JP5232970B2 - 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子とそれを備えたランプ - Google Patents
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Description
このようにボンディングパッド107を直接p型半導体層103に接続した構造によれば、ボンディングパッド107は透明電極105に対するよりも強い接合強度でp型半導体層103に接着するため、ボンディング時にワイヤによってボンディングパッド107を引っ張る力が作用してもボンディングパッド107が剥離することがない特徴も有している。
(1)本発明の半導体発光素子の製造方法は、基板上に、n型半導体層、発光層およびp型半導体層が積層され、p型半導体層上に透光性正極が積層されるとともに、該透光性正極に正極ボンディングパッドが設けられ、前記n型半導体層上に負極ボンディングパッドが設けられた半導体発光素子を製造する方法であって、前記p型半導体層上に透光性酸化物導電材料の透光性正極を化学量論組成よりも酸素不足した状態で形成した後、酸素含有雰囲気中においてアニール処理し、その後、無酸素雰囲気において再アニール処理することを特徴とする。
(2)化学量論組成よりも酸素が不足した状態が、化学量論組成の酸素濃度に対し、0.01原子%〜10原子%の範囲で酸素が不足した状態であることを特徴とする。
(3)本発明の半導体発光素子の製造方法は、前記半導体層を窒化ガリウム系化合物半導体から構成することを特徴とする。
(4)本発明の半導体発光素子の製造方法は、前記アニール処理する以前の成膜したままの状態の前記透光性正極の透過率を80%〜90%の範囲とし、前記アニール処理により透過率を向上させ、その後無酸素雰囲気において再アニール処理することを特徴とすることを特徴とする。
(5)本発明の半導体発光素子の製造方法は、前記再アニール処理により前記透光性正極のシート抵抗を低減することを特徴とする。
(6)本発明の半導体発光素子の製造方法は、前記透光性正極を前記p型半導体層の上面のほぼ全面に形成することを特徴とする。
(7)本発明の半導体発光素子の製造方法は、前記アニール処理を250℃〜600℃の温度範囲で行うことを特徴とする。
(8)本発明の半導体発光素子の製造方法は、前記再アニール処理を2ガス雰囲気中において200℃〜500℃の温度範囲で行うことを特徴とする。
(9)本発明の半導体発光素子の製造方法は、前記化学量論組成よりも酸素不足の透光性正極に対して前記アニール処理と再アニール処理を施すことにより、前記透光性正極のシート抵抗を20Ω/□以下とすることを特徴とする。
(10)本発明の半導体発光素子の製造方法は、前記透光性正極を構成する透光性酸化物導電材料として、ITO(In2O3−SnO2)、AZnO(ZnO−Al2O3)、IZnO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−GeO2)からなる少なくとも一種類を選択することを特徴とする。
(11)本発明の半導体発光素子は、先の(1)〜(10)のいずれか1項に記載の半導体発光素子の製造方法により得られたことを特徴とする。
(12)本発明のランプは、先の(11)に記載の半導体発光素子を備えたことを特徴とする。
(13)本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる、n型半導体層、発光層およびp型半導体層が積層され、p型半導体層上に透光性正極が積層されるとともに、該透光性正極上に正極ボンディングパッドが設けられ、n型半導体層上に負極ボンディングパッドが設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記透光性正極が、前記p型半導体層上に形成された化学量論組成よりも酸素不足状態の透光性酸化物導電材料の透光性正極を酸素含有雰囲気中において行う初期アニール処理と無酸素雰囲気中において行う再アニール処理により、20Ω/□以下のシート抵抗とされてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
(14)本発明のランプは、先の(13)に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が備えられたことを特徴とする。
また、ドーパントとしては、n型にはSi原料としてモノシラン(SiH4)またはジシラン(Si2H6)を、Ge原料としてゲルマンガス(GeH4)や、テトラメチルゲルマニウム((CH3)4Ge)やテトラエチルゲルマニウム((C2H5)4Ge)等の有機ゲルマニウム化合物を利用できる。MBE法では、元素状のゲルマニウムもドーピング源として利用できる。p型にはMg原料としては例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム(EtCp2Mg)を用いる。
[窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法]
本発明は、p型半導体層15上に設ける透光性正極16の形成方法とそのアニール処理方法に特徴の1つを有するので、以下に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法に関連付けて説明する。
<半導体層形成工程>
まず、基板11上にバッファ層12を介して窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型半導体層13、発光層14およびp型半導体層15をこの順序で積層する。このような窒化ガリウム系化合物半導体の積層構造体の形成においては、上述したような、従来より用いられている材質や成長方法を、何ら制限無く用いることができる。
<透光性正極形成工程>
p型半導体層15を形成後、その上面のほぼ全面に透光性酸化物導電材料の透光性正極16を成膜する。ここで用いる透光性正極16の構成材料は、ITO(In2O3−SnO2)、AZnO(ZnO−Al2O3)、IZnO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−GeO2)などの透光性酸化物導電材料のいずれかを含んだ材料からなる。
(窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製)
