JPH098407A - n型窒化物半導体層の電極 - Google Patents
n型窒化物半導体層の電極Info
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Abstract
触が得られ、さらにワイヤーとも強固に接着できる安定
な変質しにくい電極を提供する。 【構成】 n型窒化物半導体層の表面に形成されるオー
ミック電極であって、前記電極はn型窒化物半導体層と
接する側がチタンよりなり、その上にクロムおよび/ま
たはニオブを積層した少なくとも2層構造を有する。
Description
バイス、フォトダイオード、太陽電池等の受光デバイス
等に使用される窒化物半導体(InXAlYGa
1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)に係り、特にそれ
らのデバイスに必要なn型窒化物半導体層に形成される
電極に関する。
1.9eV〜6.0eVまであるため紫外〜赤色領域の
発光デバイス、受光デバイスの材料として使用できるこ
とが知られており、つい最近この材料を用いた高輝度青
色LED、青緑色LEDが実用化されて、既にLEDフ
ルカラーディスプレイ、信号灯等の実用に供されてい
る。
本的にはサファイア基板51の上にn型GaNよりなる
n型コンタクト層52と、n型AlXGa1-XNよりなる
n型クラッド層53と、InYGa1-YNよりなる活性層
54と、p型AlXGa1-XNよりなるp型クラッド層5
5と、p型GaNよりなるp型コンタクト層56とが積
層された構造を有しており、p型コンタクト層56のほ
ぼ全面にはNiとAuを含む正電極57が形成されてお
り、エッチングにより露出されたn型コンタクト層52
にはTiとAlを含む負電極58が形成されている。こ
のLED素子の正電極57と負電極58はワイヤーボン
ディングにより外部リードと接続されている。
ため、化合物半導体層と電極との間に好ましいオーミッ
ク接触を得る必要がある。前記構造のLED素子におい
てもp型コンタクト層56とはAuとNiを含む正電極
57でオーミック接触が得られており、またn型コンタ
クト層52とはTiとAlを含む負電極58でオーミッ
ク接触が得られている。
電極はオーミック性では優れた性質を有しているが、ボ
ールとの接着性に関してはやや不安定な要素を含んでお
り、未だ十分満足できるものではなかった。特に屋外L
ED、レーザダイオードのように温度差が激しく、過酷
な条件での使用を考慮すると、電極にAlを含んでいる
ので、Alの変質によりボールが電極から剥がれて、L
EDが不点灯となる可能性がある。また、窒化物半導体
は通常は絶縁性基板の上に成長され、その素子は窒化物
半導体層の同一面側から2種類の電極が取り出されるフ
リップチップ形式となる。このためワイヤーボンディン
グで外部のリード電極と接続するには、電極の酸化等に
よる変質を防ぎ、電極とボールとの接着力を強くして発
光素子の信頼性をさらに高める必要がある。
のであって、n型窒化物半導体層と好ましいオーミック
接触が得られ、さらにワイヤーとも強固に接着できる安
定な変質しにくい電極を提供することにある。
91621号公報において、n型窒化物半導体に形成す
る好ましいオーミック電極としてAl、Cr、Ti、I
nの内の少なくとも一種の金属を示し、特にCrをベー
ス、つまりn型層と接する側とすると好ましいオーミッ
ク接触が得られることをその明細書の中で開示した。我
々は次に電極とボールとの接着性について詳しい実験を
重ねた結果、本発明を成すに至った。即ち、本発明のn
型窒化物半導体の電極は、n型窒化物半導体層の表面に
形成されるオーミック電極であって、前記電極はn型窒
化物半導体層と接する側がTiよりなり、その上にCr
および/またはNbを積層した少なくとも2層構造を有
することを特徴とする。なお2層構造とはTiとCr、
Nbが直接積層されていることは言うまでもなく、Ti
の上に他の金属を介してCr、Nbが積層されていても
良い。
形成するTiの薄膜は薄いほどn型層とオーミックが得
られやすく、好ましくは10オングストローム〜300
オングストローム、さらに好ましくは10オングストロ
