JP3154364B2 - n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法 - Google Patents
n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法Info
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Description
ーダイオードに使用される窒化ガリウム系化合物半導体
(InXAlYGa1-X-YN、0≦X≦1、0≦Y≦1)か
らなる発光素子の電極とその形成方法に係り、特にn型
窒化ガリウム系化合物半導体層(以下、n型層とい
う。)に形成される電極(負電極)とその電極形成方法
に関する。
めて実用レベルに達した1000mcdの青色発光ダイ
オードを発表した。その青色発光ダイオードはp−n接
合を有するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半
導体より構成され、20mAにおいて、Vfが3.6V
と完全にp−n接合していることを示しており、出力も
1mW以上で、現在青色発光ダイオードとしては世界最
高である。
の構造を図2に示す。基本的に、絶縁性基板1の上にn
型GaN層2と、n型GaAlNクラッド層3と、In
GaN活性層4と、p型GaAlNクラッド層5と、p
型GaNコンタクト層6とが順に積層された構造とされ
ている。n型GaN層2とp型GaNコンタクト層6と
にはそれぞれ好ましいオーミック接触が得られるような
電極が形成されている。特に、n型GaN層2に設けら
れたn電極11はTiとAlとよりなる電極であり、こ
のn電極11によりn型GaN層2と好ましいオーミッ
ク接触を得ている。また、n型層に形成する電極に関し
て我々は特願平5−207274号においてTiとAl
とからなる電極が好ましいことを示した。またn型層に
形成する電極の従来技術として、例えば特開平5−21
1347号公報にAl単独またはAlを含む合金よりな
る電極が開示されている。
電極はn型層と好ましいオーミック接触が得られ、非常
に電極としては優れている。しかしながら、電極成分で
あるAlは酸化されやすい性質を有しているため、ワイ
ヤー13(通常は金ワイヤーが用いられる。)とn電極
11とをボールボンディングする際、Alが酸化されて
いることにより、ボンディング時にワイヤー13からで
きるボール12と、n電極11との接着強度が弱くなっ
てしまい、ワイヤー13がボール12と共にn電極11
から剥がれやすくなってしまうという問題が新たに生じ
てきた。さらにAlは柔らかい金属であるので、n電極
11とボール12との接着強度が不十分であるという欠
点が露呈してきた。これはAl単独の電極でも同様であ
る。
れたもので、その目的とするところは、n型層に形成す
る電極において、そのn型層と好ましいオーミック接触
を得ると共に、電極とボールとが剥がれにくく、接着強
度の大きい電極とその電極の形成方法を提供することに
ある。
する電極について、従来のTi−Alよりなる電極に改
良を加えることにより、前記問題が解決できることを見
いだし、本発明を成すに至った。即ち本発明の電極は、
n型層表面に形成された電極であって、少なくとも前記
電極は、n型層に接する側から順に、TiとAlとが含
まれる合金よりなる第一の薄膜、またはTiとAlとが
積層された多層膜よりなる第一の薄膜と、その第一の薄
膜の上にAlよりも高融点の金属よりなる第二の薄膜と
が積層されてなることを特徴とする。
に、TiとAlとの合金よりなる第一の薄膜、またはT
iとAlとを積層した多層膜よりなる第一の薄膜を形成
し、次にその第一の薄膜の上にAlよりも高融点の金属
よりなる第二の薄膜を形成した後、400℃以上でアニ
ーリングすることを特徴とする。
の金属で第二の薄膜に使用できる材料としてはAu、T
i、Ni、Pt、W、Mo、Cr、Cu等を好ましく使
用できる。その中でも特に好ましくはAu、Ti、Ni
を用いる。これら3種類の材料は、第一の薄膜の材料で
あるAl、Tiと非常に密着性が良く、これらの材料で
第二の薄膜を形成すると、第一の薄膜と第二の薄膜とが
剥離することなく、またボールボンディングする際に、
第二の薄膜とボールとの接着性が良い。
Auが好ましく、第二の薄膜はAlよりも高融点の金属
とAuとを含む合金か、またはAlよりも高融点の金属
とAuとが積層された多層膜とすることが好ましい。最
も好ましくは、第二の薄膜をAuとAlよりも高融点の
金属との多層膜とし、第一の薄膜と接する側をAlより
も高融点の金属層とする。なぜなら、第一の薄膜の上に
Alよりも高融点金属を積層して第二の薄膜を形成する
ことにより、その融点の差により、第一の薄膜成分であ
るAlを表面に析出しにくくして、Alの酸化を防止
し、第二の薄膜の金属材料でボールとの接着強度を強め
