質の絶縁
膜を形成する万が量産的にげ好ましいと考えられる。
膜を形成する万が量産的にげ好ましいと考えられる。
本発明の目的に、耐湿性に優れたＧ ａ ＡＩ Ａ Ｉ
発光素子を量産性工〈提供することにある。
発光素子を量産性工〈提供することにある。
本発明はｘ≧０２なる高ＡｔＡｓ混晶比を有するＧａ１
−２ＡＩＡｓ層を先取り出し側に用い友素子において、
このＧａ １−ｍＡｌｘＡｓ層’ｅ２００〜５０００人
の酸化ケイ素膜で被覆すること、またこの酸化ケイ素膜
の形成温度ｔ−４５０℃以下とすることに工り、素子の
他の特性を保ったまま耐湿性に優れた高信頼度素子の生
産を実現するものである。
−２ＡＩＡｓ層を先取り出し側に用い友素子において、
このＧａ １−ｍＡｌｘＡｓ層’ｅ２００〜５０００人
の酸化ケイ素膜で被覆すること、またこの酸化ケイ素膜
の形成温度ｔ−４５０℃以下とすることに工り、素子の
他の特性を保ったまま耐湿性に優れた高信頼度素子の生
産を実現するものである。
次ｖｃｋ本発明について図面工り詳述する。
第１図に本発明の一実施例において製作されたシングル
へテロ構造Ｇａ ＡＪＬＡＩ Ｌ Ｅ Ｄのウニノー−
断面図である。Ｐ型（１００） ＧｔＡＡ’ｓ 基板
ｌ上に通常の液相エピタキシャル成長法を用いて厚さ２
０μの＝６一 Ｚｎ、ドーグＰ型Ｇａ ト−ｙＡｌｙＡｉｊ＃ ２及び
ノνさ３０μノ’ｆ’ｅド・−プｎ ｔＪ’Ｊ Ｇ ａ
１−ｘＡ！ｘＡＪ Ｆｍ ３ ｋ連続り、 −（−形
ｂｙすイ）。ＡｌＡｓ混ｔｔｉｉ比ｔｒ、ｘ Ｐ型層の
ｐ−ｒ】接合界面−ｒＯ３５，＋１型層の表面で０．７
ｆある。ｎ（Ｉｌｌｌの１ｄ極４ケ形成後適当な酸化
１１Ｑ（例えばスパッタ５ｆ０２膜）をマスクに（７て
メサ溝５ｆｒ：形成１”る。ｅ ）ｇ−、ｓこの酸化膜
を除去し良後、再出′スパッタに」二り８１０２膜３０
００λ６會形成する。この時の基板加熱温度は２００℃
である。またこの場ば、メダ溝佃１面１ｃｉｉ約１３
００人、底面ニハ約２５００人ノｓＩＯ。
へテロ構造Ｇａ ＡＪＬＡＩ Ｌ Ｅ Ｄのウニノー−
断面図である。Ｐ型（１００） ＧｔＡＡ’ｓ 基板
ｌ上に通常の液相エピタキシャル成長法を用いて厚さ２
０μの＝６一 Ｚｎ、ドーグＰ型Ｇａ ト−ｙＡｌｙＡｉｊ＃ ２及び
ノνさ３０μノ’ｆ’ｅド・−プｎ ｔＪ’Ｊ Ｇ ａ
１−ｘＡ！ｘＡＪ Ｆｍ ３ ｋ連続り、 −（−形
ｂｙすイ）。ＡｌＡｓ混ｔｔｉｉ比ｔｒ、ｘ Ｐ型層の
ｐ−ｒ】接合界面−ｒＯ３５，＋１型層の表面で０．７
ｆある。ｎ（Ｉｌｌｌの１ｄ極４ケ形成後適当な酸化
１１Ｑ（例えばスパッタ５ｆ０２膜）をマスクに（７て
メサ溝５ｆｒ：形成１”る。ｅ ）ｇ−、ｓこの酸化膜
を除去し良後、再出′スパッタに」二り８１０２膜３０
００λ６會形成する。この時の基板加熱温度は２００℃
である。またこの場ば、メダ溝佃１面１ｃｉｉ約１３
００人、底面ニハ約２５００人ノｓＩＯ。
膜が形成さノ１ている。この後、ＰＲ法ｖｃＬ り ＋
ｔｌｌ１１ｎ極４上のスパッタ８１０．膜會除去［７、
その俵Ｐ側裏面市極７會形成す２］。また、比較のため
ｓｌｏ。
ｔｌｌ１１ｎ極４上のスパッタ８１０．膜會除去［７、
その俵Ｐ側裏面市極７會形成す２］。また、比較のため
ｓｌｏ。
６が付加されていないウェハーを同時に製作しまた。
このウニ−バーにダイシング法に１り素子分割し、通常
のリードフレーム上ニダイポンディング拳ワイヤホンテ
ィングした後、エポキシ樹脂モールドして製品化１−だ