ーム〜100オングストロームの膜厚に調整する。次に
Tiの上に形成するCr、Nb等の膜厚は特に限定する
ものではないが、先に形成したTiよりも厚く形成し、
例えば20オングストローム〜1μm前後の膜厚で形成
するとn型層と好ましいオーミックが得られると共に、
熱に対しても安定な電極が得られる。特に本発明の電極
はTi、Cr、Nb等の薄膜を積層後、400℃以上で
アニーリングを行うことにより、好ましいオーミックを
得ることができる。その理由は次の通りである。
結晶中に窒素空孔ができるためn型になる性質がある。
さらに成長中にSi、Ge等のn型不純物を添加すると
より好ましいn型となることが知られている。さらに、
窒化ガリウム系化合物半導体は有機金属気相成長法(M
OCVD、MOVPE)、ハイドライド気相成長法(H
DCVD)等の気相成長法を用いて成長される。気相成
長法では、原料ガスに、例えばガリウム源としてトリメ
チルガリウム、窒素源としてアンモニア、ヒドラジン等
の水素原子を含む化合物、あるいはキャリアガスとして
H2等のガスが使用される。水素原子を含むこれらのガ
スは、窒化ガリウム系化合物半導体成長中に熱分解され
て結晶中に取り込まれ、窒素空孔あるいはn型ドーパン
トであるSi、Ge等と結合してドナーとしての作用を
阻害している。従って400℃以上でアニーリングする
ことにより、結晶中に入り込んだ水素原子を追い出すこ
とができるので、n型ドーパントが活性化して電子キャ
リア濃度が増加して、電極とオーミック接触が取りやす
くなると考えられる。アニーリングによる水素の作用
は、我々が先に出願した特開平5−183189号公報
に述べたのと同様であり、この公報はp型ドーパントを
ドープした窒化ガリウム系化合物半導体が400℃以上
のアニーリングから徐々に抵抗率が下がり始めほぼ70
0℃以上で一定の抵抗率となることを示している。これ
を本願のn型層に適用すると、400℃以上で水素が抜
け始め抵抗率が下がる。しかしn型層はp型層と異な
り、急激な抵抗率の低下は見られず、600℃以上でお
よそ1/2の抵抗率となり、それ以上のアニール温度で
は、ほぼ一定の抵抗率となる。アニーリング温度の上限
は特に限定しないが、窒化物半導体が分解する温度、1
200℃以下で行うことが好ましい。なおアニーリング
により2層構造、3層構造の電極が合金化して渾然一体
化した状態となるが、本願の請求項では合金化して一体
となったものも含むものと定義する。
ことを特徴とする。具体的な組み合わせとしてはn型層
から接する側から順にTi−Cr−Au、Ti−Nb−
Au、Ti−Cr−Nb−Au、Ti−Nb−Cr−A
u等で積層することにより、n型層と好ましいオーミッ
クを得ると共に、ワイヤーに対しても接着力の強い電極
を得ることができる。Auの膜厚も特に限定するもので
はないがNb、Crと同様にTiよりも厚い膜厚で形成
することが望ましく、例えば20オングストローム〜1
0μm前後の膜厚で形成する事が望ましい。これら金属
の薄膜を積層して電極を形成するには蒸着、スパッタ等
の気相製膜装置を用いることにより可能である。
表面はエッチングされていることを特徴とする。先にも
述べたように窒化物半導体は絶縁性基板の上に成長され
ることが多いので、n型層は最表面に出現することは少
ない。従って、図3に示すようにn型層はエッチングさ
れてその表面が露出されている。このようにn型層の表
面は成長直後のn型層の表面に比べて、エッチングに使
用するガス、液体等により、窒化物半導体表面が侵され
てエッチングダメージが発生しているため好ましいオー
ミックを得ることが難しい。しかしながら本発明の電極
はエッチングによりダメージを受けたn型層に対しても
好ましいオーミック接触を得ることができる。
トエッチング、ドライエッチング等が用いられ、例えば
ウェットエッチではリン酸と硫酸との混酸、ドライエッ
チングでは反応性イオンエッチング、イオンミリング等
の手段を用いることができ、反応性イオンエッチングで
はCF4、SF6、CCl4、SiCl4等のガスを用い、
またイオンミリングではAr、N2等の不活性ガスを用
いることができる。
得られるn型層としてはInXGa1 -XN(0≦X≦1)
が好ましく、特にSi、Ge等のドナー不純物をドープ