るためである。そのため、ボールとの接着強度が強く、
電流が流れやすく、かつ酸化されにくい材料としてAu
を含むことが最も好ましい。さらに、第二の薄膜を多層
膜として、Alより高融点の金属層を第一の薄膜と接す
る側とすると、自ずからAu層がボールとの接続側とな
り、第一の薄膜に含まれるAlが第二の薄膜側に拡散す
るのを効果的に防止して、ワイヤーとAu層とが好まし
くボールボンディングできる。
とする場合、及び電極形成方法で第一の薄膜を多層膜と
する場合、その多層膜がn型層と接する層をTiとする
ことが好ましい。なぜならTiはn型層と好ましいオー
ミック接触が得られやすいからである。
ング温度は400℃以上とする必要がある。その理由は
次の通りである。一般に窒化ガリウム系化合物半導体は
ノンドープの状態で結晶中に窒素空孔ができるためn型
になる性質がある。さらに成長中にSi、Ge等のn型
不純物を添加するとより好ましいn型となることが知ら
れている。さらに、窒化ガリウム系化合物半導体は有機
金属気相成長法(MOCVD、MOVPE)、ハイドラ
イド気相成長法(HDCVD)等の気相成長法を用いて
成長される。気相成長法では、原料ガスに、例えばガリ
ウム源としてトリメチルガリウム、窒素源としてアンモ
ニア、ヒドラジン等の水素原子を含む化合物、あるいは
キャリアガスとしてH2等のガスが使用される。水素原
子を含むこれらのガスは、窒化ガリウム系化合物半導体
成長中に熱分解されて結晶中に取り込まれ、窒素空孔あ
るいはn型ドーパントであるSi、Ge等と結合してド
ナーとしての作用を阻害している。従って400℃以上
でアニーリングすることにより、結晶中に入り込んだ水
素原子を追い出すことができるので、n型ドーパントが
活性化して電子キャリア濃度が増加して、電極とオーミ
ック接触が取りやすくなると考えられる。アニーリング
による水素の作用は、我々が先に出願した特開平5−1
83189号公報に述べたのと同様であり、この公報は
p型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導
体が400℃以上のアニーリングから徐々に抵抗率が下
がり始めほぼ700℃以上で一定の抵抗率となることを
示している。これを本願のn型層に適用すると、400
℃以上で水素が抜け始め抵抗率が下がる。しかしn型層
はp型層と異なり、急激な抵抗率の低下は見られず、6
00℃以上でおよそ1/2の抵抗率となり、それ以上の
アニール温度では、ほぼ一定の抵抗率となる。このアニ
ーリング温度による作用については、電極の電流電圧特
性の関係で後述する。アニーリング温度の上限は特に限
定しないが、窒化ガリウム系化合物半導体が分解する温
度、1200℃以下で行うことが好ましい。
一の薄膜、および第二の薄膜を形成するには、例えば蒸
着、スパッタ等の装置を用いて形成することができる。
第一の薄膜は予めTiとAlよりなる合金を使用する
か、またはTi薄膜を形成し、その上にAl薄膜を積層
して形成することができる。第二の薄膜は第一の薄膜と
同様にして形成することができる。これらの薄膜、多層
膜はアニーリングにより合金化されてn型層と好ましい
オーミック接触を得ることができる。合金化されると、
電極材料は例えば薄膜同士の界面が判別できないような
渾然一体となった状態となるが、第二の薄膜をAlより
も高融点金属で形成しているために、Alを第二の薄膜
に拡散しにくくできる。第一の薄膜、および第二の薄膜
は、最初から合金でそれぞれ薄膜を形成するよりも、そ
れぞれ多層膜とする方がより好ましい。なぜなら前にも
述べたように、第一の薄膜においてn型層と好ましいオ
ーミックを得るにはTiが優れており、さらに第二の薄
膜にAlよりも高融点の金属層(但し、この場合、金は
含まず。)を形成することにより、第一の薄膜成分であ
るAlが第二の薄膜へ拡散するのを防止し、Au層で接
着強度を高めることができるからである。第二の薄膜に
おいて、Auを含まない高融点金属としてはTiが最も
好ましい。なぜなら、仮に第二の薄膜のTiが逆に第一
の薄膜側に拡散しても、オーミック接触に悪影響を及ぼ
す可能性が少ないからである。そのため、第二の薄膜は
Alより高融点金属層(Tiが好ましい。)を第一の薄
膜と接する側とし、Auは外部にさらされる側にするこ
とが好ましい。
ローム以上の膜厚で形成し、次に積層する第二の薄膜の
膜厚は第一の薄膜の膜厚よりも厚く形成し、電極全体の
膜厚では50オングストローム以上の膜厚で形成するこ
とが好ましい。なぜなら、電極全体の膜厚が50オング
ストロームよりも薄いと、第一の薄膜の成分であるAl
が表面に出てきやすくなり、電極がボールと付着しにく
い傾向にあるからである。
まずTiを0.03μm厚で蒸着し、その上にAlを
0.1μm厚で蒸着して第一の薄膜を形成する。さらに
Al層の上にTiを0.03μmと、Niを0.03μ