サファイアからなる基板1上に、AlNからなるバッファ層12を介して、窒化ガリウム系化合物半導体層を積層した。この窒化ガリウム系化合物半導体層は、厚さ8μmのアンドープGaNからなる下地層、厚さ2μmのGeドープn型GaNコンタクト層および厚さ0.02μmのn型In0.1Ga0.9Nクラッド層がこの順序で積層されたn型半導体層13、厚さ16nmのSiドープGaN障壁層および厚さ2.5nmのIn0.06Ga0.94N井戸層を5回積層し、最後に障壁層を設けた多重量子井戸構造の発光層14、および厚さ0.01μmのMgドープp型Al0.07Ga0.93Nクラッド層と厚さ0.18μmのMgドープp型Al0.02Ga0.98Nコンタクト層がこの順序で積層されたp型半導体層15からなり、各層をこの順で積層して形成した。光取出面は半導体側とした。
(透光性正極の形成)
次に、フォトリソグラフィー技術及びリフトオフ技術を用いて、p型AlGaNコンタクト層表面のほぼ全面にIn2O3−X−10%SnO2−yの式で示される組成比のITOからなる透光性正極(電流拡散層)を形成した。透光性正極の形成においては、まず、窒化ガリウム系化合物半導体層を積層した基板を真空スパッタ装置内に入れ、p型AlGaNコンタクト層上に前記組成比のITOの透光性正極を1μm積層した。このITOの成膜直後の透過率を表1に示す。なお、透過率はITOの化学量論生成からの酸素不足の量に比例して変化するので、透過率が低いものの方がより酸素が不足しているものとなる。
(ボンディングパッドの形成)
次に、正極ボンディングパッド17および負極ボンディングパッド18を、以下のような手順で形成した。
(駆動電圧(Vf)及び発光出力(Po)の測定)
これらのチップを、プローブ針による通電で電流印加値20mAにおける標準順電圧(駆動電圧:Vf)の測定をしたところ表1に示す結果が得られた。
11 基板、
12 バッファ層、
13 n型半導体層、
14 発光層、
15 p型半導体層、
16 透光性正極、
17 正極ボンディングパッド、
18 負極ボンディングパッド、
30 ランプ、
31、32 フレーム、
33、34 ボンディングワイヤ、
35 モールド部、
Claims (14)
- 基板上に、n型半導体層、発光層およびp型半導体層が積層され、p型半導体層上に透光性正極が積層されるとともに、該透光性正極に正極ボンディングパッドが設けられ、前記n型半導体層上に負極ボンディングパッドが設けられた半導体発光素子を製造する方法であって、
前記p型半導体層上に透光性酸化物導電材料の透光性正極を化学量論組成よりも酸素不足した状態で形成した後、酸素含有雰囲気中においてアニール処理し、その後、無酸素雰囲気において再アニール処理することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 化学量論組成よりも酸素が不足した状態が、化学量論組成の酸素濃度に対し、0.01原子%〜10原子%の範囲で酸素が不足した状態であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記半導体層を窒化ガリウム系化合物半導体から構成することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記アニール処理する以前の成膜したままの状態の前記透光性正極の透過率を80%〜90%の範囲とし、前記アニール処理により透過率を向上させ、その後無酸素雰囲気において再アニール処理することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記再アニール処理により前記透光性正極のシート抵抗を低減することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記透光性正極を前記p型半導体層の上面のほぼ全面に形成することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記アニール処理を250℃〜600℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記再アニール処理をN2ガス雰囲気中において200℃〜500℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記化学量論組成よりも酸素不足の透光性正極に対して前記アニール処理と再アニール処理を施すことにより、前記透光性正極のシート抵抗を20Ω/□以下とすることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記透光性正極を構成する透光性酸化物導電材料として、ITO(In2O3−SnO2)、AZnO(ZnO−Al2O3)、IZnO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−GeO2)からなる少なくとも一種類を選択することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体発光素子の製造方法により得られたことを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項11に記載の半導体発光素子を備えたことを特徴とするランプ。
- 基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる、n型半導体層、発光層およびp型半導体層が積層され、p型半導体層上に透光性正極が積層されるとともに、該透光性正極上に正極ボンディングパッドが設けられ、n型半導体層上に負極ボンディングパッドが設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、
前記透光性正極が、前記p型半導体層上に形成された化学量論組成よりも酸素不足状態の透光性酸化物導電材料の透光性正極を酸素含有雰囲気中において行う初期アニール処理と無酸素雰囲気中において行う再アニール処理により、20Ω/□以下のシート抵抗とされてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 請求項13に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が備えられたことを特徴とするランプ。
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