、尚、酸化膜形成温度がｎ側電極４のアロイ温度（〜４
８０℃）エリも充分に低い値に選んでめ４）ことＶｒ工
り、市、極のワイヤーボンダビリティσアロイ直後のそ
れど全く同郷であることが確認された。
のリードフレーム上ニダイポンディング拳ワイヤホンテ
ィングした後、エポキシ樹脂モールドして製品化１−だ
、尚、酸化膜形成温度がｎ側電極４のアロイ温度（〜４
８０℃）エリも充分に低い値に選んでめ４）ことＶｒ工
り、市、極のワイヤーボンダビリティσアロイ直後のそ
れど全く同郷であることが確認された。
前述（〜た条件での高温高湿通電の結果ケ第２図に示−
ｔｏ スパッタｓｉｏ、膜全形成１〜た素子においては
５曲線５０で示す工りｌ／Ｃ，１０００時間彼時間先出
力の劣化が全く認めら４ず、極めて安定してい２）。こ
のことはスパッタ５ｉｏｉＩ膜６が、実用的に充分ち密
であり、 ＧａＡ、Ｊ！Ａｌ１表面の酸化防止に対して
安定であること金示している。現丈に十制御０００時間
高温高湿通′虜した製品？開刊１〜、累イの表面全前述
と同様の分析を行なったところ、スパッタ別０２膜が表
面に形ｂｙされた素子（・ゴ何らの変化も認められない
ことが確認さ）１．た。尚、初期の発光出力に関して４
２ｓｉｏ、膜の奮然による差異に全く昭めらｔｌず、ｔ
たその他８１０ｔ９は形成したことにエリ生じた品質上
、工程上の間鴎点げない。
ｔｏ スパッタｓｉｏ、膜全形成１〜た素子においては
５曲線５０で示す工りｌ／Ｃ，１０００時間彼時間先出
力の劣化が全く認めら４ず、極めて安定してい２）。こ
のことはスパッタ５ｉｏｉＩ膜６が、実用的に充分ち密
であり、 ＧａＡ、Ｊ！Ａｌ１表面の酸化防止に対して
安定であること金示している。現丈に十制御０００時間
高温高湿通′虜した製品？開刊１〜、累イの表面全前述
と同様の分析を行なったところ、スパッタ別０２膜が表
面に形ｂｙされた素子（・ゴ何らの変化も認められない
ことが確認さ）１．た。尚、初期の発光出力に関して４
２ｓｉｏ、膜の奮然による差異に全く昭めらｔｌず、ｔ
たその他８１０ｔ９は形成したことにエリ生じた品質上
、工程上の間鴎点げない。
上記実施例においてげスパッタによる５１０２ｉ會絶縁
膜６として形成したが、その後の検討ＶＣ１Ｌｅ）、Ｃ
ＶＤ ８１０２ｉ等も膜厚が２００λ 以上であれば
有効であることが判った。尚、膜厚が５０００λ全越え
ると結晶との熱膨張係数どの産ｖｒ−エリ竹面での歪が
大となり１信頼度の点で問題となることがある。
膜６として形成したが、その後の検討ＶＣ１Ｌｅ）、Ｃ
ＶＤ ８１０２ｉ等も膜厚が２００λ 以上であれば
有効であることが判った。尚、膜厚が５０００λ全越え
ると結晶との熱膨張係数どの産ｖｒ−エリ竹面での歪が
大となり１信頼度の点で問題となることがある。
また、酸化膜形成？Ｍ度としてに４５０℃以下であるこ
とが必斐である。この理由ａ既に述べた工うｖｃ通常ｎ
型ＧａＡＩＡ、ｓ 層へのオーミック電極の材料と【１
ＣＡｕＧｅＮＩ 系を用いるが、蒸着後のアロイの最
適温度が通常４５０〜５００℃であり、酸化膜形成時ｒ
この温Ｕｋ越えると電極の組成が変化し。
とが必斐である。この理由ａ既に述べた工うｖｃ通常ｎ
型ＧａＡＩＡ、ｓ 層へのオーミック電極の材料と【１
ＣＡｕＧｅＮＩ 系を用いるが、蒸着後のアロイの最
適温度が通常４５０〜５００℃であり、酸化膜形成時ｒ
この温Ｕｋ越えると電極の組成が変化し。
オーミック性、ワイヤーボンディング性に悪い影響全厚