したInXGa1-XNが好ましいオーミック性を示す。
電圧直線である。(a)はTi−Nb、(b)はTi−
Cr、(c)はTi−Cr−Nb、(d)は従来例とし
てTi−Alを積層した四種類の電極(各電極は左から
順に積層順を示す。)を示している。なお電極のオーミ
ック性は、サファイア基板の表面にSiドープn型Ga
Nを5μm成長した後、エッチングにより4μmの厚さ
にして表面にダメージを与え、そのn型層に対してそれ
ぞれの金属を順に50オングストロームと0.5μmの
膜厚で蒸着して、500℃でアニールを行い、同一種類
の電極同士の電流電圧特性を測定した。但し(c)はC
rが0.25μm、Nbが0.25μmとした。
おいてもn型層と好ましいオーミック特性を得ており、
従来Ti−Alよりなる電極(d)とほぼ同等のオーミ
ック性を示している。また従来の電極の中では、窒化物
半導体成長後のような鏡面均一な面に対してオーミック
が得られ、逆に窒化物半導体のエッチング面に対しては
オーミックが得られないようなものがあるが、本発明の
電極では特にTiをエッチング面に接する側としている
ので、エッチング面に対しても、非常に好ましいオーミ
ック接触が得られる。なおこのグラフはSiドープn型
GaNについて示すものであるが、SiドープInXG
a1-XN(X≠0)についても同様の傾向が得られること
が確認された。
接着強度を調べるため、従来の電極と比較して以下のよ
うな試験を行った。図2はその試験方法を示す電極の断
面図であり、試験方法は以下の通りである。
Ti−Al、Ti−NbーAu、Ti−Cr−Au、T
i−Nb−Cr−Au、Ti−Cr−Nb−Auよりな
る5種類の電極をそれぞれ120μmφの大きさで10
0個ずつ形成し、500℃でアニーリングを行いn電極
22を形成した。n電極22形成後、強制酸化試験とし
て60℃、80%RHの高温高湿槽で一日放置して電極
表面を酸化させ、その後、それぞれのn電極11の上に
金線24をワイヤーボンディングして100μmφのボ
ール23を形成することにより金線24を接続した。そ
の後、図4に示すように、ボール23の真横から刃物2
5でもって、ボール23を水平に引っ掻き、ボールがn
電極22から剥がれるか、または剥がれずにボールがつ
ぶれるまで、刃物25に荷重をかけることにより評価し
た。但し、各電極は左から順に積層順を示し、各金属の
膜厚は順に50オングストローム−0.5μm、または
50オングストローム−0.25μm−0.25μmと
した。その結果を表1に示す。表1において、各荷重に
おける数値は、100個の内の電極からボールが剥がれ
た個数を示しており、ボールが剥がれずに、つぶれてし
まったものは「つぶれ」と記載している。
は、Al表面が酸化されることにより、30gまでの荷
重で全てのボールが剥離してしまったのに対し、本発明
の電極は、30g以上の荷重にも十分耐え、ボールが剥
離することなく非常に強い接着強度を示している。
Ti−Crによりn型層と好ましいオーミック接触を
得、さらにこの電極にAuを含ませることによりn電極
とボールとの接着強度を高めることができる。これはT
i−Nb、Ti−Cr等の電極表面が変質しにくいこと
による。またアニーリング時に電極が合金化した際に、
Tiの他の金属がn型層中に拡散すると、オーミック接
触を悪くする恐れがあるが、Cr、Nbは高融点金属で
あり、バリア効果を示すため、本発明の電極においては
オーミック性が損なわれることがない。
Nバッファ層、Siドープn型GaNコンタクト層、S
iドープn型GaAlNクラッド層、ZnドープInG
aN活性層、Mgドープp型GaAlNクラッド層、M
gドープp型GaNコンタクト層とが順に積層されたダ
ブルへテロ構造のウェーハを用意する。
造となるように、ウェーハのp型GaNコンタクト層よ
り深さ方向に一部エッチングして、n型GaN層を表面
に露出させる。n型GaN層の上に所定の形状のマスク
をかけた後、Tiを100オングストロームと、Nbを
0.25μmと、Auを0.5μmの膜厚で順に蒸着し
てn電極を形成する。
化物半導体の表面にマスクを形成した後、p型GaNコ
ンタクト層の表面にp電極としてNiを0.1μmと、