mと、Auを0.5μmの膜厚で順に蒸着した後、種々
の温度で一定時間(5分間)アニーリングを行い電極を
形成し、そのアニーリング温度と電極の電流電圧特性と
の関係を比較した結果を図1に示す。この特性は電極間
の電流電圧特性を測定して評価した。図1においてAは
300℃、Bは400℃、Cは500℃、Dは600℃
でアニーリングした際の電流電圧特性を示している。こ
の図に示すようにアニーリング温度300℃では、電極
とn型層とに好ましいオーミック接触を得ることが困難
となり、400℃以上で好ましいオーミック接触が得ら
れていることがわかる。また600℃のアニールにおい
ても、第二の薄膜成分が第一の薄膜に拡散して、オーミ
ック接触を損ねることがない。
接着強度を調べるため、従来の電極と比較しながら以下
のような試験を行った。図3はその試験方法を示す電極
の断面図であり、n電極11の上にボールボンディング
してできたボール12を、刃物15でもって水平に引っ
掻き、ボール12が電極11から剥がれるか、またはボ
ールが剥がれずにつぶれるまで、刃物15に荷重をかけ
て試験した。
Al−Au、Ti−Al−Ni−Au、Ti−Al−T
i−Ni−Auよりなる5種類の多層膜(各多層膜は左
から順に積層順を示す。)をそれぞれ120μmφの大
きさで100個ずつ形成し、500℃でアニーリングを
行い、n電極11を形成した。n電極11を形成した
後、一日間空気中に放置して電極表面を酸化させ、その
後、それぞれのn電極11の上に金ワイヤー13をボー
ルボンディングして、100μmφのボール12を形成
しワイヤー13を接続した。その後、図4に示すよう
に、ボール12の真横から刃物15でもって、ボール1
2を水平に引っ掻き、ボール12がn電極11から剥が
れるか、または剥がれずにボールがつぶれるまで、刃物
15に荷重をかけることにより評価した。その結果を表
1に示す。表1において、各荷重における数値は、10
0個の内の電極からボールが剥がれた個数を示してお
り、ボールが剥がれずに、つぶれてしまったものは「つ
ぶれ」と記載している。
の電極は、表面が酸化されることにより、30gまでの
荷重で全てのボールが剥離してしまったのに対し、Al
よりも高融点金属を第二の薄膜として積層した本発明の
電極は、30g以上の荷重にも十分耐え、ボールが剥離
することなく非常に強い接着強度を示している。
n型層と好ましいオーミック接触を得、さらに第二の薄
膜でn電極とボールとの接着強度を高めることができ
る。第二の薄膜はAlよりも高融点の金属からなってい
ることにより、第一の薄膜の成分であるAlが電極表面
に析出してくるのを防ぎ、電極表面の酸化を防ぐ作用が
ある。本発明の電極で、最も好ましくは第一の薄膜をT
iとAlとからなる合金、または多層膜とし、第二の薄
膜をTiと、高融点金属と、Auとを順に積層した多層
膜とすることがよい。これはアニーリング時に電極が合
金化した際に、第二の薄膜の成分であるTiの他の高融
点金属が第一の薄膜層に拡散すると、オーミック接触を
悪くする恐れがある。従ってこれらの金属をn型層から
できるだけ離すことにより、好ましいオーミック接触を
維持できることによる。第二の薄膜のTiを第一の薄膜
と接する側にすると、Tiが第一の薄膜成分に入っても
オーミック接触には悪影響を及ぼす恐れが少ない。
Nバッファ層、Siドープn型GaN層、Siドープn
型GaAlNクラッド層、ZnドープInGaN活性
層、Mgドープp型GaAlNクラッド層、Mgドープ
p型GaNコンタクト層とが順に積層されたダブルへテ
ロ構造のウェーハを用意する。
造となるように、ウェーハのp型GaNコンタクト層か
ら深さ方向に一部エッチングして、n型GaN層を表面
に露出させる。n型GaN層の上に所定の形状のマスク
をかけた後、第一の薄膜としてTiを100オングスト
ロームと、Alを0.1μmの膜厚とで蒸着し、120
μmφの大きさの多層膜を形成する。
と、Niを0.1μmと、Auを0.5μmの膜厚で順
に第一の薄膜の上に蒸着して積層する。
リング装置に入れ、窒素雰囲気中600℃で5分間アニ
ーリングしてn電極を形成する。アニール後、ウェーハ
プローバにてn電極間の電流電圧特性を測定した結果、
図1のC、Dに示すような、オーミック接触が得られて
いた。
電極材料で常法に従ってp電極を設けた後、ウェーハを
チップ状に切断し、2インチφのウェーハから1万5千
個のチップを得た。
化合物半導体よりなる発光チップをダイボンドしてリー
ドフレーム上に載置した後、ボールボンダーで各電極に
金ワイヤーを接続した。1万五千個のうち、ボールボン
ディング中にn電極とボールが剥離したものはなかっ
た。またボンディング後、チップを無作為に20個抽出
し、金ワイヤーを引っ張ったところ、ボールが剥がれる
前に、ワイヤーが切れてしまい、ボールが剥がれたもの
はなかった。
に、第二の薄膜としてTiを0.1μmと、Auを0.