える場合が多いことに↓る。
える場合が多いことに↓る。
以上、実施例ケ用いて具体的ｖｒ−説明したＬうに。
本発明πＬる素子構造及び製造方法に工れば、極めて酸
化物が形成さ釘易いｉ［Ａ４Ａｓ混菖比（Ｘ≧Ｏ，２）
のＧａ ｘ−ｚＡ、ｔｘＡｓＭＬｋ先取り出し側に用い
た発光素子においてその表面全膜厚が２００〜５０００
人の酸化ケイ素膜１゛被覆（〜、またこの酸化ケイ素膜
の形成温度を充分低くとる（＜４５０℃）ことにＪ：す
、極めて耐湿４７１−Ｖｒ−優れ、かつ量産性に富むＧ
ａＡ−！Ａａ発九菓子１に：製造することが可能と力る
。
化物が形成さ釘易いｉ［Ａ４Ａｓ混菖比（Ｘ≧Ｏ，２）
のＧａ ｘ−ｚＡ、ｔｘＡｓＭＬｋ先取り出し側に用い
た発光素子においてその表面全膜厚が２００〜５０００
人の酸化ケイ素膜１゛被覆（〜、またこの酸化ケイ素膜
の形成温度を充分低くとる（＜４５０℃）ことにＪ：す
、極めて耐湿４７１−Ｖｒ−優れ、かつ量産性に富むＧ
ａＡ−！Ａａ発九菓子１に：製造することが可能と力る
。
尚１本実施例においては／ングルへテロＧａＡｔＡｓＬ
ｌ！：１）の場合１小したが本発明ｒ、ｒこの素子に限
定されないことにｒ→りまでもない。
ｌ！：１）の場合１小したが本発明ｒ、ｒこの素子に限
定されないことにｒ→りまでもない。
４ 図面の藺１１虻明
ｍｎｙ＋ｏ本発明の一実施ガ會示すシングルヘラ＊ Ｇ
ａｋｌ Ａｓ Ｌ ’ｊｌ Ｄつｚ バーのｖｒ面図
、ａｌＩ２ｆＶｔ；Ｊ８ｉＵ＝ｇ打無Ｅよる素子の高温
高瀬通電試験での発光出力劣化状況、繕３図σ位米のシ
ングルヘラｏ ＧａＡｌＡｓ Ｌ Ｅ Ｄウェハース
の断面図、１１４図は他の従来例ＶＣ！ ４ダプルヘテ
ｏＯａＡｊＡ魯１、Ｅｌ）ウェハースの断面図である。
ａｋｌ Ａｓ Ｌ ’ｊｌ Ｄつｚ バーのｖｒ面図
、ａｌＩ２ｆＶｔ；Ｊ８ｉＵ＝ｇ打無Ｅよる素子の高温
高瀬通電試験での発光出力劣化状況、繕３図σ位米のシ
ングルヘラｏ ＧａＡｌＡｓ Ｌ Ｅ Ｄウェハース
の断面図、１１４図は他の従来例ＶＣ！ ４ダプルヘテ
ｏＯａＡｊＡ魯１、Ｅｌ）ウェハースの断面図である。
ｌ・・・・・・Ｐ型層 ｍ Ａ Ｉ基機、２・・・・・
・Ｐ型層 ａ Ａ４ Ａ ＆エピタキシャル１−．３・
・・・・・ｎ１７０ａＡ４Ａｓ エビタキクヤル鳩、４
・・・・・・ｒｌｖａ′極、５・・・・・・メサ溝、６
・・・・・・スパッタ１９１（Ｊｉｌｌｌｂ ７・・・
・・・ｌ’ｉ！ｉ＊ｌ＠（全曲）８ ・−・−Ｐ ａ
ＧａＡＩＡｓＤ１ｍ基＆、９ ・＝ ＝ Ｐ ９ （、
；ａＡＪ！＾ＳクフッドＪ−，１０・・・・・・Ｇ ａ
Ａ ｔ Ａ ｓ 活性７１．１１・・・・・・ｎｑｒ
（ｊａＡ４Ａ、ａ クラッド層ｂ １２ ・・・”
・ｎｆｊｇＯａＡｌム魯−１〇− キャップ層、１３・・・・・・Ｐ側電極（ドツト）。
・Ｐ型層 ａ Ａ４ Ａ ＆エピタキシャル１−．３・
・・・・・ｎ１７０ａＡ４Ａｓ エビタキクヤル鳩、４
・・・・・・ｒｌｖａ′極、５・・・・・・メサ溝、６
・・・・・・スパッタ１９１（Ｊｉｌｌｌｂ ７・・・
・・・ｌ’ｉ！ｉ＊ｌ＠（全曲）８ ・−・−Ｐ ａ
ＧａＡＩＡｓＤ１ｍ基＆、９ ・＝ ＝ Ｐ ９ （、
；ａＡＪ！＾ＳクフッドＪ−，１０・・・・・・Ｇ ａ
Ａ ｔ Ａ ｓ 活性７１．１１・・・・・・ｎｑｒ
（ｊａＡ４Ａ、ａ クラッド層ｂ １２ ・・・”
・ｎｆｊｇＯａＡｌム魯−１〇− キャップ層、１３・・・・・・Ｐ側電極（ドツト）。
、′□
％＋瓢
茅う頂
第４回
Claims (2)
- （１）Ｇａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ層を先取り出し面
の側に用いた化合物半導体装置において、前記Ｇａ＿１
＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ層の表面の少なくとも一部が酸化
ケイ素膜にて被覆されていることを特徴とする化合物半
導体装置。 - （２）前記酸化ケイ素膜は２００Å乃至５０００Åの膜
厚を有することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載の化合物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159365A JPS6220383A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159365A JPS6220383A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 化合物半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220383A true JPS6220383A (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15692244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60159365A Pending JPS6220383A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6220383A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290270A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体素子の処理方法 |
| JPH0324771A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-01 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法 |
| JPH04273174A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-29 | Sharp Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JPH04279275A (ja) * | 1991-03-04 | 1992-10-05 | Nippondenso Co Ltd | 真空ろう付装置 |
| JP2008210588A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明装置及び照明システム |
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-
1985
- 1985-07-18 JP JP60159365A patent/JPS6220383A/ja active Pending
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