Auを0.5μmの膜厚で蒸着形成する。
ハをアニーリング装置に入れ、不活性ガス雰囲気中60
0℃で5分間アニーリングする。アニール後、ウェーハ
プローバにてn電極間の電流電圧特性を測定した結果、
図1のAに示すような、オーミック特性が得られてい
た。
断し、2インチφのウェーハから1万5千個のチップを
得た。このようにして得られた窒化物半導体よりなる発
光チップをダイボンドしてリードフレーム上に載置した
後、ワイヤーボンダーで各電極に金ワイヤーを接続した
後、エポキシ樹脂で全体をモールドしてLED素子とし
た。
において、順方向電圧3.5Vであり、さらにこのLE
D素子より100個を無作為に抽出し、常温12時間点
灯と、60℃、80%RHの高温高湿槽12時間点灯と
の連続繰り返し試験を50回行ったところ、n電極のボ
ール剥がれによりLEDが不点灯となったものは無かっ
た。
Nコンタクト層の表面に形成する電極を、Ti0.1μ
mと、Cr0.5μmの膜厚で順に蒸着する他は同様に
してLED素子を得た。これらLED素子はウェーハプ
ローバでの測定の段階では、すべて図1のBに示すよう
なオーミック接触が得られておりIf20mAで、Vf
3.5Vの性能を示し、またLEDの連続繰り返し試験
においても、n電極のボール剥がれにより不点灯となっ
たものは無かった。
ーハを、n型AlGaN層クラッド層を削除して、n型
GaNコンタクト層をSiドープn型InGaNコンタ
クト層としたものを用意する他は同様にしてLED素子
を作製した。なお当然n型電極は、このn型InGaN
コンタクト層のエッチング面に形成し、コンタクト層の
バンドギャップが活性層よりも大きいことは言うまでも
ない。その結果、これらLED素子は、ウェーハプロー
バでの測定の段階では、実施例1と同様にすべて図1の
Aに示すようなオーミック接触が得られており、If2
0mAで、Vf3.5Vの性能を示し、またLEDの連
続繰り返し試験においても、n電極のボール剥がれによ
り不点灯となったものは無かった。
n型窒化物半導体層と非常に好ましいオーミック特性が
得られるので、順方向電圧の低いLED素子、LD素子
等の発光素子を得ることができる。さらに、過酷な条件
で発光素子が使用された際でも、電極が変質しにくいの
で、剥がれに強く信頼性に優れた素子を提供することが
できる。さらにまた発光素子だけではなく受光素子、F
ET、トランジスタ等、n型窒化物半導体を有するあら
ゆる電子デバイスにも適用可能である。
よび、ワイヤーボンディング時の接着性について述べた
が、本発明のn電極はワイヤーボンディングで外部リー
ド電極と接続した発光素子だけではなく、例えばリード
フレームとn電極とを銀ペーストのような導電性材料を
介して直接接続したデバイスについても適用可能であ
る。
電極との電流電圧特性を比較して示すグラフ図。
す電極の模式断面図。
図。
Claims (3)
- 【請求項1】 n型窒化物半導体層の表面に形成される
オーミック電極であって、前記電極はn型窒化物半導体
層と接する側がチタンよりなり、その上にクロムおよび
/またはニオブを積層した少なくとも2層構造を有する
ことを特徴とするn型窒化物半導体層の電極。 - 【請求項2】 前記電極は最上層が金よりなることを特
徴とする請求項1に記載のn型窒化物半導体層の電極。 - 【請求項3】 前記n型窒化物半導体層の表面はエッチ
ングされていることを特徴とする請求項1に記載のn型
窒化物半導体層の電極。
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JP15286695A JP3239350B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | n型窒化物半導体層の電極 |
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-
1995
- 1995-06-20 JP JP15286695A patent/JP3239350B2/ja not_active Expired - Lifetime
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