4μmの膜厚で順に蒸着する他は同様にして1万五千個
のチップを得た。これらのチップは、ウェーハプローバ
での測定の段階では、すべて図1のC、Dに示すような
オーミック接触が得られており、またボールボンディン
グ中に、ボールが剥離したものはなく、またボンディン
グ後、20個抽出して金ワイヤーを引っ張ったところ、
全てボールは剥離せず、金ワイヤーが途中で切断してし
まった。
に、第二の薄膜としてTiを0.1μmと、Crを0.
1μmと、Auを0.4μmの膜厚で蒸着する他は同様
にして1万5千個のチップを得た。これらのチップもウ
ェーハプローバでの測定の段階で、すべて図1のC、D
に示すようなオーミック接触が得られており、同じくボ
ールボンディング中に、n電極からボールが剥離したも
のはなく、またボンディング後、20個抽出して金ワイ
ヤーを引っ張ったところ、全てボールは剥離せず、金ワ
イヤーが途中で切断してしまった。
ァイア基板側を発光観測面とし、両電極が跨るようにし
て2つのリードフレーム上にインジウムでダイボンドし
た。つまり、発光チップを実施例1とは逆の方向にひっ
くり返した状態とし、両電極を2つのリードフレームに
跨るようにして、それぞれの電極とリードフレームとを
インジウムを介して直接接続した。接続後、n電極と接
続したリードフレームを引っ張ったところ、n電極とイ
ンジウムとの界面から剥がれずに、インジウムとリード
フレームとの界面からリードフレームが剥がれた。
型層と好ましいオーミック接触が得られ、しかもボール
ボンディング時にボールとの接着強度が強いために、窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子の順方向電圧を下
げ、発光効率が良く、信頼性に優れた発光素子を提供す
ることができる。また実施例4に示したように、本発明
の電極は、電極表面が酸化されにくいため、n電極をボ
ールボンディングせずに、例えば電極とリードフレーム
とを直接、半田、インジウム、金の合金等を介して接続
する際にも適用できる。
グ温度と、その電極の電流電圧特性との関係を比較して
示す図。
を示す模式断面図。
電極の模式断面図。
Claims (5)
- 【請求項1】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層表面
に形成された電極であって、少なくとも前記電極は、n
型窒化ガリウム系化合物半導体層に接する側から順に、
チタンとアルミニウムとが含まれる合金よりなる第一の
薄膜、またはチタンとアルミニウムとが積層された多層
膜よりなる第一の薄膜と、その第一の薄膜の上にアルミ
ニウムよりも高融点の金属よりなる第二の薄膜とが積層
されてなることを特徴とするn型窒化ガリウム系化合物
半導体層の電極。 - 【請求項2】 前記第二の薄膜は、金と、アルミニウム
よりも高融点の金属(但し、金を含まず。)とを含む合
金か、または金と、アルミニウムよりも高融点の金属
(但し、金を含まず。)とが積層された多層膜よりなる
ことを特徴とする請求項1に記載のn型窒化ガリウム系
化合物半導体層の電極。 - 【請求項3】 前記アルミニウムよりも高融点の金属
が、少なくともチタンであることを特徴とする請求項2
に記載のn型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極。 - 【請求項4】 前記第二の薄膜が多層膜である場合にお
いて、その第二の薄膜は第一の薄膜と接する側が、アル
ミニウムよりも高融点の金属(但し、金を含まず。)よ
りなることを特徴とする請求項2または請求項3に記載
のn型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極。 - 【請求項5】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層表面
に、チタンとアルミニウムとの合金よりなる第一の薄
膜、またはチタンとアルミニウムとを積層した多層膜よ
りなる第一の薄膜を形成し、次にその第一の薄膜の上に
アルミニウムよりも高融点の金属よりなる第二の薄膜を
形成した後、400℃以上でアニーリングすることを特
徴とするn型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極形成
方法。
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